JPS60221722A - 記録再生光学系 - Google Patents
記録再生光学系Info
- Publication number
- JPS60221722A JPS60221722A JP59077891A JP7789184A JPS60221722A JP S60221722 A JPS60221722 A JP S60221722A JP 59077891 A JP59077891 A JP 59077891A JP 7789184 A JP7789184 A JP 7789184A JP S60221722 A JPS60221722 A JP S60221722A
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- JP
- Japan
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- optical system
- semiconductor laser
- recording
- objective lens
- aperture
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1372—Lenses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1398—Means for shaping the cross-section of the beam, e.g. into circular or elliptical cross-section
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光学的な記録再生を行う為の光学系に関する
ものである。
ものである。
背景技術とその間融点
光学的な記録再生が可能な媒体、例えは光ディスクに情
報を記録する為にはｌｏＦＦＩＷ前後のパワーが必＊’
ｃあるが、この記録の為の光源として広く使用されてい
る半導体レーザの光出力は２０〜３ＱｍＷ前後とあまり
大きくない。この為に、半導体レーザからの光出力を有
効に利用しなければならず、光学系には高い結合効率が
要求される。
報を記録する為にはｌｏＦＦＩＷ前後のパワーが必＊’
ｃあるが、この記録の為の光源として広く使用されてい
る半導体レーザの光出力は２０〜３ＱｍＷ前後とあまり
大きくない。この為に、半導体レーザからの光出力を有
効に利用しなければならず、光学系には高い結合効率が
要求される。
一方、元ディスクに記録されている情報を再生する場合
は、ビームがレンズに均一に入射すればするほど高い再
生性能を得ることができる。第１図はこのことを示して
おり、レンズの口径２人がビームの直径２Ｗに比べて小
さく、Ａ／Ｗが小さいほどＭＴＦが高い。
は、ビームがレンズに均一に入射すればするほど高い再
生性能を得ることができる。第１図はこのことを示して
おり、レンズの口径２人がビームの直径２Ｗに比べて小
さく、Ａ／Ｗが小さいほどＭＴＦが高い。
つまり、高い再生性能を得ることき高い結合効率を得る
こととは、互いに相反する要件である。
こととは、互いに相反する要件である。
この為に、双方の条件を満たし、しかも各光学素子の光
学定数の固体差にも対応できる様に構成されている記録
再生光学系は、今のところ知られていない。
学定数の固体差にも対応できる様に構成されている記録
再生光学系は、今のところ知られていない。
発明の目的
本発明は、この様な問題点に鑑み、所定の再生性能と結
合効率とを■し、しかも各光学素子の光学定数の固体差
にも対応することができる記録再生光学系を提供するこ
とを目的としている。
合効率とを■し、しかも各光学素子の光学定数の固体差
にも対応することができる記録再生光学系を提供するこ
とを目的としている。
発明の概要
本発明は、単−横モードの発振を行い活性層に垂直及び
平行な夫々の面内でのビーム放射角がθ工及びθ〃 で
ある半導体レーザと、焦点距離ｆＣを有するコリメート
レンズと、互いに直交する２方向の拡大倍率の比が１：
βであるアナモルフィック光学素子き、焦点距離ｆ。、
開口ＩｔＮＡｏ及び口径２Ａｏ を有する対物レンズと
を夫々具備し、前記半導体レーザから放射され前記コリ
メートレンズ及び前記アナモルフィック光学素子を通過
して前記対物レンズに入射するビームの前記活性層に垂
直及び平行な夫々の面内での直径２Ｗ土及び２Ｗ〃 と
前記口径との比Ａ／Ｗ土及びＡ ／ Ｗｐが所定の値ｆ
