JPS60231374A - 高電流伝達率光結合素子 - Google Patents
高電流伝達率光結合素子Info
- Publication number
- JPS60231374A JPS60231374A JP59088057A JP8805784A JPS60231374A JP S60231374 A JPS60231374 A JP S60231374A JP 59088057 A JP59088057 A JP 59088057A JP 8805784 A JP8805784 A JP 8805784A JP S60231374 A JPS60231374 A JP S60231374A
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- JP
- Japan
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- current transfer
- light
- optical coupling
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- Pending
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、高電流伝達率を有し、かつ耐環境性に優れた
光結合素子に開学る。
光結合素子に開学る。
（従来の技術）
光結合素子においては、電流伝達率および入出方間絶縁
耐圧が高く、構造的に耐環境性の優れたものが要請され
る。
耐圧が高く、構造的に耐環境性の優れたものが要請され
る。
従来、光結合素子としては、第２図に示すような構造が
考えられてｂた。
考えられてｂた。
第２図において、金属ステム１４に配置された発光素子
１１の発する光は、向しあったセラミック基板１２上に
取付けられた受光素子１３によって受光され、信号が伝
達されるように構成され、その上からキャップ１６が８
１八被される。
１１の発する光は、向しあったセラミック基板１２上に
取付けられた受光素子１３によって受光され、信号が伝
達されるように構成され、その上からキャップ１６が８
１八被される。
従来のこのような光結合素子の構造は発光素子１１の発
する光の一部しか受光できず、電流伝達率が低いと論う
欠点があった。また、発光素子１１と受光素子１３を対
面させてしるので構造的にも複雑で価格が高く、撮動、
衝撃のような機械的耐環境性も充分ではなかった。
する光の一部しか受光できず、電流伝達率が低いと論う
欠点があった。また、発光素子１１と受光素子１３を対
面させてしるので構造的にも複雑で価格が高く、撮動、
衝撃のような機械的耐環境性も充分ではなかった。
（発明の目的）
本発明は、以上の考察にもとづくもので、その目的は高
す電流伝達率を有し、かつ構造も簡単で、耐環境性に優
れた光結合素子を提供することにある。
す電流伝達率を有し、かつ構造も簡単で、耐環境性に優
れた光結合素子を提供することにある。
（発明の構成）
前記目的を達成するために本発明による光結合素子は、
楕円体の反射鏡と、この楕円体の一つの焦点位置に配置
した発光素子と、この楕円体の他方の焦点位置に配置し
た受光素子とて構成しである。
楕円体の反射鏡と、この楕円体の一つの焦点位置に配置
した発光素子と、この楕円体の他方の焦点位置に配置し
た受光素子とて構成しである。
（実 雄側）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明による光結合素子の一実施例を示す断
面図である。図において６は、内面の光反射率の高論楕
円体の金属反射鏡であり、光結合素子のケースの一部を
兼ねている。１は発光素子、３は受光素子であり、それ
ぞれ楕円体６の第１と第２の焦点位置に配置されてしる
。
面図である。図において６は、内面の光反射率の高論楕
円体の金属反射鏡であり、光結合素子のケースの一部を
兼ねている。１は発光素子、３は受光素子であり、それ
ぞれ楕円体６の第１と第２の焦点位置に配置されてしる
。
楕円体の性質上、発光素子１から発した光は、反射鏡６
によって反射し、そのすべての光が受光素子３に受光さ
れる。また、発光素子１および受光素子３は、絶縁材料
、例えばセラミックの基板２の上に十分な距離を置して
取付けられて込ることから、素子間の絶縁耐圧も高く、
簡単な構造と々ってｂる。絶縁材料２は金属ステム４に
搭載されている。発光素子１および受光素子３は金属ス
テム４にハーメチックシール材５によってその端部が少
し突出した状態で固定された端子７にワイヤボンディン
グされる。
によって反射し、そのすべての光が受光素子３に受光さ
れる。また、発光素子１および受光素子３は、絶縁材料
、例えばセラミックの基板２の上に十分な距離を置して
取付けられて込ることから、素子間の絶縁耐圧も高く、
簡単な構造と々ってｂる。絶縁材料２は金属ステム４に
搭載されている。発光素子１および受光素子３は金属ス
テム４にハーメチックシール材５によってその端部が少
し突出した状態で固定された端子７にワイヤボンディン
グされる。
（発明の効果）
本発明による光結合素子は以上説明したように発光素子
よシ発した光が楕円体反射鏡によってすべて受光素子に
達する構成であるので、高電流伝達率が達成できる。
よシ発した光が楕円体反射鏡によってすべて受光素子に
達する構成であるので、高電流伝達率が達成できる。
また、同時に、高い入出方間絶縁耐圧を得ることができ
、さらに単純な構造であるので価格が安く、耐環境性に
優れてｂるなどの効果がある。
、さらに単純な構造であるので価格が安く、耐環境性に
優れてｂるなどの効果がある。
第１図は本発明による高電流伝達率光結合素子の実施例
を示す断面図、第２図は従来の光結合素子の構造を示す
断面図である。 １゜１１・・・発光素子 ２・・・絶縁基板（セラミック基板） ３．１３・・・受光素子 ４．１４・・・ケースの金属ステム ５．１５・・・ハーメチックシール材 ６・・・楕円体の反射鏡 ７ｏ１７・・・端子 ８．１８・・・ボンディングワイヤ １２・・・セラミック基板 １６・・・ケースのキャップ 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 第１図
を示す断面図、第２図は従来の光結合素子の構造を示す
断面図である。 １゜１１・・・発光素子 ２・・・絶縁基板（セラミック基板） ３．１３・・・受光素子 ４．１４・・・ケースの金属ステム ５．１５・・・ハーメチックシール材 ６・・・楕円体の反射鏡 ７ｏ１７・・・端子 ８．１８・・・ボンディングワイヤ １２・・・セラミック基板 １６・・・ケースのキャップ 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 第１図
Claims (1)
- 楕円体反射鏡と、この楕円体の一つの焦点位置に配置し
た発光素子と、この楕円体の他方の焦点位置に配置した
受光素子とからなる高電流伝達率光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088057A JPS60231374A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 高電流伝達率光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59088057A JPS60231374A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 高電流伝達率光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231374A true JPS60231374A (ja) | 1985-11-16 |
Family
ID=13932209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59088057A Pending JPS60231374A (ja) | 1984-05-01 | 1984-05-01 | 高電流伝達率光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109856071A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-07 | 西北核技术研究所 | 一种光谱在线诊断方法及装置 |
| CN109781671B (zh) * | 2019-03-11 | 2021-11-05 | 西北核技术研究所 | 一种透射率在线测试方法及装置 |
-
1984
- 1984-05-01 JP JP59088057A patent/JPS60231374A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109856071A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-07 | 西北核技术研究所 | 一种光谱在线诊断方法及装置 |
| CN109781671B (zh) * | 2019-03-11 | 2021-11-05 | 西北核技术研究所 | 一种透射率在线测试方法及装置 |
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