JPS60219645A - 光情報記録媒体及びその製造装置 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造装置Info
- Publication number
- JPS60219645A JPS60219645A JP59076256A JP7625684A JPS60219645A JP S60219645 A JPS60219645 A JP S60219645A JP 59076256 A JP59076256 A JP 59076256A JP 7625684 A JP7625684 A JP 7625684A JP S60219645 A JPS60219645 A JP S60219645A
- Authority
- JP
- Japan
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- recording medium
- information recording
- thin film
- optical information
- disk
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームを用いて情報が記録されL光情報記録
媒体に関し、特に円盤状記録媒体であって内周から外周
にかけて徐々に記録感度金高くした光情報記録媒体に関
す2もので多イ〇光情報記録媒体としてはTo合金薄膜
や色素薄膜を用−た穿孔型記録媒体と非晶質−結晶質転
移や磁区反転管利用した濃淡型記録媒体が知られていゐ
が、いずれの媒体も情報t−記記録2に要すゐ光エネル
ギーは媒体上のいかなる位置においても一定である◇光
情報記録媒体が円盤状であυ°、この媒体を角速度一定
で回転させ情報t−記録褥生する場合、外周におけ4線
速度は内周における線速度よシも大であえため情報全記
録するに必要な元エネルギーは外周にな4に従って大1
くな4o一般には記録エネルギー金内周から外周へ徐々
に大きくして均一な記録を行わねばならず、情報記録位
置に応じて光エネルギーを変化させと必要があった0 本発明はこの様な欠点を改良する為になされたもので、
角速度一定で回転す2円盤状光情報記録媒体に情報t−
記録す2時、従来の様に情報記録位置に応じて元エネル
ギーを変化させなくても均一な記録ができz元情報記録
媒体を提供することを目的とすえものでめる0 この為本発明は、円盤状記録媒体の記録薄膜として本出
願人が概に昭和59年4月16日付で「光情報記録媒体
」として提案したGe z−xsnxTe (0<X≦
0.7)合金を主成分とすゐ薄膜を用いえもので、その
特徴は上記円盤状記録媒体の内周から外周にかけて徐々
に上記Xの値を増加させたことにあゐ。
媒体に関し、特に円盤状記録媒体であって内周から外周
にかけて徐々に記録感度金高くした光情報記録媒体に関
す2もので多イ〇光情報記録媒体としてはTo合金薄膜
や色素薄膜を用−た穿孔型記録媒体と非晶質−結晶質転
移や磁区反転管利用した濃淡型記録媒体が知られていゐ
が、いずれの媒体も情報t−記記録2に要すゐ光エネル
ギーは媒体上のいかなる位置においても一定である◇光
情報記録媒体が円盤状であυ°、この媒体を角速度一定
で回転させ情報t−記録褥生する場合、外周におけ4線
速度は内周における線速度よシも大であえため情報全記
録するに必要な元エネルギーは外周にな4に従って大1
くな4o一般には記録エネルギー金内周から外周へ徐々
に大きくして均一な記録を行わねばならず、情報記録位
置に応じて光エネルギーを変化させと必要があった0 本発明はこの様な欠点を改良する為になされたもので、
角速度一定で回転す2円盤状光情報記録媒体に情報t−
記録す2時、従来の様に情報記録位置に応じて元エネル
ギーを変化させなくても均一な記録ができz元情報記録
媒体を提供することを目的とすえものでめる0 この為本発明は、円盤状記録媒体の記録薄膜として本出
願人が概に昭和59年4月16日付で「光情報記録媒体
」として提案したGe z−xsnxTe (0<X≦
0.7)合金を主成分とすゐ薄膜を用いえもので、その
特徴は上記円盤状記録媒体の内周から外周にかけて徐々
に上記Xの値を増加させたことにあゐ。
以下、本発明を実施例にしたがって詳細に説明する0
第1図は本発明によ2光情報記録媒体を製造す4装置の
一例を示したものであzO真空チャンノ(−11の中に
回転する基板ホルダー12が設けられておシ、円盤状基
板13は該基板ホルダー12の下方に取)付けられふ0
該円盤状基板13の中心軸1α下で距離H□の位置に第
1の蒸発源14が置かれ、GeTeを蒸発させ芝のに使
用する。蒸発源14からのGeTe蒸発量は電源16の
出力全変化させて制御すふ。第2の蒸発源15は第1の
蒸発源14から水平に距11I!Lの位置に置かれ5n
Te f蒸発させるのに使用する。蒸発源15からの5
nTe蒸発量は電源17の出力を変化させて制御する。
一例を示したものであzO真空チャンノ(−11の中に
回転する基板ホルダー12が設けられておシ、円盤状基
板13は該基板ホルダー12の下方に取)付けられふ0
該円盤状基板13の中心軸1α下で距離H□の位置に第
1の蒸発源14が置かれ、GeTeを蒸発させ芝のに使
