JPS60214996A - 光カ−ド - Google Patents

光カ−ド

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JPS60214996A
JPS60214996A JP59071583A JP7158384A JPS60214996A JP S60214996 A JPS60214996 A JP S60214996A JP 59071583 A JP59071583 A JP 59071583A JP 7158384 A JP7158384 A JP 7158384A JP S60214996 A JPS60214996 A JP S60214996A
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light
recording layer
optical recording
optical
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Mitsuru Takita
多気田　満
Wataru Kuramochi
倉持　渉
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は光カードに関し、さらに詳しくは、新規な光記
録材料を有し、高密度の情報を書込むことの可能な光カ
ードに関する。
（発明の技術的背景ならびにその問題点）従来、クレジ
ットカード、バンクカードなどのカード類に埋設される
記録材料としては、磁気材料が主として用いられてきた
。この磁気材料は、情報の書込みならびに読出しが容易
に行なえるという利点はあるが、反面、情報の数置が容
易に行なわれ、しかも高密度記録ができないという問題
点があった。
ところで、上記のような問題点を解決するため、感光材
にパターン露光を施こして、未露光部である光透過部と
露光部である遮光部とを形成することによって、感光材
に情報を書込み、この情報を光透過度の差異によって読
取るようなタイプの光記録材料が提案されている。この
ような光記録材料をカード長材に埋込んでカード用記録
材料として用いようとする場合には、以下のような問題
点がある。
（ａ）カード基材は、その表面に種々の印刷を施こす場
合が多く、このためにはカード基材は不透明であること
が好ましい。ところが上記のような光記録材料を埋込む
ためには少すくとも基材の一部を光透過性にする必要が
あり、このことはカードの製造上著しく不利にしている
。
（ｂ）上２のような記録材料では、光透過部および遮光
部における光透過性の相違を充分大きくすることが難か
しく、しかも光透過度の相違により書込まれた情報を読
出そうとする場合には、カード表面の汚れに大きく左右
されるという問題点があった。
このため光透過度の相違による情報の読出しではなく、
光反射率の相違により情報を読出そうとする試みもある
。たとえば、銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散し
てなる記録層を有するカード類が提案されている。この
記録層への情報の書込みは、レーザビームを記録層に照
射して記録ビットを形成して行なわれている。この記録
層はコーティング法により連続的に製造でき、しかも銀
を用いることによって広い波長域にわたって均一な反射
率が得られ、種々の波長のレーザビームを用いた記録再
生装置への適用が可能であるという利点を有している。
しかしながらこの記録層に、写真的手法で記録を行なう
場合には、光反射性と解像性とを同時に向上させること
は困難であり、たとえば現像時間を長くすると光反射性
は向上するが、記録部（露光部）が太る傾向が認められ
解像性が低下してしまう。逆に現像時間を短かくすると
解像性は向上するが光反射性が不充分になってしまうと
いう問題点があった。
一方また、記録材料の記録層に、レーザビームなどのエ
ネルギービームをスポット状に照射して、記録層の一部
を状態変化させて記録する、いわゆるヒートモード記録
材料が提案されている。このヒートモード記録材料に用
いる記録層としては、テルル、ビスマスなどの金属薄膜
、ポリスチレン、ニドｑセルロースなどの有機薄膜、あ
るいは相転位を利用したテルル低酸化物膜などが用いら
れている。これらの記録材料は、情報の書込みの後現像
処理などの必要がなく、「書いた後直読する」ことので
きる、いわゆるＤ　ＲＡ　Ｗ　（ｄｉｒｅｃｔ　ｒｅａ
ｄａｆｔｅｒ　ｗｒｉｔｅ　）媒体であり、高密度記録
が可能であり追加書込みも可能であることから、ディス
ク用あるいはカード用の記録材料としての用途の拡大が
期待されている。
これらのヒートモード記録材料のうち最も広く用いられ
ている、テルルあるいはビスマスなどの金属薄膜を基板
上に蒸着してなる記録材料においては、情報の書込みは
、レーザビームなどのエネルギービームを金属薄膜上に
スポット照射することにより、この部分の金属を蒸発除
去あるいは融解移動除去してビットを形成して行なわれ
ている。
また情報の読出しは、読出し光を記録層上に照射し、記
録部であるビット部と未記録部である金属薄膜とにおけ
る反射率の違いを読取ることによって行なわれている。
ところで、情報の書込みに際しては、読出すべき情報そ
のものに相当する記録ビットを形成することに加えて、
光の案内溝に相当するトラッキングならびに読出すべき
ビットを特定するためのブレフォーマツティングをも記
録層に書込む必要があった。
ところが記録層を構成するテルル、ビスマスなどの金属
は、ある程痕毒性を有するため取扱いに充分な配慮を要
するとともに、レーザビームなどのエネルギービームの
照射によりビットを形成４゛ることは、高度な制御技術
が必要され、しかもそのビット形成工程が複雑であるた
めコスト面からみても必ずしも安いものではなかった。
したがって、もし、光の案内溝に相当するトラッキング
ならびに読出ずべきビットを特定するためのブレフォー
マツティングがレーザビーム照射以外の簡便な方法によ
り大量にしかも安価に形成しうるような記録材料が出現
するならば、極めて有用性の高いものが得られると期待
される。
〔発明の目的〕
本発明は、これら従来技術に伴なう問題点を解決しよう
とするものであって、以下のような目的を有する。
（ａ）高密度記録が可能で、しかも書込まれた情報の改
悲が困難である光記録材料を有する光カードを提供する
こと。
（ｂ）書込まれた情報を、光透過率の相違ではなく、光
反射率の相違に基いて読出すことができる光記録材料を
有する光カードを提供すること。
（Ｃ）記録層に書込まれるべき情報の一部を、レーザビ
ームの照射によらずパターン露光などの量産可能な方法
により行なうことができ、したがって製造工程の１６素
化が可能で、しかも人聞生産ならびにコストダウンが可
能な光記録材料を有する光カードを提供づること。
〔発明の概要〕
本発明に係る光カードは、カード基材上に、光記録材料
が設けられている光カードであって、前記光記録材料は
、（ａ）光記録材料用基材と、（ｂ）この光記録材料用
