KR930002992B1 - 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 - Google Patents
매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930002992B1 KR930002992B1 KR1019900010379A KR900010379A KR930002992B1 KR 930002992 B1 KR930002992 B1 KR 930002992B1 KR 1019900010379 A KR1019900010379 A KR 1019900010379A KR 900010379 A KR900010379 A KR 900010379A KR 930002992 B1 KR930002992 B1 KR 930002992B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- high frequency
- matching network
- matching
- unit
- reflected wave
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래의 고주파 발생장치.
제 2 도는 본발명에 따른 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 고주파 발진부 2 : 제 1 증폭부
3 : 제 2 증폭부 4 : 진행파 및 반사파 전력센서부
5 : 고주파 발진 전압제어부 6 : 진행파 및 반사파전력 표시부
7 : 고주파전력 및 위상센서부 8 : 조정부
10 : 매치회로망 자동조정회로 11 : 매칭표시부
12 : 매칭회로망 수동조정회로 13 : 매칭조정 자동 및 수동선택부
본발명은 고주파 발생장치에 관한 것으로, 특히 부하에 최적의 고주파를 공급하기 위한 매칭회로망을 자동으로 제어할 수 있도록한 매칭회로망(Matching Network) 자동제어가 가능한 고주파 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 고주파 발생장치는 반도체 제조공정중 식각공정 또는 이온주입공정에 사용되는 스파트링 시스템(Sputtering System)의 챔버(Chamber)에 고주파를 공급하여 챔버내에서 플라즈마 방전이 발생토록 하는것이다. 그런데, 고주파 발생장치에서 출력하는 고주파를 직접 챔버에 공급할 경우, 임피던스 매칭이 되지 않아 반사파 전력이 고주파 발생장치로 귀환되는 관계로 진행파전력이 감소될 뿐아니라, 고주파 발생장치가 손상되기 때문에 고주파 발생장치와 챔버사이에 임피던스 매칭회로망과 이 임피던스 매칭회로망을 자동으로 제어할 수 있는 매칭회로망 자동조정회로를 각기 별개로 설치하여, 챔버내에서 발생하는 반사파 전력을 수동 또는 자동으로 최소화 시켰다. 그러나, 이는 각기 별개의 장비로 사용되기 때문에 비용이 많이 들고, 고주파 발생장치에서 매칭회로망 자동조정회로를 직접 수동으로 제어할 수 없고, 매칭회로망 자동조정회로에 직접 방문하여 제어해야만 하므로 사용이 불편하며 제어시간이 많이 소요되는 단점이 수반되었다.
따라서 본발명은 상기한 단점을 해소하여 고주파 발생장치에서 직접 임피던스 매칭회로망을 제어할 수 있는 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본발명 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치에 의하면 고주파를 발생시키는 고주파 발진부(1)와, 상기 고주파 발진부(1)로부터의 출력신호를 증폭하는 제1 및 제 2 증폭부(2 및 3)와, 상기 제 2 증폭부(3) 및 매칭회로망간에 접속되어 진행파 및 반사파 전력을 감지하는 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)와, 상기 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)로부터 접속되어 상기 고주파 발진부(4)의 발진전압을 제어하는 고주파 발진 전압제어부(5)로 구성되는 고주파 발생장치에 있어서, 상기 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)로부터 접속되어 매칭회로망으로부터의 고주파전력 및 그 위상을 감지하는 고주파전력 및 위상센서부(7)와, 상기 반사파전력 및 위상센서부(7)로부터 접속되어, 매칭회로망의 임피던스 및 그 위상을 제어하는 신호를 출력하는 매칭회로망 자동조정회로(10)와, 상기 매칭회로망 자동조정회로(10)로부터 접속되어 상기 고주파전력 및 위상센서부(7)로부터의 매칭의 허용 가능범위를 표시하는 매칭표시부(11)와 상기 매칭회로망 자동조정회로(10) 및 매칭회로망 수동조정회로(12)로부터 접속되어 매칭회로망 수동 또는 자동조정회로(10 또는 12)중의 한 출력신호를 선택하여 매칭회로망 임피던스 및 위상조절부로 공급시키는 매칭조정자동 및 수동선택부(13)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본발명을 상세히 설명하기로 한다.
