JPS60192401A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
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- JPS60192401A JPS60192401A JP59047054A JP4705484A JPS60192401A JP S60192401 A JPS60192401 A JP S60192401A JP 59047054 A JP59047054 A JP 59047054A JP 4705484 A JP4705484 A JP 4705484A JP S60192401 A JPS60192401 A JP S60192401A
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- Japan
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- conductor
- microwave
- waveguide
- circuit
- dielectric substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マイクロ波回路に係り、特に導波管を有する
マイクロ波電子回路、例えば８ＨＦコンバータに好適な
マイクロ波回路装置に関する。
マイクロ波電子回路、例えば８ＨＦコンバータに好適な
マイクロ波回路装置に関する。
第１図に導波管−マイクロストリップ線路変換器を具備
したマイクロ波電子回路の一般的な構成を示す。裏面を
接地導体８とした誘電体基板７の表面にストＩＪツブ導
体９とマイクロ波電子部品５でマイクロ波集積回路（以
後ＭＩＣと略す）を栴成し、接地導体８に支持金属板６
が密着されている。才だＨ面で二分割された終端短絡導
波管１０．１１内にＭＩＣの一端のストリップ導体１３
が挿入されａｔ体基板７に形成された溝１２を貫通して
二分割された終端短絡導波管１０゜１１により支持金属
板６をはさみ、導波管−マイクロスｌツブ線路変換器が
ｉｍ成されている。
したマイクロ波電子回路の一般的な構成を示す。裏面を
接地導体８とした誘電体基板７の表面にストＩＪツブ導
体９とマイクロ波電子部品５でマイクロ波集積回路（以
後ＭＩＣと略す）を栴成し、接地導体８に支持金属板６
が密着されている。才だＨ面で二分割された終端短絡導
波管１０．１１内にＭＩＣの一端のストリップ導体１３
が挿入されａｔ体基板７に形成された溝１２を貫通して
二分割された終端短絡導波管１０゜１１により支持金属
板６をはさみ、導波管−マイクロスｌツブ線路変換器が
ｉｍ成されている。
上記Ｓ成は導波管とそれに続（ＭＩＣから成るマイクロ
波電子回路に適しており構造か簡単で一枚基板で回路か
構成されるため生産性に優れておりよく用いられる。し
かし、誘電体基板７上のス） ＩＪＪツブ体９からの放
射損失が大きく特性劣化の原因となる上、導波管に続く
回路か増幅回路の場合能動素子の入力部と出力部が放射
モードの信号により結合し、特性の安定を阻げる原因と
なっていた。特にＳＨＦコンバータにおいては導波管−
マイクロストリップ線路変換器とそれに続く前置増幅回
路部分は８ＨＦコンバ一タ全体の雑音指数を決定する重
要な部分であり低損失で安定な特性か望才れていた。
波電子回路に適しており構造か簡単で一枚基板で回路か
構成されるため生産性に優れておりよく用いられる。し
かし、誘電体基板７上のス） ＩＪＪツブ体９からの放
射損失が大きく特性劣化の原因となる上、導波管に続く
回路か増幅回路の場合能動素子の入力部と出力部が放射
モードの信号により結合し、特性の安定を阻げる原因と
なっていた。特にＳＨＦコンバータにおいては導波管−
マイクロストリップ線路変換器とそれに続く前置増幅回
路部分は８ＨＦコンバ一タ全体の雑音指数を決定する重
要な部分であり低損失で安定な特性か望才れていた。
本発明の目的は、簡単な構成で上記従来技術の欠点を解
消し、低損失かつ安定な特性の得られるマイクロ波電子
回路を提供することにある。
消し、低損失かつ安定な特性の得られるマイクロ波電子
回路を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は導波管とそれに続