ｉ工及びｆｉ、に対して、 Ａｏ／Ｗｌｌ≦ｆｉ□ Ａｏ／Ｗ、、≦目。
平行な夫々の面内でのビーム放射角がθ工及びθ〃 で
ある半導体レーザと、焦点距離ｆＣを有するコリメート
レンズと、互いに直交する２方向の拡大倍率の比が１：
βであるアナモルフィック光学素子き、焦点距離ｆ。、
開口ＩｔＮＡｏ及び口径２Ａｏ を有する対物レンズと
を夫々具備し、前記半導体レーザから放射され前記コリ
メートレンズ及び前記アナモルフィック光学素子を通過
して前記対物レンズに入射するビームの前記活性層に垂
直及び平行な夫々の面内での直径２Ｗ土及び２Ｗ〃 と
前記口径との比Ａ／Ｗ土及びＡ ／ Ｗｐが所定の値ｆ
ｉ工及びｆｉ、に対して、 Ａｏ／Ｗｌｌ≦ｆｉ□ Ａｏ／Ｗ、、≦目。
の関係を有すると共に結合効率ダか所定の値ηｄに対し
て、 ダ≧ηｄ の関係を有し、前記ビームによって光学的な記録再生を
行う様にした記録再生光学系に於いて、Ｍ＝ ｆｃ／
ｆ、とβとが、 Ｍ≧ＮＡｏ／（ａｉｂθｘ ・ｆ ＩＪＬ） −’Ｍ−
β≧ＮＡ ｏ ／ （ｇｍθｐ・ｆｉ／／）Ｍ２・β≦
０ 、７４ ＮＡ ｏ ／（ａ＋ｎθ□、ｓｍｆ）ｐ、
１ｄ）の関係を満たす様に構成されていることを特徴と
する記録再生光学系に係るもあである。
て、 ダ≧ηｄ の関係を有し、前記ビームによって光学的な記録再生を
行う様にした記録再生光学系に於いて、Ｍ＝ ｆｃ／
ｆ、とβとが、 Ｍ≧ＮＡｏ／（ａｉｂθｘ ・ｆ ＩＪＬ） −’Ｍ−
β≧ＮＡ ｏ ／ （ｇｍθｐ・ｆｉ／／）Ｍ２・β≦
０ 、７４ ＮＡ ｏ ／（ａ＋ｎθ□、ｓｍｆ）ｐ、
１ｄ）の関係を満たす様に構成されていることを特徴と
する記録再生光学系に係るもあである。
実施例
以下、本発明の一実施例を第２図〜第５図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第２図は、本実施例の構成を示している。半導体レーザ
１は単−横モードの発振を行い、この半導体レーザ１か
ら放射されるビーム２の強度は光軸に垂直な断面上でガ
ウス分布に近い分布をしている。
１は単−横モードの発振を行い、この半導体レーザ１か
ら放射されるビーム２の強度は光軸に垂直な断面上でガ
ウス分布に近い分布をしている。
半導体レーザ１から放射されるビーム２のビーム半径の
先端つまりビーム２の強度が光軸上の値の１／ｅ２にな
る点を通る光線が光軸と成す角度は、半導体レーザ１の
活性層３に垂直及び平行な夫々の面内でθ１及びθ〃（
θ□〉θ〃）であり、光軸に垂直な方向でのビーム２の
断面は楕円形を成している。
先端つまりビーム２の強度が光軸上の値の１／ｅ２にな
る点を通る光線が光軸と成す角度は、半導体レーザ１の
活性層３に垂直及び平行な夫々の面内でθ１及びθ〃（
θ□〉θ〃）であり、光軸に垂直な方向でのビーム２の
断面は楕円形を成している。
この為に、焦点距離がｆｃで且つ開口数がＮＡｃである
コリメートレンズ４を通過したビーム２は、プリズムや
レンズ等のアナモルフィック光学素子５によってより円
形に近い断面形状とされる。本実施例で使用するアナモ
ルフィック光学素子５は、互いに直交する２方向の内の
一方では倍率β（≧１）の拡大機能を有しており、他方
では拡大櫨ａ話を有していない。
コリメートレンズ４を通過したビーム２は、プリズムや
レンズ等のアナモルフィック光学素子５によってより円
形に近い断面形状とされる。本実施例で使用するアナモ
ルフィック光学素子５は、互いに直交する２方向の内の
一方では倍率β（≧１）の拡大機能を有しており、他方
では拡大櫨ａ話を有していない。
アナモルフィック光学素子５を通過したビーム２のビー
ム半径は、活性層３に垂面及び平行な夫々の面内でＷ土
及びＷｐ となっている。そして、このビーム２は、焦
点距離がｆ。で且っ開口数がＮＡｏである対物レンズ６
によって収束されて、光ディスク１の記録面に入射する
。
ム半径は、活性層３に垂面及び平行な夫々の面内でＷ土
及びＷｐ となっている。そして、このビーム２は、焦
点距離がｆ。で且っ開口数がＮＡｏである対物レンズ６
によって収束されて、光ディスク１の記録面に入射する
。
ところで、半導体レーザ１と対物レンズ６との選定には
自由度があまりないのが一般的である。
自由度があまりないのが一般的である。
また、コリメートレンズ４の口径２ Ａｃ（＝ ２ ｆ
、・ＮＡ、 ）を対物レンズ６の口径２ Ａｏ（＝ ２
ｆｏ、ＮＡｏ）よりも大きくすれば、光学系の再生性
能は、対物レンズ６の口径２Ａｏ とこの対物レンズ６
へ入射するビーム２の直径２ Ｗ土、２Ｗ、との比によ
って決定される。
、・ＮＡ、 ）を対物レンズ６の口径２ Ａｏ（＝ ２
ｆｏ、ＮＡｏ）よりも大きくすれば、光学系の再生性
能は、対物レンズ６の口径２Ａｏ とこの対物レンズ６
へ入射するビーム２の直径２ Ｗ土、２Ｗ、との比によ
って決定される。
従って、これらの比と光学系の結合効率ｌとが、夫々所
定の値であるｆｉ土、ｆｉ、及びηｄ に対゛して、Ａ
ｏ／ｗＬ≦ｆｉ□・・・・・・・・・・・・・・・■Ａ
ｏ／Ｗ、、≦ｆｉ、−・・・・・・・・・・・・・■η
≧ηｄ・・・・・・・・・・・・・・・■の関係を満
たす様にする為には、コリメートレンズ４とアナモルフ
ィック光学素子５との夫々の光学定数を適当な値に選定
すればよい。
定の値であるｆｉ土、ｆｉ、及びηｄ に対゛して、Ａ
ｏ／ｗＬ≦ｆｉ□・・・・・・・・・・・・・・・■Ａ
ｏ／Ｗ、、≦ｆｉ、−・・・・・・・・・・・・・■η
≧ηｄ・・・・・・・・・・・・・・・■の関係を満
たす様にする為には、コリメートレンズ４とアナモルフ
ィック光学素子５との夫々の光学定数を適当な値に選定
すればよい。
上記の００式は、夫々
人ｏ／Ｗ、＝ ｆ Ｑ ’ ＮｋＱ／ＣＢｒｕθｌ”
Ｃ）≦’１ＪＬＡｏ／Ｗｓ ＝ ｆ ｏ−ＮＡｏ／（＝
θ〃・【ｏ・β）、６（ｉ、。
Ｃ）≦’１ＪＬＡｏ／Ｗｓ ＝ ｆ ｏ−ＮＡｏ／（＝
θ〃・【ｏ・β）、６（ｉ、。
となるので、Ｍ ＝＝ ｆ ｏ／ ｆ ｏ とすると、
これらの式％式％ 一方、強度分布がガウス形であるビーム２を使用する場
合の光学系の結合効率ηは、活性層３に垂直な方向をＸ
方向とし平行な方向をｙ方向とすると、 ｃｄｘｄｙｅｘｐ（−２・（（Ａ／ｗ）Ｘ−Ｘ）２）・
ｅＸｐ（−２・（（Ａ／ｗ）、・ｙ）２）・・・・・・
・・・■ Ａ（、：４≦１ と表わされる。
これらの式％式％ 一方、強度分布がガウス形であるビーム２を使用する場
合の光学系の結合効率ηは、活性層３に垂直な方向をＸ
方向とし平行な方向をｙ方向とすると、 ｃｄｘｄｙｅｘｐ（−２・（（Ａ／ｗ）Ｘ−Ｘ）２）・
ｅＸｐ（−２・（（Ａ／ｗ）、・ｙ）２）・・・・・・
・・・■ Ａ（、：４≦１ と表わされる。
第３図は、０式からめた結合効率ηの等高線を示してい
る。そして第４図は、０式を。
る。そして第４図は、０式を。
ダ＝０．８６Ｘ （Ａ／Ｗ）ｘ・（Ａ／Ｗ）ｙ ・・・
・・・・・・■の式で近似してめた結合効率ダの等高融
を示している。
・・・・・・■の式で近似してめた結合効率ダの等高融
を示している。
第４図中の点線は０式に対する■式の誤差が２−以下の
範囲を示しており、Ａ／Ｗが略１．１２以下である。ま
た第４図中の一点鎖線は誤差がＩＩｓ以下の範囲を示し
ており、Ａ／Ｗが略１．１０以下である。そこで、■式
を用いると、０式はＭ２・／、４ ｏ、７４ ＮＡｏ
／ （ｓｉｎθ□・ｔｒｍｅｒｑ ｔｌ ）−−−＝
■となる。
範囲を示しており、Ａ／Ｗが略１．１２以下である。ま
た第４図中の一点鎖線は誤差がＩＩｓ以下の範囲を示し
ており、Ａ／Ｗが略１．１０以下である。そこで、■式
を用いると、０式はＭ２・／、４ ｏ、７４ ＮＡｏ
／ （ｓｉｎθ□・ｔｒｍｅｒｑ ｔｌ ）−−−＝
■となる。
つまり、対物レンズ６の焦点距Ｍｆｏ に対するコリメ
ートレンズ４の焦点距離ｆ。の比であるＭと、アナモル
フィック光学素子５の拡大倍率であるＩとを、０００式
を満たす様に選定すれば、光学系の再生性能及び結合効
率の条件である０００式を満たすことができる。
ートレンズ４の焦点距離ｆ。の比であるＭと、アナモル
フィック光学素子５の拡大倍率であるＩとを、０００式
を満たす様に選定すれば、光学系の再生性能及び結合効
率の条件である０００式を満たすことができる。
第５図は、上記の０００式によってめたＭ及びβの値を
示している。ここでは、ａ。＝ ０．５０、ｆｉ、≦０
．８０、ｆ ｉ ／／≦１．００ 及びηｄ≧０．５０
とし、ビーム放射角が互いに異なる３個の半導体レーザ
Ｉ Ａ％ Ｉ Ｂｓ １０を使用した。
示している。ここでは、ａ。＝ ０．５０、ｆｉ、≦０
．８０、ｆ ｉ ／／≦１．００ 及びηｄ≧０．５０
とし、ビーム放射角が互いに異なる３個の半導体レーザ
Ｉ Ａ％ Ｉ Ｂｓ １０を使用した。
半導体レーザ１Ａのビーム放射角の半値食中つまりビー
ム２の強度が光軸上の値の１／２になる全角は、活性層
３に垂直及び平行な夫々の面内で１９．００”及び８．
５０°である。また、半導体レーザ１Ｂについては２３
．５０”及び１０．５０”であり、半導体レーザ１Ｃで
は３１．５０°及び１２゜００°である。なお、上述の
角度θ工及びθ〃は、これらの半値食中に夫々０．８４
７を乗することｌζよって得ることができる。
ム２の強度が光軸上の値の１／２になる全角は、活性層
３に垂直及び平行な夫々の面内で１９．００”及び８．
５０°である。また、半導体レーザ１Ｂについては２３
．５０”及び１０．５０”であり、半導体レーザ１Ｃで
は３１．５０°及び１２゜００°である。なお、上述の
角度θ工及びθ〃は、これらの半値食中に夫々０．８４
７を乗することｌζよって得ることができる。
第５図に於いて、直線１１はｆｉ上＝０．８０に、曲線
１２はＨａ ＝ １−００に、曲線１３はη、＝０．５
０に、また曲線１４はβ・＝１に夫々対応しており、こ
れらの直線及び曲線１１〜１４に囲まれている範囲が、
各々の半導体レーザｌＡｓ１Ｂｓ１０についてのＭ及び
βの範囲である。
１２はＨａ ＝ １−００に、曲線１３はη、＝０．５
０に、また曲線１４はβ・＝１に夫々対応しており、こ
れらの直線及び曲線１１〜１４に囲まれている範囲が、
各々の半導体レーザｌＡｓ１Ｂｓ１０についてのＭ及び
βの範囲である。
従って、第５図から明らかな様に、Ｍ＝２．２６及びβ
＝１．７９とすれば、半導体レーザＩ Ａｓ Ｉ Ｂ−
１０の何れを使用した場合でも、■■■式で示される所
定の再生性能と結合効率とを得ることができる。
＝１．７９とすれば、半導体レーザＩ Ａｓ Ｉ Ｂ−
１０の何れを使用した場合でも、■■■式で示される所
定の再生性能と結合効率とを得ることができる。
発明の効果
上述の如く、本発明による記録再生光学系は、対物レン
ズの焦点距離に対するコリメートレンズの焦点距離の比
と、アナモルフィック光学素子の拡大倍率とが、所定の
式を満たす様に構成されているので、所定の再生性能と
結合効率とを有することができ、しかも各光学素子の光
学定数の固体差にも対応することができる。
ズの焦点距離に対するコリメートレンズの焦点距離の比
と、アナモルフィック光学素子の拡大倍率とが、所定の
式を満たす様に構成されているので、所定の再生性能と
結合効率とを有することができ、しかも各光学素子の光
学定数の固体差にも対応することができる。
第１図はレンズ径及びビーム径の比と再生性能との関係
を示すグラフ、第２図は本発明の一実施例を示す概略的
な側面図、第３図はレンズ径及びビーム径の比と結合効
率との関係を示すグラフ、第４図は草３図の関係を近似
的に示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の光学定数
を示すグラフである〇 なお図面に用いられている符号に於いて、１ ・・・・
・・・・・・・・・・・半導体レーザ２ ・・・・・・
・・・・・・・・・ビーム３・・・・・・・・・・・・
・・・活性層４ ・・・・・・・・・・・・・・・コリ
メートレンズ５・・・・・・・・・・・・・・・アナモ
ルフィック光学素子６・・・・・・・・・・・・・・・
対物レンズである。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 第１図 ！２聞周瀘教Ｃ”Ｍ’！−タ７酎１（）第３図 ０９ （Ａ／Ｗ）ｘ 第４図 （Ａ／Ｗ）Ｙ 第５図
を示すグラフ、第２図は本発明の一実施例を示す概略的
な側面図、第３図はレンズ径及びビーム径の比と結合効
率との関係を示すグラフ、第４図は草３図の関係を近似
的に示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の光学定数
を示すグラフである〇 なお図面に用いられている符号に於いて、１ ・・・・
・・・・・・・・・・・半導体レーザ２ ・・・・・・
・・・・・・・・・ビーム３・・・・・・・・・・・・
・・・活性層４ ・・・・・・・・・・・・・・・コリ
メートレンズ５・・・・・・・・・・・・・・・アナモ
ルフィック光学素子６・・・・・・・・・・・・・・・
対物レンズである。 代理人 上屋 勝 〃 常包芳男 第１図 ！２聞周瀘教Ｃ”Ｍ’！−タ７酎１（）第３図 ０９ （Ａ／Ｗ）ｘ 第４図 （Ａ／Ｗ）Ｙ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単−横モードの発振を行い活性層に垂直及び平行な夫々
の面内でのビーム放射角がθ工及びθＮである半導体レ
ーザと、焦点距離ｆＣを有するコリメートレンズと、互
いに直交する２方向の拡大倍率の比が１：βであるアナ
モルフィック光学素子と、焦点距離ｆ０、開口数凧。及
び口径２Ａｏを有する対物レンズとを夫々具備し、前記
半導体レーザから放射され前記コリメートレンズ及び前
記アナモルフィック光学素子を通過してｍｌ記対物レン
ズに入射するビームの前記活性層に垂直及び平行な夫々
の面内での直径２ ＷＪＬ及び２ ＶＶｔｔと前記口径
との比Ａ０／Ｗ工及びＡｏ／Ｗ７ｙが所定の値口よ及び
ｆ轟Ｉに対して、 人。／Ｗ工≦ｆ１□ ＹＡＡ０／ＷＩ≦ｆｉＩ の関係を有すると共に結合効率ダが所定の値ηｄに対し
て、 ダ≧ ダｄ の関係を有し、前記ビームによって光学的な記録再生を
行う様にした記録再生光学系に於いて、Ｍ＝ｆｃ／ｆｏ
とβとが、 Ｍ≧ＮＡｏ ／ （ｓｕｎθ１・ｆｊｌ）Ｍ−／≧ＮＡ
、／（ｓ＝ｅｐ ・ｒｔ、）Ｍ２．β≦０．７４ＮＡ２
ｏ／（ｓｉｎθ工・８１１１θＩ−ｙｄ）の関係を満た
す様に構成されていることを特徴とする記録再生光学系
◎
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077891A JPH0743469B2 (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 記録再生光学系の製造方法 |
| PCT/JP1985/000195 WO1985004978A1 (en) | 1984-04-18 | 1985-04-12 | Recording/reproducing optical system |
| KR1019850700388A KR930000516B1 (ko) | 1984-04-18 | 1985-04-12 | 기록 재생 광학계 |
| EP19850902115 EP0179916A4 (en) | 1984-04-18 | 1985-04-12 | OPTICAL RECORDING / REPRODUCTION SYSTEM. |
| US06/816,128 US4744073A (en) | 1984-04-18 | 1985-04-12 | Recording/reproducing optical system utilizing semiconductor laser light source and anamorphic imaging element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077891A JPH0743469B2 (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 記録再生光学系の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221722A true JPS60221722A (ja) | 1985-11-06 |
| JPH0743469B2 JPH0743469B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=13646693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077891A Expired - Lifetime JPH0743469B2 (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 記録再生光学系の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4744073A (ja) |
| EP (1) | EP0179916A4 (ja) |
| JP (1) | JPH0743469B2 (ja) |
| KR (1) | KR930000516B1 (ja) |
| WO (1) | WO1985004978A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04370535A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4789977A (en) * | 1986-11-06 | 1988-12-06 | Laser Magnetic Storage International Company | Optical data recording device |
| JPS63268139A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Alps Electric Co Ltd | 光学式ピツクアツプの光学装置 |
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