基材下面に設けられた、光透過部および遮光部からなる
第１記録層と、（Ｃ）この第１記録層下面に設番ノられ
た、反射性金属薄膜層からなる第２記録層とからなり、
この光記録材料は、カード基材上に第２記録層が接する
ように設けられていることを特徴としている。
この光カードに設けられた光記録材料は、第１記録層に
すでに情報が書込まれているが、さらに第２記録層に情
報を書込むには、第２記録層にエネルギービームをスポ
ット照射すればよい。これらの配録層に書込まれた情報
の読出しは、光カードの保護層側から記録再生光を照射
し、反射光の強度と位相変化とをｒＩＡ迎づけて検出す
ることによって行な・ねれる。
〔発明の詳細な説明〕
以下本発明に係る光カードを、図面に示す具体例により
説明する。
本発明に係る光カード１は、その断面図が第１図に示さ
れるように、カード基材２上に、光記録材料３が設けら
れて形成されている。この光記録材料３は、（ａ）光記
録材料用基材４と、（ｂ）この基材下面に設けられた、
光透過部５および遮光部６からなる第１記録層７と、（
Ｃ）この第１記録層７の下面に設けられた反射性金属薄
ｇ！層からなる第２記録層８とから構成されており、こ
の光記録材料はカード基材２上に第２記録層８が接する
ように設けられている。場合によっては、光カード１の
表面上に磁気記録層９が設けられていてもよい。また、
必要によっては、ＩＣメモリー、写真、彫刻画像、文字
、マーク、インプリントと称する浮き出し文字などを、
光カードの表面に併設してもよい。このようにすること
により、１枚のカードで種々の再生方式に対応でき、ま
た偽、造がより効果的に防止できる。
また別の具体例における光カード１は、その断面図が第
２図に示されるように、光記録材料用基材４の全面では
なく一部表面上に、第１記録層７および第２記録層８が
設けられている。
カード基材２としては、通常のカードの基材として用い
ることができるあらゆる材料が用いられうる。具体的に
は、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ごニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどの
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン／ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成
紙、紙なども用いられうる。さらに、上記のような材料
の積層体も用いられる。
光記録材料３は、（ａ）光記録材料用基材４と、（ｂ）
この基材下面に設けられた、光透過部５および遮光部６
からなる第１記録層７と、（Ｃ）この第１記録層７の下
面に設けられた、反射性金属薄膜層からなる第２記録層
８とから構成されているが、以下に各層について詳細な
説明する。
光記録材料用基材４としては、光透過性であるガラス、
セラミック、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布
などあらゆるタイプの材料が用いられうるが、生産性お
よび平滑性の点からガラスありるいはプラスチックフィ
ルムが好ましい。プラスチックとしては、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニ
ル系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエ
ーテル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂などを
用いることができ、寸法安定性および平滑性の点から、
セルローストリアセテート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミドなどが特に好ましい。これら基材４には
、必要に応じて、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラ
イマー処理などの接着性改良のための前処理をしてもよ
い。
第１記録部７は、光透過部５および遮光部６から構成さ
れている。この第１記録部７は、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成される。場合に
よっては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性
となる感光材をパターン露光し次いで現像することによ
って、第１記録部７を形成してもよい。
感光材は、たとえば（イ）バインダーとしての透明樹脂
、（ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂１００重
聞部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は１〜１００重昂部好ましくは２０〜５
０重量部の量で存在し、還元されて金属現像核となる金
属錯化合物または金属化合物は０．１〜１００重量部好
ましくは１〜１０重量部の量で存在している。上記の現
像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バインダ
ーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されているが
、好ましくは溶解されている。
透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
／酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
酸基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹脂
などが挙げられる。
また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。
また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール（部分ケン化ポリ酢酸ビニル）、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂に浸透して物
理現像が可能となる程度の親水性を有することが好まし
い。
また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子量物をエタノール溶
解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効であ
る。
現像抑制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有する
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより得ら
れる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、ｐ−Ｎ。