（ＭＩＣ構成のマイクロ波電子回路において、誘電体基
板表面若しくは誘電体基板上部近傍にＭＩＣ９部を覆う
導体ケースを設置し導体ケースと導波管を一体構成した
。
（ＭＩＣ構成のマイクロ波電子回路において、誘電体基
板表面若しくは誘電体基板上部近傍にＭＩＣ９部を覆う
導体ケースを設置し導体ケースと導波管を一体構成した
。
第２図は本発明を２段構成の増幅回路に適用した一実施
例である。裏面を接地導体８とした誘電体基板７の表面
にストリップ導体９とマイクロ波電子部品４，５でＭＩ
ＣをＩ！成し、接地導体８に支持金属板６か密着されて
いる。才たＨ面で二分割された終端短絡導波管１０．１
１内にＭＩＣの一端のマイクロストＩＪツブ純絡路１３
挿入され、二分割された終端短絡導波管１０．１１は誘
電体基板７に形成された溝１２を貫通して支持金属板６
及びｉｔ体基板７をはさみ導波管−マイクロストリップ
線路変換器が構成されている。
例である。裏面を接地導体８とした誘電体基板７の表面
にストリップ導体９とマイクロ波電子部品４，５でＭＩ
ＣをＩ！成し、接地導体８に支持金属板６か密着されて
いる。才たＨ面で二分割された終端短絡導波管１０．１
１内にＭＩＣの一端のマイクロストＩＪツブ純絡路１３
挿入され、二分割された終端短絡導波管１０．１１は誘
電体基板７に形成された溝１２を貫通して支持金属板６
及びｉｔ体基板７をはさみ導波管−マイクロストリップ
線路変換器が構成されている。
導波管−マイクロストＩＪＪツブ路変換器とそれに続（
ＭＩＣ構成のマイクロ波電子回路において、導波管と一
体構成の導体枠１かその一端を第２のマイクロ波−子部
品４０入出力端子間でかつ上方近傍に位置させＭＩＣ要
部を囲むように設置され、導体枠１上端には導体板２が
設置され導体ケースが構成される。導体枠１下端は誘電
体基板７上方近傍もしくは誘電体基板７表面に配置され
ている。
ＭＩＣ構成のマイクロ波電子回路において、導波管と一
体構成の導体枠１かその一端を第２のマイクロ波−子部
品４０入出力端子間でかつ上方近傍に位置させＭＩＣ要
部を囲むように設置され、導体枠１上端には導体板２が
設置され導体ケースが構成される。導体枠１下端は誘電
体基板７上方近傍もしくは誘電体基板７表面に配置され
ている。
導体ケース内部には下端か第１のマイクロ波電子部品５
０人出力端子間でかつ上方近傍に位置し上端を導体枠１
とそろえた導体壁３が配置されている。第３図は導体枠
１の位置を示す上方正面図である。ストリップ導体９の
上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電子回路の
放射損失を低減でき、マイクロ波電子部品４゜５のそれ
ぞれの入出力間の上方に位置する導体壁３及び導体枠１
によりマイクロ波電子部品４゜５のそれぞれの入出力間
が分離され放射モードの信号による結合を抑圧できる。
０人出力端子間でかつ上方近傍に位置し上端を導体枠１
とそろえた導体壁３が配置されている。第３図は導体枠
１の位置を示す上方正面図である。ストリップ導体９の
上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電子回路の
放射損失を低減でき、マイクロ波電子部品４゜５のそれ
ぞれの入出力間の上方に位置する導体壁３及び導体枠１
によりマイクロ波電子部品４゜５のそれぞれの入出力間
が分離され放射モードの信号による結合を抑圧できる。
さらに支持金属板６と導体枠１をネジ１５等の部材で固
定することでＩｊ’ｆＪＬ体基板７と支持金属板６の圧
着効果も得ることができる。本発明によれば低損失で安
定な特性を得ることができる。
定することでＩｊ’ｆＪＬ体基板７と支持金属板６の圧
着効果も得ることができる。本発明によれば低損失で安
定な特性を得ることができる。
第４図は本発明を１段構成の増幅回路に適用した実施例
である。第２図と同じ番号を付したものは同一部分を示
す。導波管−マイクロストリップ線路変換器とそれに続
（ＭＩＣ構成のマイクロ波回路において導波管と一体構
成の導体枠１がＭＩＣ要部を囲むように設置され、導体
枠１の下端は誘電体基板７光面に位置し、導体枠１の一
端のストリップ導体９と対応する部分には凹溝２０が形
成され、才だ導体枠１の上端には導体板２が設置され導
体ケースが構成される。
