JPS60201681A - 二波長発光型発光ダイオ−ド - Google Patents
二波長発光型発光ダイオ−ドInfo
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- JPS60201681A JPS60201681A JP59060397A JP6039784A JPS60201681A JP S60201681 A JPS60201681 A JP S60201681A JP 59060397 A JP59060397 A JP 59060397A JP 6039784 A JP6039784 A JP 6039784A JP S60201681 A JPS60201681 A JP S60201681A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
- H01L33/0016—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions having at least two p-n junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は二波長発光型発光ダイオードに関する。
プラスチックファイバーを用いた光通信において、発光
ダイオード（以下、Ｌｌｌ！Ｄという）は不可欠の素子
であるが、現在使用されているＬＥＤは主としてＧ＆ｘ
ｔＡｌニー、ＸＩｋａ系のＬＩＤであり、その発光ピー
ク波長は６６０ｎｍあるいはそれより若干長波長側にあ
り、ポリメチルメタクリレートを芯材としたプラスチッ
クファイバーにとって低損失域である６ ５０ ａｍに
、必ずしも一致したもので−はない。さらにより低損失
域である５７０ｎｍ帯に合致する発光材料は、今迄開発
されておらず、とくにこのような新光源の開発が、長距
離通信に使用するばあい、光源の高出力化とともに期待
されている。さらに、両低損失域に相当する２波長の光
を別々に駆動可能な状態で同一チップ上に集積したデバ
イスは、光多重通信用光源として通信容量の高帯域化を
実現することができ、プラスチックファイバーによる情
報伝送の用途を大きく広げるものであり、その開発が期
待されている。
ダイオード（以下、Ｌｌｌ！Ｄという）は不可欠の素子
であるが、現在使用されているＬＥＤは主としてＧ＆ｘ
ｔＡｌニー、ＸＩｋａ系のＬＩＤであり、その発光ピー
ク波長は６６０ｎｍあるいはそれより若干長波長側にあ
り、ポリメチルメタクリレートを芯材としたプラスチッ
クファイバーにとって低損失域である６ ５０ ａｍに
、必ずしも一致したもので−はない。さらにより低損失
域である５７０ｎｍ帯に合致する発光材料は、今迄開発
されておらず、とくにこのような新光源の開発が、長距
離通信に使用するばあい、光源の高出力化とともに期待
されている。さらに、両低損失域に相当する２波長の光
を別々に駆動可能な状態で同一チップ上に集積したデバ
イスは、光多重通信用光源として通信容量の高帯域化を
実現することができ、プラスチックファイバーによる情
報伝送の用途を大きく広げるものであり、その開発が期
待されている。
本発明者らは前記のごとき実情に鑑み、ポリメチル、メ
タクリレートの両低損失域に相当する波長の光を発光す
る二波長発光型ＬＩＤを開発するため鋭意研究を重ねた
結果、本発明を完成したＯ すなわち本発明は、ＧａＡｓ１−ＸＰＸ（式中、Ｘは０
．３５〜０．４５である）からなる層を１つの発光層と
し、その上に形成された格子不整合が０．１１以下であ
るｂニー？ａＩニー−１！（式中、Ｙ ハ０．６５〜０
．８ 、ｍ ＧｅｔＯ〜０．０５である）からなる層を
他の発光層とすることを特徴とする二波長発光型発光ダ
イオードに関する。
タクリレートの両低損失域に相当する波長の光を発光す
る二波長発光型ＬＩＤを開発するため鋭意研究を重ねた
結果、本発明を完成したＯ すなわち本発明は、ＧａＡｓ１−ＸＰＸ（式中、Ｘは０
．３５〜０．４５である）からなる層を１つの発光層と
し、その上に形成された格子不整合が０．１１以下であ
るｂニー？ａＩニー−１！（式中、Ｙ ハ０．６５〜０
．８ 、ｍ ＧｅｔＯ〜０．０５である）からなる層を
他の発光層とすることを特徴とする二波長発光型発光ダ
イオードに関する。
本発明においては、ＧａＡｓｘ−ｘＰｘ（式中、Ｘは０
．６５〜０．４５である〕からなる層が１つの発光層と
して用いられる。
