JPS60205241A - プラズマ放出源 - Google Patents

プラズマ放出源

Info

Publication number
JPS60205241A
JPS60205241A JP60037815A JP3781585A JPS60205241A JP S60205241 A JPS60205241 A JP S60205241A JP 60037815 A JP60037815 A JP 60037815A JP 3781585 A JP3781585 A JP 3781585A JP S60205241 A JPS60205241 A JP S60205241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emission source
impedance network
series
plasma emission
variable impedance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60037815A
Other languages
English (en)
Inventor
ペーター・エイチ・ギヤグン
ペーター・ジエイ・モリスロー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Biosystems Inc
Original Assignee
Perkin Elmer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Perkin Elmer Corp filed Critical Perkin Elmer Corp
Publication of JPS60205241A publication Critical patent/JPS60205241A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/32—Plasma torches using an arc
    • H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/36—Circuit arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、一般にプラズマ放出源、特に電力伝達効率
が連続的にかつ自動的に最大にされるプラズマ放出源に
関するものである。
〔従来の技術〕
プラズマ放出源は、サンプルを原子化かつ励振して、サ
ンプルの原子構造の特徴を示す波長の光を放出させるの
に使用される。放出された光は分析プロセスを完全にす
るために分光光度Ｂ１によって検出、６１す定される。
慣用のプラズマ放出源では、高周波（ＲＦ）エネルギー
が高周波発生器からプラズマ・トーチへ銹導結合されろ
。液状サンプルは溶剤と混合され、霧状にされ、かつプ
ラズマ・トーチの炎へ供給される。通常、プラズマ・ト
ーチはアルゴン・プラズマ放電であり、サンプルおよび
溶剤はアルゴン流によってプラズマ・トーチの中に運ば
れる。
どの高周波発生装置でも同じであるが、高周波数発生器
から負荷（すなわちプラズマ・１・−チ）へ伝達される
エネルギーの効率は両者間のイノピーダンス整合に依存
する。従って、最近のプラズマ放出源は、高周波発生器
とプラズマ・トーチの間にインピーダンス整合回路網を
含む。
たまたま、周知のように、プラズマ・ｌ・−チのインピ
ーダンス（詳しくは負荷コイル）は、プラズマ放出源の
静的動作・ξラメータおよび動的動作・ξラメークの両
方に依存する。プラズマ・トーチのインピーダンスに影
響する若干の・ｅラメータは、サンプルと溶剤の少なく
とも一方、プラズマ・トーチの所望の動作温度および噴
霧器の効率の変化を含む。このような変化を更新するに
は、オペレータがインピーダンス整合回路網を手動で微
細調整することが必要だった。
その上、所要の手動調整を最少にするのを助けるために
は、噴霧器の流量調整は極めて重要だつだ。それＫもか
かわらず、変化が通常動的でありかつ実際の測定時間申
越るので、連続的に最大の電力伝達を維持することは極
めて難しい。
〔発明が解決しようとする問題点〕
その結果、プラズマ放出源は、現在では、プラズマ・ト
ーチへの比較的貧弱な電力伝達を補償するのに過剰の高
周波電力入力レイルを必要とし、また特に溶剤が変更さ
れるときにしばしは調整を必要とする問題点があった。
従って、この発明の目的は、高周波電力発生器からプラ
ズマ・トーチへ伝達されるエネルギーを最大にするプラ
ズマ放出源を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
この問題点は、高周波電力発生器とプラズマ・トーチの
間でインピーダンスを連続的Ｋかつ自動的に整合するイ
ノビーダンス整合回路網を備えたプラズマ放出源によっ
て少な（とも一部が解決される。
この発明の他の目的や利点は、特許請求の範囲の記載と
一緒に以下の詳しい説明を読みかつ添付図面を見ること
により、当業者には明らかとなるだろう。
〔実施例〕
第１図に示すように、この発明のプラズマ放出源１０は
、高周波電力発生器１２、アルゴン・プラズマ・トーチ
１４．およびこれらの間のインピーダンス整合回路網１
６を含む。
高周波電力発生器１２は水晶制御発振器１８を含み、こ
の発振器１８は高周波エネルギーを高周波ドライ・ζ２
０へ供給する。このドライ・々２０は、５０Ωの出力イ
ンピーダンスをもっことが望ましい高周波電力増幅器２
２へ高周波電力を供給する。望ましい実施例では、高周
波電力発生器１２が２００〜２０００ワツトの高周波電
力を供給するように設計される。この実施例では、５０
Ωの出力インピーダンスは同軸線路２４へ接続するのに
適する。発振器１８、ドライノζ２０および電力増幅器
２２は全て直流電源２６（整流した交流で動作する）か
ら駆動される。この直流電源２６は、多出力型の単一ユ
ニットでもよいし或は２つ以上の周知の電源でもよい。
プラズマ・１・−チ１４は、そのガラス室３０を取り囲
む高周波負荷コイル２８を含む。ガラス室３０は、この
実施例では、アルゴン人口δ２およびサンゾル混合物入
口３４を含む。高周波負荷コイル２８は、４クーンの３
．１７龍（１／８　インチ）Ｏ，Ｄ、銅またはステンレ
ス鋼製チューブでありかつ低いインピーダンスをもつこ
とが望ましい。高周波電力発生器１２はインピーダンス
整合回路網１６を通してプラズマ・トーチ１４の高周波
負荷コイル２８へ高周波電力を供給する。ずなわち、高
周波電力発生器１２の出力端子３６はイノビーダンス整
合回路網１６の入力端子３８へ接続され、インピーダン
ス整合回路網１６の出力端子４０は高周波負荷コイル２
８へ直接接続されている。
インピーダンス整ば回路網１６は、第２図にもつと詳し
く示されており、２位相検出回路網４２、可変インピー
ダンス回路網４４および制御ユニット４６を含む。２位
相検出回路網４２はインピーダンス整合回路網１６０入
力端子３８へ接続されかつ可変インピーダンス回路網４
４と直列に接続される。この可変インピーダンス回路網
４４は高周波負荷コイル２８に給電する。
２位相検出回路網４２は、第３図に詳しく示す直列位相
検出器４８および７ヤント位相検出器５０を含む。直列
位相検出器４８、シャント位相検出器５０は、電圧の位
相および電流の位相を検知するそれぞれビックアンプ・
コイル５２．５４を含む。もし位相差がなければ、高周
波負荷コイル２８は高周波電力発生器１２へ正確に整合
され、最大電力が伝達されろ。しかしながら、例えば動
作・ξラメークの変化のせいで位相が変ると、信号は直
列位相発生器４８、シャント位相検出器５０のそれぞれ
出力端子５６．５８に発生される。これらの信号は制御
ユニット４６への入力信号として働く。
可変インピーダンス回路網４４は、直列コンデンサ回路
網ｄＯ１およびシャント・コンデンサ回路網６２を含む
。
望ましい実施例では、直列コンデンサ回路網６０は２位
相検出回路網４２と高周波負荷コイル２８０入力端子と
の間で直列に接続される。
直列コンデンサ回路網６０は、固定コンデンサ６６を有
する第１枝路６４、および直列接続された２個の可変コ
ンデンサ７０を有する第２枝路６８を含む。第１枝路６
４と第２枝路６８１ｊ互に並列に接続されている。
シャント・コンデンサ回路網６２の一側７２＋１２位相
検出回路網４２と直列コンデンサ回路網６００間［接続
されている。シャント・コンデンサ回路網６２の他側は
高周波負荷コイル２８の出力端子と一緒にアースされて
いる。７ヤント・コンデンサ回路網６２は、互に並列に
接続された方のｉ」変コンデンサ７６および第２の可変
コンデンサ７８を含む。
望ましい実施例では、直列コンデンサ回路網６０の可変
コンデンサ７０は５〜５０ピコフアラツドの定格動作範
囲をもつが、シャント・コンデンサ回路網６２の可変コ
ンデンサ７６および７ａ＋ｊ２ｏ〜２００ピコフアラツ
ドの定格動作範囲をもつ。可変コンデンサ７０．７６お
よび７８は、マサチューセソツ州、マルデン所在のケイ
ウッド（Ｃａｙｗｏｏｄ　）社から製造、販売されて（
・るような空気誘電体型のものが望ましく・。
制御ユニット４６は、直列位相検出器４８の出力端子５
６へ接続されたサーボ・アンプ８２によって制御される
第１モータ８０を含む。この第１モータ８０は、直流モ
ータが望ましく、歯車列８４を介して可変コンデンサ７
０を駆動する。制御ユニット４６はまた、シャント位相
検出器５０の出力端子５８へ接続されたサーボ・モータ
８８によって制御される第２モータ８６も含む。この第
２モータ８６は歯車列９０を介Ｌ　”（ｏｒ変コンデン
サ７６および７８を駆動する。サーボ・アンプ８２．８
８は第１モータ８０、第２モータ８６の回転方向がそれ
ぞれ出力端子５６．５８での信号の極性に依存するよう
に配設される。従って、第１モータ８０、第２モータ８
６はそれぞれ直列位相検出器４８、シャ、／ト位相検出
器５（１ｍ完全に応答する。従って、可変インピーダン
ス回路網４４のインピーダンス不整合に対する応答は連
続的かつ自動的である。
動作時、直列位相検出器４８およびシャント位相検出器
５０はそれぞれ高周波電圧および高周波電流をサンプリ
ングする。これら２つの・ξラメータはそれらの位相関
係に応じて加算され、そして整流したときにインピーダ
ンス整合回路網１６を通過する入射電力および反射電力
によりインピーダンス不整合を示す直流電圧を発生する
。プラズマ・トーチ１４が高周波電力発生器１２と完全
に整合されるときに、入射電力は最大でありそしてプラ
ズマ・トーチ１４からの反射電力は零である。もし動作
・ξラメータの変化または噴震器の動作出力の変化のせ
いでプラズマ・トーチ１４に不整合が起るならば、高周
波負荷コイル２８０両端間のインピーダンスは変化する
。これが起るときに、シャント位相検出器５０、直列位
相検出２；４８は反射電力によりそれぞれ第２モータ８
６、第１モータ８０を作動させ、これはシャント・コン
デンサ回路網６２および直列コンデンサ回路網６０のイ
ンピーダンス値を変化させて反射電力を零まで低減させ
る。位相検出器からの信号の極性は、インピーダンスを
整合するために各モータがどちらの方向に回転されるか
を示す。
〔発明の効果〕
上述したインピーダンス整合回路網１６の結果として、
高周波電力発生器１２からプラズマ・トーチ１４への最
大電力の伝達維持は充分に自動化されかつこれによりオ
ペレータによる手動機器の調節の必要性をなしにする。
プラズマ・トーチ１４へ伝達される電力の最大化は、全
ての状態での反射電力を除去し、従ってプラズマ・トー
チからの最大エネルギー強度を確保し、これにより分光
光度計への分析信号をより高度で有用なものに１−る。
インピーダンス整合回路網］６は、Ｙと気誘電体型コン
テンサを使用することにより４１空コンデンサを使用し
た場合よりも史に速く調節できろ別な利点を呈する。従
って１応答時間の最大化は動的動作状態のせいでのエラ
ーを少なくする。更に、プラズマ・ｌ−−チか最大電力
伝達で常に動作してし・るので、動作状態が変るとき例
えば水溶剤の使用を有機溶剤の使用に変えたとき、イン
ピーダンス整合回路網の抜雑な手動再調節の必要がない
。
この発明をその一実施例につ℃・て説明したが、この発
明は特許請求の範囲の記載および解釈のみによつ゛（制
限されるべきである。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の原理を具体化したプラズマ放出♂ｉ
Ｉの）゛ロック図、第２図は第１図中のイノヒ゛−タノ
ス整合回路網の詳しく・回路図、第３図：１第２図中の
２位相検出回路網の詳しい回路図である。 １０　プラズマ放出源、１２・・・高周波電力発生器、
１４・・プラズマ・トーチ、１６　インピーダンス整合
回路網、１８　発振器、２２　電力増幅器、２８　高周
波負荷コイル、３０−　Ｉｆラス室、３２・アルゴンの
人１ｊ、３４　・す／ノル混合物の入口、４２２位相検
出回路網、４４・・可変インピーダンス回路網、４６・
制御ユニット、４８・・・直列位相検出器、５０・・・
／ヤント位相検出器、６０　直列コンデンサ回路網、６
２・・・シャント・コンデンサ回路網、６６　固定コン
デンサ、７０と７６と７８・可変コンデンサ、８０・・
・第１モータ、８６・・・第２モータである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、高周波電力発生器と、 この高周波電力発生器から高周波電力を受ける高周波負
    荷コイルが組み合わされたプラズマ・トーチと、 前記高周波電力発生器から前記高周波負荷コイルへ伝達
    される高周波電力を自動的Ｋかつ連続的に最大にするた
    めの手段と、 を備えたプラズマ放出源。 ２、高周波電力発生器は、高周波信号を発生するための
    発振器、および前記高周波信号を増幅するための手段を
    含む特許請求の範囲第１項記載のプラズマ放出源。 ３、　プラズマ・トーチは、プラズマを形成するための
    ガスの入口、および前記プラズマ中で原子化されるサン
    プル混合物の入口があるガラス室を含む特許請求の範囲
    第２項記載りプラズマ放出源。 ４、ガラス室には、プラズマを形成するためのガスの入
    口、および前記プラズマ中で原子化されるサンプル混合
    物の入口がある特許請求の範囲第１項記載のプラズマ放
    出源。 ５、　高周波電力を最大にするための手段は、高周波電
    力発生器と高周波負荷コイルの間でインピーダンスの整
    合を連続的に監視してインピーダンスの不整合を示す信
    号を発生する手段と、 前記信号に応答して前記高周波電力発生器および前記高
    周波負荷コイルのインピーダンスを自動的に整合させる
    ための手段と、を含むプラズマ放出源。 ６　自動笠合手段は、可変インピーダンス回路網と、前
    記信号に応答して前記可変インピーダンス回路網のイン
    ピーダンスを制御する制御ユニットとを含む特許請求の
    範囲第５項記載のプラズマ放出源。 ７　可変インピーダンス回路網は、直列可変インビーダ
    ンス回路網、およびシャント可変インピーダンス回路網
    を含む特許請求の範囲第６項記載のプラズマ放出源。 ８　直列可変インピーダンス回路網およびシャ７　）　
    ＤＪ　変インピーダンス回路網は制御ユニッ１−　Ｋよ
    って制御される可変コンデンサを含む特許請求の範囲第
    ４項記載のプラズマ放出源。 ９　連続監視手段は２位相検出回路網を含み、この２位
    相検出回路網は直列不整合信号を発生する直列位相検出
    器、およびシャント不整合信号を発生するシャント位相
    検出器を有する％許請求の範囲第５項記載のプラズマ放
    出源。 １０、自動整合手段は、可変インビ゛−ダンス回路網と
    、前記信号に応答して前記ｉ＝Ｊ変イクイノビ−ダンス
    回路網ンピーダンスを制御する制御ユニットとを含む特
    許請求の範囲第９項記載のプラズマ放出源。 １１　可変インピーダンス回路網は、直列可変インピー
    ダンス回路網、およびシャント可変インピーダンス回路
    網を含む特許請求の範囲第１０項記載のプラズマ放出源
    。 １２、制御ユニットは、直列位相検出器信号に応答する
    直列可変イノピーダンス回路網制御モータ、およびシャ
    ント位相検出器信号に応答するシャント可変インピーダ
    ンス回路網制御モータを含む特許請求の範囲第１１項記
    載のプラズマ放出源。 １３　直列可変インビーダンス回路網は、固定コンデン
    サと並列に２個の直列接続された可変コンデンサを含み
    、シャン］・可変インピーダンス回路網は２個の並列接
    続された可変コンデンサを含む特許請求の範囲第１１項
    記載のプラズマ放出源。 １４、　１ｕｌｌ　ａｌユニットは、直列位相検出器信
    号に応答する直列可変コンデンサ制御モータ、および／
    ヤント位相検出器信号に応答する７ヤ／ト可変コンデン
    サ制御モータを含む特許請求の範囲第１３項記載のプラ
    ズマ放出源。 ■５．　直列可変コンデンサおよびシャント可変コンデ
    ンサは空気誘電体コンデンサである特許請求の範囲第１
    ３項記載のプラズマ放出源。
JP60037815A 1984-03-02 1985-02-28 プラズマ放出源 Pending JPS60205241A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/585,807 US4629940A (en) 1984-03-02 1984-03-02 Plasma emission source
US585807 1984-03-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60205241A true JPS60205241A (ja) 1985-10-16

Family

ID=24343047

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60037815A Pending JPS60205241A (ja) 1984-03-02 1985-02-28 プラズマ放出源
JP1993061890U Expired - Lifetime JPH0734363Y2 (ja) 1984-03-02 1993-11-17 プラズマ放出源

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1993061890U Expired - Lifetime JPH0734363Y2 (ja) 1984-03-02 1993-11-17 プラズマ放出源

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4629940A (ja)
EP (1) EP0155496B1 (ja)
JP (2) JPS60205241A (ja)
AU (1) AU3943185A (ja)
CA (1) CA1245729A (ja)
DE (1) DE3580991D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135799U (ja) * 1987-02-27 1988-09-06
JPS64699A (en) * 1987-03-06 1989-01-05 Perkin Elmer Corp:The Induced plasma generator and its method
JPH07282771A (ja) * 1995-02-08 1995-10-27 Yokogawa Electric Corp 高周波誘導結合プラズマ分析計のプラズマ点火方法

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT388814B (de) * 1985-11-15 1989-09-11 Paar Anton Kg Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines hf-induzierten edelgasplasmas
US4833322A (en) * 1986-05-02 1989-05-23 Shell Oil Company Method and apparatus for analysis of material
US4795880A (en) * 1986-09-11 1989-01-03 Hayes James A Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus
US4748634A (en) * 1987-03-20 1988-05-31 Hughes Aircraft Company Pumping system for RF excited gas devices
US4956582A (en) * 1988-04-19 1990-09-11 The Boeing Company Low temperature plasma generator with minimal RF emissions
US5155547A (en) * 1990-02-26 1992-10-13 Leco Corporation Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy
GB9226335D0 (en) * 1992-12-17 1993-02-10 Fisons Plc Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor
US5383019A (en) * 1990-03-23 1995-01-17 Fisons Plc Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor
NL9000809A (nl) * 1990-04-06 1991-11-01 Philips Nv Plasmagenerator.
DE4019729A1 (de) * 1990-06-21 1992-01-02 Leybold Ag Ionenquelle
US5082517A (en) * 1990-08-23 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Plasma density controller for semiconductor device processing equipment
GB2249893B (en) * 1990-11-03 1994-09-14 Grau Ltd Automotive electronic control systems
US5477089A (en) * 1990-11-03 1995-12-19 Grau Limited Automotive electronic control systems
US5195045A (en) * 1991-02-27 1993-03-16 Astec America, Inc. Automatic impedance matching apparatus and method
US5288971A (en) * 1991-08-09 1994-02-22 Advanced Energy Industries, Inc. System for igniting a plasma for thin film processing
US5144206A (en) * 1991-09-10 1992-09-01 Gte Products Corporation Electrodeless HID lamp coupling structure with integral matching network
US5187457A (en) * 1991-09-12 1993-02-16 Eni Div. Of Astec America, Inc. Harmonic and subharmonic filter
US5175472A (en) * 1991-12-30 1992-12-29 Comdel, Inc. Power monitor of RF plasma
US5216330A (en) * 1992-01-14 1993-06-01 Honeywell Inc. Ion beam gun
US5280154A (en) * 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
US5523955A (en) * 1992-03-19 1996-06-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for characterizing AC properties of a processing plasma
WO1993021685A1 (en) * 1992-04-16 1993-10-28 Advanced Energy Industries, Inc. Stabilizer for switch-mode powered rf plasma processing
JP3167221B2 (ja) * 1992-05-07 2001-05-21 ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション 誘導結合プラズマ発生器
CA2116821C (en) * 1993-03-05 2003-12-23 Stephen Esler Anderson Improvements in plasma mass spectrometry
US5815047A (en) * 1993-10-29 1998-09-29 Applied Materials, Inc. Fast transition RF impedance matching network for plasma reactor ignition
JPH07191764A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd 高周波電源装置及びプラズマ発生装置
US5712592A (en) * 1995-03-06 1998-01-27 Applied Materials, Inc. RF plasma power supply combining technique for increased stability
US5977715A (en) * 1995-12-14 1999-11-02 The Boeing Company Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source
US5689215A (en) * 1996-05-23 1997-11-18 Lam Research Corporation Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor
US5770922A (en) 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
US6329757B1 (en) 1996-12-31 2001-12-11 The Perkin-Elmer Corporation High frequency transistor oscillator system
GB9708268D0 (en) 1997-04-24 1997-06-18 Gyrus Medical Ltd An electrosurgical instrument
DE19737244A1 (de) * 1997-08-27 1999-03-04 Harald Tobies Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Phasenlage von Hochfrequenzelektroden bei Plasmaprozessen
KR20010031093A (ko) 1997-10-14 2001-04-16 로버트 엠. 포터 신속한 전압 상승에 의한 플라즈마 점화용 시스템
US6449568B1 (en) 1998-02-27 2002-09-10 Eni Technology, Inc. Voltage-current sensor with high matching directivity
US6958063B1 (en) 1999-04-22 2005-10-25 Soring Gmbh Medizintechnik Plasma generator for radio frequency surgery
JP4672941B2 (ja) 1999-07-13 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマを発生させるための高周波電源
US6507155B1 (en) * 2000-04-06 2003-01-14 Applied Materials Inc. Inductively coupled plasma source with controllable power deposition
US6472822B1 (en) * 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
US7511246B2 (en) * 2002-12-12 2009-03-31 Perkinelmer Las Inc. Induction device for generating a plasma
US7106438B2 (en) * 2002-12-12 2006-09-12 Perkinelmer Las, Inc. ICP-OES and ICP-MS induction current
US6995545B2 (en) * 2003-08-18 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Control system for a sputtering system
US7042311B1 (en) * 2003-10-10 2006-05-09 Novellus Systems, Inc. RF delivery configuration in a plasma processing system
DE102004015090A1 (de) 2004-03-25 2005-11-03 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Bogenentladungserkennungseinrichtung
US8633416B2 (en) * 2005-03-11 2014-01-21 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Plasmas and methods of using them
US8622735B2 (en) * 2005-06-17 2014-01-07 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Boost devices and methods of using them
US7742167B2 (en) 2005-06-17 2010-06-22 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Optical emission device with boost device
US7459899B2 (en) 2005-11-21 2008-12-02 Thermo Fisher Scientific Inc. Inductively-coupled RF power source
JP4586737B2 (ja) * 2006-02-02 2010-11-24 株式会社島津製作所 Ｉｃｐ分析装置
DE502006005363D1 (de) * 2006-11-23 2009-12-24 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung
US7795817B2 (en) * 2006-11-24 2010-09-14 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Controlled plasma power supply
EP1928009B1 (de) * 2006-11-28 2013-04-10 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
EP1933362B1 (de) * 2006-12-14 2011-04-13 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9028656B2 (en) 2008-05-30 2015-05-12 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
WO2009146432A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
JP2011521735A (ja) 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマを発生させるためのシステム、方法、および装置
US8659335B2 (en) 2009-06-25 2014-02-25 Mks Instruments, Inc. Method and system for controlling radio frequency power
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
JP2013529352A (ja) 2010-03-31 2013-07-18 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション 液体−気体界面プラズマデバイス
DE102011076404B4 (de) * 2011-05-24 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung
WO2013046495A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 パナソニック株式会社 大気圧プラズマ発生装置及び大気圧プラズマ発生方法
CA2879076C (en) 2012-07-13 2020-11-10 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Torches and methods of using them
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58135600A (ja) * 1982-02-08 1983-08-12 株式会社日立国際電気 プラズマ励起用高周波電力供給装置
JPS58169051A (ja) * 1982-03-31 1983-10-05 Shimadzu Corp 誘導結合プラズマ光源用電源装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2745067A (en) * 1951-06-28 1956-05-08 True Virgil Automatic impedance matching apparatus
US2742618A (en) * 1951-12-29 1956-04-17 Collins Radio Co Phasing and magnitude adjusting circuit
FR1207566A (fr) * 1958-06-26 1960-02-17 Trt Telecom Radio Electr Perfectionnements aux dispositifs d'accord automatique sur une charge largement variable
US3132313A (en) * 1959-08-13 1964-05-05 Alford Andrew Impedance matching filter
US3366883A (en) * 1965-12-20 1968-01-30 Avco Corp Automatic broad band vswr power control
US3958883A (en) * 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
US4207137A (en) * 1979-04-13 1980-06-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of controlling a plasma etching process by monitoring the impedance changes of the RF power
US4373581A (en) * 1981-01-19 1983-02-15 Halliburton Company Apparatus and method for radio frequency heating of hydrocarbonaceous earth formations including an impedance matching technique
US4356458A (en) * 1981-08-31 1982-10-26 Harry H. Leveen Automatic impedance matching apparatus
US4482246A (en) * 1982-09-20 1984-11-13 Meyer Gerhard A Inductively coupled plasma discharge in flowing non-argon gas at atmospheric pressure for spectrochemical analysis

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58135600A (ja) * 1982-02-08 1983-08-12 株式会社日立国際電気 プラズマ励起用高周波電力供給装置
JPS58169051A (ja) * 1982-03-31 1983-10-05 Shimadzu Corp 誘導結合プラズマ光源用電源装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135799U (ja) * 1987-02-27 1988-09-06
JPS64699A (en) * 1987-03-06 1989-01-05 Perkin Elmer Corp:The Induced plasma generator and its method
JPH07282771A (ja) * 1995-02-08 1995-10-27 Yokogawa Electric Corp 高周波誘導結合プラズマ分析計のプラズマ点火方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0646359U (ja) 1994-06-24
CA1245729A (en) 1988-11-29
DE3580991D1 (de) 1991-02-07
AU3943185A (en) 1985-09-05
US4629940A (en) 1986-12-16
EP0155496A2 (en) 1985-09-25
EP0155496B1 (en) 1991-01-02
JPH0734363Y2 (ja) 1995-08-02
EP0155496A3 (en) 1987-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60205241A (ja) プラズマ放出源
JP5312037B2 (ja) 誘導結合ｒｆ電源を実現するためのシステムおよび方法
US5155547A (en) Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy
US5383019A (en) Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor
US4557819A (en) System for igniting and controlling a wafer processing plasma
EP0568920B1 (en) Inductively coupled plasma generator
US6677711B2 (en) Plasma processor method and apparatus
US3958883A (en) Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
US4877999A (en) Method and apparatus for producing an hf-induced noble-gas plasma
US4256404A (en) Optoelectronic feedback control for a spectrometer
Montaser et al. Versatile impedance matching network for inductively coupled plasma spectrometry
US5001399A (en) Power supply for vacuum fluorescent displays
EP0312613B1 (en) Laser oscillator
CN1314191C (zh) 带有功率控制的电感耦合等离子体自激式射频发生器
JP2775656B2 (ja) 成膜装置
CN204887662U (zh) 电感耦合等离子炬的自动阻抗匹配装置
Dagnall et al. Electronic modulation of microwave-excited electrodeless discharge lamps for use in atomic-fluorescence spectrometry
US11876544B2 (en) Two-group portable same-frequency or different-frequency control radio frequency circuit
JPH07282771A (ja) 高周波誘導結合プラズマ分析計のプラズマ点火方法
JPH0243320B2 (ja)
JPH0652994A (ja) 放電を利用する真空装置における放電検出装置
CN117059469A (zh) 一种多极杆离子传输用自激式射频电源
Litvinenko et al. Duke storage ring tune measurements system using razor blade and photomultiplier
Gill et al. High Level NQR Spectrometer
Herrnfeld et al. An improved amplifier for electro-encephalography.