Ｎ−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、ｐ−Ｎ−エチル−Ｎ−βヒドロキシエチルアミノベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−モルフォリノ−２
，５−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
４−モルフォリノ−２゜５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、４−ベンゾイルアミノ−２，５−
ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（
４’−メトキシベンゾイルアミノ）−２，５−ジェトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（ｐ−トル
イルメルカプト シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−４
′　−メトキシジフェニルアミン塩化亜鉛複塩、４−ジ
アゾ−３−メトキシ−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩な
どのジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくは以上のよう
な塩化亜鉛複塩の代わりに上記のホウフッ化塩、硫酸塩
、リン酸塩なども使用できる。
アジド基を有する化合物としては、ｐ−アジドアセトフ
ェノン、４．４１−ジアジドカルコン、２．６−ビス−
（４′−アジドベンザル）−アセトン、２．６−ビス−
（４′　−アジドベンザル）−シクロヘキサノン、２，
６−ビス−（４′　−アジドベンザル）−４−メチルシ
クロヘキサノン、２．６−ビス（４′−アジドスチリル
）−アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ
基もしくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使
用することもでき、また、上記したジアゾ基もしくはア
ジド基を有する化合物を任意に２種以上併用して使用す
ることもできる。
なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはｐ−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。
次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。
まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることができ
る。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いられ
る。
ビス（エチレンジアミン）パラジウム（１［）塩、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム（ＩＩ）塩、ジクロロ
（エチレンジアミン）白金（Ｖ）塩、テトラクロロジア
ンミン白金（ＩＶ）塩、ジクロ日ヒス（エチレンジアミ
ン）白金（ＩＶ）塩、テトラエチルアンモニウムＩＪｉ
４（Ｉ）ｉ！Ａ、ビス（エチレンジアミン銅（Ｉ［）塩
。
さらに金属の錯化合物を形成り゛る配位子としては、２
力所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化
剤を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高い
ために好適である。キレート化剤としては第１級、第２
級もしくは第３級アミン類、オキシム類、イミン類、ケ
トン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグ
リオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、
グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、
ウラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。
上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス（２，
２’　−ビピリジン）パラジウム（１）塩、ビス（アセ
チルアセトナート）パラジウム（ｎ）、ビス（Ｎ、Ｎ−
ジエチルエチレンジアミン）銅（ＩＩ）塩、ビス（２，
２’　−ビピリジン）銅（、ＩＩ）塩、ビス（１，１０
−フェナントロリン）銅（Ｉ［）塩、ビス（ジメチルグ
リオキシマート）銅（ｎ）、ビス（アセチルアセトナー
ト）銅（■）、ビス（アセチルアセトナート）白金（Ｉ
）などが好ましい。
還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝１
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。
上述のような、（イ）バインダーとしての透明樹脂、（
ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である１０〜１０００センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、光記録材料用基材５上に通常０．１〜３０μｍの
膜厚に塗布されて感光材層が形成される。
バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水あるいは水と低級アルコール、ケトン、エー
テルなどの水混和性溶媒との混合溶剤が用いられる。ま
た、親油性透明樹脂を用いる場合には、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプ日ビルアルコールなどの
低級アルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなど
のケトン類、酢酸エチル、酢′ｒｉｎブヂルなどのエス
テル類、メチルセロソルブなどの極性の高い溶剤が好ま
しく用いられる。
なＪ３、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層
を形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなど
の溶出を抑制するため１、硬膜処理を行うことが望まし
い。硬膜処理は、たとえば下記化合物を感光材形成用塗
布液中に透明樹脂１００部に対して０．１〜５０部の量
で予じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をす
でに形成された感光材層上に塗布することにより行なう
ことができる。
カリ明パン、アンモニウム明パンなどのＡｌｌ化合物；
クロム明パン、硫酸クロムなどのＣｒ化合物；ホルムア
ルデヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、２−メ
チルグルタルアルデヒド、ザクシナルデヒドなどのアル
デヒド類、：０−ベンジオン、ジアセチル、２，３−ペ
ンタンジオン、２．５−ヘキサンジオン、２，５−ヘキ
センジオンなどのジケトン；トリグリシジルイソシアヌ
ル酸塩などのエポキシド；テトラフタロイルクロリド、
４．４’　−ジフェニルメタンジスルフォニルクロリド
４，４′　−ジフェニルメタンジスルフオニルクロリド
などの酸無水物；タンニン酸、没食子酸、２．４−ジク
ロロ−６−ヒドロキシ−８−トリアジン、ならびに一般
式Ｒ２ＮＰＯＸ、、、Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−Ｒ’　（ここで
Ｒは炭素２〜６のアルキル基、Ｒ′は（ＣＨ）　Ｎ＋　
（ＣＨ３）３ ３ｘ−基、Ｘ４；ｔＦまたはＣｊｌ　、ｎはｌ　ｔたＧ
Ｌ２）で表わされるリン化合物またはカルボジイミド；
スチレン／マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン／マ
レイン酸共重合体、ビニルメチルエーテル“／マレイン
酸共重合体、エチレンイミン／マレイン酸共重合体、メ
タクリル酸／メタクリロニトリル共重合体、ポリメタク
リルアミド、メタクリル酸エステル共重合体などの樹脂
類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸
、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石酸など。
このようにして、光記録材料用基材４上に設けられた感
光材層をパターン露光し、次いで現像して、未露光部で
ある光透過部５および露光部である遮光部６とからなる
第１記録層７を形成する。
パターン露光は、たとえばホトマスクなどのマスクを介
して行なうことができる。
また照射光をビーム状に集光して感光材層に直接照射し
てパターン状に遮光部６を形成することもできる。
第１記録層７におりる光透過部５および遮光部６により
もたらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を
読取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとし
ての働きをしている。
感光材層にお１ノる露光部では、ジアゾ基またはアジド
基を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分
解されて潜像が形成される。
露光に際して使用される光源としては、ジアゾ賀ｆ、　
ｌ　／　＋４７コう［−廿六台斗フルＡルナーへ妨１）
フ光源ならば任意に用いることができ、通常超高圧水銀
灯が好ましく用いられる。
上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触して
も金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存し
ている。
この際用いられる還元剤としては、塩化第１スズ、硫酸
第１スズ、水素化ホウ素すＩ〜ツリウムジメチルアミン
ボラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミン
ボラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、
メチルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなど
が用いられる。このうち、酸性塩化第１スズ溶液、硫酸
第１スズ溶液（ｗｅｉｓｓ液）あるいは市販の無電解メ
ッキ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般
には、強力な還元剤であればすべて使用できる。
次いで、このようにして得られた金ａｍｍｓと物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
４が形成される。
物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加湿した
状態で使用される。
被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバルト
、鉄およびクロムなどのＶｌｂＩｂ族金属などのＩｂ族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た−口調塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。これらの中でも安全性、保存性を考慮
するとニッケル、銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異な
り原料の純度、メッキ安定化剤などから少量の異種金属
やリン、イオウなどの元素が混入することはあり得るが
、特に光記録材料としての特性に影響を与えるものでは
ない。
適当な水溶性の被還元性金属塩としては、具体的には以
下のものが用いられる。
塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド；硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩；硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝酸塩；フェラスアセテート、コバルクスアセテート、
クロミックアセテート、キューブリックフォルメートな
どの金属の有機酸塩。
これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば１０
〜１００９／ｊ）の量で含まれることが好ましい。
還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラセン、ボラジン、ｔ−ブチル
アミンボラザン、ピリジンボラン、２．６−ルチシンボ
、ラン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン
、ジメチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラ
ン、ジメチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン
、ジメチルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランな
どが使用できる。
これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば０．１〜
５（１／ｊ！の量で用いられることが好ましい。
