JPH09134800A - 高周波装置 - Google Patents
高周波装置Info
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- JPH09134800A JPH09134800A JP7289890A JP28989095A JPH09134800A JP H09134800 A JPH09134800 A JP H09134800A JP 7289890 A JP7289890 A JP 7289890A JP 28989095 A JP28989095 A JP 28989095A JP H09134800 A JPH09134800 A JP H09134800A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロスタイムなく短時間にマッチングを取るこ
とができる高周波装置を実現する。 【解決手段】 コイル６の両端の電流を検出し、計算器
１８によって負荷インピーダンスの値を求める。この値
は制御回路１３に供給され、制御回路１３は各コンデン
サ４，５の最適位置を求める。制御回路１３は求めた最
適位置にコンデンサ４，５を一致させるように、モータ
９，１１を駆動する。この結果、各コンデンサの容量は
ラフに調整される。次に、比較回路は反射率の値と所定
値とを比較し、反射率が所定値以下の場合には、スイッ
チ１４，１６を切り換えて、制御回路１３からの信号は
パルス駆動回路２１に供給され、各モータ９，１１はパ
ルス駆動回路２１によって駆動される。
とができる高周波装置を実現する。 【解決手段】 コイル６の両端の電流を検出し、計算器
１８によって負荷インピーダンスの値を求める。この値
は制御回路１３に供給され、制御回路１３は各コンデン
サ４，５の最適位置を求める。制御回路１３は求めた最
適位置にコンデンサ４，５を一致させるように、モータ
９，１１を駆動する。この結果、各コンデンサの容量は
ラフに調整される。次に、比較回路は反射率の値と所定
値とを比較し、反射率が所定値以下の場合には、スイッ
チ１４，１６を切り換えて、制御回路１３からの信号は
パルス駆動回路２１に供給され、各モータ９，１１はパ
ルス駆動回路２１によって駆動される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、インピーダンスのマッ
チングを短時間に行うことができる高周波スパッタリン
グ装置やエッチング装置などの高周波装置に関する。
チングを短時間に行うことができる高周波スパッタリン
グ装置やエッチング装置などの高周波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波スパッタリング装置では、２枚の
電極間に高周波を印加し、一方の電極（試料）をスパッ
タリングし、試料表面のクリーニングなどを行ってい
る。また、別の高周波装置では、２枚の電極間に高周波
を印加し、一方の電極からスパッタされた粒子を電極に
接近して配置された基板上に付着させるようにしてい
る。
電極間に高周波を印加し、一方の電極（試料）をスパッ
タリングし、試料表面のクリーニングなどを行ってい
る。また、別の高周波装置では、２枚の電極間に高周波
を印加し、一方の電極からスパッタされた粒子を電極に
接近して配置された基板上に付着させるようにしてい
る。
【０００３】図１はこのような高周波装置の概略を示し
ており、１は高周波発振器である。高周波発振器１から
の高周波は、検出器２を介してマッチングボックス３に
供給される。マッチングボックス３はマッチング可変コ
ンデンサ４、チューニング可変コンデンサ５、コイル６
から構成されている。マッチングボックス３からの高周
波は、負荷７に供給される。なお、検出器２は、マッチ
ングボックス３に入力する高周波の電圧と電流の比、及
び電圧と電流の位相差θを検出している。
ており、１は高周波発振器である。高周波発振器１から
の高周波は、検出器２を介してマッチングボックス３に
供給される。マッチングボックス３はマッチング可変コ
ンデンサ４、チューニング可変コンデンサ５、コイル６
から構成されている。マッチングボックス３からの高周
波は、負荷７に供給される。なお、検出器２は、マッチ
ングボックス３に入力する高周波の電圧と電流の比、及
び電圧と電流の位相差θを検出している。
【０００４】このような構成において、検出器２によっ
て検出された電圧，電流，位相に基づいてインピーダン
スと位相とを求め、インピーダンスの値に基づいてマッ
チングボックス３内のマッチング可変コンデンサ４の容
量を変え、位相差に基づいてチューニング可変コンデン
サ５の容量を変えている。
て検出された電圧，電流，位相に基づいてインピーダン
スと位相とを求め、インピーダンスの値に基づいてマッ
チングボックス３内のマッチング可変コンデンサ４の容
量を変え、位相差に基づいてチューニング可変コンデン