제 1 도는 종래의 고주파 발생장치에 관한 것으로, 고주파 발진부(1)에서 발생된 고주파는 제 1 증폭부(2) 및 제 2 증폭부(3)에서 증폭되어 진행파 및 반사파 전력을 감지하는 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)를 통해 매칭회로망(도면에 도시않됨)에 공급되고, 상기 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)에서 감지된 전력은 고주파 발진 전압제어부(5)를 경유해 진행파 및 반사파 전력 표시부(6)에 표시되게 된다.
한편, 상기 고주파 발진 전압제어부(5)는 상기 고주파 발진부(1)에 제어신호를 가하도록 접속되는데, 상기 고주파 발진부(1)에 제어신호를 가하도록 접속되는데, 상기 고주파 발진 전압제어부(5)에 접속된 조정부(8)를 수동으로 조작하므로서, 상기 고주파 발진 전압제어부(5)의 제어신호에 의해 상기 고주파 발진부(1)의 발진출력이 변화된다.
제 2 도는 본발명에 따른 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치에 관한 것으로, 고주파를 발생하는 발진부(1)는 제 1 증폭부(2), 제 2 증폭부(3) 및, 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)를 경유해 고주파 전력 및 위상센서부(7)에 접속되고, 상기 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)는 고주파 발진 전압제어부(5)를 경유해 고주파 발진부(1), 조정부(8) 및 진행파 및 반사파 전력 표시부(6)에 각기 접속된다.
또한, 상기 고주파 전력 및 위상센서부(7)는 매칭회로망 자동조정회로(10)를 경유해 매칭표시부(11) 및 매칭회로망 수동조정회로(12)가 접속된 매칭조정 자동 및 수동선택부(13)에 각기 접속되고, 상기 매칭조정자동 및 수동선택부(13)는 매칭회로망 임피던스 및 위상조절부에 접속 구성된다.
상기와 같이 구성된 본발명의 동작을 설명하면, 고주파 발진부(1)에서 발생된 고주파는 제 1 증폭부(2) 및 제 2 증폭부(2)에서 증폭된 다음 진행파 및 반사파 전력 센서부(4), 및 고주파 전력 및 위상센서부(7)를 경유해 매칭회로망에 공급된다.(매칭회로망은 챔버등의 부하에 접속됨) 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)에서 감지된 신호는 고주파 발진 전압제어부(5)를 경유해 진행파 및 반사파 전력 표시부(6)에 표시되고, 상기 고주파 발진부(1)의 발진출력은 수동으로 작동되는 조정부(8)를 통해 고주파 발진 제어부(5)의 제어신호를 조정하므로서 제어된다.
한편, 상기 고주파 전력 및 위상센서부(7)에서는 챔버등의 부하로부터 발생된 반사파전력 및 그 위상을 감지하여 매칭회로망 자동조정회로(10)에 공급시키는데, 상기 매칭조정 자동 및 수동선택부(13)를 자동으로 위치시켰을 경우는 상기 매칭회로망 자동조정회로(10)의 출력이 매칭회로망의 임피던스 및 위상조절부(도면에 되시않됨)로 고급되어 자동으로 반사파전력이 최소화되도록 매칭회로망의 임피던스가 제어되며, 수동으로 위치시켰을 경우는 매칭회로망 수동조정회로(12)에 의해 수동으로 매칭회로망의 임피던스를 제어할 수 있다.
상술한 바와같이 본발명에 의하면, 고주파 발생장치에서 임피던스 매칭회로망을 자동 또는 수동으로 조작할 수 있어 반도체 제조시 사용되는 스파트링 시스템의 운용이 간편해지며, 종래의 별도의 임피던스 매칭회로망 제어장치가 필요없어 스파트링 시스템에 고주파를 공급하기 위한 장치를 저렴한 가격으로 제조할 수 있게 하는 탁월한 효과가 있다.
