JPS60183720A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60183720A JPS60183720A JP4076584A JP4076584A JPS60183720A JP S60183720 A JPS60183720 A JP S60183720A JP 4076584 A JP4076584 A JP 4076584A JP 4076584 A JP4076584 A JP 4076584A JP S60183720 A JPS60183720 A JP S60183720A
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- JP
- Japan
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- substrate
- crucible
- opening
- heat
- thin film
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜蒸着装置
の熱遮蔽に関するものである。
の熱遮蔽に関するものである。
従来の薄膜蒸着装置を第１図に示す。図において、１は
基板１３に蒸着すべき蒸着物質である金ｊ尼２を内部に
収容するるつぼ、３ば該るつぼｌの上面に形成された噴
射孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属
蒸気、５は上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は
交流電源、７は直流電源、８はグリッド、９は上記金属
蒸気４をイオン化するだめの熱電子を放出するイオン化
フィラメント、１０は交流電源、１１は直流電源、１２
は上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１
４は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は
直流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する
熱シールド仮、１７ば所定の真空度に保持された真空容
器である。
基板１３に蒸着すべき蒸着物質である金ｊ尼２を内部に
収容するるつぼ、３ば該るつぼｌの上面に形成された噴
射孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属
蒸気、５は上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は
交流電源、７は直流電源、８はグリッド、９は上記金属
蒸気４をイオン化するだめの熱電子を放出するイオン化
フィラメント、１０は交流電源、１１は直流電源、１２
は上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１
４は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は
直流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する
熱シールド仮、１７ば所定の真空度に保持された真空容
器である。
次に動作について説明する。
第１図において、フィラメント５は電源６によっ゛ζ加
熱され、電源７によって与えられた電圧により電子をる
つぼ１に照射し、該るつぼｌは該電子の衝突を受けて加
熱される。これによりるつぼ１内の金属２は蒸発し、該
金属蒸気は噴射孔３から真空中に噴射される。該噴射さ
れた金属蒸気４はイオン化フィラメント９．電源１０．
グリッド８によって発生された熱電子の衝突を受けてイ
オン化され、該イオン化された金属蒸気４は加速電極１
２と電源１５とによって加速され、基板１３に射突して
蒸着薄膜１４を作る。
熱され、電源７によって与えられた電圧により電子をる
つぼ１に照射し、該るつぼｌは該電子の衝突を受けて加
熱される。これによりるつぼ１内の金属２は蒸発し、該
金属蒸気は噴射孔３から真空中に噴射される。該噴射さ
れた金属蒸気４はイオン化フィラメント９．電源１０．
グリッド８によって発生された熱電子の衝突を受けてイ
オン化され、該イオン化された金属蒸気４は加速電極１
２と電源１５とによって加速され、基板１３に射突して
蒸着薄膜１４を作る。
ところで、この薄膜蒸着装置においては、上記金ＦＦ
Ｍ気４を発生せしめろ際、上記るっぽ１ば相当の高温に
なり、そのため輻射熱が該るっぽ１の表面から周囲に放
出されることとなる。そこでこの（メを床装置では、る
っぽ１の側面及び底面の外方にはＦ記輻射熱を反射させ
る熱シールド坂１６を配置しており、また」二面におい
ては上記加速型（）１２を熱シールド板に共用している
。しかしこの加速電極１２はるっぽ１がらがなり上方に
離れた位置にあるため金ＪＦｆｓ 蒸気４は該電極１２
部分を拡がって通ることとなり、そのための加速型ｆｉ
１２には大きな開１１部が形成されている。このためる
つぼ１の噴射孔３側の面からの輻射熱は、上記開口部を
通ゲζ基板１３に到達して該基板１３を加熱することに
なる。そこで従来の薄膜蒸着装置では、基板の温度上昇