サ５の容量を変えている。
【０００５】すなわち、検出器２によって検出されたイ
ンピーダンスＺに応じた信号ＶZは、比較増幅器８に供
給され基準電圧と比較される。比較増幅器８の出力は、
マッチング可変コンデンサ４を駆動するモータ９に供給
される。その結果、インピーダンスＺの値が基準電圧と
等しくなるようにモータ９によりマッチング可変コンデ
ンサ４が調整される。
ンピーダンスＺに応じた信号ＶZは、比較増幅器８に供
給され基準電圧と比較される。比較増幅器８の出力は、
マッチング可変コンデンサ４を駆動するモータ９に供給
される。その結果、インピーダンスＺの値が基準電圧と
等しくなるようにモータ９によりマッチング可変コンデ
ンサ４が調整される。
【０００６】また、検出器２によって検出された位相差
θに応じた信号Ｖθは、比較増幅器１０に供給され基準
電圧と比較される。比較増幅器１０の出力は、チューニ
ング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に供給され
る。その結果、位相差θの値が基準電圧（０）と等しく
なるようにモータ１１によりマッチング可変コンデンサ
５が調整される。
θに応じた信号Ｖθは、比較増幅器１０に供給され基準
電圧と比較される。比較増幅器１０の出力は、チューニ
ング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に供給され
る。その結果、位相差θの値が基準電圧（０）と等しく
なるようにモータ１１によりマッチング可変コンデンサ
５が調整される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２はマッチングボッ
クス３への入力インピーダンスの軌跡を示しており、チ
ューニング可変コンデンサ５を固定状態とし、マッチン
グ可変コンデンサ４を可変としたものである。検出器２
によって求められたインピーダンスＺがマッチングポイ
ントインピーダンス（５０Ω）より大きいか小さいかに
応じてマッチング可変コンデンサ４の容量が変えられ
る。検出インピーダンスＺが５０Ωより大きい場合に
は、コンデンサ４の容量が増加する方向に駆動される。
クス３への入力インピーダンスの軌跡を示しており、チ
ューニング可変コンデンサ５を固定状態とし、マッチン
グ可変コンデンサ４を可変としたものである。検出器２
によって求められたインピーダンスＺがマッチングポイ
ントインピーダンス（５０Ω）より大きいか小さいかに
応じてマッチング可変コンデンサ４の容量が変えられ
る。検出インピーダンスＺが５０Ωより大きい場合に
は、コンデンサ４の容量が増加する方向に駆動される。
【０００８】また、検出インピーダンスＺが５０Ωより
小さい場合には、コンデンサ４の容量が減少する方向に
駆動される。このような駆動方式では、図中の円状のイ
ンピーダンスの軌跡ＩZの内、点線で示した領域が、イ
ンピーダンスＺが５０Ωより小さいにも拘らず、逆に容
量が増加する方向にコンデンサ４が駆動され、容量が最
大となった後に容量が減少する方向にコンデンサ４が駆
動される。そのため、マッチングを取るまでにロスタイ
ムが発生することになる。
小さい場合には、コンデンサ４の容量が減少する方向に
駆動される。このような駆動方式では、図中の円状のイ
ンピーダンスの軌跡ＩZの内、点線で示した領域が、イ
ンピーダンスＺが５０Ωより小さいにも拘らず、逆に容
量が増加する方向にコンデンサ４が駆動され、容量が最
大となった後に容量が減少する方向にコンデンサ４が駆
動される。そのため、マッチングを取るまでにロスタイ
ムが発生することになる。
【０００９】図３はマッチングボックス３への入力イン
ピーダンスの軌跡を示しており、チューニング可変コン
デンサ５を可変とし、マッチング可変コンデンサ４を固
定状態としたものである。検出器２によって検出された
位相θに応じてチューニング可変コンデンサ５の容量が
変えられる。この場合、位相θが正の場合、チユーニン
グコンデンサ５の容量は増加する方向に駆動され、位相
θが負の場合、コンデンサ５の容量が減少する方向に駆
動される。
ピーダンスの軌跡を示しており、チューニング可変コン
デンサ５を可変とし、マッチング可変コンデンサ４を固
定状態としたものである。検出器２によって検出された
位相θに応じてチューニング可変コンデンサ５の容量が
変えられる。この場合、位相θが正の場合、チユーニン
グコンデンサ５の容量は増加する方向に駆動され、位相
θが負の場合、コンデンサ５の容量が減少する方向に駆
動される。
【００１０】このような駆動方式では、図中の円状のイ
ンピーダンスの軌跡Ｉθの内、点線で示した領域が、位
相θが正であるにも拘らず、逆に容量が減少する方向に
コンデンサ５が駆動され、容量が最小となった後に容量
が増加する方向にコンデンサ５が駆動される。そのた
め、マッチングを取るまでにロスタイムが発生すること
になる。
ンピーダンスの軌跡Ｉθの内、点線で示した領域が、位