物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば１〜１００ｓ／ｊ！の
Ｍで用いられることが好ましい。
さらに、物理現像液には、現像液の保存性および操作性
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのｐＨ調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面
活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。
この添加剤のうち、アンモニア系でｐＨを上げると特に
感光材表面に光沢が得やすくなるため、ｐＩ−１調節剤
としてアンモニウム塩またはアンモニウム塩とアンモニ
アとからなるｐＨ調節剤を用いることが特に好ましい。
また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た６５℃から９０℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行やってもよい。この際
得られた画像を、たとえば塩酸５％または硝酸の５％の
水溶液で５分間程度処理することにより光透過部の透明
樹脂を一部選択的に除去することもできる。
また、感光材では、上述のような透明樹脂、現像抑制剤
、金属錯化合物なたは金属化合物からなる系のほかに、
（イ）ハロゲン化銀、ドライシルバー（登録商標）など
の有機銀塩に代表される銀塩基材料、（ロ）ジアゾニウ
ム塩とカプラーとの組合せ系、（ハ）カルバ−フィルム
（登録商標）、ＰＤプロセス（登録商標）材料などに代
表されるジアゾ系材料、（ニ）アクリルモノマー、ポリ
ビニルケイ皮酸などに代表される光重合型充積かけ型の
７オトポリマー系材料（ホ）トナー像を形成するＣｄＳ
、ＺｎＯ、ポリビニルカルバゾールなどの電子写真感光
体あるいはその転写体、（へ）フロスト像を形成するサ
ーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写真系材
料、（ト）ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、（チ
）ダイラックス（登録商標）コバルト錯体とロイコ染料
との組合せ系、（す）シュウ酸第二酸と鉄塩との組合せ
系、（ヌ）スピロピラン、モリブデンタングステン化合
物などの顔料または色素の画像を形成する材料などが用
いられうる。
上記の感光材のうち、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。
このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、電子線などが用いられうる。
次に、上記のようにして形成された、光透過部５および
遮光部６とからなる第１記録層７上に、反射性金属薄膜
層からなる第２記録層８を形成する。
反射性金属１１１Ｑ層は、Ｃｒ、Ｔ　ｉ　、　Ｆｅ、Ｇ
ｏ。
Ｎ　ｉ、Ｃｕ、／Ｍｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ａｌｌ　、ＭＯｌ
Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｂ　ｉ、３ｎ。
Ｓｅ、Ｉｎ１Ｇａ、Ｒｂなどの金属を単独もしくは２種
以上組合せて用いて形成される。
反射性金属薄膜層からなる第２記録層９に情報をエネル
ギービームの照射によりさらに書込む場合には、低融点
金属であるＴｅ１Ｚｎ１Ｐｂ、Ｃｄ　１Ｂ　ｔ　、、Ｓ
　ｎ　１Ｓ　ｅ　１１　ｎ　１Ｇ　ａ　１Ｒｂ　’；Ｋ
　（！：の金属を主成分として反射性金属薄膜を構成す
ることが好ましく、特にＴｅ−８ｅ、Ｔｅ−８ｅ−Ｐｂ
、Ｔｅ−Ｐｂ１Ｔｅ−３ｎ−８，５ｎ−Ｃｕ。
Ｔｅ−Ｃｕ、Ｔｅ−Ｃｕ−Ｐｂなどの合金が好ましい。
さらにこれらの合金のうち、５〜４０原子数パーセント
のＣｕを含むＴｅ−Ｃｕ合金あるいは５〜４０原子数パ
ーセントのＣｕおよびＣＵに対して１〜５０原子数パー
セントのｐｂを含むＴｅ−Ｃｕ　−Ｐｂ合金が、読出し
用照射エネルギービームの波長を６５０ｎｍ以上とする
場合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性金属
ｉ１　ＭＩ　ＩＩを第２記録層として用いると、外周部
での乱れが少ない記録ビットが得られ、しかも読出し用
照射エネルギービームの波長が６５０　ｎｍ以上特に７
００〜９００　＋ｏｎである場合に、記録部であるビッ
トにおける反射率と未記録部である金属薄膜における反
射率すなわち相対反射率が小さいという優れた情報読出
し特性を有する反射性金属薄膜が得られる。
さらに、１〜４０原子数パーセントのＣｕを含ａｓｎ−
ｃｕ合金を用いると記録ビット形状の外周部の乱れが少
なく、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。
反射性台Ｂ薄膜層からなるＭ２記録層９に情報を書込ま
ずに単に反射層として使用する場合には、Ａｌｌ　、Ｏ
ｒ、Ｎ　ｉ、／！１％　Ａｕなどの特に光反射性に優れ
た金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を形成する
ことが好ましい。
このような反射性金属薄膜層を第１記録層上に形成する
には、上記のような金属あるいは合金を準備し、これを
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第１記
録層上に成膜すればよい。この反射性金属薄膜層の膜厚
は、２００〜であることが好ましい。場合によっては、
上記金属からなる多層膜たとえ、ば１ｎ膜とＴｅ膜との
多層膜も反射性金属薄膜として用いられる。また、上記
金属と有機化合物または無機酸化物との複合物たとえば
Ｔｅ−ＣＨ４、Ｔｅ−Ｃ８２、Ｔｅ−スチレン、５ｎ−
８０５Ｇｅｓ−８ｎ、５ｎＳ２ −８なトノ薄１１５８イハ８　ｉ　０２　／Ｔ　ｉ　／
Ｓ　ｉ　０２　／ＡＡなどの多層膜も反射性金属薄膜と
して用いられうる。
さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
属薄膜として用いられつる。
さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Ｔｅ酸化物、ｓｂ酸化物、
Ｍａｉｌ化物、Ｇｅｍ化物、■酸化物、Ｓｍ酸化物、あ
るいはＴｅ酸化物−〇〇、Ｔｅ’−８ｎなどの化合物が
、反射性金属薄膜とし２て用いられうる。
また、カルコーグンあるいは発色型のＭｏＯ３−Ｃｕ、
ＭｏＯ−８ｎ−Ｃｕが反射性金属薄膜として用いられ、
場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多層
体も反射性金属薄膜として用いられうる。