．６５〜０．４５である〕からなる層が１つの発光層と
して用いられる。
該ＧａＡｇ１．Ｐ、からなる層は単結晶層であり、液相
エピタキシーや気相エピタキシーなどの一般的ナエピタ
キシャル結晶成長技術を用いて成長させることによりえ
られる。使用する単結晶基板は、発光層を形成する結晶
と格子整合していることが望ましいが、適する基板がな
いばあいには、成長させる３元混晶の組成を段階的に変
化させ、格子不整合を緩和させることも可能である。
エピタキシーや気相エピタキシーなどの一般的ナエピタ
キシャル結晶成長技術を用いて成長させることによりえ
られる。使用する単結晶基板は、発光層を形成する結晶
と格子整合していることが望ましいが、適する基板がな
いばあいには、成長させる３元混晶の組成を段階的に変
化させ、格子不整合を緩和させることも可能である。
たとえば第１図または第２図に示すように、ＧａＡｓ基
板を用いてＧａＡａ、−Ｉ工からなる結晶を成長させる
ばあい、ｎ型ＧａＡｓ基板（６）上に組成変化をつけて
ｎ型ＧａＡｓよ、ｘＩＰｘＩ層（５）を気相成長などの
方法により成長させ、最終的にｎ型″Ｇ５ｌＡ３０．、
ＸＰｘ（式中、Ｘは０．６５〜０．４５である）層（４
）を成長させたのち、ｐ型ＧａＡｓ、−、Ｐ８層（８）
を成長させたり、あるいは形成されたｎ型Ｇ＆ＡＪｌｌ
−Ｉ８層にＺｎのようなｐ型ドーパントを拡散させ、Ｇ
ａＡ３、！工層内にＰＮ接合を形成せしめてもよい。こ
のようにして第１層の発光層が形成されるが、このよう
な方法に限定されるものではない。
板を用いてＧａＡａ、−Ｉ工からなる結晶を成長させる
ばあい、ｎ型ＧａＡｓ基板（６）上に組成変化をつけて
ｎ型ＧａＡｓよ、ｘＩＰｘＩ層（５）を気相成長などの
方法により成長させ、最終的にｎ型″Ｇ５ｌＡ３０．、
ＸＰｘ（式中、Ｘは０．６５〜０．４５である）層（４
）を成長させたのち、ｐ型ＧａＡｓ、−、Ｐ８層（８）
を成長させたり、あるいは形成されたｎ型Ｇ＆ＡＪｌｌ
−Ｉ８層にＺｎのようなｐ型ドーパントを拡散させ、Ｇ
ａＡ３、！工層内にＰＮ接合を形成せしめてもよい。こ
のようにして第１層の発光層が形成されるが、このよう
な方法に限定されるものではない。
前記のようにしてえられたＱ＆Ａｊ１１−２８層におり
て、Ｘが前記範囲をはずれるばあいには、目的とする波
長の発光をうろことができない。
て、Ｘが前記範囲をはずれるばあいには、目的とする波
長の発光をうろことができない。
本発明においては、前記のようにしてえられたＧａＡｕ
１．？８からなる発光層の上に、格子不整合が０．１％
以下であるｂニー、Ｇａ、？□−へ（式中、ｙは０．６
５〜０．８．２はＤ〜０．０５である］層からなる他の
発光層が形成される。
１．？８からなる発光層の上に、格子不整合が０．１％
以下であるｂニー、Ｇａ、？□−へ（式中、ｙは０．６
５〜０．８．２はＤ〜０．０５である］層からなる他の
発光層が形成される。
この発光層も単結晶層であり、ＧａＡｓ□、１一層のば
あいと同様にして形成させることができる。
あいと同様にして形成させることができる。
たとえばＧＩＬＡｓ□−Ｉ８層のｐ型Ｇ＆ＡＪ！□！８
層（８）上に、０両、−一一層のばあいと同様にして、
ｐ型Ｉｎｌ□ｙＧゾ、−一層およびｎ型りニーｙＧゾ、
−一一層（いずれも式中、ｙは０．６５〜０．８、ｇは
０〜０．０５である）゛をヘテロエピタキシャル成長さ
せることにより、格子不整合が０．１％以下である第２
の発光層かえられる。また条件を適切に選択することに
より、たとえば成長時間を長くたもっことにより、ｎ型
ＧａＡｓよ−−一層の上にｐ型Ｉｎｌ？Ｇａ、Ｐニーと
ｔをヘテロエピタキシャル成長させると同時に、ｐ型ド
ーパントの一部をｎ型Ｇ＆Ａ８、−ノ一層間に拡散させ
、ｐ型Ｘｎｌ、Ｇａ、Ｐ、−、ｋｍ、層のエピタキシャ
ル成長と第１の発光層であるｐ型Ｇ！Ａ１１０．ＣＰ、
ｃ層の形成を同時に行なうこともできる。
層（８）上に、０両、−一一層のばあいと同様にして、
ｐ型Ｉｎｌ□ｙＧゾ、−一層およびｎ型りニーｙＧゾ、
−一一層（いずれも式中、ｙは０．６５〜０．８、ｇは
０〜０．０５である）゛をヘテロエピタキシャル成長さ
せることにより、格子不整合が０．１％以下である第２
の発光層かえられる。また条件を適切に選択することに
より、たとえば成長時間を長くたもっことにより、ｎ型
ＧａＡｓよ−−一層の上にｐ型Ｉｎｌ？Ｇａ、Ｐニーと
ｔをヘテロエピタキシャル成長させると同時に、ｐ型ド
ーパントの一部をｎ型Ｇ＆Ａ８、−ノ一層間に拡散させ