相θが正であるにも拘らず、逆に容量が減少する方向に
コンデンサ５が駆動され、容量が最小となった後に容量
が増加する方向にコンデンサ５が駆動される。そのた
め、マッチングを取るまでにロスタイムが発生すること
になる。
【００１１】このため、例えば、負荷においてアーク放
電の発生が生じるなどの現象が起こると、マッチングポ
イントがずれてしまい、コンデンサを駆動して再度マッ
チングを取る場合、かなりの時間が必要となる。
電の発生が生じるなどの現象が起こると、マッチングポ
イントがずれてしまい、コンデンサを駆動して再度マッ
チングを取る場合、かなりの時間が必要となる。
【００１２】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ロスタイム少なく短時間にマッチ
ングを取ることができる高周波装置を実現するにある。
もので、その目的は、ロスタイム少なく短時間にマッチ
ングを取ることができる高周波装置を実現するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
高周波装置は、高周波電源と、高周波電源からの高周波
電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に配置さ
れ、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コン
デンサとコイルとから成るマッチングボックスと、電源
とマッチングボックスとの間に設けられた入力インピー
ダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検出する検
出器とを備え、検出器により検出されたインピーダンス
に応じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検
出器により検出された位相に応じてチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するように構成した高周波装置に
おいて、高周波の反射電力（Ｐｒ）と入射電力（Ｐｆ）
との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求め、この比が所定の値以下の
場合には各可変コンデンサをパルス駆動させるように構
成したことを特徴としている。
高周波装置は、高周波電源と、高周波電源からの高周波
電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に配置さ
れ、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コン
デンサとコイルとから成るマッチングボックスと、電源
とマッチングボックスとの間に設けられた入力インピー
ダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検出する検
出器とを備え、検出器により検出されたインピーダンス
に応じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検
出器により検出された位相に応じてチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するように構成した高周波装置に
おいて、高周波の反射電力（Ｐｒ）と入射電力（Ｐｆ）
との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求め、この比が所定の値以下の
場合には各可変コンデンサをパルス駆動させるように構
成したことを特徴としている。
【００１４】請求項１の発明では、高周波の反射電力と
入射電力との比（反射率）を求め、反射率の値に応じて
各可変コンデンサをパルス駆動させる。請求項２の発明
に基づく高周波装置は、高周波電源と、高周波電源から
の高周波電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に
配置され、マッチング可変コンデンサとチューニング可
変コンデンサとコイルとから成るマッチングボックス
と、電源とマッチングボックスとの間に設けられた入力
インピーダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検
出する検出器とを備え、検出器により検出されたインピ
ーダンスに応じてマッチング可変コンデンサの容量を調
整し、検出器により検出された位相に応じてチューニン
グ可変コンデンサの容量を調整するように構成した高周
波装置において、負荷に流れる電流から負荷インピーダ
ンスを求め、負荷インピーダンスの値に基づいて各可変
コンデンサの容量を調整すると共に、高周波の反射電力
（Ｐｒ）と入射電力（Ｐｆ）との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求