である。第２図と同じ番号を付したものは同一部分を示
す。導波管−マイクロストリップ線路変換器とそれに続
（ＭＩＣ構成のマイクロ波回路において導波管と一体構
成の導体枠１がＭＩＣ要部を囲むように設置され、導体
枠１の下端は誘電体基板７光面に位置し、導体枠１の一
端のストリップ導体９と対応する部分には凹溝２０が形
成され、才だ導体枠１の上端には導体板２が設置され導
体ケースが構成される。
導体ケース内部には、下端がマイクロ波電子部品５０人
出力端子間で上方近傍に位置する導体壁３か設置されて
いる。第５図は導体枠１の位置を示す上方正面図である
。
出力端子間で上方近傍に位置する導体壁３か設置されて
いる。第５図は導体枠１の位置を示す上方正面図である
。
ストＩＪＪツブ体９の上方に位置する導体ケースにより
マイクロ波電子回路の放射損失を低減でき、支持金属板
６と導体枠１をネジ１５等の部材で固定することにより
誘電体基板７と支持金属板６の圧着構造もかねることか
できる。また導体ケース内の導体壁３によりマイクロ波
電子部品の入出力を分離し放射モードの信号による結合
を低減できる。したがって本発明によれは低損失で安定
な特性のマイクロ波電子回路を得ることができる。
マイクロ波電子回路の放射損失を低減でき、支持金属板
６と導体枠１をネジ１５等の部材で固定することにより
誘電体基板７と支持金属板６の圧着構造もかねることか
できる。また導体ケース内の導体壁３によりマイクロ波
電子部品の入出力を分離し放射モードの信号による結合
を低減できる。したがって本発明によれは低損失で安定
な特性のマイクロ波電子回路を得ることができる。
第６図は本発明を１段構成の増幅回路に適用した別の実
施例である。第２図と同じ番号を付したものは同一部分
を示す。導波管−マイクロストリップ線路変換器とそれ
に続（ＭＩＣから成るマイクロ波回路において、下端が
誘電体基板７上方近傍に位置し一端がマイクロ波電子部
品５０入出力間で上方に位置するＭＩＣ要部を囲む導体
枠１か導波管と一体構成され導体枠１の上端に導体板２
を配置した導体ケースが構成されている。ストＩＪツブ
導体９の上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電
子回路の放射損失を低減でき、マイクロ波電子部品５０
入出力端子間の中心線の上方に導体枠１の一部か位置す
るためマイクロ波電子部品５０入出力を分離でき放射モ
ードの信号による結合を抑圧できる。さらに導体枠１の
下端が誘電体基板７の上方近傍に位置するため、ス）
ＩＪツブ導体９の配置と無関係に導体ケース形状を選択
できる。本発明によれは、小型の導体ケースを用いて安
定で低損失の特性を得ることかできる。
施例である。第２図と同じ番号を付したものは同一部分
を示す。導波管−マイクロストリップ線路変換器とそれ
に続（ＭＩＣから成るマイクロ波回路において、下端が
誘電体基板７上方近傍に位置し一端がマイクロ波電子部
品５０入出力間で上方に位置するＭＩＣ要部を囲む導体
枠１か導波管と一体構成され導体枠１の上端に導体板２
を配置した導体ケースが構成されている。ストＩＪツブ
導体９の上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電
子回路の放射損失を低減でき、マイクロ波電子部品５０
入出力端子間の中心線の上方に導体枠１の一部か位置す
るためマイクロ波電子部品５０入出力を分離でき放射モ
ードの信号による結合を抑圧できる。さらに導体枠１の
下端が誘電体基板７の上方近傍に位置するため、ス）
ＩＪツブ導体９の配置と無関係に導体ケース形状を選択
できる。本発明によれは、小型の導体ケースを用いて安
定で低損失の特性を得ることかできる。
第８図は本発明を示す別の実施例で１段構成の増幅回路
への適用例である。第２図と同じ番号を付したものは同
一部分を示す。導波管−マイクロス） ＩＪツブ線路変
換器とそれに続（ＭＩＣから成るマイクロ波回路におい
て、下端が誘電体基板７表面に位置し、ストリップ導体
９と対応する部分には凹溝２０か形成された導体枠１が
導波管と一体構成され、導体枠１の上端には導体板２が
設置された導体ケースか構成されている。ス） ＩＪツ
ブ導体９上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電
