JPS5914909B2 - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
- Publication number
- JPS5914909B2 JPS5914909B2 JP50084431A JP8443175A JPS5914909B2 JP S5914909 B2 JPS5914909 B2 JP S5914909B2 JP 50084431 A JP50084431 A JP 50084431A JP 8443175 A JP8443175 A JP 8443175A JP S5914909 B2 JPS5914909 B2 JP S5914909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical coupling
- coupling device
- vitreous body
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光結合素子に関する。
本発明は１の外囲器内に配設された発光素子と受光素子
間における光の高い伝達特性を備えた光結合素子の構造
を提供するものである。 一般に光結合素子またはフォ
トカプラ（ｐｈｏｔｏＣｏｕｐｌｅｒ）と称せられるも
のは、発光素子と受光素子とを１の外囲器内に配置し、
光を媒体を媒体として電気信号の伝達を行なう如くなる
。
間における光の高い伝達特性を備えた光結合素子の構造
を提供するものである。 一般に光結合素子またはフォ
トカプラ（ｐｈｏｔｏＣｏｕｐｌｅｒ）と称せられるも
のは、発光素子と受光素子とを１の外囲器内に配置し、
光を媒体を媒体として電気信号の伝達を行なう如くなる
。
そして画素子の入出力間が電気的に分離されて信号の伝
達を行わせることによつて、各種制御系のスイッチング
、リレー、フィードバック等に従来得られなかつた性能
が得られる。第１図に従来一例の光結合素子の構造の概
略を断面図で示す。これは発光ダイオードペレット１ａ
を配した発光素子組立体１と、受光ペレット２ａを配し
た受光素子組立体２とを１の外囲器３内に封入してなる
構造である。前記入出力間の絶縁耐力に次第に高い値が
要求される傾向にある。上記従来の構造の光結合素子に
あつてはかゝる要求に対しては画素子１ａ、２ａ間の距
離を大きくする必要がある。しかし受光素子に入射する
光は距離の２乗に反比例して減垂するために伝達効率が
低下する。発光ダイオードとしてはＧａＰ、ＧａＡｓな
どがあり、これら■−り族化合物半導体ペレットの発光
指向特性は点光源としてあらゆる方向に分散するため、
伝達効率を改善するには発光の集光が必要となつてくる
。 本発明は上記従来の光結合素子に対する要求にこた
えるためになされたもので、発光素子と受光素子との間
に硝子体を介挿せしめるとともに、画素子を含めてこの
硝子体の表面全体に光屈折率が硝子体よりも小なるシリ
コン樹脂層を被覆し、更にこの樹脂層上にエポキシ樹脂
層を被覆してなることを特徴とする。 本発明の一実施
例の光結合素子につき以下に図面を参照して詳細に説明
する。
達を行わせることによつて、各種制御系のスイッチング
、リレー、フィードバック等に従来得られなかつた性能
が得られる。第１図に従来一例の光結合素子の構造の概
略を断面図で示す。これは発光ダイオードペレット１ａ
を配した発光素子組立体１と、受光ペレット２ａを配し
た受光素子組立体２とを１の外囲器３内に封入してなる
構造である。前記入出力間の絶縁耐力に次第に高い値が
要求される傾向にある。上記従来の構造の光結合素子に
あつてはかゝる要求に対しては画素子１ａ、２ａ間の距
離を大きくする必要がある。しかし受光素子に入射する
光は距離の２乗に反比例して減垂するために伝達効率が
低下する。発光ダイオードとしてはＧａＰ、ＧａＡｓな
どがあり、これら■−り族化合物半導体ペレットの発光
指向特性は点光源としてあらゆる方向に分散するため、
伝達効率を改善するには発光の集光が必要となつてくる
。 本発明は上記従来の光結合素子に対する要求にこた
えるためになされたもので、発光素子と受光素子との間
に硝子体を介挿せしめるとともに、画素子を含めてこの
硝子体の表面全体に光屈折率が硝子体よりも小なるシリ
コン樹脂層を被覆し、更にこの樹脂層上にエポキシ樹脂
層を被覆してなることを特徴とする。 本発明の一実施
例の光結合素子につき以下に図面を参照して詳細に説明
する。
第２図に本発明の一実施例の光結合素子を断面図で示す
。図において１１は発光素子組立体で、発光ダイオード
ペレットＩｌａにその電極を導出する外部リードＩｌｂ
を接続してなり、前記発光を受光する受光素子組立体１
２は受光素子ペレット１２ａにその電極に接続しこれを
導出する外部リード１２ｂからなる。そして両組立体は
夫々のペレットＩｌａ、１２ａの間に円柱状で大なる光
屈折率の硝子体１３を介挿するとともに外囲はシリコン
樹脂層１４によつて被包される。上記シリコン樹脂が屈
折率ｎｌ■１．５、硝子体が屈折率Ｎ２；１，７〜２．
０で，その電気絶縁耐力はいづれも１５〜１６ｋ／ＭＴ
ｌＬであるので充分高い電圧のアイソレーシヨン（ＳＯ
ｊａｔｉＯｎ）が可能である。なお図の１５はエポキシ
樹脂層で前記シリコン樹脂層の露出面をさらに被覆して