め、この比が所定の値以下の場合には各可変コンデンサ
をパルス駆動させるように構成したことを特徴としてい
る。
入射電力との比（反射率）を求め、反射率の値に応じて
各可変コンデンサをパルス駆動させる。請求項２の発明
に基づく高周波装置は、高周波電源と、高周波電源から
の高周波電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に
配置され、マッチング可変コンデンサとチューニング可
変コンデンサとコイルとから成るマッチングボックス
と、電源とマッチングボックスとの間に設けられた入力
インピーダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検
出する検出器とを備え、検出器により検出されたインピ
ーダンスに応じてマッチング可変コンデンサの容量を調
整し、検出器により検出された位相に応じてチューニン
グ可変コンデンサの容量を調整するように構成した高周
波装置において、負荷に流れる電流から負荷インピーダ
ンスを求め、負荷インピーダンスの値に基づいて各可変
コンデンサの容量を調整すると共に、高周波の反射電力
（Ｐｒ）と入射電力（Ｐｆ）との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求
め、この比が所定の値以下の場合には各可変コンデンサ
をパルス駆動させるように構成したことを特徴としてい
る。
【００１５】請求項２の発明では、負荷インピーダンス
の値に基づいて各可変コンデンサの容量を調整し、その
後、高周波の反射電力と入射電力との比（反射率）を求
め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパルス駆動
させる。
の値に基づいて各可変コンデンサの容量を調整し、その
後、高周波の反射電力と入射電力との比（反射率）を求
め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパルス駆動
させる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図４は本発明の一例を示し
ており、図１の従来装置と同一番号は同一構成要素を示
す。この実施例で、検出器２によって検出されたインピ
ーダンス｜Ｚ｜に応じた信号ＶZは、ＡＤ変換器１２に
よってディジタル信号に変換された後、制御回路１３に
供給される。ここで、信号ＶZと基準信号とは比較さ
れ、その比較結果は、マッチング可変コンデンサ４を駆
動するため、スイッチ１４，コントロール増幅器１５を
介してモータ９に供給される。その結果、インピーダン
スＺに応じた信号値が基準電圧と等しくなるようにモー
タ９によりマッチング可変コンデンサ４が調整される。
施の形態を詳細に説明する。図４は本発明の一例を示し
ており、図１の従来装置と同一番号は同一構成要素を示
す。この実施例で、検出器２によって検出されたインピ
ーダンス｜Ｚ｜に応じた信号ＶZは、ＡＤ変換器１２に
よってディジタル信号に変換された後、制御回路１３に
供給される。ここで、信号ＶZと基準信号とは比較さ
れ、その比較結果は、マッチング可変コンデンサ４を駆
動するため、スイッチ１４，コントロール増幅器１５を
介してモータ９に供給される。その結果、インピーダン
スＺに応じた信号値が基準電圧と等しくなるようにモー
タ９によりマッチング可変コンデンサ４が調整される。
【００１７】また、検出器２によって検出された位相差
θに応じた信号Ｖθは、ＡＤ変換器１２によってディジ
タル信号に変換された後、制御回路１３に供給される。
ここで、信号Ｖθと基準信号とは比較され、その比較結
果は、スイッチ１６，コントロール増幅器１７を介して
チューニング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に
供給される。その結果、位相差θに応じた信号値が基準
電圧（０）と等しくなるようにモータ１１によりチュー
ニング可変コンデンサ５が調整される。
θに応じた信号Ｖθは、ＡＤ変換器１２によってディジ
タル信号に変換された後、制御回路１３に供給される。
ここで、信号Ｖθと基準信号とは比較され、その比較結
果は、スイッチ１６，コントロール増幅器１７を介して
チューニング可変コンデンサ５を駆動するモータ１１に
供給される。その結果、位相差θに応じた信号値が基準
電圧（０）と等しくなるようにモータ１１によりチュー
ニング可変コンデンサ５が調整される。
【００１８】更に、マッチングボツクス３内のコイル６
の両端間の電位は計算器１８に供給される。計算器１８
は得られた電位差から負荷７に流れる電流を求め、更
に、負荷７のインピーダンスを計算によって求める。こ
の負荷インピーダンスの計算の詳細は、特願平４−１５
３５４３に記述されている。計算器１８によって求めら
れた負荷インピーダンスの値は、制御回路１３に供給さ
れる。