子回路の放射損失を低減でき支持金属板６と導体枠１を
ネジ１５等の部材で固定することにより誘電体基板７と
支持金属板６の圧着構造もかねることかできる。したが
って本発明により低損失で安定な特性のマイクロ波電子
回路を得ることができる。
への適用例である。第２図と同じ番号を付したものは同
一部分を示す。導波管−マイクロス） ＩＪツブ線路変
換器とそれに続（ＭＩＣから成るマイクロ波回路におい
て、下端が誘電体基板７表面に位置し、ストリップ導体
９と対応する部分には凹溝２０か形成された導体枠１が
導波管と一体構成され、導体枠１の上端には導体板２が
設置された導体ケースか構成されている。ス） ＩＪツ
ブ導体９上方に位置する導体ケースによりマイクロ波電
子回路の放射損失を低減でき支持金属板６と導体枠１を
ネジ１５等の部材で固定することにより誘電体基板７と
支持金属板６の圧着構造もかねることかできる。したが
って本発明により低損失で安定な特性のマイクロ波電子
回路を得ることができる。
第９図は本発明を示す１段構成の増幅回路への適用例で
ある。裏面を接地導体８とした誘電体基板７０表向にス
トリップ導体９とマイクロ波電子部品５でＭＩＣを構成
し、接地導体８に支持金属板６が密着されている。また
終端短絡導波管１６のＥ ｉ＋中央付近で水平にＭＩＣ
と支持金属板６を合わせた厚みとほぼ同じ幅の溝１４か
形成され、終端短絡導波管１６内部にＭＩＣの一端のマ
イクロストリップ線路１３が位置するように＃に１４に
ＭＩＣと支持金属板６を挿入し、導波管−マイクロスト
リップ線路変換器及びそれに続くマイクロ波電子回路が
構成されている。このマイクロ波電子回路において、下
端が誘電体基板７上方近傍に位置し、一端かマイクロ波
電子部品５の入出力間に位置するＭＩＣ要部を囲む導体
枠１が終端短絡導波管１６と一体構成され導体枠１上端
に設置される導体板２とで導体ケースを構成する。この
導体ケースにより、第４図に示した実施例と同じ効果を
得ることができる。
ある。裏面を接地導体８とした誘電体基板７０表向にス
トリップ導体９とマイクロ波電子部品５でＭＩＣを構成
し、接地導体８に支持金属板６が密着されている。また
終端短絡導波管１６のＥ ｉ＋中央付近で水平にＭＩＣ
と支持金属板６を合わせた厚みとほぼ同じ幅の溝１４か
形成され、終端短絡導波管１６内部にＭＩＣの一端のマ
イクロストリップ線路１３が位置するように＃に１４に
ＭＩＣと支持金属板６を挿入し、導波管−マイクロスト
リップ線路変換器及びそれに続くマイクロ波電子回路が
構成されている。このマイクロ波電子回路において、下
端が誘電体基板７上方近傍に位置し、一端かマイクロ波
電子部品５の入出力間に位置するＭＩＣ要部を囲む導体
枠１が終端短絡導波管１６と一体構成され導体枠１上端
に設置される導体板２とで導体ケースを構成する。この
導体ケースにより、第４図に示した実施例と同じ効果を
得ることができる。
第１０図は本発明を示す別の実施例で、２段構成の増幅
回路への適用例である。裏面を接地導体８とした誘電体
基板７の表面にス） ＩＪツブ導体９とマイクロ波電子
部品４，５でＭＩＣを構成し接地導体８に支持金属板６
か密着されている。才たＭＩＣの入力部のストＩＪツブ
導体２１に終端短絡導波管を用いた導波管−同軸線路変
換器１７の出力端子２２か接続されマイクロ波を子回路
か構成されている。このマイクロ波電子回路において、
導波管−同軸線路変換器１７と一体構成の導体枠１の一
端か第２のマイクロ波翫子部品４０入出力間の上方近傍
に位置しＭＩＣ要部を囲むように設置されている。導体
枠１とストリップ導体９と相対する部分では導体枠１下
端は誘電体基板上方近傍に位置され、他は誘電体基板７
表面に位置されている。導体枠１上端には導体板２か設
置され導体ゲースが構成されている。導体ケース内部に
は下端か第１のマイク □ロ波電子部品５０入出力端子
間の上方近傍に位置する上端を導体枠１上端とそろえた
擲体壁３が配置されている。この導体ケースにより第２
図に示した実施例と同じ効果を得ることかできる。
回路への適用例である。裏面を接地導体８とした誘電体
基板７の表面にス） ＩＪツブ導体９とマイクロ波電子
部品４，５でＭＩＣを構成し接地導体８に支持金属板６
か密着されている。才たＭＩＣの入力部のストＩＪツブ
導体２１に終端短絡導波管を用いた導波管−同軸線路変
換器１７の出力端子２２か接続されマイクロ波を子回路
か構成されている。このマイクロ波電子回路において、
導波管−同軸線路変換器１７と一体構成の導体枠１の一
端か第２のマイクロ波翫子部品４０入出力間の上方近傍
に位置しＭＩＣ要部を囲むように設置されている。導体
枠１とストリップ導体９と相対する部分では導体枠１下
端は誘電体基板上方近傍に位置され、他は誘電体基板７
表面に位置されている。導体枠１上端には導体板２か設
置され導体ゲースが構成されている。導体ケース内部に
は下端か第１のマイク □ロ波電子部品５０入出力端子
間の上方近傍に位置する上端を導体枠１上端とそろえた
擲体壁３が配置されている。この導体ケースにより第２
図に示した実施例と同じ効果を得ることかできる。
第１１図は本発明をＳＨＦコンバータの２段構成前置増
幅回路に用いた一実施例である。第１２図はその実施部
分の詳細を示す上方正拘図である。裏面を接地導体８と
した誘電体基板７０表面にストリップ導体９により、２
段構成前置増幅回路３０、ミクサ回路３１、局部発振回
路３２．１Ｆ増幅回路３３がＭＩＣ構成され、接地導体
８に支持金属板６が密層され、入力部には導波管−マイ
クロストＩＪツブ線路変換器１８を具備し、５１−Ｉ
Ｆコンバータが＃！成されでいる。また前置増幅回路３
０υとは、トランジスタ４，５が笑装されている。この
ＭＩＣ＠成ＳＨＦコンバータにおいて、導波管−マイク
ロストリップ線路変換器と一体枯成の導体枠１の一端か
前置増幅回路後段のトランジスタ４０大田方間の上方近
傍に位置し、＊ｉＪ麺、増幅回路３００回路パターンを
囲むように設置されている。導体枠１とストリップ導体
９が相対する部分は、導体枠１の一部が除去され、導体
枠１の下端は誘電体基板７表面に位置する。導体枠１上
端には導体板２が設置され導体ケースか構成されている
。導体ケース内部には下端が前置増幅回路３０の初段の
トランジスタ５の入出力間の上方近傍に位置する導体壁
３が設置されている。導体ケースにより前置増幅回路３
００回路パターンからの放射損失を低減でき、トランジ
スタ４，５はそれぞれの入力部と出力部間の上方に位置
する導体枠１および導体壁３によりトランジスタ４，５
のそれぞれの大田力が分離され放射モードの信号による
結合を抑圧できるため、ＳＨＦコンバータの低雑音化に
効果が大きい。
幅回路に用いた一実施例である。第１２図はその実施部
分の詳細を示す上方正拘図である。裏面を接地導体８と
した誘電体基板７０表面にストリップ導体９により、２
段構成前置増幅回路３０、ミクサ回路３１、局部発振回
路３２．１Ｆ増幅回路３３がＭＩＣ構成され、接地導体
８に支持金属板６が密層され、入力部には導波管−マイ
クロストＩＪツブ線路変換器１８を具備し、５１−Ｉ
Ｆコンバータが＃！成されでいる。また前置増幅回路３
０υとは、トランジスタ４，５が笑装されている。この
ＭＩＣ＠成ＳＨＦコンバータにおいて、導波管−マイク
ロストリップ線路変換器と一体枯成の導体枠１の一端か
前置増幅回路後段のトランジスタ４０大田方間の上方近
傍に位置し、＊ｉＪ麺、増幅回路３００回路パターンを
囲むように設置されている。導体枠１とストリップ導体
９が相対する部分は、導体枠１の一部が除去され、導体
枠１の下端は誘電体基板７表面に位置する。導体枠１上
端には導体板２が設置され導体ケースか構成されている
。導体ケース内部には下端が前置増幅回路３０の初段の
トランジスタ５の入出力間の上方近傍に位置する導体壁
３が設置されている。導体ケースにより前置増幅回路３
００回路パターンからの放射損失を低減でき、トランジ
スタ４，５はそれぞれの入力部と出力部間の上方に位置
する導体枠１および導体壁３によりトランジスタ４，５
のそれぞれの大田力が分離され放射モードの信号による
結合を抑圧できるため、ＳＨＦコンバータの低雑音化に
効果が大きい。
なお、これらの実施例は１段構成増幅回路と２段増幅回
路を例に本発明を説明したもので、本発明は１段栴成お
よび２段構成増幅回路に限るものでないことは言うまで
もない。
路を例に本発明を説明したもので、本発明は１段栴成お
よび２段構成増幅回路に限るものでないことは言うまで
もない。
以上述べたように本発明によれば、簡単な構成で低損失
で安定なマイクロ波電子回路を得ることかできる。
で安定なマイクロ波電子回路を得ることかできる。
