JPS60214995A - 光カ−ド - Google Patents
光カ−ドInfo
- Publication number
- JPS60214995A JPS60214995A JP59071582A JP7158284A JPS60214995A JP S60214995 A JPS60214995 A JP S60214995A JP 59071582 A JP59071582 A JP 59071582A JP 7158284 A JP7158284 A JP 7158284A JP S60214995 A JPS60214995 A JP S60214995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- card
- layer
- recording
- light
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
- A63F—CARD, BOARD, OR ROULETTE GAMES; INDOOR GAMES USING SMALL MOVING PLAYING BODIES; VIDEO GAMES; GAMES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- A63F7/00—Indoor games using small moving playing bodies, e.g. balls, discs or blocks
- A63F7/02—Indoor games using small moving playing bodies, e.g. balls, discs or blocks using falling playing bodies or playing bodies running on an inclined surface, e.g. pinball games
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K1/00—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion
- G06K1/12—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching
- G06K1/126—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching by photographic or thermographic registration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
- B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
- B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
- B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
- B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
- B42D25/30—Identification or security features, e.g. for preventing forgery
- B42D25/36—Identification or security features, e.g. for preventing forgery comprising special materials
- B42D25/364—Liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/06009—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code with optically detectable marking
- G06K19/06046—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G07—CHECKING-DEVICES
- G07F—COIN-FREED OR LIKE APPARATUS
- G07F7/00—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus
- G07F7/08—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus by coded identity card or credit card or other personal identification means
- G07F7/086—Mechanisms actuated by objects other than coins to free or to actuate vending, hiring, coin or paper currency dispensing or refunding apparatus by coded identity card or credit card or other personal identification means by passive credit-cards adapted therefor, e.g. constructive particularities to avoid counterfeiting, e.g. by inclusion of a physical or chemical security-layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/002—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier
- G11B7/0033—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the shape or form of the carrier with cards or other card-like flat carriers, e.g. flat sheets of optical film
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
- G11B7/0052—Reproducing involving reflectivity, absorption or colour changes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は光カードに関し、さらに詳しくは、新規な光記
録材料を有し、高密度の情、報を書込むことの可能な光
カードに関する。 〔発明の技術的背景ならびにその問題点〕従来、クレジ
ットカード、バンクカードなどのカード類に埋設される
記録材料としては、磁気材料が主として用いられてきた
。この電気材料は、情報の書込みならびに読出しが容易
に行なえるという利点はあるが、反面、情報の改窒が容
易に行なわれ、しかも高密度記録ができないという問題
点があった。 ところで、上記のような問題点を解決するため、感光材
にパターン露光を施こして、未露光部である光透過部と
露光部である遮光部とを形成することによって、感光材
に情報を書込み、この情報を光透過度の差異によって読
取るようなタイプの光記録材料が提案されている。この
ような光記録材料をカード基材に埋込んでカード用記録
材料として用いようとする場合には、以下のような問題
点がある。 （ａ）カード基材は、その表面に種々の印刷を施こす場
合が多く、このためにはカード基材は不透明であること
が好ましい。ところが上記のような光記録材料を埋込む
ためには少なくとも基材の一部を光透過性にする必要が
あり、このことはカードの製造上著しく不利にしている
。 （ｂ）上記のような記録材料では、光透過部および遮光
部における光透過性の相違を充分大きくすることが難か
しり、シかも光透過度の相違により書込まれた情報を読
出そうとする場合には、カード表面の汚れに大きく左右
されるという問題点があった。 このため光透過度の相違による情報の読出しではなく、
光反射率の相違により情報を読出そうとする試みもある
。たとえば、銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散し
てなる記録層を有するカード類が提案されている。この
記録層への情報の書込みは、レーザビームを記録層に照
射して記録ピットを形成して行なわれている。この記録
層はコーティング法により連続的に製造でき、しかも銀
を用いることによって広い波長域にわたって均一な反射
率が得られ、種々の波長のレーザビームを用いた記録再
生装置への適用が可能であるという利点を有している。 しかしながらこの記録層に、写真的手法で記録を行なう
場合には、光反射性と解像性とを同時に向上させること
は困難であり、たとえば現像時間を長くすると光反射性
は向上するが、記録部（露光部）が太る傾向が認められ
解像性が低下してしまう。逆に現像時間を短かくすると
解像性は向上するが光反射性が不充分になってしまうと
いう問題点があった。 一方また、記録材料の記録層にレーザビームなどのエネ
ルギービームをスポット状に照射して、記録層の一部を
状態変化さ′Ｕて記録する、いわゆるヒートモード記録
材料が提案されている。このヒートモード記録材料に用
いる記録層としては、テルル、ビスマスなどの金属薄膜
、ポリスチレン、ニトロヒルロースなどの有機薄膜、あ
るいは相転位を利用したテルル低酸化物膜などが用いら
れている。これらの記録材料は、情報の書込みの後現像
処理などの必要がなく、「書いた後直読する」ことので
きる、いわゆるＤ ＲＡ Ｗ （ｄｉｒｅｃｔ ｒｅａ
ｄａｆｔｅｒ ｗｒｉｔｅ ）媒体であり、高密度記録
が可能であり追加書込みも可能であることから、ディス
ク用あるいはカード用の記録材料としての用途の拡大が
期待されている。 これらのヒートモード記録材料のうち最も広く用いられ
ている、テルルあるいはビスマスなどの金属薄膜を基板
上に蒸着してなる記録材料においては、情報の書込みは
、レーザビームなどのエネルギービームを金属Ｎｌ！上
にスポット照射することにより、この部分の金属を蒸発
除去あるいは融解移動除去してビットを形成して行なわ
れている。 また情報の読出しは、読出し光を記録層上に照射し、記
録部であるピット部と未記録部である金属薄膜とにおけ
る反射率の違いを読取ることによって行なわれている。 ところで、情報の書込みに際しては、読出すべき情報そ
のものに相当する記録ピットを形成することに加えて、
光ｄ案内溝に相当するトラッキングならびに読出すべき
ビットを特定するためのブレフォーマツティングをも記
録層に書込む必要があった。 ところが記録層を構成するテルル、ビスマスなどの金属
は、ある程度毒性を有するため取扱いに充分な配慮を要
するとともに、レーザビームなどのエネルギービームの
照射によりビットを形成することは、高度の制御技術が
必要され、しかもそのピット形成工程が複雑であるため
コスト面からみても必ずしも安いものではなかった。し
たがって、光の案内溝に相当するトラッキングならびに
読出すべきビットを特定するためのブレフォーマツディ
ングがレーザビーム照射以外の簡便な方法により大量に
しかも安価に形成しうるような記録材料が出現するなら
ば、極めて有用性の高いものが得られると期待される。 〔発明の目的〕 本発明は、これら従来技術に伴なう問題点を解決しよう
とするものであって、以下のような目的を有する。 （ａ）高密度記録が可能で、しかも書込まれた情報の改
窟が困難である光記録材料を有する光カードを提供する
こと。 （ｂ）記録層に書込まれるべぎ情報の一部を、レーザビ
ームの照射によらずパターン露光などの量産可能な方法
により行なうことができ、したがって製造工程の簡素化
が可能で、しかも大量生産ならびにコストダウンが可能
な光記録材料を有する光カードを提供すること。 〔発明の概要〕 本発明に係る光カードは、カード基材上に、光記録材料
とカード保護層とがこの順序に設けられている光カード
であって、前記光記録材料は、（ａ）光記録材料用基材
と、（ｂ）この光記録材料用基材下面に設番ノられた、
光透過部Ｊ３よび遮光部からなる第１記録層と、（Ｃ）
この第１記録層下面に段
録材料を有し、高密度の情、報を書込むことの可能な光
カードに関する。 〔発明の技術的背景ならびにその問題点〕従来、クレジ
ットカード、バンクカードなどのカード類に埋設される
記録材料としては、磁気材料が主として用いられてきた
。この電気材料は、情報の書込みならびに読出しが容易
に行なえるという利点はあるが、反面、情報の改窒が容
易に行なわれ、しかも高密度記録ができないという問題
点があった。 ところで、上記のような問題点を解決するため、感光材
にパターン露光を施こして、未露光部である光透過部と
露光部である遮光部とを形成することによって、感光材
に情報を書込み、この情報を光透過度の差異によって読
取るようなタイプの光記録材料が提案されている。この
ような光記録材料をカード基材に埋込んでカード用記録
材料として用いようとする場合には、以下のような問題
点がある。 （ａ）カード基材は、その表面に種々の印刷を施こす場
合が多く、このためにはカード基材は不透明であること
が好ましい。ところが上記のような光記録材料を埋込む
ためには少なくとも基材の一部を光透過性にする必要が
あり、このことはカードの製造上著しく不利にしている
。 （ｂ）上記のような記録材料では、光透過部および遮光
部における光透過性の相違を充分大きくすることが難か
しり、シかも光透過度の相違により書込まれた情報を読
出そうとする場合には、カード表面の汚れに大きく左右
されるという問題点があった。 このため光透過度の相違による情報の読出しではなく、
光反射率の相違により情報を読出そうとする試みもある
。たとえば、銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散し
てなる記録層を有するカード類が提案されている。この
記録層への情報の書込みは、レーザビームを記録層に照
射して記録ピットを形成して行なわれている。この記録
層はコーティング法により連続的に製造でき、しかも銀
を用いることによって広い波長域にわたって均一な反射
率が得られ、種々の波長のレーザビームを用いた記録再
生装置への適用が可能であるという利点を有している。 しかしながらこの記録層に、写真的手法で記録を行なう
場合には、光反射性と解像性とを同時に向上させること
は困難であり、たとえば現像時間を長くすると光反射性