の両端間の電位は計算器１８に供給される。計算器１８
は得られた電位差から負荷７に流れる電流を求め、更
に、負荷７のインピーダンスを計算によって求める。こ
の負荷インピーダンスの計算の詳細は、特願平４−１５
３５４３に記述されている。計算器１８によって求めら
れた負荷インピーダンスの値は、制御回路１３に供給さ
れる。
【００１９】また、高周波電力の入射電力Ｐｆと反射電
力Ｐｒとは、カプラー１９によって検出され、それらの
値はＡＤ変換器１２を介して制御回路１３に供給され
る。制御回路１３は供給された両電力に基づいて反射率
（Ｐｒ／Ｐｆ）を求める。求められた反射率の値は、比
較回路２０に供給されて所定の値と比較される。比較回
路２０は、反射率と所定の値に基づいて、スイッチ１
４，１６の切り換えを行う。
力Ｐｒとは、カプラー１９によって検出され、それらの
値はＡＤ変換器１２を介して制御回路１３に供給され
る。制御回路１３は供給された両電力に基づいて反射率
（Ｐｒ／Ｐｆ）を求める。求められた反射率の値は、比
較回路２０に供給されて所定の値と比較される。比較回
路２０は、反射率と所定の値に基づいて、スイッチ１
４，１６の切り換えを行う。
【００２０】スイッチ１４は制御回路１３からの信号
を、コントロール増幅器１５とパルス駆動回路２１に切
り換えて供給する。また、スイッチ１６は制御回路１３
からの信号を、コントロール増幅器１７とパルス駆動回
路２１に切り換えて供給する。パルス駆動回路２１は、
制御回路１３からの信号に基づいて、コントロール増幅
器１５，１７を介してモータ９，１１を微小容量づつパ
ルス駆動する。このような構成の動作を図５のフローチ
ャートを参照して説明する。
を、コントロール増幅器１５とパルス駆動回路２１に切
り換えて供給する。また、スイッチ１６は制御回路１３
からの信号を、コントロール増幅器１７とパルス駆動回
路２１に切り換えて供給する。パルス駆動回路２１は、
制御回路１３からの信号に基づいて、コントロール増幅
器１５，１７を介してモータ９，１１を微小容量づつパ
ルス駆動する。このような構成の動作を図５のフローチ
ャートを参照して説明する。
【００２１】マッチング動作をスタートさせると、まず
コイル６の両端の電流を検出し、計算器１８によって負
荷インピーダンスの値を求める。この求められた負荷イ
ンピーダンスの値は制御回路１３に供給され、制御回路
１３はマッチング可変コンデンサ４とチューニング可変
コンデンサ５の最適位置を求める。制御回路１３は求め
た最適位置に２つのコンデンサ４，５を一致させるよう
に、コントロール増幅器１５，１７を介してモータ９，
１１を駆動する。この結果、各コンデンサの容量はラフ
に調整される。
コイル６の両端の電流を検出し、計算器１８によって負
荷インピーダンスの値を求める。この求められた負荷イ
ンピーダンスの値は制御回路１３に供給され、制御回路
１３はマッチング可変コンデンサ４とチューニング可変
コンデンサ５の最適位置を求める。制御回路１３は求め
た最適位置に２つのコンデンサ４，５を一致させるよう
に、コントロール増幅器１５，１７を介してモータ９，
１１を駆動する。この結果、各コンデンサの容量はラフ
に調整される。
【００２２】次に、制御回路１３は、供給された反射電
力Ｐｒと入射電力Ｐｆとにより、反射率Ｐｒ／Ｐｆを求
める。この反射率の値が、例えば、０．１以下の場合に
は、マッチングポイントに近付いているので、各コンデ
ンサ４，５の駆動をパルス駆動とし、微小ステップで各
コンデンサ４，５の容量を調整する。
力Ｐｒと入射電力Ｐｆとにより、反射率Ｐｒ／Ｐｆを求
める。この反射率の値が、例えば、０．１以下の場合に
は、マッチングポイントに近付いているので、各コンデ
ンサ４，５の駆動をパルス駆動とし、微小ステップで各
コンデンサ４，５の容量を調整する。
【００２３】具体的には、制御回路１３は求めた反射率
の値を比較回路２０に供給し、比較回路は反射率の値と
０．１とを比較し、反射率が０．１以下の場合には、ス
イッチ１４，１６を切り換えて、制御回路１３からの信
号はパルス駆動回路２１に供給され、各コントロール増
幅器１５，１７はパルス駆動回路２１によって駆動され
る。この結果、モータがオーバーランをしてマッチング
をとるまでに時間が掛かることを防止することができ
る。
の値を比較回路２０に供給し、比較回路は反射率の値と
０．１とを比較し、反射率が０．１以下の場合には、ス
イッチ１４，１６を切り換えて、制御回路１３からの信
号はパルス駆動回路２１に供給され、各コントロール増
幅器１５，１７はパルス駆動回路２１によって駆動され
る。この結果、モータがオーバーランをしてマッチング
をとるまでに時間が掛かることを防止することができ
る。
【００２４】上記した計算値に基づいてコンデンサの位
置を調整した後、比較回路２０による反射率と所定値
（０．１）の比較結果が０．１以下でない場合、従来と
同様の各コンデンサの調整が行われる。すなわち、制御