を防止するためには基板１３を冷却する必要があった。
Ｍ気４を発生せしめろ際、上記るっぽ１ば相当の高温に
なり、そのため輻射熱が該るっぽ１の表面から周囲に放
出されることとなる。そこでこの（メを床装置では、る
っぽ１の側面及び底面の外方にはＦ記輻射熱を反射させ
る熱シールド坂１６を配置しており、また」二面におい
ては上記加速型（）１２を熱シールド板に共用している
。しかしこの加速電極１２はるっぽ１がらがなり上方に
離れた位置にあるため金ＪＦｆｓ 蒸気４は該電極１２
部分を拡がって通ることとなり、そのための加速型ｆｉ
１２には大きな開１１部が形成されている。このためる
つぼ１の噴射孔３側の面からの輻射熱は、上記開口部を
通ゲζ基板１３に到達して該基板１３を加熱することに
なる。そこで従来の薄膜蒸着装置では、基板の温度上昇
を防止するためには基板１３を冷却する必要があった。
本発明は、上記のような従来のものの欠点をなくすため
になされたもので、るつぼを耐熱性の断熱材からなる断
熱容器内に収容し、該断熱容器のるつぼと基板とを結ぶ
直線上以外の部分に蒸気が通る開口を形成し、さらに蒸
気を開口を通して基板に導びく偏向手段を設けることに
より、るつぼからの輻射熱が基板にあまり届がないよう
にして基板の熱影響を小さくできる薄膜蒸着装置を提供
することを目的としている。
になされたもので、るつぼを耐熱性の断熱材からなる断
熱容器内に収容し、該断熱容器のるつぼと基板とを結ぶ
直線上以外の部分に蒸気が通る開口を形成し、さらに蒸
気を開口を通して基板に導びく偏向手段を設けることに
より、るつぼからの輻射熱が基板にあまり届がないよう
にして基板の熱影響を小さくできる薄膜蒸着装置を提供
することを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。図において、ｆｆ１
１図と同一符号は同−又は相当部分示し、２１は耐熱性
の断熱材からなる断チ１ハ容器で、該容器２１内にはる
つぼ１．フィラメント５．グリッド８及びイオン化フィ
ラメン１−９が収容されている。
１図と同一符号は同−又は相当部分示し、２１は耐熱性
の断熱材からなる断チ１ハ容器で、該容器２１内にはる
つぼ１．フィラメント５．グリッド８及びイオン化フィ
ラメン１−９が収容されている。
そして、上記断熱容器２１の図示右側壁の」二部には、
蒸気４が通る開口２２が形成されており、該開［」２２
の右方にば、基板工３が該開口２２と対向して配設され
ている。このように上記開口２２は、るつぼ■と基板１
３とを結ぶ直線上からずれている。
蒸気４が通る開口２２が形成されており、該開［」２２
の右方にば、基板工３が該開口２２と対向して配設され
ている。このように上記開口２２は、るつぼ■と基板１
３とを結ぶ直線上からずれている。
また、上記断熱容器２１の上記間ｌ」２２の少し内方及
び少し外方には、偏向手段である偏向電極２３．２４が
配設されており、該偏向電極２３゜２４は、上記るつぼ
１からの蒸気４を」二記開口２２を通して基板１３に導
びくためのものである。
び少し外方には、偏向手段である偏向電極２３．２４が
配設されており、該偏向電極２３゜２４は、上記るつぼ
１からの蒸気４を」二記開口２２を通して基板１３に導
びくためのものである。
また本実施例では、加速電極１２は」二記偏向電極２４
と基板１３との間に配設されている。
と基板１３との間に配設されている。
次に作用効果につい”ζ説明する。
本実施例装置により基板１３に薄膜を蒸着形成るつは１
の噴射孔３から噴出する金属蒸気４は、グリッド８及び
イオン化フィラメント９でイオン化され、偏向電極２３
に引き寄せられて曲げられ、開ｌ」２２を通っ′ζ断熱
容器２１の外方に導びかれ、さらに該金属蒸気４ば偏向
電極２４により基板１３に到達するよう偏向され、しか
る後加速電極１２によって加速されて基板１３に射突し
、その結果基板１３上に薄膜１４が蒸着形成される。
の噴射孔３から噴出する金属蒸気４は、グリッド８及び
イオン化フィラメント９でイオン化され、偏向電極２３
に引き寄せられて曲げられ、開ｌ」２２を通っ′ζ断熱
容器２１の外方に導びかれ、さらに該金属蒸気４ば偏向
電極２４により基板１３に到達するよう偏向され、しか
る後加速電極１２によって加速されて基板１３に射突し
、その結果基板１３上に薄膜１４が蒸着形成される。
このように本実施例では、断ｆ：ｊＨ容器２１のるつぼ
ｌと基板１３とを結ぶ直線上以外の部分に開口２２を形
成したので、るつぼ１からの輻射熱が基板１３に直接届
くことはなく、従って基板１３がるつぼ１の輻射熱の影
響を受けることはなく、基板冷却装置などクチ別な装置
を不要にできる。
ｌと基板１３とを結ぶ直線上以外の部分に開口２２を形
成したので、るつぼ１からの輻射熱が基板１３に直接届
くことはなく、従って基板１３がるつぼ１の輻射熱の影
響を受けることはなく、基板冷却装置などクチ別な装置
を不要にできる。
以−にのように本発明に係る；Ｗ膜蒸着装置によれば、
るつぼを］折熟熱容器に収容し、該断熱容器のるつぼと
基板とを結ぶ直線上以外の部分に蒸気が通る開目を形成
し、さらに蒸気を上記開ｌコを通して基板に導びく偏向
手段を設けたので、るつぼからの輻射熱が基板に直接届
（のを防止して該輻射熱の基板への悪影響を防止でき、
基板冷却装置を不要にできる効果がある。
るつぼを］折熟熱容器に収容し、該断熱容器のるつぼと
