JPS60229303A - 非線型抵抗素子 - Google Patents
非線型抵抗素子Info
- Publication number
- JPS60229303A JPS60229303A JP59085473A JP8547384A JPS60229303A JP S60229303 A JPS60229303 A JP S60229303A JP 59085473 A JP59085473 A JP 59085473A JP 8547384 A JP8547384 A JP 8547384A JP S60229303 A JPS60229303 A JP S60229303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance element
- metal
- nonlinear resistance
- present
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は非線型抵抗素子に関する、
〔従来技術〕
近年、液晶表示素子の応用が腕時計、電卓等を代表とし
て、広い分野で用いられている。その表示体の液晶の駆
動素子として、非線型抵抗素子が用いられる(参照:特
開昭57−1186011にれらの素子は陽極酸化によ
り酔イヒ嘩をνbV、 してぃた。この工程R5特開昭
57−1+8601にあるよlIK、クエン酸水溶液4
=前後の処fIII漣液f通すため、ある程度の不純物
の混入は濾けられなか−だ。
て、広い分野で用いられている。その表示体の液晶の駆
動素子として、非線型抵抗素子が用いられる(参照:特
開昭57−1186011にれらの素子は陽極酸化によ
り酔イヒ嘩をνbV、 してぃた。この工程R5特開昭
57−1+8601にあるよlIK、クエン酸水溶液4
=前後の処fIII漣液f通すため、ある程度の不純物
の混入は濾けられなか−だ。
そのため、素子性能のバラツキ原1刀となり、歩留り低
下の一因にもなっていた、 〔目的〕 不純物混入を防ぐ最善の方法は、製造−「稈に溶液をで
きるだけ使用しない乾式18を導入することである。本
発明は、従来技術の陽極酸化忙帰因する欠点を解決する
もので、金属とsiの化合物(以下メタルシリサイドと
呼ぶ)を非線型抵抗零子の一方の金属と使用することに
より、乾式による製造工桿を可能にし、不純物混入の曹
因を低減し、歩留り向上を計るものである。
下の一因にもなっていた、 〔目的〕 不純物混入を防ぐ最善の方法は、製造−「稈に溶液をで
きるだけ使用しない乾式18を導入することである。本
発明は、従来技術の陽極酸化忙帰因する欠点を解決する
もので、金属とsiの化合物(以下メタルシリサイドと
呼ぶ)を非線型抵抗零子の一方の金属と使用することに
より、乾式による製造工桿を可能にし、不純物混入の曹
因を低減し、歩留り向上を計るものである。
素子基板の上にメタルシリサイドをスパッタで形成後、
必要なパターニングを施し、9章雰囲気により熱処理を
行う。すると、メタルシリサイドの表面にシリコン(S
マ°)が析出、5h、その厚みは、熱処理温度と時間に
より制御1ジねろ。必要なSi膜を形5v徒、熱酸化処
理を施す、この時点で、非線型抵抗素子として重要な酸
イヒIIIか形成ばれる。この後で、対向11jとして
の金属をつけて、素子として完成シせる。
必要なパターニングを施し、9章雰囲気により熱処理を
行う。すると、メタルシリサイドの表面にシリコン(S
マ°)が析出、5h、その厚みは、熱処理温度と時間に
より制御1ジねろ。必要なSi膜を形5v徒、熱酸化処
理を施す、この時点で、非線型抵抗素子として重要な酸
イヒIIIか形成ばれる。この後で、対向11jとして
の金属をつけて、素子として完成シせる。
、二のよう(で、本発明忙よれば、いわゆる湿式法とい
われる酸化法を使用せずにすむため、品質に優れfc酸
化膜が期待でき、素子性能を安定化ζせることかできる
。
われる酸化法を使用せずにすむため、品質に優れfc酸
化膜が期待でき、素子性能を安定化ζせることかできる
。
本発明により構bvシた素子の断面図1を用いて実施例
を峻明する。
を峻明する。
ガラス基板1をS L 02薄膜2で被覆し、RFスバ
・ツタによりyos%薄膜f 2000 A ′8度つ
ける、薄膜全所定の形状にエツチングした後、最初馬ア
ニールを次にO,アニールを施す。この時点で素子とし
て重要な酸化罐層が形成をれる。不要部分をエーノ千ン
グしてyosi、膜部3及び酸化幅部4f残す。
・ツタによりyos%薄膜f 2000 A ′8度つ
ける、薄膜全所定の形状にエツチングした後、最初馬ア
ニールを次にO,アニールを施す。この時点で素子とし
て重要な酸化罐層が形成をれる。不要部分をエーノ千ン
グしてyosi、膜部3及び酸化幅部4f残す。
その上VcNi −Or/Auを2oooiの厚百に蒸
着し、所定形状に工・Iチングして対向電極を兼ねたリ
ード部5とする。液晶f駆動する場合け、シらにI?L
203の透明電極6を設ける。
着し、所定形状に工・Iチングして対向電極を兼ねたリ
ード部5とする。液晶f駆動する場合け、シらにI?L
203の透明電極6を設ける。
以上説明しftよへに1本発明によれば通常の■C工穆
が利用でき、品質保証も得られやすい。従って、非線型
抵抗素子として安定な駆動が期待でき、大型表示体への
応用が可卵となる、本発明により作られた素子の駆動例
を@2図に示す。
が利用でき、品質保証も得られやすい。従って、非線型
抵抗素子として安定な駆動が期待でき、大型表示体への
応用が可卵となる、本発明により作られた素子の駆動例
を@2図に示す。
非線型抵抗素子にメタルシリサイド、Il!LKW8i
2やMoFj2のような高融点金楓化合物を使用すれげ
辿常の半導体の製造工程での処理が可能となるため、高
品質の保証ができ、素子を数万個やそれ以上イ4I用す
る大型パネルへ応用ハしても品質トラブルの低減が期待
できる。
2やMoFj2のような高融点金楓化合物を使用すれげ
辿常の半導体の製造工程での処理が可能となるため、高
品質の保証ができ、素子を数万個やそれ以上イ4I用す
る大型パネルへ応用ハしても品質トラブルの低減が期待
できる。
第1図二本発明実施例の素子の断面構成を示す。
第2図二本発明実施例の素子の電圧−電流特性を示す。
μJ 上
Claims (1)
- 金属−酸化膵一金属(対向電極)の構造をした非線型抵
抗孝子において、金属とシリコンSiの化合物薄膜を形
成後、熱処理により該酸イ、膜を形成し、その後、該金
属(対向電極)fつけることを特徴とする非線型抵抗素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59085473A JPS60229303A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非線型抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59085473A JPS60229303A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非線型抵抗素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60229303A true JPS60229303A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13859871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59085473A Pending JPS60229303A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 非線型抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60229303A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924137A (en) * | 1988-02-23 | 1990-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59085473A patent/JPS60229303A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924137A (en) * | 1988-02-23 | 1990-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube |
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