回路１３は、供給されたＶZ，Ｖθ信号と基準信号との
比較をそれぞれ行い、マッチングポイントがどうかを判
定する。マッチングポイントではない場合、ＶZ信号が
正か負かを判断する。ＶZ信号が正の場合、モータ９が
駆動され、マッチング可変コンデンサ４は正転される。
また、ＶZ信号が負の場合、マッチング可変コンデンサ
４は逆転される。
置を調整した後、比較回路２０による反射率と所定値
（０．１）の比較結果が０．１以下でない場合、従来と
同様の各コンデンサの調整が行われる。すなわち、制御
回路１３は、供給されたＶZ，Ｖθ信号と基準信号との
比較をそれぞれ行い、マッチングポイントがどうかを判
定する。マッチングポイントではない場合、ＶZ信号が
正か負かを判断する。ＶZ信号が正の場合、モータ９が
駆動され、マッチング可変コンデンサ４は正転される。
また、ＶZ信号が負の場合、マッチング可変コンデンサ
４は逆転される。
【００２５】次に、Ｖθ信号が正か負かを判断する。Ｖ
θ信号が正の場合、モータ１１が駆動され、チューニン
グ可変コンデンサ５は正転される。Ｖθ信号が負の場
合、チューニング可変コンデンサ５は逆転される。
θ信号が正の場合、モータ１１が駆動され、チューニン
グ可変コンデンサ５は正転される。Ｖθ信号が負の場
合、チューニング可変コンデンサ５は逆転される。
【００２６】上記したパルス駆動やＶZ，Ｖθに基づく
コンデンサの調整により、反射率Ｐｒ／Ｐｆの値が０．
０５以下となった場合には、常に反射率がこの値以下か
どうかをウォツチングする。パルス駆動やＶZ，Ｖθに
基づくコンデンサの調整により、反射率Ｐｒ／Ｐｆの値
が０．０５以下とならなかった場合や、装置を動作して
いる過程で、反射率の値が０．０５以下の範囲からずれ
た場合には、反射率が０．２以下かどうかを判断する。
コンデンサの調整により、反射率Ｐｒ／Ｐｆの値が０．
０５以下となった場合には、常に反射率がこの値以下か
どうかをウォツチングする。パルス駆動やＶZ，Ｖθに
基づくコンデンサの調整により、反射率Ｐｒ／Ｐｆの値
が０．０５以下とならなかった場合や、装置を動作して
いる過程で、反射率の値が０．０５以下の範囲からずれ
た場合には、反射率が０．２以下かどうかを判断する。
【００２７】反射率が０．２以下の場合には、図５のチ
ャートのＡの位置に戻り、反射率の値に応じてパルス駆
動か通常のフィードバック動作かの判断を行った上、所
定のコンデンサ４，５の調整動作が実行される。反射率
がＰｒ／Ｐｆ＞０．２の場合には、図５のチャートのＢ
の位置に戻り、計算値によって各コンデンサの位置の調
整が行われる。
ャートのＡの位置に戻り、反射率の値に応じてパルス駆
動か通常のフィードバック動作かの判断を行った上、所
定のコンデンサ４，５の調整動作が実行される。反射率
がＰｒ／Ｐｆ＞０．２の場合には、図５のチャートのＢ
の位置に戻り、計算値によって各コンデンサの位置の調
整が行われる。
【００２８】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、負荷インピー
ダンスの値を求めるため、コイル６の両端に流れる電流
を検出するように構成したが、マッチングボックス３の
入力側の電圧Ｖ0，Ｉ0とによって負荷電流を計算し、更
に負荷インピーダンスの値を求めても良い。
発明はこの形態に限定されない。例えば、負荷インピー
ダンスの値を求めるため、コイル６の両端に流れる電流
を検出するように構成したが、マッチングボックス３の
入力側の電圧Ｖ0，Ｉ0とによって負荷電流を計算し、更
に負荷インピーダンスの値を求めても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
は、高周波の反射電力と入射電力との比（反射率）を求
め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパルス駆動
させるように構成した。その結果、各コンデンサがマッ
チングポイントに近付いた場合には、各コンデンサはパ
ルス的に微小容量づつ調整されるので、各コンデンサが
マッチングポイントをオーバーランして調整に余分な時
間が掛かることは防止される。
は、高周波の反射電力と入射電力との比（反射率）を求
め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパルス駆動
させるように構成した。その結果、各コンデンサがマッ
チングポイントに近付いた場合には、各コンデンサはパ
ルス的に微小容量づつ調整されるので、各コンデンサが
マッチングポイントをオーバーランして調整に余分な時
間が掛かることは防止される。
【００３０】また、請求項２の発明では、負荷インピー
ダンスの値に基づいて各可変コンデンサの容量を調整
し、その後、高周波の反射電力と入射電力との比（反射
率）を求め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパ
ルス駆動させるように構成した。その結果、比較的大き
くマッチングがずれている場合には、計算によって求め
たマッチングポイントにラフに各コンデンサを調整する
ことができ、その後、各コンデンサはパルス的に微小容
量づつ調整されるので、各コンデンサのマッチングを取
る動作を極めて短時間に行うことができる。
ダンスの値に基づいて各可変コンデンサの容量を調整
し、その後、高周波の反射電力と入射電力との比（反射
率）を求め、反射率の値に応じて各可変コンデンサをパ
ルス駆動させるように構成した。その結果、比較的大き
くマッチングがずれている場合には、計算によって求め
たマッチングポイントにラフに各コンデンサを調整する
ことができ、その後、各コンデンサはパルス的に微小容
量づつ調整されるので、各コンデンサのマッチングを取
る動作を極めて短時間に行うことができる。
【図１】従来の高周波装置の概略を示す図である。
【図２】インピーダンスの軌跡を示す図である。
【図３】インピーダンスの軌跡を示す図である。
【図４】本発明に基づく高周波装置の一例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図５】図４の装置の動作を説明するためのフローチャ
ートである。
ートである。
１ 高周波発振器 ２ 検出器 ３ マッチングボックス ４ マッチング可変コンデンサ ５ チューニング可変コンデンサ ７ 負荷 ９，１１ モータ １２ ＡＤ変換器 １３ 制御回路 １４，１６ コントロール増幅器 １５，１７ スイッチ １８ 計算器 １９ カプラー ２０ 比較回路 ２１ パルス駆動回路
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波電源と、高周波電源からの高周波
電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に配置さ
れ、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コン
デンサとコイルとから成るマッチングボックスと、電源
とマッチングボックスとの間に設けられた入力インピー
ダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検出する検
出器とを備え、検出器により検出されたインピーダンス
に応じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検
出器により検出された位相に応じてチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するように構成した高周波装置に
おいて、高周波の反射電力（Ｐｒ）と入射電力（Ｐｆ）
との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求め、この比が所定の値以下の
場合には各可変コンデンサをパルス駆動させるように構
成した高周波装置。 - 【請求項２】 高周波電源と、高周波電源からの高周波
電力が供給される負荷と、電源と負荷との間に配置さ
れ、マッチング可変コンデンサとチューニング可変コン
デンサとコイルとから成るマッチングボックスと、電源
とマッチングボックスとの間に設けられた入力インピー
ダンスと入力高周波の電圧と電流との位相を検出する検
出器とを備え、検出器により検出されたインピーダンス
に応じてマッチング可変コンデンサの容量を調整し、検
出器により検出された位相に応じてチューニング可変コ
ンデンサの容量を調整するように構成した高周波装置に
おいて、負荷に流れる電流から負荷インピーダンスを求
め、負荷インピーダンスの値に基づいて各可変コンデン
サの容量を調整すると共に、高周波の反射電力（Ｐｒ）
と入射電力（Ｐｆ）との比（Ｐｒ／Ｐｆ）を求め、この
比が所定の値以下の場合には各可変コンデンサをパルス
駆動させるように構成した高周波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289890A JPH09134800A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 高周波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289890A JPH09134800A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 高周波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134800A true JPH09134800A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=17749100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7289890A Withdrawn JPH09134800A (ja) | 1995-11-08 | 1995-11-08 | 高周波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134800A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044780A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Daihen Corp | インピーダンス自動整合方法及び整合装置 |