ざらに光磁記録材料であるＧｄＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＤＶＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。
ＧｄＦｅＢ　ｉ、ＴｂＤｙＦｅ、ＭｎＣｕＢ　ｉ、Ｃｒ
ｙ２Ｂ　ｉ　ＳｍＥ　ｒＧｄ　ＩＧ。
ＧｄＢ　ｉ　Ｇａ　ＩＧ、ＧｄＢＦａＢ　ｉ　ＩＧなど
も反射性金属薄膜として用いら札うる。
上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合ゼて
用いることも可能である。
次に本発明に係る光カードの製造方法について説明する
。
まず上述のようにして、光記録材料用基材上に第１記録
層および第２記録層を設は光記録材料を形成する。この
光記録材料用基材は、光カードとして組立てられた場合
に、カード保護層としての役割をも果している。
次に、カード基材と光記録材料用基材とを、光記録材料
の第２記録層がカード基材と接するように、熱接着剤な
どの接着剤層を介して重ね合わせた後、９０〜１５０℃
程度に加熱された熱ロールなどにて圧着することにより
光カードを製造できる。
場合によっては、以下のようにして光カードを製造する
こともできる。すなわち光記録材料用基材上に、親水性
樹脂をバインダーとして含む第１記録層および第２記録
層を設けた後、第２記録層である反射性金属薄膜上に、
アクリル樹脂などの保護膜をスクリーン印刷などにより
塗布し、この部分を耐水性とする。この際光記録材料用
基材の周辺縁部には保護膜は設置ノない。次いでこの光
記録材料を温水に漬浸し、保護膜の設けられていない部
分の親水性樹脂を除去した後乾燥する。
一方、白色ポリ塩化ビニルフィルムなどのカード基材に
は、必要に応じて、熱プレス法などによって光記録材料
の第１記録層および第２記録層を嵌込むための凹部を形
成するとともに表−に接着剤層を設ける。
次に、光記録材料とカード基材とを、光記録材料の第２
記録層がカード基材と接するようにして重ね合わせ、熱
ロールなどにて圧着することにより光カードを製造でき
る。
次に、上記のような反射性金属薄膜層への情報の書込み
および光カードに書込まれた情報の読出しについて説明
する。
反射性金属薄膜層への情報の書込みは、この金属薄膜層
に波長３００〜１ｌ１００ｎのレーザビームなどのエネ
ルギービームをレンズなどにより集光して照射し、照射
部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ピットを形成
することにより行なう。
この際エネルギービームの強度は、０．１〜１００ｍｗ
、パルス中は５　ｎ５ｅｃ　〜５００　ｍ５ｅｃ、ビー
ム径は、０．１〜１００μｍであることが好ましい。
反射性金属薄膜層上に照射されるエネルギービームとし
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなとのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。
−力木発明に係る光カードに書込まれた情報の読出しは
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第１記録層ならびに第２記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。
第１記録層における遮光部は、前述のように金属現像核
を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金属薄膜層に達するため、この光透
過部における反射率は大きい値となる。。
また、反射性金属薄膜層における未記録部に相当する金
属薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記録部に
相当するピット部では低い反射率となる。
このようにして、第１記録層では遮光部と光透過部とに
おける反射率の相違、また第２記録層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出ることによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。
〔発明の効果〕
本発明に係る光カードは、感光剤層からなる第１記録層
および反射性金属薄膜層からなる第２記録層を含む光記
録材料を有するので、以下のような効果を有する。
（ａ）磁気記録材料と比較して、はるかに高密度記録が
可能で、しかも書込まれた情報の数置が著しく困難であ
る。
（ｂ）光記録材料に書込まれた情報を、光反射率の相違
に基いて読出すことができる。
（Ｃ）光記録材料の第１記録層への情報の書込みを、レ
ーザビームの照射によらず、パターン露光などの倒産可
能な方法により行ないうる。
（ｄ）感光剤として、透明樹脂、現像抑制剤、金属錯化
合物または金属化合物からなる系を用いる場合には、明
室での操作が可能となる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
友１員ユ まず、光カードを形成する際に用いられる光記録材料を
以下のようにして作成した。
予じめ下引き処理をした膜厚４００μｍの透明ポリ塩化
ビニルフィルム上に、下記組成のジアゾ系感光材層形成
用塗布液をミャバー＃３６により塗布した後乾燥した。
感光材層形成用塗布液の塗布量は乾燥時で１．５び／７
Ｉｔであった。
感光材層形成用塗布液組成 ４−モリフォリノベンゼンジアゾニウムフルボレ−１〜
　＝２５ｇ α、β−ビス（ｍ−ヒドロキシフェノキシ）エタン　：
３２ｇ ５−スルホサリチル酸　：２０ｇ クエン酸　：５ｇ ギ酸　：２００ｄ メチルセロソルブ　：６００ｄ メチルセロソルブアセテート　：１ｎＣ）ｍ（１次に、
このようにして形成された感光材面と、巾５μｍのライ
ンを１０μｍピッチストライプ状゛にネガティブにパタ
ーニングしたフォトマスクのマスク面とを密着させ、フ
ォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距離１ＴｒＬ
）で６０秒間露光した。露光後、アンモニアガスで現像
した。
次に上記のようにして基材上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅ−Ｃｕ−Ｐｂ合金（原子数パーセント比８０：
１７：３）をスパッタターゲットとし、Ａｒガス圧５ｘ
　１０−２ｔｏ　ｒ　ｒ、投入？Ｉｆ圧４００■にて９
０秒間スパッタし、膜厚３００ＡのＴｅ−Ｃｕ−Ｐｂ金
属薄膜層を蒸着させて第２記録層を形成して光記録材料
を形成した。
一方、カード基材としての白色硬質ポリ塩化ビニルフィ
ルム（厚さ３００μｍ　）の表面に所望の印刷を施こし
、裏面には磁気ストライブを転写法により設けた。
次にカード基材と光記録材料とを、光記録材料の第２記
録層がカード基材の表面と接するようにして一熱接着剤
層（ｊＭ化ヒビニル酢酸ビニルーマレイン酸樹脂）を介
して重ね合わせ、１２０℃の熱ロールにより圧着して光
カードを製造した。
実施例２ 光カードを形成する際に用いられる光記録材料を以下の
ようにして作成した。
予じめ下引き処理をした膜厚３００μｍのポリカーボネ
ートフィルム上に、３５℃に保たれた下記組成の感光材
層形成用塗布液をミャバー＃３６により塗布した後、５
℃に冷却セットした。次いで３０℃で乾燥し、さらに４
０℃で１２時間硬脱化処理を施して、基材上に感光材層
を形成した。
感光材層形成用塗布液の塗布量は、乾燥時で４ｇ／ｌＴ
ｔであった。
感光材り成用塗布　組 ゼラチン（Ｐ−２１５１新田ゼラチン製）８％水溶液　
：２５．０９ ＰｄＣｆＪ２塩酸々性水溶液（レッドシューマー１０倍
液　日本カニゼン製）　：１４．０ｇ４−モルフォリノ
−２，５−ジブトキシベンセンジアゾニウムホウフッ化
塩、（大束化学製ＤＨ３００ＢＦｕ）　２％ＤＭＦ溶液 ：３．０ｇ Ｐ−ジアゾジフェニルアミンホウフッ化塩とパラホルム
アルデヒドとの縮合生成物　５％ＤＭＦ溶液　：０．７
ｇ Ｎ、Ｎ’　−ジメチロールウレア　５％水溶液：０．５
ｇ 次に、このようにして形成された感光材面と、巾５μｍ
のラインを１０μｍピッチストライプ状にネガティブに
パターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着させ
、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距離１ｍ
＞で６０秒間露光した。露光量は、３６５　ｎｍで５０
１１１ｊ／　ｃｄであった。
この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドツト列として表わされている。
次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
下記組成の処理液（Ａ）、（Ｂ）に、この順序でそれぞ
れ４０秒、１００秒浸漬した（処理温度２５℃）。
（Ａ）シバニッケル（１、 ホウ素系還元剤　二　０．５ｇ 硫酸ニッケル　：３．０ｇ クエン酸ナトリウム　：　１．（１ 水　：９５．　５　ｇ 硫酸ニッケル　：　９．Ｏｇ 次亜リン酸ナトリウム　ニア、０ｇ ＮＨ３水溶液（２８％）　：６．５ｇ クエン酸ナトリウム　：１０．０ｇ 水　：６７．　５　ｇ しかる後、水洗、乾燥して、光透過部と遮光部に相当す
る黒色のポジティブパターンとを有する第１記録層を得
た。
上記のようにしてパターニングされた記録層上に、Ａｆ
Ｊを膜厚１５００Ａになるように蒸着して第２記録層で
ある反射性金Ｂ薄躾層を形成して光記録材料を得た。こ
の際Ａｊｌ膜は記録層の周辺縁部には形成しなかった。
この光記録材料の反射性金属薄膜層には情報を書込まず
、第１記録層に書込まれた情報を読出すタイプのもので
ある。
次に反射性金属薄膜層上に、アクリル樹脂（三菱レーヨ
ン、ダイヤナールＬＲ９０）を保護膜としてスクリーン
印刷法により設けた。
次いでこのようにして得られた光記録材料を温水に浸漬
し、保護膜の設けられていない部分のゼラチン層を除去
した後乾燥して、光記録材料用基材表面の全面ではなく
中心部のみに第１記録層および第２記録層が設けられた
光記録材料を作成しゃた。
一方、カード基材としての白色ポリ塩、化ビニル（厚さ
４００μｍ）と、・上記のように作成した光記録材料と
を、光記録材料の第２記録層がカード基材と接するよう
にして、接着剤であるエポキシ樹脂を介して重ね合わせ
、ロールなどにより圧着して光カードを製造した。
実施例３ 実施例２において、光カードに埋設される光記録材料を
以下のようにして製造した以外は、実施の塗布液を、あ
らかじめプラズマ処理を施した膜厚１００μｍのトリア
セテートフィルム（富士写真フィルム製フジタック）に
、３５℃に加温した状態で、ミャバー＃３６を用いて塗
布した後、５℃に冷却セットした。次いで３０℃で乾燥
し、さらに４０℃で３時間硬膜化反応を促進させた。得
られた感光材層の乾燥重囲は３．６ｇ／Ｔｄであった。
感光材層形　塗】 ゼラチン（＃１５０　新田ゼラチン’！ｔｊ）　７％水
溶液　：２８．６ｇ ＰｄＣｊ）２とＥ　Ｄ　−ｒ　Ａとの錯体の１酸々性水
溶液（ＰｄＣ１１２にしテ１０００Ｉ）Ｉ）Ｉｌｌ　、
　ＰＨ＝２．８）　：１４．０ｇ ４−モルフォリノ−２，５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウムホウフッ化塩（Ｄ　）−１３００ＢＦｕ　大束化
学製）　２％ＤＭＦ溶液：　３．Ｏｇ ジアゾレジン（Ｄ−０１１、ンンコー技研製）５％水溶
液　：０．７ｇ Ｎ、Ｎ’　−ジメチロールウレア　５％水溶液：２０ｇ 塩酸　ＩＮ　：　２．５９ このようにして得た感光材層に実施例２と同様にしてパ
ターン露光した後、処理液（Ａ）、ＣＢ）（２０℃）に
、それぞれこの順序に３０秒、９０秒浸漬して、光透過
部と遮光部に相当する黒色ポジティブパターンとを有す
る第１記録層を得た。
次に上記のようにして基材上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅを膜厚２５０Ａとなるように蒸着させて第２記
録層を形成した。
次に、得られた光カードに、カード保護層側から、波長
６３２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザビームを、第１記録
層に既に形成された黒色ポジディプパターンをガイド（
トーラツキング）として、上記Ｔｅ金属薄膜囮の表面に
５ｍｗのパワーでビーム径３μｍに集光してパルス巾１
５０’ｎ５ｅｃで照射した。この金属薄膜層には、直径
３μｍの円形状の記録ピットが形成された。
１腹ｍ４ 実施例１において、光カードに埋設される光記録材料を
、以下のようにして製造した以外は、実施例１と同様に
して光カードを製造した。
下記組成の感光材層形成用塗布液を調整し、これを膜厚
３００μｍのポリカーボネートフィルム（余人化成）に
ワイヤーバー＃１２を用いて塗布し、８０℃のオーブン
で乾燥し、膜厚４μｍの感光材層を形成した。
感　−４′　・イ アクリル酸ン酢酸ビニル共重合樹脂 （コーホニールｐｃ　−５０Ｍ　（Ｈ）　、日本合成化
学工業！Ｉｉ）　２０％エタノール溶液　−二　２０ｇ ４−モルフォリノ−２，゛５−ジブトキシベンゼンジア
ゾニウムホウフッ化塩、（ＮｏｌｌＢＦｕ　レシペケミ
カル製）　１０％ＭＥＫ溶液　：　３．Ｏｇ ＰｄＣｊ！　溶液（ＰｄＣ１１２：濃塩酸：エタノール
＝０．１：５：１００）　：１０ｇポリエチレンオキサ
イド（ＰＥＯ−３、製鉄イヒ学製）　１％エタノール溶
液　：　２．ＯｇＰ−トルエンスルホン酸　５％エタノ
ール溶液：　ｉ、ｏｇ 次に、このようにして形成された感光材面と、中５μｍ
のラインを１０μｍピッチストライプ状にネガティブに
バターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着させ
、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距離１７
１Ｌ）で６０秒間露光した。
露光量は、３６５　ｎ１ｌｌで５０ｍｊ／ｃｄであった
。
次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
、下記組成の処理液（Ａ）、ＣＢ）にこの順序でそれぞ
れ４０秒、１００秒浸漬した（処理ｒ！Ａ度２５℃）。
Ａ　シバニッケル（野製薬製） ホウ素系還元剤　：０．５９ 硫酸ニッケル　：３．（１ クエン酸ナトリウム　：　１．（１ 水　：９５．　５９ 硫酸ニツケル　：９．Ｏｇ 次亜リン酸ナトリウム　ニア、Ｃｌ ＮＨ３水Ｗｊ液（２８％）　：６．５ｇクエン酸ナトリ
ウム　：１０．０ｇ 水　：６７．　５　ｇ しかる後、水洗乾燥して、光透過部と遮光部に相当する
黒色のポジティブパターンとを有する記録層を得た。
この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドラ１−列として表わされている。
上記のようにしてパターニングされた記録層上にＡ１を
膜厚１５００Ａになるように蒸着して反射性金属薄膜層
を形成して光記録材料を得た。
この光記録材料の反射性金属薄膜層には情報を書込まず
、第１記録層に書込まれた情報を読出すタイプのもので
ある。
次に、この光記録材料が埋設された光カードに、カード
保護層側から、レーザダイオード（７９００Ａ）のビー
ムを照射して第１記録層の遮光部に相当する黒色層をガ
イドラインとして円形ドツト列の反射光を読取ったとこ
ろ、マスク原版のデータ入力信号と同じであることが確
認された。
友凰璽１ 実施例２において、基材とこの上に設けられた感光材層
との代わりに、富士写真フィルム社製のミニコピーフイ
シュフィルムＨＲＩＩを用いた以外は、実施例１と同様
にして、光記録材料を作成し、次いで光カードを製造し
た。このミニコピーフィッシュフィルムＨＲＩ［は、基
材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム上にハ
ロケン化銀乳剤が塗布されて形成されたものである。
実施例６ 実施例２において、基材とこの上に設けられた感光材層
との代わりに、富士写真フィルム社製の富士ジアゾフィ
ルムＭ−４２０８−Ｐ７を用いた以外は、実施例１と同
様にして光記録材料を作成し次いで光カードを製造した
。この富士ジアゾフィルムＭ−４２０８−Ｐ７は、基材
としてのポリエチレンテレフタレートフィルム上にジア
ゾニウム塩とカップラーとの組合せ系が塗布されて形成
されたものである。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、本発明に係る光カードの断面図
である。 １・・・光カード、２・・・カード基材、３・・・光記
録材料、４・・・光記録材料用基材、５・・・光透過部
、・６・・・遮光部、７・・・第１記録層、８・・・第
２記録層。 ６１　図 ６２　図 手続上１１正書 １　事件の表示 昭和５９年　特許願　第７１５８３号 ２　発明の名称 光　カ　−　ド ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都新宿区市谷加賀町−丁目１番１号（２８９）人日
本印刷株式会社 （昭和５９年１１月１５０付住居表示の実部による住所
の変更） ４　代　理　人 ８　補正の内容 （１）　明細書１頁末行「光カード」をｒＤＲＡＷ型」
光カード」と訂正する。 （２）　３０頁３行〜７行［反射性・・・好ましい］を
削除する。 （３）　３２頁５〜６行ｒｃｒ−ＩＱ、ＧＯ−ＩＧＪを
削除する。 （４）　’３９頁３行〜４２頁末行（実施例２）を削除
する。 （５）　４３頁１行「実施例３」を「実施例２」と訂正
し、同２〜４行を削除する。 （６）　４４頁９〜１６行を次のにうに訂正する。 ［次に、このようにして形成された感光材面と、中５μ
ｍのラインを１０μｍピッチストライプ状にネガティブ
にパターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着さ
せ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距＃１
１′ＩｒＬ）で６０秒間露光した。露光量は、３６５　
ｎｍで５０　ｍｊ／　ｃＭであった。 この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドラ１〜列として表わされている。 次いで上記のようにしてパターン露光された感応材層を
下記組成の処理液（Ａ）、（Ｂ）に、この順序でそれぞ
れ３０秒、９０秒浸漬したく処理温度２０℃）。 （Ａ）シバニッケル（奥野製薬製） ホウ素系還元剤　０．５ｇ 硫酸ニッケル　３．０び クエン酸すトリウム　°　１．０３ 水　：　９５．５３Ｆ （Ｂ）ＴＭＰ化学ニッケルーＡ、ＴＭＰ化学ニッケルー
Ｂの１対１況合液 硫酸ニッケル　９．０９ 次亜リン酸す１〜リウム　：　７．０ｇＮＨ３水溶液（
２８％）　−：　６．５ｇクエン酸ナトリウム　：１０
．０ｇ 水　：６７．　５ｇ しかる後、水洗、乾燥して、光透過部と遮光部に相当づ
る黒色のポジティブベタ２ンとを右Ｊ−る第１記録層を
得た。 上記のようにしてパターニングされた記録層上に７’ｅ
を膜厚２５０八になるように蒸着して光記録材料を得た
。 次に反射性金属薄膜層上に、アクリール樹脂（三菱レー
ヨン、ダイＡ７ナールＬＲ９０）を保護膜としてスクリ
ーン印刷法により設けた。 次いでこのようにして得られた光記録材料を渇水に浸漬
し、保護膜の設けられていない部分のゼラチン層を除去
した後乾燥して、光記録材料用基付表面の全面ではなく
中心部のみに第１記録層および第２記録層が設けられた
光記録材料を作成した。 一方、カード基材としての白色ポリ塩化ビニル（厚さ４
００μｍ　）と、上記のように作成した光記録材料とを
、光記録材料の第２記録層がカード融材と接するように
して、接着剤であるエポキシ開開を介して重ね合わせ、
ロールなどにより圧首して光カードを製造した。」 ［７）　４５頁５行〜４８頁１０行（実施例４）を削除
づる。 （８）　４８頁１１行「実施例５」を「実施例３」と、
４８頁１２行、４９頁２行「実施例２」をいずれも「実
施例１」と、４９頁１行「実施例６」を「実施例４」と
夫々訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、　カード基材上に、光記録材料が設けられている光
    カードであって、前記光記録材料は、（ａ）光記録材料
    用基材と、（ｂ）この光記録材料用基材下面に設けられ
    た、光透過部および遮光部からなる第１記録層と、（Ｃ
    ）この第１記録層下面に設けられた、反射性金属薄膜層
    からなる第２記録層とからなり、この光記録材料は、カ
    ード基材上に第２記録層が接Ｊ゛るように設けられてい
    ることを特徴とする光カード。
JP59071583A 1984-03-31 1984-04-10 光カ−ド Expired - Lifetime JPH0724118B2 (ja)

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