第１図は従来例を示す分解斜視図、第２図、第４図、第
６図、第８図、第９図、第１０図は本発明の実施例を示
す分解斜視図、第３図は第２図の平面図、第５図は第４
図の平面図、第７図は第６図の平面図、第１１図は本発
明をＳＨＦコンバータに実施した例を示す斜視図、第１
２図は第１１図の主要部平面図である。 １・・・導体枠 ２・・・導体板 ３・・・導体壁 ４．５・・・マイクロ波電子部品 ６・・・支持金属板 ７・・・誘電体基板８・・・接地
導体 ９・・・ストリップ導体１０．１１・・・終端短
絡導波管 １５・・・ネジ ２０・・・凹溝 罵 １ 図 僧′ ４ ［Ａ 冨３図 第 ＋ 四 γＣ図 ′窮乙図 冨７図 第 ８ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ５９ 年特許願第 ４７０５４ 号発明の名称 マイクロ波回路装置 補正をする者 軒と１係 特許出願人 名 称 （５１０）株式会ト１ 日 立 製 作 所代
理 人 補正の対象 図面（第１図、第２図、第４図、第６図第
８図） 補正の内容 第１図、第２図、第４図、第６図、第８図
を別紙の通り補正する。 第 １ 図 第 ４ 図 第６図
６図、第８図、第９図、第１０図は本発明の実施例を示
す分解斜視図、第３図は第２図の平面図、第５図は第４
図の平面図、第７図は第６図の平面図、第１１図は本発
明をＳＨＦコンバータに実施した例を示す斜視図、第１
２図は第１１図の主要部平面図である。 １・・・導体枠 ２・・・導体板 ３・・・導体壁 ４．５・・・マイクロ波電子部品 ６・・・支持金属板 ７・・・誘電体基板８・・・接地
導体 ９・・・ストリップ導体１０．１１・・・終端短
絡導波管 １５・・・ネジ ２０・・・凹溝 罵 １ 図 僧′ ４ ［Ａ 冨３図 第 ＋ 四 γＣ図 ′窮乙図 冨７図 第 ８ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ５９ 年特許願第 ４７０５４ 号発明の名称 マイクロ波回路装置 補正をする者 軒と１係 特許出願人 名 称 （５１０）株式会ト１ 日 立 製 作 所代
理 人 補正の対象 図面（第１図、第２図、第４図、第６図第
８図） 補正の内容 第１図、第２図、第４図、第６図、第８図
を別紙の通り補正する。 第 １ 図 第 ４ 図 第６図
Claims (1)
- （１）誘電体基板の一面にストリップ導体を他面に接地
導体を有するマイクロストＩＪツブ線路で構成される回
路の一端に、導波管を具備しかつ、導波管モードの信号
からマイクロストリップ線路モードの信号への変換回路
を具備するマイクロ波電子回路において、下端が誘電体
基板表面あるいは誘電体基板上部近傍に位置しマイクロ
波を子回路要部を囲む導体枠と導体枠上端に設置する導
体板より成る導体ケースを導波管と一体構成したことを
特徴とするマイクロ波回路装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波回路装置
において、導体枠の一端が、マイクロ波電子回路要部を
構成するマイクロ波電子部品の入出力端子間の上方近傍
に位置するマイクロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047054A JPS60192401A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047054A JPS60192401A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | マイクロ波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60192401A true JPS60192401A (ja) | 1985-09-30 |
Family
ID=12764443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047054A Pending JPS60192401A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60192401A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829553A (en) * | 1988-01-19 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip type component |
| JPH0626606U (ja) * | 1992-08-19 | 1994-04-12 | 香賓精密工業股▲ふうん▼有限公司 | 通気性敷物 |
| JPH06132708A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-05-13 | Nec Corp | マイクロ波ｉｃモジュール |
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| US7253698B2 (en) | 2002-08-27 | 2007-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Line converter for coupling standing waves to a shield area of a three dimensional waveguide |
| US7420502B2 (en) | 2002-06-06 | 2008-09-02 | Claudio Hartzstein | Forward-looking radar system |
| EP2161781A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-10 | Inter-University Research Institute National Institutes of Natural Sciences | Antenna array |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59047054A patent/JPS60192401A/ja active Pending
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| US7233216B2 (en) | 2003-08-19 | 2007-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Line transition having a notch in the dielectric substrate adjacent the coupling line pattern |
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| WO2006067046A1 (fr) | 2004-12-20 | 2006-06-29 | United Monolithic Semiconductors Sas | Composant electronique miniature pour applications hyperfrequences |
| US8624373B2 (en) | 2004-12-20 | 2014-01-07 | United Monolithic Semiconductor S.A. | Miniature electronic component for microwave applications |
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| JP2010062994A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | National Institutes Of Natural Sciences | アンテナアレイ |
| US8604991B2 (en) | 2008-09-05 | 2013-12-10 | Inter-University Research Institute National Institutes Of Natural Sciences | Two-dimensional antenna array for microwave imaging |
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