、ｐ型Ｘｎｌ、Ｇａ、Ｐ、−、ｋｍ、層のエピタキシャ
ル成長と第１の発光層であるｐ型Ｇ！Ａ１１０．ＣＰ、
ｃ層の形成を同時に行なうこともできる。
前記第２の発光層において、ｙが前記範囲をはずれるば
あいには、目的とする波長の発光をうろことができず、
ｙが大きすぎると、発光効率が低下する。また２が０．
０５をこえると、発光波長が長波長側ヘシフトし、目的
とする波長の発光をうろことができない。
あいには、目的とする波長の発光をうろことができず、
ｙが大きすぎると、発光効率が低下する。また２が０．
０５をこえると、発光波長が長波長側ヘシフトし、目的
とする波長の発光をうろことができない。
前記格子不整合が０．１％をこえると、発光効率がいち
じるしく低下するほか、デバイスの寿命も低下する。
じるしく低下するほか、デバイスの寿命も低下する。
本発明のＬＩＤの特徴は、格子不整合が０．１％以下で
ある、異なるバンドギャップを有する化合物半導体をヘ
テ胃エピタキシーにより結晶成長させ、各層にＰＭ接合
を形成せしめることによりえられ、これに電流を注入す
ることにより、各接合からプラスチックファイバーの両
低損失域に相当する５６０〜５８０ｍｍおよび６４５〜
６６０ｍｍの２つのピーク波長を有する光を単一デバイ
スを用いて、それぞれ独立に発光させることができる。
ある、異なるバンドギャップを有する化合物半導体をヘ
テ胃エピタキシーにより結晶成長させ、各層にＰＭ接合
を形成せしめることによりえられ、これに電流を注入す
ることにより、各接合からプラスチックファイバーの両
低損失域に相当する５６０〜５８０ｍｍおよび６４５〜
６６０ｍｍの２つのピーク波長を有する光を単一デバイ
スを用いて、それぞれ独立に発光させることができる。
通常、本発明のＬＥＤは、一般に用いられるしシスト剤
、マスキング剤、エツチング剤などを組合わせて使用し
て加工される。加工後のデバイスの具体例を示す図面を
用いて本発明の詳細な説明する。
、マスキング剤、エツチング剤などを組合わせて使用し
て加工される。加工後のデバイスの具体例を示す図面を
用いて本発明の詳細な説明する。
第１図〜第３図に示すように、エピタキシャル成長法に
よりえられた本発明のＬＩＩＤを、たとえばＳヱＯ３な
どのマスク剤あるいはフォトレジスト剤などによりパタ
ーン化などしてマスクシ、ｎ型Ｉｎｌ、ＧａｙＰ□−、
Ａｓ、層（１）およびｐ型ｘｎｌ、ｙＧｎｙ、−、ｂ。
よりえられた本発明のＬＩＩＤを、たとえばＳヱＯ３な
どのマスク剤あるいはフォトレジスト剤などによりパタ
ーン化などしてマスクシ、ｎ型Ｉｎｌ、ＧａｙＰ□−、
Ａｓ、層（１）およびｐ型ｘｎｌ、ｙＧｎｙ、−、ｂ。
層（２）の一部を、図示しているように、エツチング除
去したのち、必要により所望のマスクを用いて電極（テ
）を蒸着させ、デバイスが形成される。
去したのち、必要により所望のマスクを用いて電極（テ
）を蒸着させ、デバイスが形成される。
このようにして、第１図に示すような別々の発光面を有
する面発光デバイスや、第２図に示すような同一の発光
面を有する面発光デバイスなどが製造される。なお第３
ＦＩ４に示すように、光の吸収を防止するため発光面下
の基板であるｎ型Ｇ＆Ａｓ層（６）を除去すると、外部
量子効率が改善される。
する面発光デバイスや、第２図に示すような同一の発光
面を有する面発光デバイスなどが製造される。なお第３
ＦＩ４に示すように、光の吸収を防止するため発光面下
の基板であるｎ型Ｇ＆Ａｓ層（６）を除去すると、外部
量子効率が改善される。
これらのデバイスは共通のプラス電極をもち、各発光層
に固有のマイナス電極を有し、これらの間に別々にプラ
ス極にプラス、マイナス極にマイナスの電位を印加する
ことにより、２つの波長の光を独立して発光させること
ができる。
に固有のマイナス電極を有し、これらの間に別々にプラ
ス極にプラス、マイナス極にマイナスの電位を印加する
ことにより、２つの波長の光を独立して発光させること
ができる。
またエポキシ樹脂などの樹脂モールドや発光面に球レン
ズを装着させることにより、発光を集光して取出すこと
も可能であり、このようなばあいには、第２図または第
６図に示すように、デバイスの発光面が同一であること
がとくに好ましい。
ズを装着させることにより、発光を集光して取出すこと
も可能であり、このようなばあいには、第２図または第
６図に示すように、デバイスの発光面が同一であること
がとくに好ましい。
つぎに実施例にもとづき本発明のＬｌｌ！Ｄを説明する
。
。
実施例１
！ｌＬ型ＧａＡｓ基板（ドーパン）ＴｅＪ上に組成変化
を設けて気相成長法によりＧａＡｓＰ層を成長させ、ト
ップ層としてｎ 型Ｇ山ｏ、ａｘＰｏ、ｓｏ層（ドーパ
ントＴｅ）を厚さ２５顯になるまで成長させた単結晶を
液相エピタキシー用の基板として用い、ｐ型層、ｓ”ｏ
、ｔ” （ドーパントｚｎ）を液相エピタキシー法によ
り、厚さ１．５ｍになるまで成長させたのち、ｎ型”０
．３”Ｏ，７１層（ドーパントＴ＠）を厚さ０．５−に
なるまで成長させた。
を設けて気相成長法によりＧａＡｓＰ層を成長させ、ト
ップ層としてｎ 型Ｇ山ｏ、ａｘＰｏ、ｓｏ層（ドーパ
ントＴｅ）を厚さ２５顯になるまで成長させた単結晶を
液相エピタキシー用の基板として用い、ｐ型層、ｓ”ｏ
、ｔ” （ドーパントｚｎ）を液相エピタキシー法によ
り、厚さ１．５ｍになるまで成長させたのち、ｎ型”０
．３”Ｏ，７１層（ドーパントＴ＠）を厚さ０．５−に
なるまで成長させた。
えられた結晶は、ｐ型−，３Ｇ＆０．７ｖ層の成長中に
ｐ型ドーパントであるｚｎがｎ型ＧａＡｓｏ 、ｅ□Ｐ
ｏ、３ｏ層中に拡散したため、基板（１１型Ｇ山。、６
１Ｐ０．３９層）／ｐ型Ｇ＆Ａｇｏ 、６□Ｐｏ 、ｓ
ｏ層／ｐ型−８３Ｇ〜、ｑＰ層／ｎ型へ、σ’０．７Ｐ
層の４層積層した型のものとなっていた。
ｐ型ドーパントであるｚｎがｎ型ＧａＡｓｏ 、ｅ□Ｐ
ｏ、３ｏ層中に拡散したため、基板（１１型Ｇ山。、６
１Ｐ０．３９層）／ｐ型Ｇ＆Ａｇｏ 、６□Ｐｏ 、ｓ
ｏ層／ｐ型−８３Ｇ〜、ｑＰ層／ｎ型へ、σ’０．７Ｐ
層の４層積層した型のものとなっていた。
この結晶を２ｍｍＸ １ｍｍにへき関し、半分（１ｍｍ
Ｘ１ｍｍ）および結晶裏面を７オトレジストでマスクし
たのち、ａ２ｏ／ＨＮｏ３／ａａｌ＝＝２／１／１ （
容量比）の溶液で５０°Ｏにて１．５分間エツチングを
行ない、厚さ約１１Ｉｒｎの−，３”０．７’層を除去
し、”１１ ｂｏ 、３Ｇａｏ 、７１層を露出させた
。さらにｎ型”０．３”０．７ｖ層、ｐ型へ、３Ｇａｏ
、、Ｐ層および基板面（ｎ型）に、オーミック電極とし
てｐ型層に対してはＡｕ−ＺＨ，ｎ型層に対してはＡｕ
−８ｎを蒸着させて合金化し、第１図に示すタイプのデ
バイスをえた。
Ｘ１ｍｍ）および結晶裏面を７オトレジストでマスクし
たのち、ａ２ｏ／ＨＮｏ３／ａａｌ＝＝２／１／１ （
容量比）の溶液で５０°Ｏにて１．５分間エツチングを
行ない、厚さ約１１Ｉｒｎの−，３”０．７’層を除去
し、”１１ ｂｏ 、３Ｇａｏ 、７１層を露出させた
。さらにｎ型”０．３”０．７ｖ層、ｐ型へ、３Ｇａｏ
、、Ｐ層および基板面（ｎ型）に、オーミック電極とし
てｐ型層に対してはＡｕ−ＺＨ，ｎ型層に対してはＡｕ
−８ｎを蒸着させて合金化し、第１図に示すタイプのデ
バイスをえた。
えられたデバイスのｎ型層、ｓ”ｏ、ｔＰ層とｐｆｊｌ
ｌ”０．３”０．７ｖ層との間に１．６ｖの電圧を印加
すると、ピーク波長５７６皿の発光が、またｐ型”ｏ、
５ＧａＯ，７１層と基板間に１．４ｖの電圧を印加する
ことにより６６０膓の発光がそれぞれ認められた。
ｌ”０．３”０．７ｖ層との間に１．６ｖの電圧を印加
すると、ピーク波長５７６皿の発光が、またｐ型”ｏ、
５ＧａＯ，７１層と基板間に１．４ｖの電圧を印加する
ことにより６６０膓の発光がそれぞれ認められた。
実施例２
実施例１と同様の結晶を用い、エピタキシヤル層を８１
０２スパツタ膜でマスクしたのち、Ｈ２０／Ｈ，Ｓｏ、
／侮ｏ２＝２／１／１ （容量比λのエツチング剤を用
いてＧａＡｓ層をエツチング除去した。そののち実施例
１と同様にして、八、３Ｇａ８．７ｖ層の一部を除去し
、電極を蒸着し、第３図に示すタイプのデバイスをえた
。
０２スパツタ膜でマスクしたのち、Ｈ２０／Ｈ，Ｓｏ、
／侮ｏ２＝２／１／１ （容量比λのエツチング剤を用
いてＧａＡｓ層をエツチング除去した。そののち実施例
１と同様にして、八、３Ｇａ８．７ｖ層の一部を除去し
、電極を蒸着し、第３図に示すタイプのデバイスをえた
。
えられたデバイスに電圧を印加したところ、同一の個所
からピーク波長５７５ｎｍおよび６６０閣の発光がみと
められた。
からピーク波長５７５ｎｍおよび６６０閣の発光がみと
められた。
＃１１図〜第６図は、いずれも本発明のＬｌｌ！Ｄの一
実施態様を用いて製造したデノ（イスの断面説明図であ
る。 （図面の主要符号） （１） ｒ ｎ型層−ｙｐ＆ｙＰよ−一〜層（２） ：
ｐ型−０−ｙＧａｙＰｌ−２〜層（８） ＋ Ｐ型Ｇ
