JPS60182533A - 光デイスク溝つき原盤の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明はプリグループ原盤の溝形状を一定とする光デイ
スク溝付き原盤の製造方法に関する。

（ｂ）技術の背景 光ディスクは大容量の情報を記録することができ、記録
と再生をディスク面と非接触で行うことができ、また塵
埃などの影響を受け難いなど各種の特徴をもつメモリで
ある。

すなわち磁気ディスクや磁気テープでは１ビツトの情報
記録に数１０乃至数１００平方μｍの面積が必要である
のに対し、光ディスクの場合は直径が約１μｍのスポッ
トにレーザ光を絞り込んで行うので、１ビツトの情報記
録は１平方μｍ程度の小面積で足りる。

また情報の記録或いは再生に当たってレンズにより絞り
込んだレーザ光のレンズ端面から焦点面までの距離は通
常１乃至２ｍ＋１あるため磁気ディスクで問題となるヘ
ッドクラッシュのような問題は避けることができる。

また再生用のレーザスポットば】朋程度の透明なカバー
を通して絞り込んでいるので記録面がむき出しになって
おらず、そのため汚染を避けることができ、また直径が
１μｍ程度の光スポットも透明カバーの上面では直径が
１鶴程度の光ビームであるため数１０μｍ程度のゴミや
ホコリは記録の再生に殆ど影響を及ぼさないと云う利点
がある。

かかる光ディスクは良く研磨されたガラス円板にホトレ
ジストをスピンコードし、これにレーザ光を選択露光し
てプリグループ及びアドレスを書込んだプリグループ原
盤を作り、これにニッケル（Ｎｉ　）１着とメッキ処理
を行ってマザースタンパが作られる。

次ぎにこのマザースタンバを鋳型としてレコード製作と
類似の方法で合成樹脂を成形し、これに記録層を蒸着し
てプリグループ光ディスクができあがる。

本発明はレジストを塗布したガラス円板にレーザ光を選
択照射し、プリグループを書き込み光デイスク溝付き原
盤を形成する方法に関するものである。

（Ｃ）従来技術と問題点 光デイスク用プリグループ原盤は先に記したように平滑
に研磨したガラス基板にホトレジストを塗布し、これに
レーザ光を同心円状か或いはスパイラル状に選択露光し
、これを現像して作られている。

第１図はかかる露光装置の構成を示すもので、ホトレジ
ストを塗布したガラス基板１はスピンドルモータ２の上
に載置されて回転すると共に送りモータ３によって半径
方向に移動が可能なように構成されている。

一方情報の書込みを行うレーザ光はアルゴン（Ａｒ）な
どのレーザ光源４から出絆され、光変調器５において入
力信号６で変調され、ミラー７で反射されたのち、対物
レンズ８によって集光されて基板１のレジスト膜上に０
．５μｍ程度のスポットを形成するよう構成されている
。

ここでレーザ光は光変調器５に加えられる入力信号６に
よりレーザ光をＯＮ・ＯＦＦすると同時に信号電圧によ
り露光パワーを調整できるようになっている。

ここで選択露光と現像によって形成されるプリグループ
は幅が約１μｍ、深さが０．１　μｍ程度の溝であり、
この溝は基板１の内周より外周に互って均等な断面形状
で同心円状或いはスパイラル状に形成されていることが
必要である。

然し第１図に示すような装置を用い、基板１を回転させ
ながら内周より外周に互って露光を行う場合は、基板ｌ
の中心近傍すなわち内周と外周とで−は周速が異なるの
で露光条件を変化させて行う必要がある。

すなわち中心部より外周部に行くに従って周速が増すた
め基板ｌの上のレジスト膜に対し同一条件で露光を行う
には露光パワーを内周より外周に移行するに従って徐々
に増加させるか或いはスピンドルモータ２の回転数を減
少させることが必要となる。

前者の方法は例えば基板１の中心より任意の距離をＲま
たその位置の露光パワーをＰとすると従来は第３図の破
線９で示すように中心より２Ｒの位置での露光パワーを
２Ｐの大きさに保つようにレーザ出力を調整していた。

また後者の方法は所謂るＣ　Ｌ　Ｖ　（Ｃｏｎｔｉｎｕ
ｏｕｓＬｉｎｅｒ　Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）法がこれであっ
て、基板１の回転数を露光位置に従って調整している。

然しなからこのようにして形成された原盤の溝は内外周
に互って一定でなく、外周に行くに従って溝幅が広くす
なわち過露光となる場合が多く、光ディスクの品質特に
トラッキングサーボ信号や情報信号の品質を低下させて
いた。

（ｄ）発明の目的 本発明の目的はプリグループ原盤の製造に際してレーザ
の露光パワーを制御し、基板の内外周に互って均一な溝
形状のプリグループ原盤の製造方法を提供するにある。

（ｅ）発明の構成 本発明の目的は光デイスク用プリグループ原盤の製作に
おいてホトレジストを塗布したレジスト原盤を回転しな
からレーザ光を照射して露光する際の露光位置とパワー
との関係として、該レジスト原盤の中心より露光ゾーン
の内周部までの距離をＲ１、またその位置を感光させる
に必要なレーザ光のパワーをＰｌとするとき、該レジス
ト原盤の前記露光ゾーン内の任意の距離Ｒ２を露光する
レーザ光のパワーＰ２を Ｒ２＝ＰＬ　（２＋３Ｒ２／Ｒ１）１５の値に調節して
露光せしめ、ホトエツチングを行うことを特徴とする光
デイスク溝付き原盤の製造方法により実現することがで
きる。

（ｆ）発明の実施例 本発明は従来の方法で製作されたプリグループ原盤の溝
形状が内周部と外周部とでは異なる理由を探求した結果
なされたものである。

すなわちレーザの露光パワーを半径方向に調整する方法
の場合に従来法が不適当である理由は第２図に示すよう
に光変調器にかかる印加電圧■とレーザ光の出力Ｐとの
特性１０が直線的でないこと、第３図に示す破線９の関
係を内挿すると図の原点をよぎることとなるが、情報が
記録される内周の始点においてレジストが感光するため
には一定の闇値を越えた露光パワーが必要であり、この
ことから半径位置を減少して行く場合でも露光パワーは
闇値以上の値を保っていることが必要で従来の関係は正
しくない。

これらのことから発明者は実験的にレジスト原盤の中心
より情報の記録が行われる露光ゾーンの内側部までの距
離をＲ１、またその位置を感光させるに必要なレーザ光
のパワーをＰｌとするとき、露光ゾーン内にあって中心
より測定して任意の距離Ｒ２を露光するには Ｒ２＝Ｐ１　（２＋３Ｒ２／Ｒ１）１５で示されるＲ２
のパワーで露光すればよいことが判った。

このことはＲ２の距離をＲ１の２倍にとる場合はＲ２の
値として１．６　ＰＬのパワーで露光すればよいことに
なる。

第３図の直線１１はこの関係示すもので、この関係を保
って露光を行うことによって今まで外周に行くに従って
過露光になったのが改まり均一な溝をもつプリグループ
原盤の形成が可能となる。

（ｇ）発明の効果 本発明は今までホトレジストを塗布したガラス基板を回
転させなからレーザ光を投射して露光・現像し、プリグ
ループ原盤を形成する際、露光条件を均一に保つことが
困難でそのため基板の内周と外周とでは溝幅が異なると
云う問題があったが本発明の実施により均一な溝をもつ
プリグループ原盤の製造が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はプリグループ原盤の露光法を説明する図、第２
図は光変調器における印加電圧と光出力との関係図また
第３図は従来方法と本発明の露光条件とを示す説明図で
ある。 図において、１は基板、２はスピンドルモータ、９と１
１は基板の半径位置に対する露光条件。 ＩＬ炉王 第　３　図 享　イ５（イ立　ｊｙ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光デイスク用プリグループ原盤の製作においてホトレジ
   ストを塗布したレジスト原盤を回転しなからレーザ光を
   照射して露光する際の露光位置とパワーとの関係として
   、該レジスト原盤の中心より露光ゾーンの内周部までの
   距離をＲ１、またその位置を感光させるに必要なレーザ
   光のパワーをＰｌとするとき、該レジスト原盤の前記露
   光ゾーン内で中心から任意の距離Ｒ２を露光するレーザ
   光のパワーＰ２を ｐ２　＝Ｐ１　（２＋３Ｒ２／Ｒ１）１５の値に調節し
   て露光せしめ、ポトエソチングを行・うことを特徴とす
   る光デイスク溝〆き原盤の製造方法。