は向上するが、記録部（露光部）が太る傾向が認められ
解像性が低下してしまう。逆に現像時間を短かくすると
解像性は向上するが光反射性が不充分になってしまうと
いう問題点があった。 一方また、記録材料の記録層にレーザビームなどのエネ
ルギービームをスポット状に照射して、記録層の一部を
状態変化さ′Ｕて記録する、いわゆるヒートモード記録
材料が提案されている。このヒートモード記録材料に用
いる記録層としては、テルル、ビスマスなどの金属薄膜
、ポリスチレン、ニトロヒルロースなどの有機薄膜、あ
るいは相転位を利用したテルル低酸化物膜などが用いら
れている。これらの記録材料は、情報の書込みの後現像
処理などの必要がなく、「書いた後直読する」ことので
きる、いわゆるＤ ＲＡ Ｗ （ｄｉｒｅｃｔ ｒｅａ
ｄａｆｔｅｒ ｗｒｉｔｅ ）媒体であり、高密度記録
が可能であり追加書込みも可能であることから、ディス
ク用あるいはカード用の記録材料としての用途の拡大が
期待されている。 これらのヒートモード記録材料のうち最も広く用いられ
ている、テルルあるいはビスマスなどの金属薄膜を基板
上に蒸着してなる記録材料においては、情報の書込みは
、レーザビームなどのエネルギービームを金属Ｎｌ！上
にスポット照射することにより、この部分の金属を蒸発
除去あるいは融解移動除去してビットを形成して行なわ
れている。 また情報の読出しは、読出し光を記録層上に照射し、記
録部であるピット部と未記録部である金属薄膜とにおけ
る反射率の違いを読取ることによって行なわれている。 ところで、情報の書込みに際しては、読出すべき情報そ
のものに相当する記録ピットを形成することに加えて、
光ｄ案内溝に相当するトラッキングならびに読出すべき
ビットを特定するためのブレフォーマツティングをも記
録層に書込む必要があった。 ところが記録層を構成するテルル、ビスマスなどの金属
は、ある程度毒性を有するため取扱いに充分な配慮を要
するとともに、レーザビームなどのエネルギービームの
照射によりビットを形成することは、高度の制御技術が
必要され、しかもそのピット形成工程が複雑であるため
コスト面からみても必ずしも安いものではなかった。し
たがって、光の案内溝に相当するトラッキングならびに
読出すべきビットを特定するためのブレフォーマツディ
ングがレーザビーム照射以外の簡便な方法により大量に
しかも安価に形成しうるような記録材料が出現するなら
ば、極めて有用性の高いものが得られると期待される。 〔発明の目的〕 本発明は、これら従来技術に伴なう問題点を解決しよう
とするものであって、以下のような目的を有する。 （ａ）高密度記録が可能で、しかも書込まれた情報の改
窟が困難である光記録材料を有する光カードを提供する
こと。 （ｂ）記録層に書込まれるべぎ情報の一部を、レーザビ
ームの照射によらずパターン露光などの量産可能な方法
により行なうことができ、したがって製造工程の簡素化
が可能で、しかも大量生産ならびにコストダウンが可能
な光記録材料を有する光カードを提供すること。 〔発明の概要〕 本発明に係る光カードは、カード基材上に、光記録材料
とカード保護層とがこの順序に設けられている光カード
であって、前記光記録材料は、（ａ）光記録材料用基材
と、（ｂ）この光記録材料用基材下面に設番ノられた、
光透過部Ｊ３よび遮光部からなる第１記録層と、（Ｃ）
この第１記録層下面に段
【ノられた、反射性金属薄膜層
からなる第２記録層とからなり、この光記録材料は、カ
ード基材上に第２記録層が接するように設けられている
ことを特徴としている。 この光カードに設けられた光記録材料は、第１記録層に
すでに情報が書込まれているが、さらに第２記録層に情
報を書込むには、第２記録層にエネルギービームをスポ
ット照射すればよい。これらの記録層に書込まれた情報
の読出しは、光カードの保護層側から記録再生光を照射
し、反射光の強度と位相変化とを関連づけて検出するこ
とによって行なわれる。 〔発明の詳細な説明〕 以下本発明に係る光カードを、図面に示す具体例により
説明する。 本発明に係る光カード１は、カード基材２上に、光記録
材料３とカード保護層４とがこの順序で設番ノられて形
成されている。この光記録Ｕ １３１３は、（ａ）光記
録材料用基材５と、（ｂ）この基材下面に設けられた、
光透過部６および遮光部７からｄる第１記録層８と、（
Ｃ）この第１記録層８下面に設けられた反射性金属薄膜
層からなる第２記録層９とから構成されており、この光
記録材料はカード基ｌ７１２上に第２記録層９が接する
ように設りられている。 場合によっては、光カード１の表面上に磁気記録層１０
が設けられていてもよい。また、必要によっては、ＩＣ
メモリー、写真、彫刻画像、文字、マーク、インプリン
トと称する浮き出し文字などを、光カードの表面に併設
してもよい。このようにすることにより、１枚のカード
で種々の再生方式に対応でき、また偽造がより効果的に
防止できる。 カード基材２としては、通常のカードの基材として用い
ることができるあらゆる材料が用いられうる。具体的に
は、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどの
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン／ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成
紙、紙なども用いられつる。さらに、上記のような材料
の積層体も用いられる。 またカード保護層４としては、光透過性であるかぎりに
おいて、通常のカードの保護層（オーバーシート〉とし
て用いることのできるあらゆる材料が用いられうる。具
体的には、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポ
リカーボネートなどのフィルム類が用いられうる。 光記録材料３は、（ａ）光記録材料用基材５と、（ｂ）
この基材下面に設ｉノられた、光透過部６および遮光部
７からなる第１記録層８と、（Ｃ）この第１記録層８の
下面に設けられた、反射性金属薄膜層からなる第２記録
層９とから構成されているが、以下に各層について詳細
に説明する。 光記録材料バｊ基材５としては、ガラス、セラミック、
紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などなどあら
ゆるタイプの材料が用いられつるが、生産性および平滑
性の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好ま
しい。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、
ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂
、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂などを用いること
ができ、寸法安定性および平滑性の点からセルロースト
リアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ドなどが特に好ましい。これら基材５には、必要に応じ
て、コロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー処理な
どの接着性改良のための前処理をしてもよい。 第１記録部８は、光透過部６および遮光部７から構成さ
れている。この第１記録部８は、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成される。場合に
よっては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性
となる感光材をパターン露光し次いで現像づ゛ることに
にって、第１記録部８を形成してもよい。 感光材は、たとえば（イ）バインダーとしての透明樹脂
、（ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている゛。この
感光材においては、バインダーとしての透明樹脂１００
重最部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤は１〜１００重量部好ましくは２０〜
５０重量部の量で存在し、還元されて金属現像核となる
金属錯化合物または金属化合物は０．１〜１００重量部
好ましくは１〜１０重量部の量で存在している。上記の
現像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バイン
ダーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されている
が、好ましくは溶解されている。 透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
／酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
ｍ基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹脂
などが挙げられる。 また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。 また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール（部分ケン化ポリ酢酸ビニル）、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のもの：ｂ使用可能
である。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この
透明樹脂により感光拐層を形成して物理現像液と接触さ
せる際に、物理現像液が感光月層に浸透して物゛理現像
が可能となる程度の親水性を有することが好ましい。 ７′ また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子量物をエタノール溶
解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効であ
る。 現像抑、制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有す
る化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物として
は、ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化
塩、またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより
得られる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体
的には、ｐ−Ｎ。 Ｎ−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、ｐ−Ｎ−エチル−Ｎ−βヒドロキシエチルアミノベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−モルフォリノ−２
，５−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
４−モルフォリノ−２゜５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、４−ベンゾイルアミノ−２，５−
ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（
４’−メ１−キジベンゾイルアミノ）−２，５−ジェト
キシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（ｐ−ｔ
−ルイルメルカプト）−２，５−ラメ１〜キ゛シベンゼ
ンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−４′ −メ
トキシジフェニルアミン塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−３
−メトキシージフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジア
ゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜
鉛複塩の代わりに上記のホウフッ化塩、硫酸塩、リン酸
塩なども使用できる。 アジド基を有する化合物としては、ｐ−アジドアセトフ
ェノン、４．４′ −ジアジドカルコン、２．６−ビス
−（４′−アジドベンザル）−アセトン、２，６−ビス
−（４′ −アジドベンザル）−シクロヘキサノン、２
，６−ビス−（４′ −アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、２．６−ビス（４′−アジドスチリ
ル）−アレトン、アジドピレンなどが使用できる。ジア
ゾ基もしくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も
使用することもでき、また、上記したジアゾ基もしくは
アジド基を有する化合物を任意に２種以上併用して使用
することもできる。 なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはｐ−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。 次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。 まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対−し電子ドナーとなる
配位子としては通常知られているものを用いることがで
きる。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いら
れる。 ビス（エチレンジアミン）パラジウム（Ｉｆ）！。 ジクロロエチレンジアミンパラジウム＜ ｎ ＞ 塩、
ジクロロ（エチレンジアミン）白金（ｖ）塩、テトラク
ロロジアンミン白金（ＩＶ ）塩、ジクロロビス（エチ
レンジアミン）白金（ＩＶ ）塩、テトラエチルアンモ
ニウム銅（ｎ）塩、ビス（エチレンジアミン銅（ＩＩ）
塩。 さらに金属の錯化合物を形成する配位子としては、２力
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化々 合物の安定性が高いために好適である。キレート化剤と
しては第１級、第２級もしくは第３級アミン類、オキシ
ム類、イミン類、ケトン類を挙げることができ、より具
体的にはジメ・チルグリオキシム、ジチゾン、オキシン
、アセチルアセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢
酸、ニトリロ三酢酸、ウラミルニ酢酸などの化合物が用
いられる。 上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス（２，
２’ −ビピリジン）パラジウム（ＩＩ）ｊＭ、ビス（
アセチルアセトナート）パラジウム（Ｉ［）、ビス（Ｎ
、Ｎ−ジエチルエチレンジアミン）銅（Ｉ）塩、ビス（
２，２’ −ビピリジン）銅（ｎ）塩、ビス（１，１０
−７エナントロリン）銅（ＩＩ）塩、ビス（ジメチルグ
リオキシマート）銅（ＩＩ）、ビス（アセデルアセトナ
ート）銅（■）、ビス（アセチルアセトナート）白金（
、ＩＩ）などが好夫しい。 還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクヂベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。 上述のような、（イ）バインダーとしての透明樹脂、（
ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である１０〜１０００センチポイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、光記録材料用基材５上に通常０．１〜３０μｍの
膜厚に塗布されて感光材層が形成される。 バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水あるいは水と低級アルコール、ケトン、エー
テルなどの水混和性溶媒との混合溶剤が用いられる。ま
た、親油性透明樹脂を用いる場合には、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
低級アルコール類、アセトン、メヂルエチルケ１〜ンな
どのケトン類、酢酸エチル、酢ｌｎブチルなどのエステ
ル類、メチルセロソルブなどの極性の高い溶剤が好まし
く用いられる。 なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。 硬膜処理は、！ことえば下記化合物を感光材形成用塗布
液中に透明樹脂１００部に対して０．１〜５０部の量で
予じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすで
に形成された感光材層上に塗布することにより行なうこ
とができる。 カリ明パン、アンモニウム明パンなどのＡｊ！化合物；
クロム明パン、硫酸クロムなどのＣ２Ｆ化合物；ホルム
アルデヒド、グリオキサル、グルタルアルデヒド、２−
メチルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのア
ルデヒド類：０−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、シ
クロヘキサン−１，２−ジオン、シクロペンタン−１，
２−ジオン、ジアセチル、２，３−ベンタンジオン、２
゜５−ヘキサンジオン、２，５−ヘキセンジオンなどの
ジケトンニトリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポ
キシド；テトラフタロイルクロリド、４．４′ −ジフ
ェニルメタンジスルフォニルクロリド、４．４′ −ジ
フェニルメタンジスルフＡニルクロリドなどの酸無水物
；タンニン酸、没食子酸、２，４−ジクロロ−６−ヒド
ロキシ−８−トリアジン、ならびに一般式ＲＮＰＯＸ２
、Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−Ｒ’ （ここでＲは炭素２〜６の７
ル＝％： ル基、Ｒ’ は（Ｃ１−１３）３ Ｎ＋
（ＯＨ３）”３ｘ ”ｉ、ｘはＦまたはＣＩ、ｎは１ま
たは２）で表わされるリン化合物またはカルボジイミド
：スチレン／マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン／
マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテル／マレイン
酸共重合体、エチレンイミン／マレイン酸共重合体、メ
タクリル酸／メタクリロニトリル共重合体、ポリメタク
リルアミド、メタクリル酸エステル共重合体などの樹脂
類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸
、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石酸など。 このようにして、光記録材料用基材５上に設（プられた
感光材層をパターン露光し、次いで現像して、未露光部
である光透過部６および露光部である遮光部７とからな
る第１記録層８を形成する。 パターン露光は、たとえばホトマスクなどのマスクを介
して行なうことができる。 また照射光をビーム状に集光して感光ｉｌｌに直接照射
してパターン状に遮光部７を形成することもできる。 第１記録層８にお【）る光透過部６おにび遮光部７によ
りもたらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報
を読取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットと
しての働きをしている。 感光材層における露光部では、ジアゾ基またはアジド基
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光令量に応じて分
解されて潜像が形成される。 露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しつる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。 上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触して
も金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存し
ている。 この際用いられる還元剤としては、塩化第１スズ、硫酸
第１スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第１スズ溶液、硫酸第
１スズ溶液（ｗｅｉｓｓ液）あるいは市販の無電解メッ
キ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般に
は、強力な還元剤であればすべて使用できる。 次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
４が形成される。 物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。 被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバルト
、鉄およびクロムなどのＶＩｂ族金属、銅などのＩｂ族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た一旦銅塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で冑換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。これらの中でも安全性、保存性を考慮
するとニッケル、銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異な
り原料の純度、メッキ安定化剤などから少量の異種金属
やリン、イオウなどの元素が混入することはあり得るが
、特に光記録材料としての特性に影響を与えるものでは
ない。 適当な水溶性の被還元性金属塩としＣは、具体的には以
下のものが用いられる。 塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド；硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩；硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝酸塩：フェラスアセテート、コバルタスアセテ−１〜
、クロミックアセテート、キュープリックフＡルメート
などの金属の有機酸塩。 これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば１０
〜１００ｇ／４１の口で含まれることが好ましい。 還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラピン、ボラジン、し−ブチル
アミンボラ１ｆン、ピリジンボラン、２，６−ルチシン
ボラン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン
、ジメチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラ
ン、ジメチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン
、ジメチルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランな
どが使用できる。 これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば０．１〜
５０ｇ／４１の缶で用いられることが好ましい。 物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえｉ′モノカルボン酸、ジカル
ボン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸；
コハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、
酒石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖
酸、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の
一種又は二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば１〜１００ｇ／ｐの最
で用いられることが好ましい。 さらに、物理現像液には、現像液の保存性おにび操作性
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのｐＨ調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面
活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。 この添加剤のうち、アンモニア系でｐ ｌ−１を上げる
と特に感光旧表面に光沢が得やＪ”くなるためｐＨ調節
剤としてアンモニウム塩、またはアンモ−ラム塩とアン
モニアとからなるＩ）Ｈ調節剤を用いることが特に好ま
しい。 また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た６５℃から９０℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩酸５％または硝酸の５％の水
溶液で５分間程度処理することにより光透過部の透明樹
脂を一部選択的に除去することもできる。 また、感光材としては、上述のような透明樹脂、現像抑
制剤、金属錯化合物なたは金属化合物からなる系のほか
に、（イ）ハロゲン化銀、ドライシルバー（登録商標）
などの有機銀塩に代表される銀塩系材料、（ロ）ジアゾ
ニウム塩とカプラーとの組合せ系、（ハ）カルバ−フィ
ルム（登録商標）、ＰＤプロセス（登録商標）＠旧など
に代表されるジアゾ系材料、（ニ）アクリルモノマー、
ポリビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光種がけ
型のフＡトポリマー系材料（ホ）トナー像を形成するＣ
ｄＳ、ＺｎＯ，ポリビニルカルバゾールなどの電子写真
感光体あるいはその転写体、（へ）７０スト像を形成す
るサーモプラスヂックス電子写真感光体などの電子写真
系材料、（ト）ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、
（チ）ダイラックス（登録商標）コバルト錯体とロイコ
染料との組合せ系、（す）シュウ酸第二酸と鉄塩との組
合せ系、（ヌ）スピロピラン、モリブデンタングステン
化合物などの顔料または色素の画像を形成する材料など
が用いられうる。 上記の感光材のうち、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。 このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、電子線などが用いられうる。 次に、上記のようにして形成された、光透過部６および
遮光部７とからなる第１記録層８上に、反射性金属薄膜
層からなる第２記録層９を形成する。 反射性金ＪｌｊｉＨ８Ｓ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎ ｔ、 Ｃｕ、ＡＣ＋、Ａｕ、Ｇｅ、Ａｊ 、ＭＯ
。 Ｓｂ、Ｔｅ１Ｐｂ、Ｐｄ５Ｃｄ、Ｂ ｉ、Ｓｎ。 Ｓｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｒｂなどの金属を単独もしくは２種
以上組合Ｕて用いて形成される。 反射性金属薄膜層からなる第２記録層９に情報をエネル
ギービームの照射により書込む場合には、低融点金属で
あるＴｅ、ｚｎＳＰｂ、Ｃｄ、３ ｔ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｒｈなどの金属を主成分として反射性金属薄
膜を構成することが好ましく、特にＴｅ−８ｅ、Ｔｅ、
−８ｅ−Ｐｂ、Ｔｅ−ｐｂ、Ｔｅ−８ｎ−８，５ｎ−Ｃ
ｕ１Ｔｅ−Ｃｕ。 Ｔｅ−Ｃ，ｕ−Ｐｂなどの合金が好ましい。 さらにこれらの合金のうち、５〜４０原子数パーセント
のＣＵを含む１ｅ−Ｃｕ合金あるいは５〜４０原子数パ
ーセントのＣｕおよびＣｕに対して１〜５０原子数パー
セントのｐｂを含むＴｅ−Ｃｕ −Ｐｂ合金が、読出し
用照射エネルギーヒームの波長を６５００ｍ以上とする
場合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性金属
薄膜層を第２記録層として用いると、外周部での乱れが
少ない記録ピットが得られ、しかも読出し用照朗エネル
ギービームの波長が６５０ ｎｍ以上特に７００〜９０
０ ｎｍである場合に、記録部であるピットにおける反