Claims (1)
- 고주파를 발생시키는 고주파 발진부(1)와, 상기 고주파 발진부(1)로부터의 출력신호를 증폭하는 제1 및 제 2 증폭부(2 및 3)와, 상기 제 2 증폭부(3) 및 매칭회로망간에 접속되어 진행파 및 반사파 전력을 감지하는 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)와, 상기 진행파 및 반사파 전력 센서부(4)로부터 접속되어 상기 고주파 발진부(1)의 발진전압을 제어하는 고주파 발진 전압제어부(5)로 구성되는 고주파 발생장치에 있어서, 상기 진행파 및 반사파 전력센서부(4)로부터 접속되어 매칭회로망으로부터의 반사파전력 및 그 위상을 감지하는 고주파전력 및 위상센서부(7)와, 상기 고주파전력 및 위상센서부(7)로부터의 접속되어, 매칭회로망의 임피던스를 제어하는 신호를 출력하는 매칭회로망 자동조정회로(10)와, 상기 매칭회로망 자동조정회로(10)로부터 접속되어 상기 고주파전력 및 위상센서부(7)로부터의 매칭허용 가능범위를 표시하는 매칭표시부(11)와 상기 매치회로망 자동조정회로(10) 및 매칭회로망 수동조정회로(12)로부터 접속되어 매칭회로망 수동 또는 자동조정회로(10 또는 12)중의 한 출력신호를 선택하여 매칭회로망 임피던스 및 위상조절부로 공급시키는 매칭조정자동 및 수동선택부(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010379A KR930002992B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010379A KR930002992B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920003621A KR920003621A (ko) | 1992-02-29 |
| KR930002992B1 true KR930002992B1 (ko) | 1993-04-16 |
Family
ID=19301069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900010379A KR930002992B1 (ko) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930002992B1 (ko) |
-
1990
- 1990-07-10 KR KR1019900010379A patent/KR930002992B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003621A (ko) | 1992-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0734363Y2 (ja) | プラズマ放出源 | |
| US5936481A (en) | System for impedance matching and power control for apparatus for high frequency plasma treatment | |
| US5116482A (en) | Film forming system using high frequency power and power supply unit for the same | |
| CN101808458B (zh) | 用于生成微波激发的微等离子体的便携式电源装置 | |
| JP2884056B2 (ja) | 放電プラズマ発生用高周波電源装置及び半導体製造装置 | |
| US20090284156A1 (en) | Method and apparatus for pulsed plasma processing using a time resolved tuning scheme for rf power delivery | |
| KR960019492A (ko) | 고정된 rf 매칭을 가지는 플라즈마 챔버 | |
| JP3167221B2 (ja) | 誘導結合プラズマ発生器 | |
| KR102027628B1 (ko) | 고주파수 전력을 생산하기 위한 방법 및 부하에 전력을 공급하기 위한 전력 컨버터를 갖는 전력 공급 시스템 | |
| US6970042B2 (en) | Power control for high frequency amplifiers | |
| JPS6419974A (en) | Multimode controller for radio frequency inverter | |
| KR930002992B1 (ko) | 매칭회로망 자동제어가 가능한 고주파 발생장치 | |
| KR20060073518A (ko) | 플라즈마 여기 시스템 | |
| KR20040057477A (ko) | 표면탄성파 공진기를 이용한 센서 시스템 | |
| US20080041830A1 (en) | Method for Operating a Vacuum Plasma Process System | |
| JPH0761013B2 (ja) | セシウム原子発振器 | |
| US6106660A (en) | Etching machine having lower electrode bias voltage source | |
| KR20010029116A (ko) | 엘씨디 모니터용 압전 인버터 | |
| JPH05109667A (ja) | マイクロ波エツチング装置 | |
| JPH0466665A (ja) | 高周波スパッタリング装置 | |
| KR100206914B1 (ko) | 멀티-프리셋 임피던스 정합장치 | |
| JPH04301913A (ja) | 高周波インピ−ダンス整合回路 | |
| JPH06334456A (ja) | 高周波電源 | |
| JPH021014Y2 (ko) | ||
| KR0127537B1 (ko) | 모니터의 수평 주파수 홀드 조정 회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090330 Year of fee payment: 17 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |