JPS60195551A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS60195551A JPS60195551A JP5183984A JP5183984A JPS60195551A JP S60195551 A JPS60195551 A JP S60195551A JP 5183984 A JP5183984 A JP 5183984A JP 5183984 A JP5183984 A JP 5183984A JP S60195551 A JPS60195551 A JP S60195551A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- photosensitive
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- low
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン・砒素系光導電材料からなる感光層を有
する電子写真用感光体に関する。
する電子写真用感光体に関する。
セレン・砒素系感光層としては、ＡＩ２８’３、すなわ
ち馳素含島率３８．８重量一〇セレン合金蒸着膜が知ら
れている。このＡ＠２８ｅ３蒸着膜はセレン・テルル系
蒸着膜にくらべて蒸着膜の組成が安定しているととなら
びに長波長領域で高感度であるという利点があるが、一
方製造上においてはＡｌ２Ｓｅ３のガラス転移温度が約
１７０℃と高いため、蒸着の際基体温度をＳε−Ｔｅに
くらべて高温に保たねば基体表面の凹凸がそのまま感光
層表面の粗さとしてあられれてしまう。感光層の表面粗
さは感光体のクリニング性を左右するので、感光層表面
は所定の粗さに保つ必要があり、このためには、感光層
表面に基体表面の凹凸があられれることがないようにし
なければならない。そのためにＡｌ２Ｓｅ３を蒸着する
際は基体を高い温度に保つわけであるがこの結果、基体
の吸蔵ガス，吸着ガスが蒸着時に放出し、ピンホール等
の膜欠陥が発生しやすいという欠点が生じこれを防ぐに
は、吸蔵ガス，吸着ガスの除去のために基体の予備が熱
を行わねばならないが、工数がそれだけ多くな夛高価に
なる。
ち馳素含島率３８．８重量一〇セレン合金蒸着膜が知ら
れている。このＡ＠２８ｅ３蒸着膜はセレン・テルル系
蒸着膜にくらべて蒸着膜の組成が安定しているととなら
びに長波長領域で高感度であるという利点があるが、一
方製造上においてはＡｌ２Ｓｅ３のガラス転移温度が約
１７０℃と高いため、蒸着の際基体温度をＳε−Ｔｅに
くらべて高温に保たねば基体表面の凹凸がそのまま感光
層表面の粗さとしてあられれてしまう。感光層の表面粗
さは感光体のクリニング性を左右するので、感光層表面
は所定の粗さに保つ必要があり、このためには、感光層
表面に基体表面の凹凸があられれることがないようにし
なければならない。そのためにＡｌ２Ｓｅ３を蒸着する
際は基体を高い温度に保つわけであるがこの結果、基体
の吸蔵ガス，吸着ガスが蒸着時に放出し、ピンホール等
の膜欠陥が発生しやすいという欠点が生じこれを防ぐに
は、吸蔵ガス，吸着ガスの除去のために基体の予備が熱
を行わねばならないが、工数がそれだけ多くな夛高価に
なる。
本発明は、上述の欠点を除去し、長波長領域で感度を有
するセレン・砒素系電子写真用感光体のピンホール等の
膜欠陥をコスト上昇を招くことなく少なくすることを目
的とする。
するセレン・砒素系電子写真用感光体のピンホール等の
膜欠陥をコスト上昇を招くことなく少なくすることを目
的とする。
本発明による電子写真用感光体は、導電性基体上に１〜
２０重量％の砒素を含有する厚さ１〜２０μｍの第一〇
セレン・砒素感光層とその上に設けられる２０〜４５重
量％の砒素を含有する厚さ４０〜１００μｍの第二のセ
レン・砒素感光層とからなる感光層とを有することＫよ
って上述の目的を達成する。表面側の層としては、特に
砒素含有量が３０〜４５重量％であり、膜厚が４０〜７
０μｍのものが望ましい。
２０重量％の砒素を含有する厚さ１〜２０μｍの第一〇
セレン・砒素感光層とその上に設けられる２０〜４５重
量％の砒素を含有する厚さ４０〜１００μｍの第二のセ
レン・砒素感光層とからなる感光層とを有することＫよ
って上述の目的を達成する。表面側の層としては、特に
砒素含有量が３０〜４５重量％であり、膜厚が４０〜７
０μｍのものが望ましい。
本発明による感光体においては、第１図に示すように例
えばアルミニウムからなる基体１の上にまず１〜２０重
量％の砒素を含有するセレンからなる第一層２を１〜２
０μｍの厚さに蒸着する。この範囲の砒素濃度では、ガ
ラス転移点温度が４１〜７０℃と低いため、基体温度を
低温にして蒸着することができる０さらにその上に砒素
を２０〜４５重量％含有する第二層３を４０〜１００μ
ｍの厚さに蒸着する。
えばアルミニウムからなる基体１の上にまず１〜２０重
量％の砒素を含有するセレンからなる第一層２を１〜２
０μｍの厚さに蒸着する。この範囲の砒素濃度では、ガ
ラス転移点温度が４１〜７０℃と低いため、基体温度を
低温にして蒸着することができる０さらにその上に砒素
を２０〜４５重量％含有する第二層３を４０〜１００μ
ｍの厚さに蒸着する。
実施例１：
外径１００ｍの円筒状アルミニウム基体１の上に砒素５
重量％を含有するセレ／からなる第一層２を約５μｍの
厚さに真空蒸着した。このときの圧力は約１０−３Ｐａ
、蒸発源温度４３０℃、蒸発時間は約６分であった。次
に砒素３８．８重ｉｔ％を含有するセレン（Ａ８２Ｓｅ
３）から々る第二層３を約６０μｍの厚さに真空蒸着し
た。このときの真空度は約１Ｏ−３Ｐａ、蒸発源温度は
４５５℃、蒸発時間は２０分であった。基体温度は両層
の蒸着中１５０℃の一定に保った。
重量％を含有するセレ／からなる第一層２を約５μｍの
厚さに真空蒸着した。このときの圧力は約１０−３Ｐａ
、蒸発源温度４３０℃、蒸発時間は約６分であった。次
に砒素３８．８重ｉｔ％を含有するセレン（Ａ８２Ｓｅ
３）から々る第二層３を約６０μｍの厚さに真空蒸着し
た。このときの真空度は約１Ｏ−３Ｐａ、蒸発源温度は
４５５℃、蒸発時間は２０分であった。基体温度は両層
の蒸着中１５０℃の一定に保った。
実施例２：
実施例１と同様のアルミニウム基体１の上に砒素２０重
量％を含有するセレンからなる第一層２を約５μｍの厚
さに真空蒸着し、さらにＡｓ２Ｓｅ２からなる第二層３
を約６０μｍの厚さに真空蒸着した。
量％を含有するセレンからなる第一層２を約５μｍの厚
さに真空蒸着し、さらにＡｓ２Ｓｅ２からなる第二層３
を約６０μｍの厚さに真空蒸着した。
蒸着条件は圧力１Ｏ−３ｐａ、基体温度１８０℃で、そ
の他は蒸発源温度が第一層目は４３０℃、第二層目は４
５５℃、蒸発時間が第一層目１０分、第二層目２０分で
あった。
の他は蒸発源温度が第一層目は４３０℃、第二層目は４
５５℃、蒸発時間が第一層目１０分、第二層目２０分で
あった。
比較例：
実施例１，２と同様のＡＩ基体上に砒素３８．８ ｑ６
を含有するＡ３２Ｓ６３感光層のみを約６５μｍの厚さ
に真空蒸着によって形成した。蒸着条件は、圧力１ｏ−
３ｐａ、蒸発源温度４５５℃、蒸発時間２２分、基体温
度２１０℃とした。
を含有するＡ３２Ｓ６３感光層のみを約６５μｍの厚さ
に真空蒸着によって形成した。蒸着条件は、圧力１ｏ−
３ｐａ、蒸発源温度４５５℃、蒸発時間２２分、基体温
度２１０℃とした。
第１表にこれらの感光体の電位特性を示す。
第１表
測定条件ト、周速３００■／ｓ ｅ ｃにおいてリーク
電流２８０μＡになるようにコロナ電圧をかけたときの
常を位を膜厚で除した値を電荷受容力とし、さらにここ
に５（ｌＪｘ・ｓｅｅの露光を与えたときの電位の帯電
位との比を１から減じた値を光減衰率および１２０１ｘ
−１１ｅＣの露光を与えたときの一位を残留電位とした
〇 第２表に感光体を複写機に実装してべた黒原稿を複写し
、白ぬけ欠陥数を数えた画像評価結果を示す。
電流２８０μＡになるようにコロナ電圧をかけたときの
常を位を膜厚で除した値を電荷受容力とし、さらにここ
に５（ｌＪｘ・ｓｅｅの露光を与えたときの電位の帯電
位との比を１から減じた値を光減衰率および１２０１ｘ
−１１ｅＣの露光を与えたときの一位を残留電位とした
〇 第２表に感光体を複写機に実装してべた黒原稿を複写し
、白ぬけ欠陥数を数えた画像評価結果を示す。
第２表
第３表は表面粗さ測定結果を夢す。
第 ３ 表
（単位μｍ）
第２図には、これら感光体の波長分光特性を示す。横軸
Ｖｉ露光の波長、縦軸はその波長に対する線である。
Ｖｉ露光の波長、縦軸はその波長に対する線である。
第１表に示す結果から、実施例１，２の感光体は比較例
の感光体にくらべて電荷受容力がやや増加し、光減衰率
がやや小さくなるが、 Ａｓ２Ｓｅ３単層の場合とくら
べてほぼ同勢の電位特性であることが認められ、第２図
に示す結果から波長分光特性も７００ｎｍ以上の長波長
領域でＡｓ２Ｓｅ３単層と同等でおることが判かる。こ
れは砒素含有率の高い第二層が砒素含有率の低い第一層
よりもかなり厚く設けられていることによる。
の感光体にくらべて電荷受容力がやや増加し、光減衰率
がやや小さくなるが、 Ａｓ２Ｓｅ３単層の場合とくら
べてほぼ同勢の電位特性であることが認められ、第２図
に示す結果から波長分光特性も７００ｎｍ以上の長波長
領域でＡｓ２Ｓｅ３単層と同等でおることが判かる。こ
れは砒素含有率の高い第二層が砒素含有率の低い第一層
よりもかなり厚く設けられていることによる。
第２表は１ｉＩｉＩ像欠陥が本発明により大幅に改善さ
れたことを示す。これは基体近傍の第一層のＡｓ濃度を
低くしたため、低い基体温度でも第一層表面をガラス状
になめらかに蒸着させることが可能でちり、第二層もそ
の上に低い基体温度で蒸着できるので、基体の吸蔵ガス
、吸着ガスの蒸着中の放出を抑制でき、膜欠陥の形成を
阻止することができた結果である。また実施例１では表
面粗さが粗くなっておシ、これにょルクリーニング性の
向上が期待できる。これは、実施例１の第一層のＡｓ濃
濃度時宜重量％低いためガラス転移温度が６０℃とかな
夛低く、低い基体温度でガラス状のなめらかな第一層が
得られ、しがる後にＡｓ２Ｓｅ３のガラス転移点以下の
同様に低い基体温度で蒸着しても基体の凹凸の影響を受
けず、良好な面粗度が得られたためである。
れたことを示す。これは基体近傍の第一層のＡｓ濃度を
低くしたため、低い基体温度でも第一層表面をガラス状
になめらかに蒸着させることが可能でちり、第二層もそ
の上に低い基体温度で蒸着できるので、基体の吸蔵ガス
、吸着ガスの蒸着中の放出を抑制でき、膜欠陥の形成を
阻止することができた結果である。また実施例１では表
面粗さが粗くなっておシ、これにょルクリーニング性の
向上が期待できる。これは、実施例１の第一層のＡｓ濃
濃度時宜重量％低いためガラス転移温度が６０℃とかな
夛低く、低い基体温度でガラス状のなめらかな第一層が
得られ、しがる後にＡｓ２Ｓｅ３のガラス転移点以下の
同様に低い基体温度で蒸着しても基体の凹凸の影響を受
けず、良好な面粗度が得られたためである。
以上に示した本発明による二層構造の感光層を有する感
光体の特性は第一層のＡＢ＃度を１〜２０重量−の範囲
、その厚さを１〜２０μｍの範囲に、第二層のＡｓ濃度
を２０〜４５重量−の範囲、その厚さを４０〜１００＃
ｌの範囲に変化させてもほぼ同様であり、第二層はＡｌ
ｌ濃度がＡｓ２Ｓｅ３を中心とした３０〜４５重量％、
厚さ一１５Ｘ４０〜７０１層ｍの範囲にあることが竹に
有利である。このような構成であれば、第一層と第二層
との熱膨張係数の差が小さく、例えば純セレン層とＡａ
２ ｓｅ ３との積層の場合のように温度変化によっ
て膜にしわ等の欠陥が生ずることがない。
光体の特性は第一層のＡＢ＃度を１〜２０重量−の範囲
、その厚さを１〜２０μｍの範囲に、第二層のＡｓ濃度
を２０〜４５重量−の範囲、その厚さを４０〜１００＃
ｌの範囲に変化させてもほぼ同様であり、第二層はＡｌ
ｌ濃度がＡｓ２Ｓｅ３を中心とした３０〜４５重量％、
厚さ一１５Ｘ４０〜７０１層ｍの範囲にあることが竹に
有利である。このような構成であれば、第一層と第二層
との熱膨張係数の差が小さく、例えば純セレン層とＡａ
２ ｓｅ ３との積層の場合のように温度変化によっ
て膜にしわ等の欠陥が生ずることがない。
本発明によれに、セレン・砒素感光層を二層構造とし、
第一層の砒素含有率を１〜２０重量優に低く抑えること
により、基体表面の凹凸が表面に出ることなしに第一層
および第二層の蒸着時の基体温度を下げることが可能と
したもので、それによって蒸着時の基体からの吸麓ガス
、吸着ガスの放出が抑止され、ピンホール等の膜欠陥お
よびそれによって生ずる画像欠陥が減少する。また、低
基体温度蒸着によって粗い表面を形成し、クリーニング
性を向上させることもできる。従って蒸着前の予備加熱
等の基体の脱ガス工程が不要となｐ１製造コストが大幅
に低減できる。しかも低Ａｌ濃度の第一層の膜厚にくら
べて厚い高Ａ８濃度の第二層を設けることによってＡｓ
２Ｓｅ３単層の場合と同様な感光体特性が得られるので
本発明の効果はすこぶる大色い。また、本発明において
は感光層を２層に分けてはいるが、両層が何れもセレン
・砒素合金であるため、両層の熱膨張係数をほぼ吟しく
でき、したがって熱応力にょる両層間の剥離を防止でき
る効果がある。
第一層の砒素含有率を１〜２０重量優に低く抑えること
により、基体表面の凹凸が表面に出ることなしに第一層
および第二層の蒸着時の基体温度を下げることが可能と
したもので、それによって蒸着時の基体からの吸麓ガス
、吸着ガスの放出が抑止され、ピンホール等の膜欠陥お
よびそれによって生ずる画像欠陥が減少する。また、低
基体温度蒸着によって粗い表面を形成し、クリーニング
性を向上させることもできる。従って蒸着前の予備加熱
等の基体の脱ガス工程が不要となｐ１製造コストが大幅
に低減できる。しかも低Ａｌ濃度の第一層の膜厚にくら
べて厚い高Ａ８濃度の第二層を設けることによってＡｓ
２Ｓｅ３単層の場合と同様な感光体特性が得られるので
本発明の効果はすこぶる大色い。また、本発明において
は感光層を２層に分けてはいるが、両層が何れもセレン
・砒素合金であるため、両層の熱膨張係数をほぼ吟しく
でき、したがって熱応力にょる両層間の剥離を防止でき
る効果がある。
第１図は本発明による感光体の概念的断面図、第２図線
本発明による感光体の実施例および比較例の感光体の光
減衰率の波長分光特性線図である。
本発明による感光体の実施例および比較例の感光体の光
減衰率の波長分光特性線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上に１〜２０重量％の砒素を含有する厚
さ１〜２０μｍの第一のセレン・砒素感光層とその上に
設けられる２０〜４５重量％の砒素を含有する厚さ４０
〜１００μｍの第二のセレン−砒素感光層とからなる感
光層を有することを特徴とする電子写真用感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体において、第二
の感光層の砒素含有量が３０〜４５重量−であり、膜厚
が４０〜７０μｍであることを特徴とする電子写真用感
光体。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の感光体に
おいて、第一の感光素層および第二の感光層が１７０℃
以下の温度の基体の上に真空蒸着された鳥でおることを
％徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183984A JPS60195551A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183984A JPS60195551A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195551A true JPS60195551A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12898025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5183984A Pending JPS60195551A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195551A (ja) |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5183984A patent/JPS60195551A/ja active Pending
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