| JP2004088701A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Daihen Corp | インピーダンス自動整合装置 |
| JP2010041558A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Yokohama National Univ | インピーダンス整合装置、およびインピーダンス整合方法 |
| JP2011124192A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | インピーダンス整合装置及びそれを備えたプラズマ発生装置 |
| JP4948703B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2012-06-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波プロセッサ内のプラズマ不安定性を最小化するための高周波電磁界供給方法、装置及び高周波電磁界供給装置に用いるメモリ |
| JP2013012958A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | インピーダンス整合装置、インピーダンス整合方法、キャリブレーション方法 |
| WO2014037994A1 (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | パイオニア株式会社 | インピーダンス整合装置及び方法、並びにコンピュータプログラム |
| CN107393800A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-11-24 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
| JP2020107431A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
-
1995
- 1995-11-08 JP JP7289890A patent/JPH09134800A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4948703B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2012-06-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波プロセッサ内のプラズマ不安定性を最小化するための高周波電磁界供給方法、装置及び高周波電磁界供給装置に用いるメモリ |
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| JP5856305B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-02-09 | パイオニア株式会社 | 整合装置、インピーダンス整合方法及びコンピュータプログラム |
| US9520905B2 (en) | 2012-09-04 | 2016-12-13 | Pioneer Corporation | Impedance matching apparatus and method, and computer program |
| CN107393800A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-11-24 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
| JP2017216340A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| US10153132B2 (en) | 2016-05-31 | 2018-12-11 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
| JP2020107431A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |