JPH0734363Y2 - プラズマ放出源 - Google Patents
プラズマ放出源Info
- Publication number
- JPH0734363Y2 JPH0734363Y2 JP1993061890U JP6189093U JPH0734363Y2 JP H0734363 Y2 JPH0734363 Y2 JP H0734363Y2 JP 1993061890 U JP1993061890 U JP 1993061890U JP 6189093 U JP6189093 U JP 6189093U JP H0734363 Y2 JPH0734363 Y2 JP H0734363Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- impedance
- phase
- variable
- network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/36—Circuit arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、一般にプラズマ放出
源、たとえば電力伝達率が連続的にかつ自動的に最大に
されるプラズマ放出源に関する。
源、たとえば電力伝達率が連続的にかつ自動的に最大に
されるプラズマ放出源に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマ放出源は、サンプルを原子化か
つ励振して、サンプルの原子構造の特徴を示す波長の光
を放出させるのに使用される。放出された光は分析プロ
セスを完全にするために分光光度計によって検出、測定
される。
つ励振して、サンプルの原子構造の特徴を示す波長の光
を放出させるのに使用される。放出された光は分析プロ
セスを完全にするために分光光度計によって検出、測定
される。
【0003】慣用のプラズマ放出源では、高周波(R
F)エネルギーが高周波発生器からプラズマ・トーチへ
誘導結合される。液状サンプルは溶剤と混合され、霧状
にされ、かつプラズマ・トーチの炎へ供給される。通
常、プラズマ・トーチはアルゴン・プラズマ放電であ
り、サンプルおよび溶剤はアルゴン流によってプラズマ
・トーチの中に運ばれる。
F)エネルギーが高周波発生器からプラズマ・トーチへ
誘導結合される。液状サンプルは溶剤と混合され、霧状
にされ、かつプラズマ・トーチの炎へ供給される。通
常、プラズマ・トーチはアルゴン・プラズマ放電であ
り、サンプルおよび溶剤はアルゴン流によってプラズマ
・トーチの中に運ばれる。
【0004】どの高周波発生装置でも同じであるが、高
周波発生器から負荷(すなわちプラズマ・トーチ)へ伝
達されるエネルギーの効率は両者間のインピーダンス整
合に依存する。従って、最近のプラズマ放出源は、高周
波発生器とプラズマ・トーチの間にインピーダンス整合
回路網を含む。
周波発生器から負荷(すなわちプラズマ・トーチ)へ伝
達されるエネルギーの効率は両者間のインピーダンス整
合に依存する。従って、最近のプラズマ放出源は、高周
波発生器とプラズマ・トーチの間にインピーダンス整合
回路網を含む。
【0005】たまたま、周知のように、プラズマ・トー
チのインピーダンス(詳しく負荷コイル)は、プラズマ
放出源の静的動作パラメータおよび動的動作パラメータ
の両方に依存する。プラズマ・トーチのインピーダンス
に影響する若干のパラメータは、サンプルと溶剤の少な
くとも一方、プラズマ・トーチの所望の動作温度および
噴霧器の効率の変化を含む。このような変化を更新する
には、オペレータがインピーダンス整合回路網を手動で
微細調整することが必要だった。その上、所要の手動調
整を最少にするのを助けるためには、噴霧器の流量調整
は極めて重要だった。それにもかかわらず、変化が通常
動的でありかつ実際の測定時間中起るので、連続的に最
大の電力伝達を維持することを極めて難しい。
チのインピーダンス(詳しく負荷コイル)は、プラズマ
放出源の静的動作パラメータおよび動的動作パラメータ
の両方に依存する。プラズマ・トーチのインピーダンス
に影響する若干のパラメータは、サンプルと溶剤の少な
くとも一方、プラズマ・トーチの所望の動作温度および
噴霧器の効率の変化を含む。このような変化を更新する
には、オペレータがインピーダンス整合回路網を手動で
微細調整することが必要だった。その上、所要の手動調
整を最少にするのを助けるためには、噴霧器の流量調整
は極めて重要だった。それにもかかわらず、変化が通常
動的でありかつ実際の測定時間中起るので、連続的に最
大の電力伝達を維持することを極めて難しい。
【0006】その結果、プラズマ放出源は、現在では、
プラズマ・トーチへの比較的貧弱な電力伝達を補償する
のに過剰の高周波電力入力レベルを必要とし、また特に
溶剤が変更されるときにしばしば調整を必要とする問題
点があった。
プラズマ・トーチへの比較的貧弱な電力伝達を補償する
のに過剰の高周波電力入力レベルを必要とし、また特に
溶剤が変更されるときにしばしば調整を必要とする問題
点があった。
【0007】
【考案が解決しようする課題】したがって本考案の課題
は、高周波電力発生器からプラズマ・トーチへ伝達され
るエネルギーを最大にするプラズマ放出源を提供するこ
とである。
は、高周波電力発生器からプラズマ・トーチへ伝達され
るエネルギーを最大にするプラズマ放出源を提供するこ
とである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本考案によればこの課題
は以下の構成により解決される。すなわち、高周波信号
を発生するための発振器を有する高周波電力発生器と、
前記高周波信号を増幅する手段と、プラズマを形成する
ためのガスの入口、および前記プラズマ中で原子化され
るサンプル混合物の入口を有し、前記高周波電力発生器
から高周波電力を受け取る高周波負荷コイルが組み合わ
されたプラズマ・トーチと、前記高周波電力発生器から
前記高周波負荷コイルへ伝送される高周波電力を自動的
にかつ連続的に最大にする手段とが設けられており、該
手段は、前記高周波電力発生器と前記高周波負荷コイル
の間のインピーダンス整合を連続的に監視してインピー
ダンスの不整合を表わす信号を発生する手段と、該信号
に応動して前記高周波電力発生器のインピーダンスと前
記高周波負荷コイルのインピーダンスを自動的に整合す
る手段とを有しており、インピーダンス整合を連続的に
監視する前記の手段は2位相検出回路網を有しており、
該2位相検出回路網は、直列可変インピーダンス回路網
を作動させる第1の位相検出器と、分路可変インピーダ
ンス回路網を作動させる第2の位相検出器を有してお
り、これらの直列および分路可変インピーダンス回路網
は、インピーダンスを自動的に整合する前記手段の可変
インピーダンス回路網内に配置されており、前記第1お
よび第2の位相検出器はそれぞれ、高周波電力発生器か
ら高周波負荷コイルへの電圧の位相と電流の位相との間
で位相差が生じたときに不整合信号を発生し、インピー
ダンスを自動的に整合する前記の手段はさらに制御ユニ
ットを有しており、該制御ユニットは、前記不整合信号
