JPS60219747A - 半導体製造装置における処理室内の真空度の制御方法及びその装置 - Google Patents
半導体製造装置における処理室内の真空度の制御方法及びその装置Info
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- JPS60219747A JPS60219747A JP7625384A JP7625384A JPS60219747A JP S60219747 A JPS60219747 A JP S60219747A JP 7625384 A JP7625384 A JP 7625384A JP 7625384 A JP7625384 A JP 7625384A JP S60219747 A JPS60219747 A JP S60219747A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置における処理室内の真空度の
ばらつきを除去して真空度を均一ならしめるための制御
方法とその装置に関し、特に、プラズマエツチングまた
はプラズマ気相成長などを行うプラズマ処理装置の真空
室内の真空度を制御する方法と装置に関するものである
。
ばらつきを除去して真空度を均一ならしめるための制御
方法とその装置に関し、特に、プラズマエツチングまた
はプラズマ気相成長などを行うプラズマ処理装置の真空
室内の真空度を制御する方法と装置に関するものである
。
周知のように、半導体製造工程において、半導体ウェハ
ーにプラズマ処理などを行う場合には、半導体ウェハー
を定置した横長管状の処理室を密閉した後、該処理室内
を真空排気管により真空排気し、次いで反応ガスを導入
してプラズマを発生させ、半導体ウェハーにプラズマ処
理を行っている。
ーにプラズマ処理などを行う場合には、半導体ウェハー
を定置した横長管状の処理室を密閉した後、該処理室内
を真空排気管により真空排気し、次いで反応ガスを導入
してプラズマを発生させ、半導体ウェハーにプラズマ処
理を行っている。
ところで、このようなプラズマ処理装置において、良好
なるプラズマ処理を行うには、処理室内が常に均一した
一定の真空状態に保持されていて反応ガスの状態に変化
のないことが重要な条件となる。
なるプラズマ処理を行うには、処理室内が常に均一した
一定の真空状態に保持されていて反応ガスの状態に変化
のないことが重要な条件となる。
ところが、処理室はいずれも横長管状型であるために、
室内真空度が不均一になり、また被処理物たる半導体ウ
ェハーの容量などによっても室内真空度にばらつきが生
じて、室内の真空状態が一定に保持されないという欠点
があった。
室内真空度が不均一になり、また被処理物たる半導体ウ
ェハーの容量などによっても室内真空度にばらつきが生
じて、室内の真空状態が一定に保持されないという欠点
があった。
本発明は、このような従来の欠点に鑑みなされたもので
、その目的とするところは、処理室の形状や半導体ウェ
ハーの容量などのいかんに拘らず、処理室内を常に均一
の真空度に保持して、プラズマ処理などを極めて良好に
し、以って高い歩留の半導体製造を可能とすることにあ
る。
、その目的とするところは、処理室の形状や半導体ウェ
ハーの容量などのいかんに拘らず、処理室内を常に均一
の真空度に保持して、プラズマ処理などを極めて良好に
し、以って高い歩留の半導体製造を可能とすることにあ
る。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第１図は全体の説明図で、石英から成る処理室１は蓋２
と反応ガス導入管３と少なくとも２つの真空排気管４．
５を有し、真空排気管４．５の５ちの一方（奥側）４は
その径がやや細くて基準となる真空排気管となっており
、また他方（開口側）の排気管５はその径が太く、処理
室１内における真空度の被制御部分を真空引きするため
の真空排気管となっており、これら真空排気管４．５は
連結されて１本となり、真空ポンプ（図示しない）と接
続されている。
と反応ガス導入管３と少なくとも２つの真空排気管４．
５を有し、真空排気管４．５の５ちの一方（奥側）４は
その径がやや細くて基準となる真空排気管となっており
、また他方（開口側）の排気管５はその径が太く、処理
室１内における真空度の被制御部分を真空引きするため
の真空排気管となっており、これら真空排気管４．５は
連結されて１本となり、真空ポンプ（図示しない）と接
続されている。
基準真空排気管４には、処理室１内における基準となる
部分の真空度を検知する検知器６が、また真空排気管５
には、処理室１内における被制御部分の真空度を検知す
る検知器７が設けられている。
部分の真空度を検知する検知器６が、また真空排気管５
には、処理室１内における被制御部分の真空度を検知す
る検知器７が設けられている。
これら検知器６．７はそれぞれの部分の真空度を電気的
信号に変換して送出する公知のもので、その概要を第２
図を参照して説明すると、本体８内には金属ダイヤフラ
ム９が設けられて、このダイヤフラム９を境にして基準
側と測定側に区分され、基準側にはキャパシタンス電極
１０が設けられると共に、永久真空封じがされ、一方、
測定側は真空排気管４または５と接続されている。
信号に変換して送出する公知のもので、その概要を第２
図を参照して説明すると、本体８内には金属ダイヤフラ
ム９が設けられて、このダイヤフラム９を境にして基準
側と測定側に区分され、基準側にはキャパシタンス電極
１０が設けられると共に、永久真空封じがされ、一方、
測定側は真空排気管４または５と接続されている。
そして、真空排気管４または５を介してダイヤフラム９
に圧力が加わると、ダイヤフラム９は変位シ、キャパシ
タンス電極１０とダイヤフラム９の間隔が変化してキャ
パシタンスが変化し、発振器１１の出力を変化させる。
に圧力が加わると、ダイヤフラム９は変位シ、キャパシ
タンス電極１０とダイヤフラム９の間隔が変化してキャ
パシタンスが変化し、発振器１１の出力を変化させる。
発振器１１０周波数出力は周波数−電圧変換器１２に送
出されて、変換された電圧はプリアンプ１３に入力され
、圧力に比例した出力を得ると共に、この出力とオフセ
ットアンプ１４によりゼロオフセットされた出力は差動
アンプ１５に入力され、さらにこの差動アンプ１５から
の差出力は出力アンプ１６に入力されてこの出力アンプ
１６から出力信号ＡまたはＢが送出されるようになって
いる。
出されて、変換された電圧はプリアンプ１３に入力され
、圧力に比例した出力を得ると共に、この出力とオフセ
ットアンプ１４によりゼロオフセットされた出力は差動
アンプ１５に入力され、さらにこの差動アンプ１５から
の差出力は出力アンプ１６に入力されてこの出力アンプ
１６から出力信号ＡまたはＢが送出されるようになって
いる。
このような構造に係る検知器６．７によって検知された
それぞれのイｇ号Ａ、Ｂは制御装置１７に加えられる。
それぞれのイｇ号Ａ、Ｂは制御装置１７に加えられる。
制御装置１７は第３図に示すように、検知器６０信号Ａ
が加えられる反転回路１８と、検知器７の信号Ｂが加え
られる非反転回路１９と、両反転回路１８．１９の出力
を演算処理する演算回路２０と、この演算回路２０の出
力信号を増巾する増巾器２１を有している。
が加えられる反転回路１８と、検知器７の信号Ｂが加え
られる非反転回路１９と、両反転回路１８．１９の出力
を演算処理する演算回路２０と、この演算回路２０の出
力信号を増巾する増巾器２１を有している。
増巾器２１によって増巾された出力信号はモータ２２に
加えられ、このモータ２２の正逆回転を介して真空絞弁
２３の開度が０〜９０度の範囲において制御される。
加えられ、このモータ２２の正逆回転を介して真空絞弁
２３の開度が０〜９０度の範囲において制御される。
真空絞弁２３は第４図および第５図に示すように、平面
略円形にして、かつ断回路だ円形を呈し、この真空絞弁
２３はハウジング２４の真空排気管５と連通した円形中
空部２５の内周面に水平状態において内接して可動的に
設けられると共に、真空絞弁２３の中心部位には回転軸
２６が横設固着され、この回転軸２６はハウジング２４
の軸穴に配設されたカラー２７、ベアリング２８により
回転可能に軸支されると共に、ハウジング２４と連結さ
れている枠２９．３０の軸穴を通して延び、その端部は
枠３０の軸穴に配設されたベアリング３１によって軸支
されると共に、枠２９と枠３０との空間部における軸部
分には歯車３２が固着され、この歯車３２は枠３０に横
設されたモータ２２の駆動軸３３に固着された歯車３４
と導合し、モータ２２の駆動により歯車３４．３２、回
転軸２６の正逆回転を介して真空絞弁２３が第５図に示
す矢印方向に０〜９０度の範囲内において回動し、処理
室１内における被制御部分の真空度を基準真空度と同じ
になるよう調節可能となっている次Ｋ、動作について説
明すると、処理室１内における基準となる部分の基準真
空度（好ましくは１Ｏ−ＩＴｏｒｒ）は恨知器６によっ
て検知されて、その信号Ａは制御装置１７０反転回路１
８に加えられる。
略円形にして、かつ断回路だ円形を呈し、この真空絞弁
２３はハウジング２４の真空排気管５と連通した円形中
空部２５の内周面に水平状態において内接して可動的に
設けられると共に、真空絞弁２３の中心部位には回転軸
２６が横設固着され、この回転軸２６はハウジング２４
の軸穴に配設されたカラー２７、ベアリング２８により
回転可能に軸支されると共に、ハウジング２４と連結さ
れている枠２９．３０の軸穴を通して延び、その端部は
枠３０の軸穴に配設されたベアリング３１によって軸支
されると共に、枠２９と枠３０との空間部における軸部
分には歯車３２が固着され、この歯車３２は枠３０に横
設されたモータ２２の駆動軸３３に固着された歯車３４
と導合し、モータ２２の駆動により歯車３４．３２、回
転軸２６の正逆回転を介して真空絞弁２３が第５図に示
す矢印方向に０〜９０度の範囲内において回動し、処理
室１内における被制御部分の真空度を基準真空度と同じ
になるよう調節可能となっている次Ｋ、動作について説
明すると、処理室１内における基準となる部分の基準真
空度（好ましくは１Ｏ−ＩＴｏｒｒ）は恨知器６によっ
て検知されて、その信号Ａは制御装置１７０反転回路１
８に加えられる。
一方、処理室１内における被制御部分の真空度は検知器
７によって検知され、その信号Ｂは制御装置１７の非反
転回路１９に加えられる。
７によって検知され、その信号Ｂは制御装置１７の非反
転回路１９に加えられる。
ここで、検知器７により検知された真空度が検知器６に
より検知された基準真空度と異って低真空の場合、換言
すれば、真空度に部分的ばらつきがある場合には、両信
号Ａ、Ｂは演算回路２０により演算処理されて、真空絞
弁２３を開く方向に回動させるための出力を生じ、この
出力信号は増巾器２１により増巾されてモータ２２に加
えられる。するとモータ２２が駆動して、その回転力は
歯車３４．３２を介して回転軸２６に伝達され、この回
転軸２６の回転と共に真空絞弁２３が開く方向に回動し
て、中空部２５と連通している真空排気管５に対する開
度が調節され、真空排気量が多くなって処理室１の内部
全体が基準の真空度になるよう真空排気されて、処理室
１内の真空度は均一となる。
より検知された基準真空度と異って低真空の場合、換言
すれば、真空度に部分的ばらつきがある場合には、両信
号Ａ、Ｂは演算回路２０により演算処理されて、真空絞
弁２３を開く方向に回動させるための出力を生じ、この
出力信号は増巾器２１により増巾されてモータ２２に加
えられる。するとモータ２２が駆動して、その回転力は
歯車３４．３２を介して回転軸２６に伝達され、この回
転軸２６の回転と共に真空絞弁２３が開く方向に回動し
て、中空部２５と連通している真空排気管５に対する開
度が調節され、真空排気量が多くなって処理室１の内部
全体が基準の真空度になるよう真空排気されて、処理室
１内の真空度は均一となる。
このｉうに、本発明によれば、処理室の形状や挿入定置
される半導体ウェハーの容量などとは全く関係なしに１
処理室内の真空度を常にばらつきのない均一に保持する
ことができるので、反応ガスに変化がなく、良好なるプ
ラズマ処理などを行うことができて、高い歩留の半導体
製造が＝’Ｊ能となるものである。
される半導体ウェハーの容量などとは全く関係なしに１
処理室内の真空度を常にばらつきのない均一に保持する
ことができるので、反応ガスに変化がなく、良好なるプ
ラズマ処理などを行うことができて、高い歩留の半導体
製造が＝’Ｊ能となるものである。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は全体の説明図、
第２図は検知器の説明図、第３図は制御装置の説明図、
第４図は真空絞弁部分の平面図、第５図は同上■−■線
に＆った断面図である。 １・・・処理室 ４・・・基準真空排気管 ５・・・真空排気管 ６．７・・・検知器 １７・・・制御装置 ２２・會ｅモータ ２３・・・真空絞弁 特許出願人 株式会社 プラズマシステム 第 １５！Ｉ ３
第２図は検知器の説明図、第３図は制御装置の説明図、
第４図は真空絞弁部分の平面図、第５図は同上■−■線
に＆った断面図である。 １・・・処理室 ４・・・基準真空排気管 ５・・・真空排気管 ６．７・・・検知器 １７・・・制御装置 ２２・會ｅモータ ２３・・・真空絞弁 特許出願人 株式会社 プラズマシステム 第 １５！Ｉ ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 半導体製造装置において、処理室内の基準となる部
分の基準真空度と被制御部分の真空度を検知して、これ
らの検知信号を演算回路を含む制御装置に加え、該出力
信号によって前記被制御部分を真空排気する排気管の真
空絞弁の開度な制御することを％徴とする半導体製造装
置における処理室内の真空度の制御方法。 ２ 半導体製造装置において、処理室内を真空排気する
少なくとも２つの真空排気管のうちの１つの基準真空排
気管と、他の真空排気管にそれぞれ設けられて、前記処
理室内の基準となる部分の基準真空度と被制御部分の真
空度をそれぞれ電気的信号に変換して送出するそれぞれ
の検知器と、これらの検知器と接続されて、該検知器の
出力信号を演算し、かつ増巾する制御装置と、前記他の
真空排気管に設けられると共に、該制御装置と接続され
て、該制御装置の出力信号により真空排気管に対する開
度な制御する真空絞弁とを備えた半導体製造装置におけ
る処理室内の真空度制御装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7625384A JPS60219747A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体製造装置における処理室内の真空度の制御方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7625384A JPS60219747A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体製造装置における処理室内の真空度の制御方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219747A true JPS60219747A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13600029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7625384A Pending JPS60219747A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体製造装置における処理室内の真空度の制御方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224231A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| JPS567431A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-26 | Ulvac Corp | Method and apparatus for controlling low pressure of vacuum apparatus |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7625384A patent/JPS60219747A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| JPS567431A (en) * | 1979-06-30 | 1981-01-26 | Ulvac Corp | Method and apparatus for controlling low pressure of vacuum apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224231A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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