射率と未記録部である金属薄膜にお１ノる反射率づなわ
ち相対反射率が小さいという優れた情報読出し特性を有
する反射性金属薄膜が得られる。 さらに１〜４０原子数パーセントのＣｕを含む５ｎ−Ｃ
ｕ合金を用いると記録ピット形状の外周部の乱れが少な
く、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。 反射性金属薄膜層からなる第２記録層９に情報を書込ま
ずに単に反射層として使用する場合には、Ａ、０、Ｎｉ
ＮＡｇ、ＡＵなどの特に光反射性に優れた金属あるいは
合金により反射性金属薄膜層を形成することが好ましい
。 このような反射性金属薄Ｂ！層を第１記録層上に形成す
るには、上記のような金属あるいは合金を準備し、これ
をスパッタリング法、真空蒸お法、イオンブレーティン
グ法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第１
記録層上に成膜すればよい。この反射性金属薄膜層の膜
厚は、２００〜１０００八であることが好ましい。場合
によっては、上記金属からなる多層膜たとえばＩｎ膜と
Ｔｅ膜との多層膜も反射性金属薄膜として用いられる。 また、上記金属と有機化合物または無１１酸化物との複
合物たとえばＴｅ−ＣＨ４、Ｔｅ −Ｃ８２、Ｔｅ−ス
チレン、５ｎ−８Ｏ２、Ｇｅ５−８ｎ、５ｎＳ−８など
の薄膜あ８ イハＳ ｔ Ｏ２／Ｔ ｉ ／Ｓ ｉ ０
２ ／Ａｊなどの多層膜も反射性金属薄膜として用いら
れうる。 さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
属薄膜として用いられうる。 さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Ｔｅ酸化物、Ｓｂ酸化物、
ＭＯ酸化物、Ｇｅ１１１化物、■酸化物、ＳｍＭｊｆ化
物、あるいはＴｅ酸化物−Ｇｅ、Ｔｅ−８ｎなどの化合
物が、反射性金属薄膜として用いられうる。 また、カルコーゲンあるいは発色型のＭｏＯ２−Ｃｕ、
ＭｏＯ３−ｓｎ−ｃｕが反射性金属簿膜として用いられ
、場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多
層体も反射性金属薄膜として用いられうる。 ざらに光磁記録材料であるＧｄＣ０１ＴｂＣＯ１ＧｄＦ
ｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。 ＧｄＦｅＢ ｉ 、ＴｂＤｙＦｅ、ＭｎＣｕＢ ｉ、Ｃ
ｒｙ２Ｂ ｉ ＳｍＥ ｒＧｄ ＩＧ。 ＧｄＢ ｉ Ｇａ ＩＧ、ＧｄＢＦａＢ ｉ ＩＧなど
も反射性金属薄膜として用いられうる。 上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。 次に本発明に係る光カードの製造方法について説明する
。 まずポリエチレンテレフタレート、白色硬質塩化ビニー
ルなどのカード基材に、光記録材料を埋設するための凹
部を熱プレス法などにより形成し、必要に応じてこの凹
部を含めてカード基材表面に接着用ブイマー処理を施こ
しておく。 次に、上述のようにして形成された光記録材料を、カー
ド基材の凹部に嵌込み、片面にたとえば熱接着剤層が設
【プられた透明ポリカーボネートフィルムを重ね合せ、
９０〜１′５０℃程度に加熱されＪｃ熱定着ロールにて
圧着することにより光カードを製造できる。 場合によっては、上述のようにして形成され／ｊ光記録
材料を予じめ透明ポリ塩化ビニルなどのカード保護層上
に接着剤層を介して貼着させておき、次いで、得られた
積層体を予じめ熱プレスなどによって凹部が形成された
カード基拐上に、光記録材料が凹部に嵌込まれるように
して接着剤層を介して重ね合せ、次いで熱ロールにて圧
着することによっても光カードを”Ａ造できる。 次に、上記のような反射性金属薄膜層への情報の書込み
および光カードに書込まれた情報の読出しについて説明
する。 反射性金属薄膜層への情報の書込みは、この金属薄膜層
に波長３００〜１ｌ１００ｎのレーザビームなどのエネ
ルギービームをレンズなどにより集光して照射し、照射
部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ピットを形成
することにより行なう。 この際エネルギービームの強度は、０．１〜１００ｍｗ
、パルス巾は５ ｎ５ｅｃ 〜５ Ｑ Ｑ ｌｌ１ｓｅ
ｃ、ビーム径は、０．５〜５０μｍであることが好まし
い。 反射性金属薄膜層上に照射されるエネルギービームとし
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。 −力木発明に係る光カードに書込まれＩＣ情報の読出し
は、反射性金属簿膜層を溶融させない程度の低エネルギ
ーのエネルギービームあるいは白色光、タングステン光
などをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透
過部および遮光部からなる第１記録層ならびに第２記録
層上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関
連づけて検出することによって行なわれる。 第１記録層における遮光部は、前述のように金属現像核
を中心にその伺近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金属薄１１Ａ層に達するため、この
光透過部における反射率は大ぎい値となる。 また、反射性金属薄ｌｌＩｍにおりる未記録部に相当す
る金属薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記録
部に相当するピット部では低い反射率となる。 このようにして、第１記録層では遮光部と光透過部とに
おける反射率の相違、また第２記録層ではピット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出ることによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。 〔発明の効果〕 本発明に係る光カードは、感光材層からなる第１記録層
および反一対性金属薄膜層からなる第２記録層を含む光
記録材料を有するので、以下のような効果を有する。 （ａ）磁気記録材料と比較して、はるかに高密度記録が
可能で、しかも書込まれた情報の改憲が著しく困難であ
る。 （ｂ）光記録林料に書込まれた情報を、光反射率の相違
に基いて読出すことができる。 （Ｃ）光記録材料の第１記録層への情報の書込みを、レ
ーザビームの照射によらず、パターン露光などの聞産可
能な方法により行ないうる。 （ｄ）感光材として、透明樹脂、現像抑制剤、金属錯化
合物または金属化合物からなる系を用いる、場合には、
明室での操作が可能となる。 以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるもので【よない。 宋ＪＪＬユ まず、光カード中に埋設される光記録材料を以下のよう
にして製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調整し、この塗布液
を、あらかじめ下引き処理をした膜層１８８μｍのポリ
エステルフィルム（東し製ルミラー〇−８２＞上に、３
５℃に保ってミャバー＃３６により塗布した後、５℃に
冷却セットした。 次いで３０℃で乾燥し、さらに４０℃で１２時間硬膜化
処理を施して、基材上に感光材層を形成した。感光材層
形成用塗布液の塗布量は乾燥時で４９／がであった。 感′材層多 用塗布液組ｊ ゼラチン（Ｐ−２１５１新田ゼラチン製）８％水溶液
：２５．Ｏｇ ＰｄＣＪ２塩酸々性水溶液（レッドシューマー１０倍液
日本カニゼン製’） ：１４．０び４−モルフォリノ
−２，５−ジブトキシベンセンジアゾニウムホウフッ化
塩（大東化学製ＤＨ３００ＢＦｕ） ２％Ｄ Ｍ Ｆ溶
液： ３．Ｏｇ Ｐ−ジアゾジフェニルアミンホウフッ化塩とパラホルム
アルデヒドとの綜合生成物 ５％ＤＭＦ溶液 ：０．７
ｇ Ｎ、Ｎ’ −ジメチロールウレア ５％水溶液：０．５
９ 次に、このようにして形成された感光材面と、中５μｍ
のラインを１０μｍピッチストライプ状艷にネガティブ
にパターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着さ
ゼ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距ｌ１
１ｉ１ＷＬ）で６０秒間露光した。露光量は、３６５
ｎｌで５０１１１ｊ／Ｃｓｔであった。 次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
下記組成の処理液（Ａ）、ＣＢ）に、この順序でそれぞ
れ４０秒、１００秒浸漬した（処理温度２５℃）。 （Ａ）シバニッケル（奥野製桑製） ホウ素系還元剤 ：０．５ＳＪ 硫酸ニツケル ： ３．０ｇ クエン酸ナトリウム ： ｉ、ｏｇ 水 ：９５． ５ｔＪ 硫酸ニツケル ：９．０＃ 次亜リン酸ナトリウム ニア、０９ ＮＨ３水溶液（２８％） ：６．５５？クエン酸ナトリ
ウム ：１０．０ｇ 水 ：６７．５ ｇ しかる後、水洗、乾燥して、光透過部と遮光部に相当す
る黒色のポジティブパターンとを有する第１記録層を得
た。 次に上記のにうにして３１上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅ −Ｃｕ −Ｐｂ合金（原子数パーセント比８
０：１５：５）をスパッタターゲットとし、Ａｒガス圧
５×１０−２ｉ ’Ｏｒ ｒ 、投入’ＴＥｆＪｆ４０
０Ｖにて９０秒間スパッタし、膜厚３００人のＴｅ−Ｃ
ｕ−Ｐｂ金属薄膜層を蒸着さ口て第２記録層を形成して
光記録材料を形成した。 一方、カード基材としての厚さ４００μｍの白色硬質塩
化ビニルフィルムに熱プレスにて、光記録材料を埋設す
るための四部を形成した。またカード保護層としての厚
さ３００μｍの透明ポリカーボネートフィルム表面に、
熱接着剤（ダイセル化学工業、プラクセルＨ−７）を設
置ノ、他面はシリコン系表面硬化剤により処理した。 次に、カード基材である白色硬質塩化ビニルの凹部に、
光記録材料を嵌込み、カード保護層を光記録材料が嵌込
まれたカード基材上に接着剤層を介して重ね合わせ、表
面温厚１２０℃の熱ロールにて圧着し５て貼り合わせた
。 次にこのようにして得られた光カードに、カード保護層
側から、レーザダイオードから発振された波長７９０ｎ
ｍのレーザビームを、第１記録層に既に形成された黒色
ポジティブパターンをガイド（トラッキング）として、
上記Ｔｅ−Ｃｕ−ｐｂ金属薄膜層の表面に５ ｒＴＩ
Ｗのパワーでビーム径２μｍに集光してパルス幅ｒｉ］
１ｎｓｅｃで照射した。この金属薄膜層には、直径２μ
ｍの円形状の記録ピットが形成された。 実施例２ 実施例１と同様にして作成した光記録材料を、カード保
護層としての透明ポリ塩化ビニルフィルム（厚さ４００
μｍ）上に、両面貼着テープ（積木化学工業製、ダブル
タックテープ５６５）を介して貼着した。次にこの光記
録材料が貼着され！ごカード保護層の全面に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルマレイン酸樹脂（積木化学工業製、エス
レックＭ）層を設けた。 一方、カード基材としての白色硬質ポリ塩化ビニルフィ
ルム（厚さ３００μｍ）に熱プレスにて、光記録材料を
埋設する１＝めの凹部を形成しｌｃ、、次に、カード基
材と光記録材料が貼着されたカード保護層とを、この凹
部にカード保護層上に貼着された光記録材料が嵌込まれ
るようにして、接着剤層としてのエポキシ樹脂（油化シ
ェルエポキシ、エピコート８２８、エボメート００１）
を介して重ね合せた。次いで、この積層体を圧着して光
カードを製造した。 実施例３ 実施例１において、光カードに埋設される光記録材料を
以下のようにして製造した以下は、実施例１と同様にし
て光カードを製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調製し、この塗布液
を、あらかじめプラズマ処理を施した膜厚１００μｍの
トリアセテートフィルム（富士写真フィルム製フジタッ
ク）に、３５℃加温した状態で、ミャバー＃３６を用い
て塗布した後、５℃に冷却セットした。次いで３０℃で
乾燥し、さらに４０℃で３時間硬膜化反応を促進させた
。得られた感光材層の乾燥重量は３．６ｇ／尻であった
。 感光材形 塗布−Ｊ゛ ゼラチン（＃１５０ 新田ゼラチン製） ７％水溶液
：２８．６ｇ ＰｄＣＪ１２とＥＤＴＡとの錯体の塩酸々性水溶液（Ｐ
ｄ （，１１２ｋＬ、ｒ １０００ｐｐｍ 、 ＰＩ−
１−２，８） ：１４．０ｇ ４−モルフォリノ−２，５−ジブｊ〜キシベンゼンジア
ゾニウムボウフッ化塩（ＤＨ３ｏ。 ＢＦｕ 大束化学製） ２％ＤＭＦ溶液 ・：３．０ｇ ジアゾレジン（Ｄ−０１１、シンコー技研製）。 ５％水溶液 ：０．７９ ＮＮ’ −ジメチロールウレア ５％水溶液＝２０ｇ 塩酸 ＩＮ ： ２．５ｙ このようにして得た感光材層に実施例１と同様にしてパ
ターン露光した後、処理液（Ａ）、（Ｂ）（２０℃）に
、それぞれこの順序に３０秒、９０秒浸漬して、光透過
部と遮光部に相当する黒色ポジティブパターンとを有す
る第１記録層を得た。 次に上記のようにして基材上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅを膜厚２５〇八となるように蒸着させて第２記
録層を形成した。 次に、得られた光カードに、カード保護層側から、波長
６３２．８ｎＩＩｌのＨｅ −Ｎ ｅ Ｌ／−サヒーム
を、第１記録層に既に形成された黒色ポジディプパター
ンをガイド（トラッキング）としで、上記Ｔｅ金属薄膜
層の表面に５ ｍ ｗのパワーでビーム径３μｍに集光
してパルスｒｌ］１５０ ｎ５ｅｃで照射した。この金
Ｊｉ！薄股層には、直径３μＩ’ｒｌの円形状の記録ビ
ットが形成された。 実施例４ 実施例１において、光カードに埋設される光記録材料を
、以下のようにして製造した以外は、実施例１と同様に
して光カードを製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調整し、これを膜厚
１８８μｍのポリエステルフィルム（ルミラー＃１００
、東し＠造）にワイヤーバー＃３６を用いて塗布し、８
０℃のオーブンで乾燥し、膜厚４μｍの感光材層を形成
した。 タ 用塗布液組成 アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂（コーホニールＰｃ
−５０Ｍ （Ｈ） 、日本合成化学工業＠り２０％エ
タノール溶液 ： ２０９ ４−セリ７ォリノー２．５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウムホウフツ化塩、（Ｎｏ１１ＢＦｕ レシベケミカ
／ｌｚりり １０％ＭＥＫ溶液 ：３．Ｏｇ ＰｄＣρ 溶液（ＰｄＣｊｌ ：濃塩酸：エタノ２ 一ルー０．１ ：５：１００） ：１０９ポリエチレン
オキザイド（ＰＥＯ−３、製鉄化学展） １％エタノー
ル溶液 ：２．ＯｇＰ−トルエンスルボン酸 ５％エタ
ノール溶液： １．Ｏｙ 次に、このようにして形成された感光材面と、巾５μｍ
のラインを１０μｎ１ピツチストライプ状にネガティブ
にパターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着さ
せ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距離１
ｍ）で６０秒間露光した。 露光量は、３６５ ｎｍで５０ｍｊ／ｃｄであった。 次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
、下記組成の処理液（Ａ）、（Ｂ）にこ゛の順序でそれ
ぞれ４０秒、１００秒浸漬した（処理温度２５℃）。 ±Ａ）’、ｔｔ＜＝ｙ’ｙ）Ｌｔ＜ ５Ｊ’ｍ＃ニホウ
素系還元剤 ：０．５ｇ 硫酸ニッケル ：３．Ｃｌ クエン酸ナトリウム ： １．ｏグ 水 ：９５． ５ ｇ 硫酸ニッケル ：９．（１ 次亜リン酸ナトリウム ニア、０ｇ ＮＨ３水溶液（２８％） ：６，５ｇ クエン酸ナトリウム ：１０．０ｇ 水 ：６７．５ ｇ しかる後、水洗乾燥して、光透過部と遮光部に相当する
黒色のポジティブパターンとを有する記録層を得た。 この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドラ１−列として表わされている。 上記のようにしてバターニゲきれた記録層上にＡ、Ｊｌ
を膜厚１５０〇八になるように蒸着して反射性金属薄膜
層を形成して光記録材料を得た。 この光記録材料の反射性金属薄膜層には情報を書込まず
、第１記録層に書込まれｌｃ情報を読出サタイプのもの
である。 次に、この光記録材料が埋設された光カードに、カード
保護層側から、レーザーダーイオード（７９００Ａ）の
ビームを照射して第１記録層の遮光部に相当する黒色層
をガイドラインとして円形ドツト列の反射光を読取った
ところ、マスク原版のデータ入力信号と同じであること
が確認された。 実施例５ 実施例１において、基材とこの上に設しプられた感光材
層との代わりに、富士写真フィルム社製のミニコピーフ
ィッシュフィルムｌ−Ｉ ＲＭを用いた以外は、実施例
１ど同様にして、光記録材料を作成し、次いで光カード
を製造した。このミニコピーフィッシュフィルムＨＲＩ
Ｉは、基材としてのポリエチレンテレフタシー１〜フイ
ルム上にハロゲン化銀乳剤が塗布されて形成されたもの
である。 友巖■玉 実施例１において、基材とこの上に設りられた感光材層
との代わりに、富士写真フ化ｖ′ム社製の富士ジアゾフ
ィルムＭ−４２０β−Ｐ７を用いた以外は、実施例１と
同様にして光記録材料を作成し次いで光カードを１ｍし
た。この富士ジアゾフィルムＭ−４２０８−Ｐ７は、基
材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム上にジ
アゾニウム塩とカップラーどの組合せ系が塗布されて形
成されたものである。 宋】Ｕ丸ヱ カード基材としての白色硬質ポリ塩化ビニルフィルム（
厚さ３００μｍ）に、光記録材料を埋設するための凹部
を、熱プレス法により形成した。 次に、実施例１と同様にして作成された光記録材料を、
前記カード基材に設けられた凹部に、該光記録材料の第
２記録層がカード基材と接するようにして嵌込／υだ。 次に、この上に、カード保護材としての透明ポリ塩化ビ
ニルフィルム（厚さ４００μｍ）を重ね合わせ、次いで
プレス機を用いて１５０℃、１２０Ｋｇ１０＋ｆの条件
で３０分間加熱加圧して一体化させて光カードを製造し
た。
からなる第２記録層とからなり、この光記録材料は、カ
ード基材上に第２記録層が接するように設けられている
ことを特徴としている。 この光カードに設けられた光記録材料は、第１記録層に
すでに情報が書込まれているが、さらに第２記録層に情
報を書込むには、第２記録層にエネルギービームをスポ
ット照射すればよい。これらの記録層に書込まれた情報
の読出しは、光カードの保護層側から記録再生光を照射
し、反射光の強度と位相変化とを関連づけて検出するこ
とによって行なわれる。 〔発明の詳細な説明〕 以下本発明に係る光カードを、図面に示す具体例により
説明する。 本発明に係る光カード１は、カード基材２上に、光記録
材料３とカード保護層４とがこの順序で設番ノられて形
成されている。この光記録Ｕ １３１３は、（ａ）光記
録材料用基材５と、（ｂ）この基材下面に設けられた、
光透過部６および遮光部７からｄる第１記録層８と、（
Ｃ）この第１記録層８下面に設けられた反射性金属薄膜
層からなる第２記録層９とから構成されており、この光
記録材料はカード基ｌ７１２上に第２記録層９が接する
ように設りられている。 場合によっては、光カード１の表面上に磁気記録層１０
が設けられていてもよい。また、必要によっては、ＩＣ
メモリー、写真、彫刻画像、文字、マーク、インプリン
トと称する浮き出し文字などを、光カードの表面に併設
してもよい。このようにすることにより、１枚のカード
で種々の再生方式に対応でき、また偽造がより効果的に
防止できる。 カード基材２としては、通常のカードの基材として用い
ることができるあらゆる材料が用いられうる。具体的に
は、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどの
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン／ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成
紙、紙なども用いられつる。さらに、上記のような材料
の積層体も用いられる。 またカード保護層４としては、光透過性であるかぎりに
おいて、通常のカードの保護層（オーバーシート〉とし
て用いることのできるあらゆる材料が用いられうる。具
体的には、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポ
リカーボネートなどのフィルム類が用いられうる。 光記録材料３は、（ａ）光記録材料用基材５と、（ｂ）
この基材下面に設ｉノられた、光透過部６および遮光部
７からなる第１記録層８と、（Ｃ）この第１記録層８の
下面に設けられた、反射性金属薄膜層からなる第２記録
層９とから構成されているが、以下に各層について詳細
に説明する。 光記録材料バｊ基材５としては、ガラス、セラミック、
紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などなどあら
ゆるタイプの材料が用いられつるが、生産性および平滑
性の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好ま
しい。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、
ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂
、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂などを用いること
ができ、寸法安定性および平滑性の点からセルロースト
リアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ドなどが特に好ましい。これら基材５には、必要に応じ
て、コロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー処理な
どの接着性改良のための前処理をしてもよい。 第１記録部８は、光透過部６および遮光部７から構成さ
れている。この第１記録部８は、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成される。場合に
よっては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性
となる感光材をパターン露光し次いで現像づ゛ることに
にって、第１記録部８を形成してもよい。 感光材は、たとえば（イ）バインダーとしての透明樹脂
、（ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている゛。この
感光材においては、バインダーとしての透明樹脂１００
重最部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤は１〜１００重量部好ましくは２０〜
５０重量部の量で存在し、還元されて金属現像核となる
金属錯化合物または金属化合物は０．１〜１００重量部
好ましくは１〜１０重量部の量で存在している。上記の
現像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バイン
ダーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されている
が、好ましくは溶解されている。 透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
／酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
ｍ基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹脂
などが挙げられる。 また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。 また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール（部分ケン化ポリ酢酸ビニル）、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のもの：ｂ使用可能
である。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この
透明樹脂により感光拐層を形成して物理現像液と接触さ
せる際に、物理現像液が感光月層に浸透して物゛理現像
が可能となる程度の親水性を有することが好ましい。 ７′ また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子量物をエタノール溶
解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効であ
る。 現像抑、制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有す
る化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物として
は、ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化
塩、またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより
得られる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体
的には、ｐ−Ｎ。 Ｎ−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、ｐ−Ｎ−エチル−Ｎ−βヒドロキシエチルアミノベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−モルフォリノ−２
，５−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
４−モルフォリノ−２゜５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、４−ベンゾイルアミノ−２，５−
ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（
４’−メ１−キジベンゾイルアミノ）−２，５−ジェト
キシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（ｐ−ｔ
−ルイルメルカプト）−２，５−ラメ１〜キ゛シベンゼ
ンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−４′ −メ
トキシジフェニルアミン塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−３
−メトキシージフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジア
ゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜
鉛複塩の代わりに上記のホウフッ化塩、硫酸塩、リン酸
塩なども使用できる。 アジド基を有する化合物としては、ｐ−アジドアセトフ
ェノン、４．４′ −ジアジドカルコン、２．６−ビス
−（４′−アジドベンザル）−アセトン、２，６−ビス
−（４′ −アジドベンザル）−シクロヘキサノン、２
，６−ビス−（４′ −アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、２．６−ビス（４′−アジドスチリ
ル）−アレトン、アジドピレンなどが使用できる。ジア
ゾ基もしくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も
使用することもでき、また、上記したジアゾ基もしくは
アジド基を有する化合物を任意に２種以上併用して使用
することもできる。 なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはｐ−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。 次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。 まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対−し電子ドナーとなる
配位子としては通常知られているものを用いることがで
きる。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いら
れる。 ビス（エチレンジアミン）パラジウム（Ｉｆ）！。 ジクロロエチレンジアミンパラジウム＜ ｎ ＞ 塩、
ジクロロ（エチレンジアミン）白金（ｖ）塩、テトラク
ロロジアンミン白金（ＩＶ ）塩、ジクロロビス（エチ
レンジアミン）白金（ＩＶ ）塩、テトラエチルアンモ
ニウム銅（ｎ）塩、ビス（エチレンジアミン銅（ＩＩ）
塩。 さらに金属の錯化合物を形成する配位子としては、２力
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化々 合物の安定性が高いために好適である。キレート化剤と
しては第１級、第２級もしくは第３級アミン類、オキシ
ム類、イミン類、ケトン類を挙げることができ、より具
体的にはジメ・チルグリオキシム、ジチゾン、オキシン
、アセチルアセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢
酸、ニトリロ三酢酸、ウラミルニ酢酸などの化合物が用
いられる。 上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス（２，
２’ −ビピリジン）パラジウム（ＩＩ）ｊＭ、ビス（
アセチルアセトナート）パラジウム（Ｉ［）、ビス（Ｎ
、Ｎ−ジエチルエチレンジアミン）銅（Ｉ）塩、ビス（
２，２’ −ビピリジン）銅（ｎ）塩、ビス（１，１０
−７エナントロリン）銅（ＩＩ）塩、ビス（ジメチルグ
リオキシマート）銅（ＩＩ）、ビス（アセデルアセトナ
ート）銅（■）、ビス（アセチルアセトナート）白金（
、ＩＩ）などが好夫しい。 還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクヂベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。 上述のような、（イ）バインダーとしての透明樹脂、（
ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である１０〜１０００センチポイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、光記録材料用基材５上に通常０．１〜３０μｍの
膜厚に塗布されて感光材層が形成される。 バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水あるいは水と低級アルコール、ケトン、エー
テルなどの水混和性溶媒との混合溶剤が用いられる。ま
た、親油性透明樹脂を用いる場合には、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
低級アルコール類、アセトン、メヂルエチルケ１〜ンな
どのケトン類、酢酸エチル、酢ｌｎブチルなどのエステ
ル類、メチルセロソルブなどの極性の高い溶剤が好まし
く用いられる。 なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。 硬膜処理は、！ことえば下記化合物を感光材形成用塗布
液中に透明樹脂１００部に対して０．１〜５０部の量で
予じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすで
に形成された感光材層上に塗布することにより行なうこ
とができる。 カリ明パン、アンモニウム明パンなどのＡｊ！化合物；
クロム明パン、硫酸クロムなどのＣ２Ｆ化合物；ホルム
アルデヒド、グリオキサル、グルタルアルデヒド、２−
メチルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのア
ルデヒド類：０−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、シ
クロヘキサン−１，２−ジオン、シクロペンタン−１，
２−ジオン、ジアセチル、２，３−ベンタンジオン、２
゜５−ヘキサンジオン、２，５−ヘキセンジオンなどの
ジケトンニトリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポ
キシド；テトラフタロイルクロリド、４．４′ −ジフ
ェニルメタンジスルフォニルクロリド、４．４′ −ジ
フェニルメタンジスルフＡニルクロリドなどの酸無水物
；タンニン酸、没食子酸、２，４−ジクロロ−６−ヒド
ロキシ−８−トリアジン、ならびに一般式ＲＮＰＯＸ２
、Ｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−Ｒ’ （ここでＲは炭素２〜６の７
ル＝％： ル基、Ｒ’ は（Ｃ１−１３）３ Ｎ＋
（ＯＨ３）”３ｘ ”ｉ、ｘはＦまたはＣＩ、ｎは１ま
たは２）で表わされるリン化合物またはカルボジイミド
：スチレン／マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン／
マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテル／マレイン
酸共重合体、エチレンイミン／マレイン酸共重合体、メ
タクリル酸／メタクリロニトリル共重合体、ポリメタク
リルアミド、メタクリル酸エステル共重合体などの樹脂
類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸
、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石酸など。 このようにして、光記録材料用基材５上に設（プられた
感光材層をパターン露光し、次いで現像して、未露光部
である光透過部６および露光部である遮光部７とからな
る第１記録層８を形成する。 パターン露光は、たとえばホトマスクなどのマスクを介
して行なうことができる。 また照射光をビーム状に集光して感光ｉｌｌに直接照射
してパターン状に遮光部７を形成することもできる。 第１記録層８にお【）る光透過部６おにび遮光部７によ
りもたらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報
を読取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットと
しての働きをしている。 感光材層における露光部では、ジアゾ基またはアジド基
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光令量に応じて分
解されて潜像が形成される。 露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しつる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。 上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触して
も金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存し
ている。 この際用いられる還元剤としては、塩化第１スズ、硫酸
第１スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第１スズ溶液、硫酸第
１スズ溶液（ｗｅｉｓｓ液）あるいは市販の無電解メッ
キ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般に
は、強力な還元剤であればすべて使用できる。 次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
４が形成される。 物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。 被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバルト
、鉄およびクロムなどのＶＩｂ族金属、銅などのＩｂ族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た一旦銅塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で冑換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。これらの中でも安全性、保存性を考慮
するとニッケル、銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異な
り原料の純度、メッキ安定化剤などから少量の異種金属
やリン、イオウなどの元素が混入することはあり得るが
、特に光記録材料としての特性に影響を与えるものでは
ない。 適当な水溶性の被還元性金属塩としＣは、具体的には以
下のものが用いられる。 塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド；硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩；硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝酸塩：フェラスアセテート、コバルタスアセテ−１〜
、クロミックアセテート、キュープリックフＡルメート
などの金属の有機酸塩。 これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば１０
〜１００ｇ／４１の口で含まれることが好ましい。 還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラピン、ボラジン、し−ブチル
アミンボラ１ｆン、ピリジンボラン、２，６−ルチシン
ボラン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン
、ジメチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラ
ン、ジメチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン
、ジメチルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランな
どが使用できる。 これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば０．１〜
５０ｇ／４１の缶で用いられることが好ましい。 物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえｉ′モノカルボン酸、ジカル
ボン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸；
コハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、
酒石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖
酸、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の
一種又は二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば１〜１００ｇ／ｐの最
で用いられることが好ましい。 さらに、物理現像液には、現像液の保存性おにび操作性
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのｐＨ調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面
活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。 この添加剤のうち、アンモニア系でｐ ｌ−１を上げる
と特に感光旧表面に光沢が得やＪ”くなるためｐＨ調節
剤としてアンモニウム塩、またはアンモ−ラム塩とアン
モニアとからなるＩ）Ｈ調節剤を用いることが特に好ま
しい。 また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た６５℃から９０℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩酸５％または硝酸の５％の水
溶液で５分間程度処理することにより光透過部の透明樹
脂を一部選択的に除去することもできる。 また、感光材としては、上述のような透明樹脂、現像抑
制剤、金属錯化合物なたは金属化合物からなる系のほか
に、（イ）ハロゲン化銀、ドライシルバー（登録商標）
などの有機銀塩に代表される銀塩系材料、（ロ）ジアゾ
ニウム塩とカプラーとの組合せ系、（ハ）カルバ−フィ
ルム（登録商標）、ＰＤプロセス（登録商標）＠旧など
に代表されるジアゾ系材料、（ニ）アクリルモノマー、
ポリビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光種がけ
型のフＡトポリマー系材料（ホ）トナー像を形成するＣ
ｄＳ、ＺｎＯ，ポリビニルカルバゾールなどの電子写真
感光体あるいはその転写体、（へ）７０スト像を形成す
るサーモプラスヂックス電子写真感光体などの電子写真
系材料、（ト）ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、
（チ）ダイラックス（登録商標）コバルト錯体とロイコ
染料との組合せ系、（す）シュウ酸第二酸と鉄塩との組
合せ系、（ヌ）スピロピラン、モリブデンタングステン
化合物などの顔料または色素の画像を形成する材料など
が用いられうる。 上記の感光材のうち、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。 このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、電子線などが用いられうる。 次に、上記のようにして形成された、光透過部６および
遮光部７とからなる第１記録層８上に、反射性金属薄膜
層からなる第２記録層９を形成する。 反射性金ＪｌｊｉＨ８Ｓ層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎ ｔ、 Ｃｕ、ＡＣ＋、Ａｕ、Ｇｅ、Ａｊ 、ＭＯ
。 Ｓｂ、Ｔｅ１Ｐｂ、Ｐｄ５Ｃｄ、Ｂ ｉ、Ｓｎ。 Ｓｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｒｂなどの金属を単独もしくは２種
以上組合Ｕて用いて形成される。 反射性金属薄膜層からなる第２記録層９に情報をエネル
ギービームの照射により書込む場合には、低融点金属で
あるＴｅ、ｚｎＳＰｂ、Ｃｄ、３ ｔ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｒｈなどの金属を主成分として反射性金属薄
膜を構成することが好ましく、特にＴｅ−８ｅ、Ｔｅ、
−８ｅ−Ｐｂ、Ｔｅ−ｐｂ、Ｔｅ−８ｎ−８，５ｎ−Ｃ
ｕ１Ｔｅ−Ｃｕ。 Ｔｅ−Ｃ，ｕ−Ｐｂなどの合金が好ましい。 さらにこれらの合金のうち、５〜４０原子数パーセント
のＣＵを含む１ｅ−Ｃｕ合金あるいは５〜４０原子数パ
ーセントのＣｕおよびＣｕに対して１〜５０原子数パー
セントのｐｂを含むＴｅ−Ｃｕ −Ｐｂ合金が、読出し
用照射エネルギーヒームの波長を６５００ｍ以上とする
場合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性金属
薄膜層を第２記録層として用いると、外周部での乱れが
少ない記録ピットが得られ、しかも読出し用照朗エネル
ギービームの波長が６５０ ｎｍ以上特に７００〜９０
０ ｎｍである場合に、記録部であるピットにおける反
射率と未記録部である金属薄膜にお１ノる反射率づなわ
ち相対反射率が小さいという優れた情報読出し特性を有
する反射性金属薄膜が得られる。 さらに１〜４０原子数パーセントのＣｕを含む５ｎ−Ｃ
ｕ合金を用いると記録ピット形状の外周部の乱れが少な
く、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。 反射性金属薄膜層からなる第２記録層９に情報を書込ま
ずに単に反射層として使用する場合には、Ａ、０、Ｎｉ
ＮＡｇ、ＡＵなどの特に光反射性に優れた金属あるいは
合金により反射性金属薄膜層を形成することが好ましい
。 このような反射性金属薄Ｂ！層を第１記録層上に形成す
るには、上記のような金属あるいは合金を準備し、これ
をスパッタリング法、真空蒸お法、イオンブレーティン
グ法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第１
記録層上に成膜すればよい。この反射性金属薄膜層の膜
厚は、２００〜１０００八であることが好ましい。場合
によっては、上記金属からなる多層膜たとえばＩｎ膜と
Ｔｅ膜との多層膜も反射性金属薄膜として用いられる。 また、上記金属と有機化合物または無１１酸化物との複
合物たとえばＴｅ−ＣＨ４、Ｔｅ −Ｃ８２、Ｔｅ−ス
チレン、５ｎ−８Ｏ２、Ｇｅ５−８ｎ、５ｎＳ−８など
の薄膜あ８ イハＳ ｔ Ｏ２／Ｔ ｉ ／Ｓ ｉ ０
２ ／Ａｊなどの多層膜も反射性金属薄膜として用いら
れうる。 さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
属薄膜として用いられうる。 さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Ｔｅ酸化物、Ｓｂ酸化物、
ＭＯ酸化物、Ｇｅ１１１化物、■酸化物、ＳｍＭｊｆ化
物、あるいはＴｅ酸化物−Ｇｅ、Ｔｅ−８ｎなどの化合
物が、反射性金属薄膜として用いられうる。 また、カルコーゲンあるいは発色型のＭｏＯ２−Ｃｕ、
ＭｏＯ３−ｓｎ−ｃｕが反射性金属簿膜として用いられ
、場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多
層体も反射性金属薄膜として用いられうる。 ざらに光磁記録材料であるＧｄＣ０１ＴｂＣＯ１ＧｄＦ
ｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。 ＧｄＦｅＢ ｉ 、ＴｂＤｙＦｅ、ＭｎＣｕＢ ｉ、Ｃ
ｒｙ２Ｂ ｉ ＳｍＥ ｒＧｄ ＩＧ。 ＧｄＢ ｉ Ｇａ ＩＧ、ＧｄＢＦａＢ ｉ ＩＧなど
も反射性金属薄膜として用いられうる。 上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。 次に本発明に係る光カードの製造方法について説明する
。 まずポリエチレンテレフタレート、白色硬質塩化ビニー
ルなどのカード基材に、光記録材料を埋設するための凹
部を熱プレス法などにより形成し、必要に応じてこの凹
部を含めてカード基材表面に接着用ブイマー処理を施こ
しておく。 次に、上述のようにして形成された光記録材料を、カー
ド基材の凹部に嵌込み、片面にたとえば熱接着剤層が設
【プられた透明ポリカーボネートフィルムを重ね合せ、
９０〜１′５０℃程度に加熱されＪｃ熱定着ロールにて
圧着することにより光カードを製造できる。 場合によっては、上述のようにして形成され／ｊ光記録
材料を予じめ透明ポリ塩化ビニルなどのカード保護層上
に接着剤層を介して貼着させておき、次いで、得られた
積層体を予じめ熱プレスなどによって凹部が形成された
カード基拐上に、光記録材料が凹部に嵌込まれるように
して接着剤層を介して重ね合せ、次いで熱ロールにて圧
着することによっても光カードを”Ａ造できる。 次に、上記のような反射性金属薄膜層への情報の書込み
および光カードに書込まれた情報の読出しについて説明
する。 反射性金属薄膜層への情報の書込みは、この金属薄膜層
に波長３００〜１ｌ１００ｎのレーザビームなどのエネ
ルギービームをレンズなどにより集光して照射し、照射
部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ピットを形成
することにより行なう。 この際エネルギービームの強度は、０．１〜１００ｍｗ
、パルス巾は５ ｎ５ｅｃ 〜５ Ｑ Ｑ ｌｌ１ｓｅ
ｃ、ビーム径は、０．５〜５０μｍであることが好まし
い。 反射性金属薄膜層上に照射されるエネルギービームとし
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。 −力木発明に係る光カードに書込まれＩＣ情報の読出し
は、反射性金属簿膜層を溶融させない程度の低エネルギ
ーのエネルギービームあるいは白色光、タングステン光
などをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透
過部および遮光部からなる第１記録層ならびに第２記録
層上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関
連づけて検出することによって行なわれる。 第１記録層における遮光部は、前述のように金属現像核
を中心にその伺近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金属薄１１Ａ層に達するため、この
光透過部における反射率は大ぎい値となる。 また、反射性金属薄ｌｌＩｍにおりる未記録部に相当す
る金属薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記録
部に相当するピット部では低い反射率となる。 このようにして、第１記録層では遮光部と光透過部とに
おける反射率の相違、また第２記録層ではピット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出ることによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。 〔発明の効果〕 本発明に係る光カードは、感光材層からなる第１記録層
および反一対性金属薄膜層からなる第２記録層を含む光
記録材料を有するので、以下のような効果を有する。 （ａ）磁気記録材料と比較して、はるかに高密度記録が
可能で、しかも書込まれた情報の改憲が著しく困難であ
る。 （ｂ）光記録林料に書込まれた情報を、光反射率の相違
に基いて読出すことができる。 （Ｃ）光記録材料の第１記録層への情報の書込みを、レ
ーザビームの照射によらず、パターン露光などの聞産可
能な方法により行ないうる。 （ｄ）感光材として、透明樹脂、現像抑制剤、金属錯化
合物または金属化合物からなる系を用いる、場合には、
明室での操作が可能となる。 以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるもので【よない。 宋ＪＪＬユ まず、光カード中に埋設される光記録材料を以下のよう
にして製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調整し、この塗布液
を、あらかじめ下引き処理をした膜層１８８μｍのポリ
エステルフィルム（東し製ルミラー〇−８２＞上に、３
５℃に保ってミャバー＃３６により塗布した後、５℃に
冷却セットした。 次いで３０℃で乾燥し、さらに４０℃で１２時間硬膜化
処理を施して、基材上に感光材層を形成した。感光材層
形成用塗布液の塗布量は乾燥時で４９／がであった。 感′材層多 用塗布液組ｊ ゼラチン（Ｐ−２１５１新田ゼラチン製）８％水溶液
：２５．Ｏｇ ＰｄＣＪ２塩酸々性水溶液（レッドシューマー１０倍液
日本カニゼン製’） ：１４．０び４−モルフォリノ
−２，５−ジブトキシベンセンジアゾニウムホウフッ化
塩（大東化学製ＤＨ３００ＢＦｕ） ２％Ｄ Ｍ Ｆ溶
液： ３．Ｏｇ Ｐ−ジアゾジフェニルアミンホウフッ化塩とパラホルム
アルデヒドとの綜合生成物 ５％ＤＭＦ溶液 ：０．７
ｇ Ｎ、Ｎ’ −ジメチロールウレア ５％水溶液：０．５
９ 次に、このようにして形成された感光材面と、中５μｍ
のラインを１０μｍピッチストライプ状艷にネガティブ
にパターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着さ
ゼ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距ｌ１
１ｉ１ＷＬ）で６０秒間露光した。露光量は、３６５
ｎｌで５０１１１ｊ／Ｃｓｔであった。 次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
下記組成の処理液（Ａ）、ＣＢ）に、この順序でそれぞ
れ４０秒、１００秒浸漬した（処理温度２５℃）。 （Ａ）シバニッケル（奥野製桑製） ホウ素系還元剤 ：０．５ＳＪ 硫酸ニツケル ： ３．０ｇ クエン酸ナトリウム ： ｉ、ｏｇ 水 ：９５． ５ｔＪ 硫酸ニツケル ：９．０＃ 次亜リン酸ナトリウム ニア、０９ ＮＨ３水溶液（２８％） ：６．５５？クエン酸ナトリ
ウム ：１０．０ｇ 水 ：６７．５ ｇ しかる後、水洗、乾燥して、光透過部と遮光部に相当す
る黒色のポジティブパターンとを有する第１記録層を得
た。 次に上記のにうにして３１上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅ −Ｃｕ −Ｐｂ合金（原子数パーセント比８
０：１５：５）をスパッタターゲットとし、Ａｒガス圧
５×１０−２ｉ ’Ｏｒ ｒ 、投入’ＴＥｆＪｆ４０
０Ｖにて９０秒間スパッタし、膜厚３００人のＴｅ−Ｃ
ｕ−Ｐｂ金属薄膜層を蒸着さ口て第２記録層を形成して
光記録材料を形成した。 一方、カード基材としての厚さ４００μｍの白色硬質塩
化ビニルフィルムに熱プレスにて、光記録材料を埋設す
るための四部を形成した。またカード保護層としての厚
さ３００μｍの透明ポリカーボネートフィルム表面に、
熱接着剤（ダイセル化学工業、プラクセルＨ−７）を設
置ノ、他面はシリコン系表面硬化剤により処理した。 次に、カード基材である白色硬質塩化ビニルの凹部に、
光記録材料を嵌込み、カード保護層を光記録材料が嵌込
まれたカード基材上に接着剤層を介して重ね合わせ、表
面温厚１２０℃の熱ロールにて圧着し５て貼り合わせた
。 次にこのようにして得られた光カードに、カード保護層
側から、レーザダイオードから発振された波長７９０ｎ
ｍのレーザビームを、第１記録層に既に形成された黒色
ポジティブパターンをガイド（トラッキング）として、
上記Ｔｅ−Ｃｕ−ｐｂ金属薄膜層の表面に５ ｒＴＩ
Ｗのパワーでビーム径２μｍに集光してパルス幅ｒｉ］
１ｎｓｅｃで照射した。この金属薄膜層には、直径２μ
ｍの円形状の記録ピットが形成された。 実施例２ 実施例１と同様にして作成した光記録材料を、カード保
護層としての透明ポリ塩化ビニルフィルム（厚さ４００
μｍ）上に、両面貼着テープ（積木化学工業製、ダブル
タックテープ５６５）を介して貼着した。次にこの光記
録材料が貼着され！ごカード保護層の全面に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルマレイン酸樹脂（積木化学工業製、エス
レックＭ）層を設けた。 一方、カード基材としての白色硬質ポリ塩化ビニルフィ
ルム（厚さ３００μｍ）に熱プレスにて、光記録材料を
埋設する１＝めの凹部を形成しｌｃ、、次に、カード基
材と光記録材料が貼着されたカード保護層とを、この凹
部にカード保護層上に貼着された光記録材料が嵌込まれ
るようにして、接着剤層としてのエポキシ樹脂（油化シ
ェルエポキシ、エピコート８２８、エボメート００１）
を介して重ね合せた。次いで、この積層体を圧着して光
カードを製造した。 実施例３ 実施例１において、光カードに埋設される光記録材料を
以下のようにして製造した以下は、実施例１と同様にし
て光カードを製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調製し、この塗布液
を、あらかじめプラズマ処理を施した膜厚１００μｍの
トリアセテートフィルム（富士写真フィルム製フジタッ
ク）に、３５℃加温した状態で、ミャバー＃３６を用い
て塗布した後、５℃に冷却セットした。次いで３０℃で
乾燥し、さらに４０℃で３時間硬膜化反応を促進させた
。得られた感光材層の乾燥重量は３．６ｇ／尻であった
。 感光材形 塗布−Ｊ゛ ゼラチン（＃１５０ 新田ゼラチン製） ７％水溶液
：２８．６ｇ ＰｄＣＪ１２とＥＤＴＡとの錯体の塩酸々性水溶液（Ｐ
ｄ （，１１２ｋＬ、ｒ １０００ｐｐｍ 、 ＰＩ−
１−２，８） ：１４．０ｇ ４−モルフォリノ−２，５−ジブｊ〜キシベンゼンジア
ゾニウムボウフッ化塩（ＤＨ３ｏ。 ＢＦｕ 大束化学製） ２％ＤＭＦ溶液 ・：３．０ｇ ジアゾレジン（Ｄ−０１１、シンコー技研製）。 ５％水溶液 ：０．７９ ＮＮ’ −ジメチロールウレア ５％水溶液＝２０ｇ 塩酸 ＩＮ ： ２．５ｙ このようにして得た感光材層に実施例１と同様にしてパ
ターン露光した後、処理液（Ａ）、（Ｂ）（２０℃）に
、それぞれこの順序に３０秒、９０秒浸漬して、光透過
部と遮光部に相当する黒色ポジティブパターンとを有す
る第１記録層を得た。 次に上記のようにして基材上に形成された第１記録層上
に、Ｔｅを膜厚２５〇八となるように蒸着させて第２記
録層を形成した。 次に、得られた光カードに、カード保護層側から、波長
６３２．８ｎＩＩｌのＨｅ −Ｎ ｅ Ｌ／−サヒーム
を、第１記録層に既に形成された黒色ポジディプパター
ンをガイド（トラッキング）としで、上記Ｔｅ金属薄膜
層の表面に５ ｍ ｗのパワーでビーム径３μｍに集光
してパルスｒｌ］１５０ ｎ５ｅｃで照射した。この金
Ｊｉ！薄股層には、直径３μＩ’ｒｌの円形状の記録ビ
ットが形成された。 実施例４ 実施例１において、光カードに埋設される光記録材料を
、以下のようにして製造した以外は、実施例１と同様に
して光カードを製造した。 下記組成の感光材層形成用塗布液を調整し、これを膜厚
１８８μｍのポリエステルフィルム（ルミラー＃１００
、東し＠造）にワイヤーバー＃３６を用いて塗布し、８
０℃のオーブンで乾燥し、膜厚４μｍの感光材層を形成
した。 タ 用塗布液組成 アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂（コーホニールＰｃ
−５０Ｍ （Ｈ） 、日本合成化学工業＠り２０％エ
タノール溶液 ： ２０９ ４−セリ７ォリノー２．５−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウムホウフツ化塩、（Ｎｏ１１ＢＦｕ レシベケミカ
／ｌｚりり １０％ＭＥＫ溶液 ：３．Ｏｇ ＰｄＣρ 溶液（ＰｄＣｊｌ ：濃塩酸：エタノ２ 一ルー０．１ ：５：１００） ：１０９ポリエチレン
オキザイド（ＰＥＯ−３、製鉄化学展） １％エタノー
ル溶液 ：２．ＯｇＰ−トルエンスルボン酸 ５％エタ
ノール溶液： １．Ｏｙ 次に、このようにして形成された感光材面と、巾５μｍ
のラインを１０μｎ１ピツチストライプ状にネガティブ
にパターニングしたフォトマスクのマスク面とを密着さ
せ、フォトマスク側から超高圧水銀灯（３ＫＷ、距離１
ｍ）で６０秒間露光した。 露光量は、３６５ ｎｍで５０ｍｊ／ｃｄであった。 次いで上記のようにしてパターン露光された感光材層を
、下記組成の処理液（Ａ）、（Ｂ）にこ゛の順序でそれ
ぞれ４０秒、１００秒浸漬した（処理温度２５℃）。 ±Ａ）’、ｔｔ＜＝ｙ’ｙ）Ｌｔ＜ ５Ｊ’ｍ＃ニホウ
素系還元剤 ：０．５ｇ 硫酸ニッケル ：３．Ｃｌ クエン酸ナトリウム ： １．ｏグ 水 ：９５． ５ ｇ 硫酸ニッケル ：９．（１ 次亜リン酸ナトリウム ニア、０ｇ ＮＨ３水溶液（２８％） ：６，５ｇ クエン酸ナトリウム ：１０．０ｇ 水 ：６７．５ ｇ しかる後、水洗乾燥して、光透過部と遮光部に相当する
黒色のポジティブパターンとを有する記録層を得た。 この際使用したフォトマスクパターンは、アドレスおよ
びガイドラインがレイアウトされてなるデータが直径５
μｍの円形ドラ１−列として表わされている。 上記のようにしてバターニゲきれた記録層上にＡ、Ｊｌ
を膜厚１５０〇八になるように蒸着して反射性金属薄膜
層を形成して光記録材料を得た。 この光記録材料の反射性金属薄膜層には情報を書込まず
、第１記録層に書込まれｌｃ情報を読出サタイプのもの
である。 次に、この光記録材料が埋設された光カードに、カード
保護層側から、レーザーダーイオード（７９００Ａ）の
ビームを照射して第１記録層の遮光部に相当する黒色層
をガイドラインとして円形ドツト列の反射光を読取った
ところ、マスク原版のデータ入力信号と同じであること
が確認された。 実施例５ 実施例１において、基材とこの上に設しプられた感光材
層との代わりに、富士写真フィルム社製のミニコピーフ
ィッシュフィルムｌ−Ｉ ＲＭを用いた以外は、実施例
１ど同様にして、光記録材料を作成し、次いで光カード
を製造した。このミニコピーフィッシュフィルムＨＲＩ
Ｉは、基材としてのポリエチレンテレフタシー１〜フイ
ルム上にハロゲン化銀乳剤が塗布されて形成されたもの
である。 友巖■玉 実施例１において、基材とこの上に設りられた感光材層
との代わりに、富士写真フ化ｖ′ム社製の富士ジアゾフ
ィルムＭ−４２０β−Ｐ７を用いた以外は、実施例１と
同様にして光記録材料を作成し次いで光カードを１ｍし
た。この富士ジアゾフィルムＭ−４２０８−Ｐ７は、基
材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム上にジ
アゾニウム塩とカップラーどの組合せ系が塗布されて形
成されたものである。 宋】Ｕ丸ヱ カード基材としての白色硬質ポリ塩化ビニルフィルム（
厚さ３００μｍ）に、光記録材料を埋設するための凹部
を、熱プレス法により形成した。 次に、実施例１と同様にして作成された光記録材料を、
前記カード基材に設けられた凹部に、該光記録材料の第
２記録層がカード基材と接するようにして嵌込／υだ。 次に、この上に、カード保護材としての透明ポリ塩化ビ
ニルフィルム（厚さ４００μｍ）を重ね合わせ、次いで
プレス機を用いて１５０℃、１２０Ｋｇ１０＋ｆの条件
で３０分間加熱加圧して一体化させて光カードを製造し
た。
図は、本発明に係る光カードの断面図である。
１・・・光カード、２・・・カード基材、３・・・光記
録月料、４・・・カード保護層、５・・・第１記録層、
９・・・第２記録層。 手続補正書 １ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第７１５８２号 ２ 発明の名称 光 カ − ド ３７市正をする壱 事件との関係 特許出願人 東京都新宿区市谷加賀町−丁目１番１号（２８９）人日
本印刷株式会社 （昭和５９年１１月１５日付住居表示の実施にＪ：る住
所変更） ４ 代 理 人 ８ 補正の内容 （１） 明ｌＩＩ書２頁１行「光カード」をｒＤＲＡＷ
型光カード」と訂正する。 （２） ３０頁８〜１２行［反射性・・・好ましい」と
削除する。 （３） ３２頁９〜１０行「ＣｒＯ２・・弓Ｇ、Ｇｄ・
・・ＩＧＪを削除する。 （４） ４３頁１６行〜４６頁末行（実施例４）を削除
する。 （５） ４７頁１行「実施例５」、１０行「実施例６」
、４８頁１行「実施例７」を順に「実施例４」、「実施
例５」、「実施例６」と訂正する。 ＣＧ） ４８頁下から２行「５・・・第１記録層」を「
８・・・第１記録層」と訂正する。 （７） 図面を別紙のように補正Ｊる。（符号９を挿入
する）。
録月料、４・・・カード保護層、５・・・第１記録層、
９・・・第２記録層。 手続補正書 １ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第７１５８２号 ２ 発明の名称 光 カ − ド ３７市正をする壱 事件との関係 特許出願人 東京都新宿区市谷加賀町−丁目１番１号（２８９）人日
本印刷株式会社 （昭和５９年１１月１５日付住居表示の実施にＪ：る住
所変更） ４ 代 理 人 ８ 補正の内容 （１） 明ｌＩＩ書２頁１行「光カード」をｒＤＲＡＷ
型光カード」と訂正する。 （２） ３０頁８〜１２行［反射性・・・好ましい」と
削除する。 （３） ３２頁９〜１０行「ＣｒＯ２・・弓Ｇ、Ｇｄ・
・・ＩＧＪを削除する。 （４） ４３頁１６行〜４６頁末行（実施例４）を削除
する。 （５） ４７頁１行「実施例５」、１０行「実施例６」
、４８頁１行「実施例７」を順に「実施例４」、「実施
例５」、「実施例６」と訂正する。 ＣＧ） ４８頁下から２行「５・・・第１記録層」を「
８・・・第１記録層」と訂正する。 （７） 図面を別紙のように補正Ｊる。（符号９を挿入
する）。
Claims (1)
- １、 カード基材上に、光記録材料とカード保護層とが
この順序に設けられている光カードであって、前記光記
録材料は、（ａ）光記録材料用基材と、（ｂ）この光記
録材料用基材下面に設けられた、光透過部′および遮光
部からなる第１記録層と、（Ｃ）この第１記録層下面に
設けられた、反射性金属薄膜層からな°る第２記録層と
からなり、この光記録材料は、カード基材上に第２記録
層が接するように設けられていることを特徴とする光カ
ード。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064590A JPS60208289A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 光記録材料 |
| JP59071582A JPH0724117B2 (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 光カ−ド |
| US06/716,484 US4673626A (en) | 1984-03-31 | 1985-03-27 | Optical recording card with optical recording layers |
| DE3587773T DE3587773T2 (de) | 1984-03-31 | 1985-03-29 | Optische Informationsträger und optische Karten. |
| EP89113252A EP0350078B1 (en) | 1984-03-31 | 1985-03-29 | Optical information carrier and optical cards |
| EP85103850A EP0158906B1 (en) | 1984-03-31 | 1985-03-29 | Optical card |
| DE8585103850T DE3581759D1 (de) | 1984-03-31 | 1985-03-29 | Optische karte. |
| US07/032,502 US4816362A (en) | 1984-03-31 | 1987-03-31 | Optical recording cards with non-recording reflective layer |
| US07/397,372 US5041356A (en) | 1984-03-31 | 1989-08-28 | Process for preparing optical recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59071582A JPH0724117B2 (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 光カ−ド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151977A Division JPS61137243A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光カ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214995A true JPS60214995A (ja) | 1985-10-28 |
| JPH0724117B2 JPH0724117B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13464827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59071582A Expired - Lifetime JPH0724117B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-04-10 | 光カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724117B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191465U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
| JPS63225938A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-09-20 | Canon Inc | 光記録方法 |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP59071582A patent/JPH0724117B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191465U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-05 | ||
| JPS63225938A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-09-20 | Canon Inc | 光記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724117B2 (ja) | 1995-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816362A (en) | Optical recording cards with non-recording reflective layer | |
| US4863819A (en) | Read-only optical data card | |
| AU612602B2 (en) | Draw type optical recording medium | |
| JP2553860B2 (ja) | 光記録部材及びその製造方法並びに光記録カ−ドの製造方法 | |
| JPS6027594B2 (ja) | デ−タ記憶媒体の製造方法 | |
| US4298684A (en) | Reflective data storage medium made by silver diffusion transfer in silver-halide emulsion incorporating nuclei | |
| US4463089A (en) | Reflective optical data storage and laser recording medium | |
| JPS61103287A (ja) | 情報カ−ド | |
| JPS60214996A (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61210545A (ja) | 偽造防止された光カ−ド | |
| JPS60214995A (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61214152A (ja) | 光カ−ド | |
| JPH0614415B2 (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61210544A (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61214153A (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61220148A (ja) | 光カ−ド | |
| JPH0721899B2 (ja) | 光カ−ド | |
| JPS61137243A (ja) | 光カ−ド | |
| US5114531A (en) | Method of producing masks for rom type optical recording cards and method of inspecting masks | |
| JPS61103288A (ja) | 情報媒体 | |
| JPS61137244A (ja) | 光カ−ド | |
| JPH06342485A (ja) | 情報カード | |
| JPS61219694A (ja) | 光記録材料 | |
| JPS6344334A (ja) | 光カ−ド | |
| JPS60207137A (ja) | 光記録材料 |