山、−Ｉ１層 （４） ： ｎ型ＧａＡ３、−２８層 ２１図 第２口 ２３閲
実施態様を用いて製造したデノ（イスの断面説明図であ
る。 （図面の主要符号） （１） ｒ ｎ型層−ｙｐ＆ｙＰよ−一〜層（２） ：
ｐ型−０−ｙＧａｙＰｌ−２〜層（８） ＋ Ｐ型Ｇ
山、−Ｉ１層 （４） ： ｎ型ＧａＡ３、−２８層 ２１図 第２口 ２３閲
Claims (1)
- １Ｇ＆Ａ８、−ＸＰｘ（式中、Ｘは０．ア〜０．４５で
ある）からなる層を１つの発光層とし、その上に形成さ
れた格子不整合が０．１％以下であるり、−ｙＧｓ、Ｐ
、−、Ａｓ２（式中、ｙは０．６５〜０．８ 、ｚは０
〜０．０５である）からなる層を他の発光層とすること
を特徴とする二波長発光型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060397A JPS60201681A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 二波長発光型発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060397A JPS60201681A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 二波長発光型発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201681A true JPS60201681A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13140981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060397A Pending JPS60201681A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 二波長発光型発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256605A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2005072628A (ja) * | 2004-12-13 | 2005-03-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US7872409B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-01-18 | Au Optronics Corp. | White light LED |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118185A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multi-wavelength band luminous element |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59060397A patent/JPS60201681A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118185A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multi-wavelength band luminous element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256605A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2005072628A (ja) * | 2004-12-13 | 2005-03-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US7872409B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-01-18 | Au Optronics Corp. | White light LED |
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