に応動して前記可変インピーダンス回路網のインピーダ
ンスを制御し、前記制御ユニットは、前記第1の位相検
出器の信号に応動する直列可変インピーダンス回路網制
御モータと、前記第2の位相検出器の信号に応動する分
路可変インピーダンス回路網制御モータを有しており、
前記直列可変インピーダンス回路網は、固定されたコン
デンサと並列に、直列接続された2つの可変コンデンサ
を有しており、前記分路可変インピーダンス回路網は、
並列接続された2つの可変コンデンサを有しており、前
記直列可変コンデンサおよび前記分路可変コンデンサは
空気誘電体形コンデンサであるプラズマ放出源により解
決される。
は以下の構成により解決される。すなわち、高周波信号
を発生するための発振器を有する高周波電力発生器と、
前記高周波信号を増幅する手段と、プラズマを形成する
ためのガスの入口、および前記プラズマ中で原子化され
るサンプル混合物の入口を有し、前記高周波電力発生器
から高周波電力を受け取る高周波負荷コイルが組み合わ
されたプラズマ・トーチと、前記高周波電力発生器から
前記高周波負荷コイルへ伝送される高周波電力を自動的
にかつ連続的に最大にする手段とが設けられており、該
手段は、前記高周波電力発生器と前記高周波負荷コイル
の間のインピーダンス整合を連続的に監視してインピー
ダンスの不整合を表わす信号を発生する手段と、該信号
に応動して前記高周波電力発生器のインピーダンスと前
記高周波負荷コイルのインピーダンスを自動的に整合す
る手段とを有しており、インピーダンス整合を連続的に
監視する前記の手段は2位相検出回路網を有しており、
該2位相検出回路網は、直列可変インピーダンス回路網
を作動させる第1の位相検出器と、分路可変インピーダ
ンス回路網を作動させる第2の位相検出器を有してお
り、これらの直列および分路可変インピーダンス回路網
は、インピーダンスを自動的に整合する前記手段の可変
インピーダンス回路網内に配置されており、前記第1お
よび第2の位相検出器はそれぞれ、高周波電力発生器か
ら高周波負荷コイルへの電圧の位相と電流の位相との間
で位相差が生じたときに不整合信号を発生し、インピー
ダンスを自動的に整合する前記の手段はさらに制御ユニ
ットを有しており、該制御ユニットは、前記不整合信号
に応動して前記可変インピーダンス回路網のインピーダ
ンスを制御し、前記制御ユニットは、前記第1の位相検
出器の信号に応動する直列可変インピーダンス回路網制
御モータと、前記第2の位相検出器の信号に応動する分
路可変インピーダンス回路網制御モータを有しており、
前記直列可変インピーダンス回路網は、固定されたコン
デンサと並列に、直列接続された2つの可変コンデンサ
を有しており、前記分路可変インピーダンス回路網は、
並列接続された2つの可変コンデンサを有しており、前
記直列可変コンデンサおよび前記分路可変コンデンサは
空気誘電体形コンデンサであるプラズマ放出源により解
決される。
【0009】次に、図面を参照して本考案を詳細に説明
する。
する。
【0010】
図1に示すように、本考案のプラズマ放出源10は、高
周波電力発生器12、アルゴン・プラズマ・トーチ1
4、およびこれらの間のインピーダンス整合回路網16
を含む。
周波電力発生器12、アルゴン・プラズマ・トーチ1
4、およびこれらの間のインピーダンス整合回路網16
を含む。
【0011】高周波電力発生器12は水晶制御発振器1
8を含み、この発振器18は高周波エネルギーを高周波
ドライバ20へ供給する。このドライバ20は、50Ω
の出力インピーダンスをもつことが望ましい高周波電力
増幅器22へ高周波電力を供給する。望ましい実施例で
は、高周波電力発生器12が200〜2000ワットの
高周波電力を供給するように設計される。この実施例で
は、50Ωの出力インピーダンスは同軸線路24へ接続
するのに適する。発振器18、ドライバ20および電力
増幅器22は全て直流電源26(整流した交流で動作す
る)から駆動される。この直流電源26は、多出力型の
単一ユニットでもよいしあるいは2つ以上の周知の電源
でよい。
8を含み、この発振器18は高周波エネルギーを高周波
ドライバ20へ供給する。このドライバ20は、50Ω
の出力インピーダンスをもつことが望ましい高周波電力
増幅器22へ高周波電力を供給する。望ましい実施例で
は、高周波電力発生器12が200〜2000ワットの
高周波電力を供給するように設計される。この実施例で
は、50Ωの出力インピーダンスは同軸線路24へ接続
するのに適する。発振器18、ドライバ20および電力
増幅器22は全て直流電源26(整流した交流で動作す
る)から駆動される。この直流電源26は、多出力型の
単一ユニットでもよいしあるいは2つ以上の周知の電源
でよい。
【0012】プラズマ・トーチ14は、そのガラス室3
0を取り囲む高周波負荷コイル28を含む。ガラス室3
0は、この実施例では、アルゴン入口32およびサンプ
ル混合物入口34を含む。高周波負荷コイル28は、4
ターンの3.17mm(1/8インチ)O.D.銅また
はステンレス鋼製チューブでありかつ低いインピーダン
スをもつことが望ましい。高周波電力発生器12はイン
ピータンス整合回路網16を通してプラズマ・トーチ1
4の高周波負荷コイル28へ高周波電力を供給する。す
なわち、高周波電力発生器12の出力端子36はインピ
ーダンス整合回路網16の入力端子38へ接続され、イ
ンピーダンス整合回路網16の出力端子40は高周波負
荷コイル28へ直接接続されている。
0を取り囲む高周波負荷コイル28を含む。ガラス室3
0は、この実施例では、アルゴン入口32およびサンプ
ル混合物入口34を含む。高周波負荷コイル28は、4
ターンの3.17mm(1/8インチ)O.D.銅また
はステンレス鋼製チューブでありかつ低いインピーダン
スをもつことが望ましい。高周波電力発生器12はイン
ピータンス整合回路網16を通してプラズマ・トーチ1
4の高周波負荷コイル28へ高周波電力を供給する。す
なわち、高周波電力発生器12の出力端子36はインピ
ーダンス整合回路網16の入力端子38へ接続され、イ
ンピーダンス整合回路網16の出力端子40は高周波負
荷コイル28へ直接接続されている。
【0013】インピーダンス整合回路網16は、図2に
より詳細に示されており、2位相検出回路網42、可変
インピーダンス回路網44および制御ユニット46を含
む。2位相検出回路網42はインピーダンス整合回路網
16の入力端子38へ接続されかつ可変インピーダンス
回路網44と直列に接続される。この可変インピーダン
ス回路網44は高周波負荷コイル28に給電する。
より詳細に示されており、2位相検出回路網42、可変
インピーダンス回路網44および制御ユニット46を含
む。2位相検出回路網42はインピーダンス整合回路網
16の入力端子38へ接続されかつ可変インピーダンス
回路網44と直列に接続される。この可変インピーダン
ス回路網44は高周波負荷コイル28に給電する。
【0014】2位相検出回路網42は、図3に詳しく示
す第1の位相検出器48−これは可変インピーダンス回
路網44内に配置された直列コンデンサ回路網60を作
動させる−と、第2の位相検出器50−これは可変イン
ピーダンス回路網44内に配置された分路コンデンサ回
路網62を作動させる−を有している。第1の位相検出
器48、第2の位相検出器50は、電圧の位相および電
流の位相を検知するそれぞれピックアップ・コイル5
2,54を有している。もし位相差がなければ、高周波
負荷コイル28は高周波電力発生器12へ正確に整合さ
れ、最大電力が伝達される。しかしながら、たとえば動
作パラメータの変化のせいで位相が変ると、第1の位相
検出器48、第2の位相検出器50のそれぞれ出力端子
56,58に信号が発生する。これらの信号は制御ユニ
ット46への入力信号として働く。
す第1の位相検出器48−これは可変インピーダンス回
路網44内に配置された直列コンデンサ回路網60を作
動させる−と、第2の位相検出器50−これは可変イン
ピーダンス回路網44内に配置された分路コンデンサ回
路網62を作動させる−を有している。第1の位相検出
器48、第2の位相検出器50は、電圧の位相および電
流の位相を検知するそれぞれピックアップ・コイル5
2,54を有している。もし位相差がなければ、高周波
負荷コイル28は高周波電力発生器12へ正確に整合さ
れ、最大電力が伝達される。しかしながら、たとえば動
作パラメータの変化のせいで位相が変ると、第1の位相
検出器48、第2の位相検出器50のそれぞれ出力端子
56,58に信号が発生する。これらの信号は制御ユニ
ット46への入力信号として働く。
【0015】望ましい実施例では、直列コンデンサ回路
網60は2位相検出回路網42と高周波負荷コイル28
の入力端子との間で直列に接続される。直列コンデンサ
回路網60は、固定コンデンサ66を有する第1分枝路
64、および直列接続された2個の可変コンデンサ70
を有する第2分枝路68を含む。第1分枝路64と第2
分枝路68は互いに並列に接続されている。
網60は2位相検出回路網42と高周波負荷コイル28
の入力端子との間で直列に接続される。直列コンデンサ
回路網60は、固定コンデンサ66を有する第1分枝路
64、および直列接続された2個の可変コンデンサ70
を有する第2分枝路68を含む。第1分枝路64と第2
分枝路68は互いに並列に接続されている。
【0016】分路コンデンサ回路網62の一方の側72
は2位相検出回路網42と直列コンデンサ回路網60の
間に接続されている。分路コンデンサ回路網62の他方
の側は高周波負荷コイル28の出力端子と一緒にアース
されている。分路コンデンサ回路網62は、互いに並列
に接続された方の可変コンデンサ76および第2の可変
コンデンサ78を含む。
は2位相検出回路網42と直列コンデンサ回路網60の
間に接続されている。分路コンデンサ回路網62の他方
の側は高周波負荷コイル28の出力端子と一緒にアース
されている。分路コンデンサ回路網62は、互いに並列
に接続された方の可変コンデンサ76および第2の可変
コンデンサ78を含む。
【0017】望ましい実施例では、直列コンデンサ回路
網60の可変コンデンサ70は5〜50ピコフアラッド
の定格動作範囲をもつが、分路コンデンサ回路網62の
可変コンデンサ76および78は20〜200ピコフア
ラッドの定格動作範囲をもつ。可変コンデンサ70,7
6および78は、マサチューセッツ州、マルデン所在の
ケイウッド(Caywood)社から製造、販売されて
いるような空気誘電体型のものが望ましい。
網60の可変コンデンサ70は5〜50ピコフアラッド
の定格動作範囲をもつが、分路コンデンサ回路網62の
可変コンデンサ76および78は20〜200ピコフア
ラッドの定格動作範囲をもつ。可変コンデンサ70,7
6および78は、マサチューセッツ州、マルデン所在の
ケイウッド(Caywood)社から製造、販売されて
いるような空気誘電体型のものが望ましい。
【0018】制御ユニット46は、第1の位相検出器4
8の出力端子56へ接続されたサーボ・アンプ82によ
って制御される第1モータ80を含む。この第1モータ
80は直流モータが望ましく、歯車列84を介して可変
コンデンサ70を駆動する。制御ユニット46はまた、
第2の位相検出器50の出力端子58へ接続されたサー
ボ・アンプ88によって制御される第2モータ86も含
む。この第2モータ86は歯車列90を介して可変コン
デンサ76および78を駆動する。サーボ・アンプ8
2,88は第1モータ80、第2モータ86の回転方向
がそれぞれ出力端子56,58での信号の極性に依存す
るように配設される。従って、第1モータ80、第2モ
ータ86はそれぞれ第1の位相検出器48、第2の位相
検出器50に完全に応答する。従って、可変インピーダ
ンス回路網44のインピーダンス不整合に対する応答は
連続的かつ自動的である。
8の出力端子56へ接続されたサーボ・アンプ82によ
って制御される第1モータ80を含む。この第1モータ
80は直流モータが望ましく、歯車列84を介して可変
コンデンサ70を駆動する。制御ユニット46はまた、
第2の位相検出器50の出力端子58へ接続されたサー
ボ・アンプ88によって制御される第2モータ86も含
む。この第2モータ86は歯車列90を介して可変コン
デンサ76および78を駆動する。サーボ・アンプ8
2,88は第1モータ80、第2モータ86の回転方向
がそれぞれ出力端子56,58での信号の極性に依存す
るように配設される。従って、第1モータ80、第2モ
ータ86はそれぞれ第1の位相検出器48、第2の位相
検出器50に完全に応答する。従って、可変インピーダ
ンス回路網44のインピーダンス不整合に対する応答は
連続的かつ自動的である。
【0019】動作時、第1の位相検出器48および第2
の位相検出器50はそれぞれ高周波電圧および高周波電
流をサンプリングする。これら2つのパラメータはそれ
らの位相関係に応じて加算され、そして整流したときに
インピーダンス整合回路網16を通過する入射電力およ
び反射電力によりインピーダンス不整合を示す直流電圧
を発生する。プラズマ・トーチ14が高周波電力発生器
12と完全に整合されるときに、入射電力は最大であり
そしてプラズマ・トーチ14からの反射電力はゼロであ
る。もし動作パラメータの変化または噴霧器の動作出力
の変化のせいでプラズマ・トーチ14に不整合が起るな
らば、高周波負荷コイル28の両端間のインピーダンス
は変化する。これが起るときに、第2の位相検出器5
0、第1の位相検出器48は反射電力によりそれぞれ第
2モータ86、第1モータ80を作動させ、これは分路
コンデンサ回路網62および直列コンデンサ回路網60
のインピーダンス値を変化させて反射電力をゼロまで低
減させる。位相検出器からの信号の極性は、インピーダ
ンスを整合するために各モータがどちらの方向に回転さ
れるかを示す。
の位相検出器50はそれぞれ高周波電圧および高周波電
流をサンプリングする。これら2つのパラメータはそれ
らの位相関係に応じて加算され、そして整流したときに
インピーダンス整合回路網16を通過する入射電力およ
び反射電力によりインピーダンス不整合を示す直流電圧
を発生する。プラズマ・トーチ14が高周波電力発生器
12と完全に整合されるときに、入射電力は最大であり
そしてプラズマ・トーチ14からの反射電力はゼロであ
る。もし動作パラメータの変化または噴霧器の動作出力
の変化のせいでプラズマ・トーチ14に不整合が起るな
らば、高周波負荷コイル28の両端間のインピーダンス
は変化する。これが起るときに、第2の位相検出器5
0、第1の位相検出器48は反射電力によりそれぞれ第
2モータ86、第1モータ80を作動させ、これは分路
コンデンサ回路網62および直列コンデンサ回路網60
のインピーダンス値を変化させて反射電力をゼロまで低
減させる。位相検出器からの信号の極性は、インピーダ
ンスを整合するために各モータがどちらの方向に回転さ
れるかを示す。
【0020】
【考案の効果】上述したインピーダンス整合回路網16
の結果として、高周波電力発生器12からプラズマ・ト
ーチ14への最大電力の伝達維持は充分に自動化されか
つこれによりオペレータによる手動機器の調節の必要性
をなしにする。プラズマ・トーチ14へ伝達される電力
の最大化は、全ての状態での反射電力を除去し、従って
プラズマ・トーチからの最大エネルギー強度を確保し、
これにより分光光度計への分析信号をより高度で有用な
ものにする。インピーダンス整合回路網16は、空気誘
電体型コンデンサを使用することにより真空コンデンサ
を使用した場合よりも更に速く調節できる別な利点を呈
する。従って、応答時間の最大化は動的動作状態のせい
でのエラーを少なくする。更に、プラズマ・トーチが最
大電力伝達で常に動作しているので、動作状態が変ると
きたとえば水溶剤の使用を有機溶剤の使用に変えたと
き、インピーダンス整合回路網の複雑な手動再調節の必
要がない。
の結果として、高周波電力発生器12からプラズマ・ト
ーチ14への最大電力の伝達維持は充分に自動化されか
つこれによりオペレータによる手動機器の調節の必要性
をなしにする。プラズマ・トーチ14へ伝達される電力
の最大化は、全ての状態での反射電力を除去し、従って
プラズマ・トーチからの最大エネルギー強度を確保し、
これにより分光光度計への分析信号をより高度で有用な
ものにする。インピーダンス整合回路網16は、空気誘
電体型コンデンサを使用することにより真空コンデンサ
を使用した場合よりも更に速く調節できる別な利点を呈
する。従って、応答時間の最大化は動的動作状態のせい
でのエラーを少なくする。更に、プラズマ・トーチが最
大電力伝達で常に動作しているので、動作状態が変ると
きたとえば水溶剤の使用を有機溶剤の使用に変えたと
き、インピーダンス整合回路網の複雑な手動再調節の必
要がない。
【0021】本考案をその一実施例について説明した
が、本考案は実用新案登録請求の範囲の記載および解釈
のみによって制限されるべきである。
が、本考案は実用新案登録請求の範囲の記載および解釈
のみによって制限されるべきである。
【図1】本考案の原理を具体化したプラズマ放出源のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図2】図1中のインピーダンス整合回路網の詳しい回
路図である。
路図である。
【図3】図2中の2位相検出回路網の詳しい回路図であ
る。
る。
10 プラズマ放出源 12 高周波電力発振器 14 プラズマ・トーチ 16 インピーダンス整合回路網 18 発振器 22 電力増幅器 28 高周波負荷コイル 30 ガラス室 32 アルゴンの入口 34 サンプル混合物の入口 42 2位相検出回路網 44 可変インピーダンス回路網 46 制御ユニット 48,50 位相検出器 60 直列コンデンサ回路網 62 分路コンデンサ回路網 66 固定コンデンサ 70,76,78 可変コンデンサ 80 第1モータ 86 第2モータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−135600(JP,A) 特開 昭58−169051(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】 プラズマ放出源において、 高周波信号を発生するための発振器を有する高周波電力
発生器と、 前記高周波信号を増幅する手段と、 プラズマを形成するためのガスの入口、および前記プラ
ズマ中で原子化されるサンプル混合物の入口を有し、前
記高周波電力発生器から高周波電力を受け取る高周波負
荷コイルが組み合わされたプラズマ・トーチと、 前記高周波電力発生器から前記高周波負荷コイルへ伝送
される高周波電力を自動的にかつ連続的に最大にする手
段とが設けられており、 該手段は、前記高周波電力発生器と前記高周波負荷コイ
ルの間のインピーダンス整合を連続的に監視してインピ
ーダンスの不整合を表わす信号を発生する手段と、該信
号に応動して前記高周波電力発生器のインピーダンスと
前記高周波負荷コイルのインピーダンスを自動的に整合
する手段とを有しており、 インピーダンス整合を連続的に監視する前記の手段は2
位相検出回路網を有しており、該2位相検出回路網は、
直列可変インピーダンス回路網を作動させる第1の位相
検出器と、分路可変インピーダンス回路網を作動させる
第2の位相検出器を有しており、これらの直列および分
路可変インピーダンス回路網は、インピーダンスを自動
的に整合する前記手段の可変インピーダンス回路網内に
配置されており、 前記第1および第2の位相検出器はそれぞれ、高周波電
力発生器から高周波負荷コイルへの電圧の位相と電流の
位相との間で位相差が生じたときに不整合信号を発生
し、 インピーダンスを自動的に整合する前記の手段はさらに
制御ユニットを有しており、該制御ユニットは、前記不
整合信号に応動して前記可変インピーダンス回路網のイ
ンピーダンスを制御し、 前記制御ユニットは、前記第1の位相検出器の信号に応
動する直列可変インピーダンス回路網制御モータと、前
記第2の位相検出器の信号に応動する分路可変インピー
ダンス回路網制御モータを有しており、 前記直列可変インピーダンス回路網は、固定されたコン
デンサと並列に、直列接続された2つの可変コンデンサ
を有しており、前記分路可変インピーダンス回路網は、
並列接続された2つの可変コンデンサを有しており、 前記直列可変コンデンサおよび前記分路可変コンデンサ
は空気誘電体形コンデンサであるプラズマ放出源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US585807 | 1984-03-02 | ||
US06/585,807 US4629940A (en) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | Plasma emission source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0646359U JPH0646359U (ja) | 1994-06-24 |
JPH0734363Y2 true JPH0734363Y2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=24343047
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60037815A Pending JPS60205241A (ja) | 1984-03-02 | 1985-02-28 | プラズマ放出源 |
JP1993061890U Expired - Lifetime JPH0734363Y2 (ja) | 1984-03-02 | 1993-11-17 | プラズマ放出源 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60037815A Pending JPS60205241A (ja) | 1984-03-02 | 1985-02-28 | プラズマ放出源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4629940A (ja) |
EP (1) | EP0155496B1 (ja) |
JP (2) | JPS60205241A (ja) |
AU (1) | AU3943185A (ja) |
CA (1) | CA1245729A (ja) |
DE (1) | DE3580991D1 (ja) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT388814B (de) * | 1985-11-15 | 1989-09-11 | Paar Anton Kg | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines hf-induzierten edelgasplasmas |
US4833322A (en) * | 1986-05-02 | 1989-05-23 | Shell Oil Company | Method and apparatus for analysis of material |
US4795880A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-03 | Hayes James A | Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus |
JPS63135799U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | ||
US4766287A (en) * | 1987-03-06 | 1988-08-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector |
US4748634A (en) * | 1987-03-20 | 1988-05-31 | Hughes Aircraft Company | Pumping system for RF excited gas devices |
US4956582A (en) * | 1988-04-19 | 1990-09-11 | The Boeing Company | Low temperature plasma generator with minimal RF emissions |
US5155547A (en) * | 1990-02-26 | 1992-10-13 | Leco Corporation | Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy |
GB9226335D0 (en) * | 1992-12-17 | 1993-02-10 | Fisons Plc | Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor |
US5383019A (en) * | 1990-03-23 | 1995-01-17 | Fisons Plc | Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor |
NL9000809A (nl) * | 1990-04-06 | 1991-11-01 | Philips Nv | Plasmagenerator. |
DE4019729A1 (de) * | 1990-06-21 | 1992-01-02 | Leybold Ag | Ionenquelle |
US5082517A (en) * | 1990-08-23 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Plasma density controller for semiconductor device processing equipment |
US5477089A (en) * | 1990-11-03 | 1995-12-19 | Grau Limited | Automotive electronic control systems |
GB2249893B (en) * | 1990-11-03 | 1994-09-14 | Grau Ltd | Automotive electronic control systems |
US5195045A (en) * | 1991-02-27 | 1993-03-16 | Astec America, Inc. | Automatic impedance matching apparatus and method |
US5288971A (en) * | 1991-08-09 | 1994-02-22 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for igniting a plasma for thin film processing |
US5144206A (en) * | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Gte Products Corporation | Electrodeless HID lamp coupling structure with integral matching network |
US5187457A (en) * | 1991-09-12 | 1993-02-16 | Eni Div. Of Astec America, Inc. | Harmonic and subharmonic filter |
US5175472A (en) * | 1991-12-30 | 1992-12-29 | Comdel, Inc. | Power monitor of RF plasma |
US5216330A (en) * | 1992-01-14 | 1993-06-01 | Honeywell Inc. | Ion beam gun |
US5280154A (en) * | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
US5523955A (en) * | 1992-03-19 | 1996-06-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for characterizing AC properties of a processing plasma |
JP2710467B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1998-02-10 | アドバンスド エナージィ インダストリーズ,インコーポレイテッド | プロセシング・プラズマのac特性を特徴付ける装置 |
JP3167221B2 (ja) * | 1992-05-07 | 2001-05-21 | ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション | 誘導結合プラズマ発生器 |
CA2116821C (en) * | 1993-03-05 | 2003-12-23 | Stephen Esler Anderson | Improvements in plasma mass spectrometry |
US5815047A (en) * | 1993-10-29 | 1998-09-29 | Applied Materials, Inc. | Fast transition RF impedance matching network for plasma reactor ignition |
JPH07191764A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
JPH07282771A (ja) * | 1995-02-08 | 1995-10-27 | Yokogawa Electric Corp | 高周波誘導結合プラズマ分析計のプラズマ点火方法 |
US5712592A (en) * | 1995-03-06 | 1998-01-27 | Applied Materials, Inc. | RF plasma power supply combining technique for increased stability |
US5977715A (en) * | 1995-12-14 | 1999-11-02 | The Boeing Company | Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source |
US5689215A (en) * | 1996-05-23 | 1997-11-18 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor |
US5770922A (en) | 1996-07-22 | 1998-06-23 | Eni Technologies, Inc. | Baseband V-I probe |
US6329757B1 (en) | 1996-12-31 | 2001-12-11 | The Perkin-Elmer Corporation | High frequency transistor oscillator system |
GB9708268D0 (en) | 1997-04-24 | 1997-06-18 | Gyrus Medical Ltd | An electrosurgical instrument |
DE19737244A1 (de) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Harald Tobies | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Phasenlage von Hochfrequenzelektroden bei Plasmaprozessen |
JP2002533868A (ja) | 1997-10-14 | 2002-10-08 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | 早い電圧増加によるプラズマ点火を目的としたシステム |
US6449568B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-09-10 | Eni Technology, Inc. | Voltage-current sensor with high matching directivity |
US6958063B1 (en) | 1999-04-22 | 2005-10-25 | Soring Gmbh Medizintechnik | Plasma generator for radio frequency surgery |
WO2001005020A1 (en) | 1999-07-13 | 2001-01-18 | Tokyo Electron Limited | Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma |
US6507155B1 (en) * | 2000-04-06 | 2003-01-14 | Applied Materials Inc. | Inductively coupled plasma source with controllable power deposition |
US6472822B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Pulsed RF power delivery for plasma processing |
US7511246B2 (en) * | 2002-12-12 | 2009-03-31 | Perkinelmer Las Inc. | Induction device for generating a plasma |
US7106438B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-09-12 | Perkinelmer Las, Inc. | ICP-OES and ICP-MS induction current |
US6995545B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-02-07 | Mks Instruments, Inc. | Control system for a sputtering system |
US7042311B1 (en) * | 2003-10-10 | 2006-05-09 | Novellus Systems, Inc. | RF delivery configuration in a plasma processing system |
DE102004015090A1 (de) | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
CA2595230C (en) * | 2005-03-11 | 2016-05-03 | Perkinelmer, Inc. | Plasmas and methods of using them |
US7742167B2 (en) | 2005-06-17 | 2010-06-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Optical emission device with boost device |
US8622735B2 (en) * | 2005-06-17 | 2014-01-07 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Boost devices and methods of using them |
US7459899B2 (en) | 2005-11-21 | 2008-12-02 | Thermo Fisher Scientific Inc. | Inductively-coupled RF power source |
JP4586737B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2010-11-24 | 株式会社島津製作所 | Icp分析装置 |
ATE448562T1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-11-15 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum erkennen einer bogenentladung in einem plasmaprozess und bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) * | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
US8994270B2 (en) | 2008-05-30 | 2015-03-31 | Colorado State University Research Foundation | System and methods for plasma application |
WO2009146432A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Colorado State University Research Foundation | Plasma-based chemical source device and method of use thereof |
WO2009146439A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Colorado State University Research Foundation | System, method and apparatus for generating plasma |
US8659335B2 (en) * | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
US8222822B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-17 | Tyco Healthcare Group Lp | Inductively-coupled plasma device |
EP2552340A4 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-14 | Univ Colorado State Res Found | PLASMA DEVICE WITH LIQUID GAS INTERFACE |
EP2554028B1 (en) | 2010-03-31 | 2016-11-23 | Colorado State University Research Foundation | Liquid-gas interface plasma device |
DE102011076404B4 (de) | 2011-05-24 | 2014-06-26 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung |
WO2013046495A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | パナソニック株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置及び大気圧プラズマ発生方法 |
EP2904881B1 (en) | 2012-07-13 | 2020-11-11 | PerkinElmer Health Sciences, Inc. | Torches with refractory and not-refractory materials coupled together |
US9532826B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-01-03 | Covidien Lp | System and method for sinus surgery |
US9555145B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-01-31 | Covidien Lp | System and method for biofilm remediation |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2745067A (en) * | 1951-06-28 | 1956-05-08 | True Virgil | Automatic impedance matching apparatus |
US2742618A (en) * | 1951-12-29 | 1956-04-17 | Collins Radio Co | Phasing and magnitude adjusting circuit |
FR1207566A (fr) * | 1958-06-26 | 1960-02-17 | Trt Telecom Radio Electr | Perfectionnements aux dispositifs d'accord automatique sur une charge largement variable |
US3132313A (en) * | 1959-08-13 | 1964-05-05 | Alford Andrew | Impedance matching filter |
US3366883A (en) * | 1965-12-20 | 1968-01-30 | Avco Corp | Automatic broad band vswr power control |
US3958883A (en) * | 1974-07-10 | 1976-05-25 | Baird-Atomic, Inc. | Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples |
US4207137A (en) * | 1979-04-13 | 1980-06-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of controlling a plasma etching process by monitoring the impedance changes of the RF power |
US4373581A (en) * | 1981-01-19 | 1983-02-15 | Halliburton Company | Apparatus and method for radio frequency heating of hydrocarbonaceous earth formations including an impedance matching technique |
US4356458A (en) * | 1981-08-31 | 1982-10-26 | Harry H. Leveen | Automatic impedance matching apparatus |
JPS58135600A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ励起用高周波電力供給装置 |
JPS58169051A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Shimadzu Corp | 誘導結合プラズマ光源用電源装置 |
US4482246A (en) * | 1982-09-20 | 1984-11-13 | Meyer Gerhard A | Inductively coupled plasma discharge in flowing non-argon gas at atmospheric pressure for spectrochemical analysis |
-
1984
- 1984-03-02 US US06/585,807 patent/US4629940A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-01-23 CA CA000472670A patent/CA1245729A/en not_active Expired
- 1985-02-11 EP EP85101457A patent/EP0155496B1/en not_active Expired
- 1985-02-11 DE DE8585101457T patent/DE3580991D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-02-28 JP JP60037815A patent/JPS60205241A/ja active Pending
- 1985-03-01 AU AU39431/85A patent/AU3943185A/en not_active Abandoned
-
1993
- 1993-11-17 JP JP1993061890U patent/JPH0734363Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1245729A (en) | 1988-11-29 |
US4629940A (en) | 1986-12-16 |
AU3943185A (en) | 1985-09-05 |
JPS60205241A (ja) | 1985-10-16 |
EP0155496A3 (en) | 1987-09-09 |
EP0155496B1 (en) | 1991-01-02 |
EP0155496A2 (en) | 1985-09-25 |
DE3580991D1 (de) | 1991-02-07 |
JPH0646359U (ja) | 1994-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0734363Y2 (ja) | プラズマ放出源 | |
US4877999A (en) | Method and apparatus for producing an hf-induced noble-gas plasma | |
US3958883A (en) | Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples | |
EP0568920B1 (en) | Inductively coupled plasma generator | |
US7049751B2 (en) | Termination of secondary frequencies in RF power delivery | |
EP2221850B1 (en) | Plasma power supply apparatus | |
EP2287885A2 (en) | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage | |
US4557819A (en) | System for igniting and controlling a wafer processing plasma | |
JP2884056B2 (ja) | 放電プラズマ発生用高周波電源装置及び半導体製造装置 | |
US20020185227A1 (en) | Plasma processor method and apparatus | |
CA2629567A1 (en) | Inductively-coupled rf power source | |
JPH06243992A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20030087044A1 (en) | Device for the regulation of a plasma impedance | |
Montaser et al. | Versatile impedance matching network for inductively coupled plasma spectrometry | |
EP0312613B1 (en) | Laser oscillator | |
JPH09134800A (ja) | 高周波装置 | |
JP2000138540A (ja) | 高周波装置 | |
AU2017257870B2 (en) | Oscillator generators and methods of using them | |
KR930002992B1 (ko) | 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 | |
KR100206914B1 (ko) | 멀티-프리셋 임피던스 정합장치 | |
JPH04301913A (ja) | 高周波インピ−ダンス整合回路 | |
JPH0243320B2 (ja) | ||
SU1074673A1 (ru) | Способ автоматического регулировани длины дуги при электродуговой сварке и резке | |
JPH07122957A (ja) | 高周波装置 | |
JPH04211504A (ja) | 整合装置 |