基板とを結ぶ直線上以外の部分に蒸気が通る開目を形成
し、さらに蒸気を上記開ｌコを通して基板に導びく偏向
手段を設けたので、るつぼからの輻射熱が基板に直接届
（のを防止して該輻射熱の基板への悪影響を防止でき、
基板冷却装置を不要にできる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図は本
発明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構成図である
。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、１３・・・基板、
２１・・・断熱縁ｚ：４．２２・・・開口、２３．２４
・・・偏向手段。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図
発明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構成図である
。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、１３・・・基板、
２１・・・断熱縁ｚ：４．２２・・・開口、２３．２４
・・・偏向手段。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図
Claims (1)
- （１）基板に蒸着すべき蒸着物質の蒸気を噴出するるつ
ぼと、該るつぼからの蒸気をイオン化するイオン化手段
と、該イオン化された蒸気を加速して基板に徨ｉ突させ
て薄膜を蒸着させる加速手段とを備えた薄膜蒸着装置に
おいて、上記るつぼは耐熱性の断熱材からなる断熱容器
内に収容され、該断熱容器の上記るつぼと基板とを結ぶ
直線上以外の部分に蒸気が通る開口が形成され、該開口
の近傍にはるつぼからの蒸気を該開１コを通して基板に
導びく偏向手段が設けられていることを特徴とする薄膜
蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076584A JPS60183720A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076584A JPS60183720A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183720A true JPS60183720A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12589717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076584A Pending JPS60183720A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183720A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318183A (en) * | 1976-06-16 | 1978-02-20 | American Chain & Cable Co | Intermittent drive conveyor system |
| JPS5372467A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS56169771A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Device for preparing thin film by using ion beam |
| JPS58121622A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ム発生装置 |
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP4076584A patent/JPS60183720A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318183A (en) * | 1976-06-16 | 1978-02-20 | American Chain & Cable Co | Intermittent drive conveyor system |
| JPS5372467A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS56169771A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Device for preparing thin film by using ion beam |
| JPS58121622A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ム発生装置 |
| JPS60100421A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム装置 |
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