用する。蒸発源14からのGeTe蒸発量は電源16の
出力全変化させて制御すふ。第2の蒸発源15は第1の
蒸発源14から水平に距11I!Lの位置に置かれ5n
Te f蒸発させるのに使用する。蒸発源15からの5
nTe蒸発量は電源17の出力を変化させて制御する。
以上の様な構成において、蒸発源14から蒸発したGe
Te粒子の基板13への飛来量は基板13の中心部で大
であシ外局部へと徐々に小さくなる。内周部と外周部に
2けるGeTe粒子飛来量の比は距離H□を変え4こと
により所望の値に調整す4ことができ、H1’に大とす
Z2外局部の内周部に対すふ飛来GeTe粒子比R0は
1に近ずく。通にH0ヲ小とす4とR工は1から遠ざか
芝。同様に蒸発#15から蒸発した5nTe粒子婆の基
板13への飛来量FiL及び1(、′t−変化させえと
外周部で大きく内周部で小さくすえことができzoそし
てHo、H,、L及び電源16および17の出力を適切
な値t−選ぶと、円盤状基板13には、膜厚は内周部と
外周部で等しいGe、−エ5nxTe合金薄膜が得られ
、その組成は内周部から外周部にかけてXが連続的に増
加した合金薄膜が得られゐ。
Te粒子の基板13への飛来量は基板13の中心部で大
であシ外局部へと徐々に小さくなる。内周部と外周部に
2けるGeTe粒子飛来量の比は距離H□を変え4こと
により所望の値に調整す4ことができ、H1’に大とす
Z2外局部の内周部に対すふ飛来GeTe粒子比R0は
1に近ずく。通にH0ヲ小とす4とR工は1から遠ざか
芝。同様に蒸発#15から蒸発した5nTe粒子婆の基
板13への飛来量FiL及び1(、′t−変化させえと
外周部で大きく内周部で小さくすえことができzoそし
てHo、H,、L及び電源16および17の出力を適切
な値t−選ぶと、円盤状基板13には、膜厚は内周部と
外周部で等しいGe、−エ5nxTe合金薄膜が得られ
、その組成は内周部から外周部にかけてXが連続的に増
加した合金薄膜が得られゐ。
ことで、本出願人が・・H和59年4月16日付で「光
情報記録媒体」七して提案した前記出願で用いられるG
o 、−xSnXTe合金薄膜は、第2図に示され4と
とくxの値が増加す2にしたがって曲@21の様に転移
点の温度が下降し、曲@22の様に情報をml録す2に
必要な光エネルギー比減少する。従って上述の如き構造
を有する円盤状光情報記録媒体では内周部から外周部へ
と連続的に小さい元エネルギーで情報を記録すえことが
でき&oL、たがって上述の様にして得られた元情報記
録媒体全一定角速度で回転させて情報を記録すえ時、従
来の様に情報を配録す石位置に応じて元エネルギーを変
化させなくC4、該媒体上のどの位置にも均一に情報金
記録すえことが可能である。
情報記録媒体」七して提案した前記出願で用いられるG
o 、−xSnXTe合金薄膜は、第2図に示され4と
とくxの値が増加す2にしたがって曲@21の様に転移
点の温度が下降し、曲@22の様に情報をml録す2に
必要な光エネルギー比減少する。従って上述の如き構造
を有する円盤状光情報記録媒体では内周部から外周部へ
と連続的に小さい元エネルギーで情報を記録すえことが
でき&oL、たがって上述の様にして得られた元情報記
録媒体全一定角速度で回転させて情報を記録すえ時、従
来の様に情報を配録す石位置に応じて元エネルギーを変
化させなくC4、該媒体上のどの位置にも均一に情報金
記録すえことが可能である。
anxTo合金薄膜の非晶質−結晶質転移点が室温付近
となり情報を記録する前に転移してしまうこセがあえか
らである。従って、もっと高温の還境で使用する場合は
Xの値の最大値全さらに低下させ2必要があzO円盤状
記記録媒において情報を記録す2領域の内径krユ、外
径fr、とす4と一般二二”7′、”二二二二二二一二
コT2゛り、゛濤二″、71情報を記録するに必要なエ
ネルギー比はJ7ン鋒〜r4 /r、’、zの範囲の値
にな4oしたがって第2図 、によシ、記録光エネルギ
ーの比が1.4〜2となえように、Xの値を内周で小さ
く外周で大きくなえよう選択すればよい。例えば内周部
でx=01のとき外周部でx = 0゜4〜0.6とす
疋のが適当である。Xの値は上記r、 / r、 =
2のとき内周部でx == 0〜0.25、外周部でx
=03〜0.7で選ぶことができる。
となり情報を記録する前に転移してしまうこセがあえか
らである。従って、もっと高温の還境で使用する場合は
Xの値の最大値全さらに低下させ2必要があzO円盤状
記記録媒において情報を記録す2領域の内径krユ、外
径fr、とす4と一般二二”7′、”二二二二二二一二
コT2゛り、゛濤二″、71情報を記録するに必要なエ
ネルギー比はJ7ン鋒〜r4 /r、’、zの範囲の値
にな4oしたがって第2図 、によシ、記録光エネルギ
ーの比が1.4〜2となえように、Xの値を内周で小さ
く外周で大きくなえよう選択すればよい。例えば内周部
でx=01のとき外周部でx = 0゜4〜0.6とす
疋のが適当である。Xの値は上記r、 / r、 =
2のとき内周部でx == 0〜0.25、外周部でx
=03〜0.7で選ぶことができる。
なお蒸発源14および蒸発源15は抵抗加熱式蒸発源、
電子ビーム加熱式蒸発源のいずれも用いゐことができ4
o又、記録薄膜作製法は本実施例に示した真空蒸発法に
限定すえことなくスパッタリング法によここと本でき、
この場合粒子の発生源として第1図の蒸発源の位置にタ
ーゲットを置き換えるだけで良い。この場合、粒子発生
源はターンテーブルの下方に限zものではなく、例えば
第1図の位置関係をさかさまにして、ターンテーブルの
上方にしてもよく、又横列し状態にしてターンテーブル
の横にしてもよいことはもち論であふ。
電子ビーム加熱式蒸発源のいずれも用いゐことができ4
o又、記録薄膜作製法は本実施例に示した真空蒸発法に
限定すえことなくスパッタリング法によここと本でき、
この場合粒子の発生源として第1図の蒸発源の位置にタ
ーゲットを置き換えるだけで良い。この場合、粒子発生
源はターンテーブルの下方に限zものではなく、例えば
第1図の位置関係をさかさまにして、ターンテーブルの
上方にしてもよく、又横列し状態にしてターンテーブル
の横にしてもよいことはもち論であふ。
以上述べたように、本発明によZ円盤状光記録媒体にお
いては、内周から外周になえに従い連続的に記録感度が
高くなってい芝ので、情報を記録するに必要なエネルギ
ーは外周になるにしたがって小さくて良いので、媒体上
のどの位置にも均一に情報を記録すこことが可能である
。
いては、内周から外周になえに従い連続的に記録感度が
高くなってい芝ので、情報を記録するに必要なエネルギ
ーは外周になるにしたがって小さくて良いので、媒体上
のどの位置にも均一に情報を記録すこことが可能である
。
第1図本発明の光情報記録媒体を製造すえ装置の一例で
あシ、第2図は本発明の光情報記録媒体記録膜組成と記
録光エネルギーの関係を示す図で64゜ 12、・0ターンテーブル 1311@@IT元情報記
鍔媒体 14.15・・・・蒸発源
あシ、第2図は本発明の光情報記録媒体記録膜組成と記
録光エネルギーの関係を示す図で64゜ 12、・0ターンテーブル 1311@@IT元情報記
鍔媒体 14.15・・・・蒸発源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 !、基体と該基体上に形成された薄膜管有し、該薄膜へ
光ビームを照射し情報を記録す疋円盤状元情報記録媒体
において、上記薄膜をGe、−xanxTe (0(x
≦0.7)なる組成の合金膜を主成分とする薄膜とし、
上記円盤状元情報記録媒体の内周から外周に向けて、上
記合金膜のXの値ヲ核々に増加させたことを特徴とする
光情報記録媒体。 2、 ディスク七回転させ4ターンテーブルと、該ター
〉テーブルの回転軸の延長線上で上記ターンテーブルの
ディスク装着面に対向す4位置にGeTe粒子の発生S
を設け、上記延長線から外れて上記ディスク装着面に対
向すゐ位置に5nTe粒子の発生源管設けた光情報記録
媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59076256A JPS60219645A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59076256A JPS60219645A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体及びその製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60219645A true JPS60219645A (ja) | 1985-11-02 |
JPH0259526B2 JPH0259526B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=13600121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59076256A Granted JPS60219645A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光情報記録媒体及びその製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60219645A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61243966A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報担体デイスク |
JPH0352137A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59076256A patent/JPS60219645A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61243966A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報担体デイスク |
JPH0352137A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0259526B2 (ja) | 1990-12-12 |
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