JPS60217363A - 静電記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、ＣＡ　Ｄ　（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ａ　１ｄ
ｅｄＱｅｓｉｏｎ　）に使用される静電プリンタープロ
ッター用の湿式現像式の静電記録体に関するもので、フ
ァクシミリ用の静電記録体としても用いられるものであ
る。

従来技術 近年ＣＡＤが盛んになり、プリンタープロッターとして
静電記録式のものが、特にスピード、解像性の点で注目
されている。

静電プリンタープロッターは通常２０〜４０ｍｍ／秒程
度の速さで印字、現像されるが、特殊な画像情報の密な
画像の場合には、コンピューターの演算の速さによるが
、極端に速さが低下し、０．５〜２ｍｍ　／秒程度にな
ることもある。

このように、現像の速さが大きく変動するために、従来
の静電記録体では、通常の速さでは問題はないが、速さ
が小さいとぎは、画像かにじんで文字が読めなくなった
り、複写画像の品質が非常に悪化するという問題があっ
た。特に、スリットから液を噴出する現像方式の場合に
この視像が著しい。

目　的 この発明は、複写画像のにじみについて研究をした結果
、複写の速さが小さい時でもにじみがなく、通常の速さ
の時でも画像濃度低下などの副作用のない静電記録体を
提供することを目的としているものである。

構　成 この発明の構成は、導電性支持体上に絶縁性樹脂と顔料
粒子とを含む記録層を有する静電記録体において、顔料
粒子がチタネートカップリング剤で処理されたものであ
る静電記録体である。

この発明の静電記録体は、静電プリンタープロッターの
中で特にスリットから現像液が噴出する湿式現像方式に
適する。そしてその具体的構造を図面に示すと第１図乃
至第４図に示ずようなものがある。

第１図は基体１の表面に導電層２おにび樹脂４と顔１３
Ｉ５を含む記録層３を設けたもの、第２図はＳ電性基体
６の表面に記録層３を設けたもの、第３図は基体１の両
面に導電層２を設は表面に記録層３を設けた２もの、第
４図は導電性基体６の両面に導電ｍ２を設け、表面に記
録層３を設けたものである。

この発明の静電記録体の導電性支持体は、基体と導電層
からなるもの、あるいは基体そのものが導電性のもので
ある。基体と導電層については従来知られているもので
支障はない。

例えば基体について説明すれば、普通紙、透明紙、ポリ
エステルなどのフィルム、合成紙等が用いられる。

導電層は高分子電解質、例えばポリビニルベンジルトリ
メチルアンモニウムクロライド、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム等、その他導電性酸化亜鉛、酸化スズ、
無機塩類、金属粉等が用いられる。

この発明の記録層は、従来から使用されている高絶縁性
樹脂とチタネートカップリング剤で処理した無機顔料を
含有する組成物で構成されている。

高絶縁性樹脂としては、例えばポリ酢酸ビニル、ポリ塩
化ビニル、スチレン−ブタジェン共重合体、ポリアクリ
ル酸エステル、スチレン−アクリル酸エステル共重合体
、酢酸ビニル−メタクリル酸エステル共重合体、酢酸ビ
ニル−クロトン酸共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合
体、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等が
挙げられる。

無機顔料としては、例えばクレー、タルク、カオリン、
シリカ、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタ
ン、ガラス粉体、セラミック等各種粉体が挙げられる。

チタネートカップリング剤としては、例えば下記の化合
物が挙げられる。

２）イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホ３）テト
ライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネ
ート ５− ４）イソプロピルトリス（ジオクチルピロホス５）テト
ラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネー
ト （Ｃｇ　Ｈａ７−０デーｒＴｉ−＋Ｐ＋０Ｃｔ３Ｈニー
ｒ）２０Ｈ］ｚ６）テトラ（２，２−ジアリルオキシメ
チル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイ
トチタネート （ＣＨ２０ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）　２ 醤 ［Ｃ２Ｈ５−Ｃ−ＣＨ２−０ｔＴ　Ｔｉ−［Ｐ＋ＯＣｔ
３Ｈｇり）　２０ＨＩ　２７）ビス（ジオクチルピロホ
スフェート）オキシアセテートチタネート Ｂ）ビス（ジオクチルピロホスフェート）エチ６− レンチタネート そして、これらチタネートカップリング剤ににる無機顔
料の処理法としては、多量の溶剤中にカップリング剤を
溶解し、その中に無機顔料を混合攪拌して反応させる。

その後溶剤を乾燥により除去するものである。また溶剤
を用いず、無機顔料とチタネートカップリング剤を直接
に攪拌混合し、その後乾燥することもできる。この場合
、顔料の種類によっては均一に処理する。

この反応は常温下に３０分程度で行なわれる。

チタネートカップリング剤の使用量は、無機顔料の表面
積やチタネートカップリング剤の種類にもよるが、無機
顔料に対し、０．１〜１０重量％程度が適当である。０
．１重量％未満であると効果が不十分であり、１０重指
％を越えて使用しても効果は増大しない。

以下実施例によって、この発明を具体的に説明する。な
お、実施例中の成分の量はすべて重醋部である。

実施例１ シリカ　５０部 テトラオクチル・ビス（ジトリデシル ホスファイト）チタネート３．７５部 メタノール　１００部 を常温下で３０分間混合して、シリカとチタネートカッ
プリング剤を反応させた後、乾燥する。

上記反応後のシリカ　２０部 ポリビニルブチラール樹脂 （１０％トルエン溶液）３００部 トルエン　１００部 を混合し、アトライターで１０分間分散し、記録層形成
用組成物（記録層１を調整した。

一方６０（１／ｍ　２の上質紙に、下記組成すなわち、 ＲＫ　Ｍ　−５５００（三洋化成製、 高分子電解質３３％水溶液）１００部 メタノール　１００部 を加えた液を含浸、乾燥しく乾燥付着量１０ｇ／ｌｌ１
２）導電性基体を作成した。

この導電性基体の片面にアトライターで分散した前記記
録層液を乾燥付着量６ｇ／ｍ　２になるにうにワイヤー
バーで塗布し、１００℃で１分間乾燥し、静電記録体を
形成した。

実施例２ 酸化チタン　１００部 イソプロピルトリドデシルベンゼン スルホニルチタネート　０．５部 トルエン　１００部 を常温下で３０分間混合して、酸化チタンとチタネート
カップリング剤を反応させた後乾燥する。

上記反応させた酸化チタン　４０部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 （３０％メチルエヂルケトン溶液）１００部９− メチルエチルケトン　１００部 を混合し、アトライターで２０分間分散した。

これ以外の条件は実施例１と同じ条件で静電記録体を形
成した。

実施例３ 炭酸カルシウム　１００部 ビス（ジオクチルピロホスフェート） オキシアセテートチタネート　２部 トルエン　１００部 を常温下で３０分間混合し炭酸カルシウムとチタネート
カップリング剤を反応させた後乾燥する。

上記反応をさせた炭酸カルシウム　４０部ポリメチルメ
タアクリレート （３０％トルエン溶液）６０部 ポリｎ−ブチルメタアクリレート （３０％トルエン溶液）４０部 トルエン　１００部 を混合し、アトライターで２０分間分散した。

これ以外は実施例１と同じ条件で静電記録体１０− を形成した。

比較例１ 実施例１の反応シリカの代りに未処理のシリカを用いて
静電記録体を形成した。

比較例２ 実施例２の反応シリカの代りに、未処理の酸化チタンを
用いて静電記録体を形成した。

比較例３ 実施例３の反応酸化チタンの代りに未処理の炭酸カルシ
ウムを用いて静電記録体を形成し　ｌこ　。

以上６種類の静電記録体をＶＥＲ８Ａ −工ＥＣ８２２４Ｆｆｆ？！プリンタープロッターを使
用して現像スピード１．５ｍｍ／秒と２５ｍｍ／秒の二
つのスピードで画像を描かせた。その結果は下記の表の
とおりである。ただし、評価の意味は次のとおりである
。

画像濃度二マイクロデンシトメーターによる文字画像の
測定値、 地汚れ：全く汚れがないときを５とし、全面に汚れを生
じているものを１ とし、５段階評価法によって評価 した。

にじみ：全くにじみのないものを５、文字画像が判読で
きないものを１とし、 ５段階評価法によって評価した。

表 効　果 以上説明したように、この発明の静電記録体を用いると
、画像にじみがなく、地汚れも発生せず、しかも通常の
現像スピード時でも画像濃度が高く、画質の良い複写が
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、この発明の静電記録体の各具体例
の構造を示す一部断面拡大 図である。 １・・・基体、２・・・導電層、３・・・記録層、４・
・・樹脂、５川顔料、６・・・導電性基体。 特許出願人　株式会社リ　コ　− 代理人　弁理士　小　松　秀　岳 代理人　弁理士　旭　宏 １３− 手続ネ「Ｉ正置（自発） 昭和５９年５月１８日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　特願昭５９−７２９７８号事件との関
係　特許出願人 名　称　（６７４）　株式会社リ　コ　−４、代理人　
〒１０７（電話５８　Ｂ　−８８５４＞５、補正命令の
日付　（自発） ６、補正の対象　明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容 １− １）明細書第２頁第９行および第１６行「速さが小さい
」を「速さが遅い」に補正、 ２）同、第６頁第３行の構造式を下記のとおりに補正、 ３）同、第７頁下から８行目乃至７行め「この場合・・
・・・・均一に処理する。」を削除、４）同、第８頁第
９行末の「１００部」を「２５０部」に補正、 ５）同、第９頁第１行のｒＲＫＭ・・・５５００」「ケ
ミスタット５５００Ｊに補正、 ６）同、第１１頁第６行の「シリカ」を「酸化チタン」
に補正、 ７）同頁第９行の「酸化チタン」を「炭酸カルシウム」
に補正する。 ２−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性支持体上に絶縁性樹脂と顔ａｔ粒子とを含む記録
   層を有する静電記録体において、顔料粒子がチタネート
   カップリング剤で処理されたものであることを特徴とす
   る静電記録体。