一部の外囲器を形成する。本発明の光結合素子にあつて
は電気絶縁耐力は上記の如く１５〜１６ｋＶ／Ｍ７ｎの
材質によつて極めて高く保持される利点がある。
。図において１１は発光素子組立体で、発光ダイオード
ペレットＩｌａにその電極を導出する外部リードＩｌｂ
を接続してなり、前記発光を受光する受光素子組立体１
２は受光素子ペレット１２ａにその電極に接続しこれを
導出する外部リード１２ｂからなる。そして両組立体は
夫々のペレットＩｌａ、１２ａの間に円柱状で大なる光
屈折率の硝子体１３を介挿するとともに外囲はシリコン
樹脂層１４によつて被包される。上記シリコン樹脂が屈
折率ｎｌ■１．５、硝子体が屈折率Ｎ２；１，７〜２．
０で，その電気絶縁耐力はいづれも１５〜１６ｋ／ＭＴ
ｌＬであるので充分高い電圧のアイソレーシヨン（ＳＯ
ｊａｔｉＯｎ）が可能である。なお図の１５はエポキシ
樹脂層で前記シリコン樹脂層の露出面をさらに被覆して
一部の外囲器を形成する。本発明の光結合素子にあつて
は電気絶縁耐力は上記の如く１５〜１６ｋＶ／Ｍ７ｎの
材質によつて極めて高く保持される利点がある。
次には一例としてシリコン樹脂の屈折率ｎ１＝１．５２
，硝子の屈折率Ｎ２＝１．７５とすると、発光素子から
出る光が硝子体の端面に入射する臨界角１は次式により
ｉ−５９．４゜となり、光を集める能力は非常に大で光
結合素子として高い伝達特性が得られるという顕著な効
果があり、上記高い電気絶縁耐力と相俟つてすぐれた光
結合素子である。
，硝子の屈折率Ｎ２＝１．７５とすると、発光素子から
出る光が硝子体の端面に入射する臨界角１は次式により
ｉ−５９．４゜となり、光を集める能力は非常に大で光
結合素子として高い伝達特性が得られるという顕著な効
果があり、上記高い電気絶縁耐力と相俟つてすぐれた光
結合素子である。
なお上記硝子体は円柱状に限られず、光結合素子の形状
に応じて自由に選択してよい。
に応じて自由に選択してよい。
また硝子体とペレツトとは当接しても、または若干離隔
してもよい。
してもよい。
第１図は従来の光結合素子の断面図、第２図は本発明の
一実施例の光結合素子の断面図である。 １１ａ・・・・・・発光素子、１２ａ・・・・・・受光
素子、１３・・・・・・硝子体、１４・・・・・・シリ
コン樹脂層、１５・・・・・・エポキシ樹脂層（一部の
外囲器）。
一実施例の光結合素子の断面図である。 １１ａ・・・・・・発光素子、１２ａ・・・・・・受光
素子、１３・・・・・・硝子体、１４・・・・・・シリ
コン樹脂層、１５・・・・・・エポキシ樹脂層（一部の
外囲器）。
Claims (1)
- １ 発光素子と受光素子との間に硝子体を介挿せしめる
とともに、両素子を含めてこの硝子体の表面全体に光屈
折率が硝子体よりも小なるシリコン樹脂層を被覆し、こ
のシリコン樹脂層上に外囲器を形成するエポキシ樹脂層
を被覆してなることを特徴とする光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50084431A JPS5914909B2 (ja) | 1975-07-11 | 1975-07-11 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50084431A JPS5914909B2 (ja) | 1975-07-11 | 1975-07-11 | 光結合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS529386A JPS529386A (en) | 1977-01-24 |
| JPS5914909B2 true JPS5914909B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=13830384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50084431A Expired JPS5914909B2 (ja) | 1975-07-11 | 1975-07-11 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914909B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188131A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | レジストと基板との密着性を増強する方法 |
| JPS62129846A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | フオトレジストの塗布方法及び塗布装置 |
| JPH0356059Y2 (ja) * | 1987-03-25 | 1991-12-16 |
-
1975
- 1975-07-11 JP JP50084431A patent/JPS5914909B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS529386A (en) | 1977-01-24 |
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