JPS60181030U - 半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク - Google Patents

半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク

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Publication number
JPS60181030U
JPS60181030U JP7023484U JP7023484U JPS60181030U JP S60181030 U JPS60181030 U JP S60181030U JP 7023484 U JP7023484 U JP 7023484U JP 7023484 U JP7023484 U JP 7023484U JP S60181030 U JPS60181030 U JP S60181030U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater block
hole
semiconductor device
bonding
device die
Prior art date
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Pending
Application number
JP7023484U
Other languages
English (en)
Inventor
平井　裕幸
章夫 大塚
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図Ａは本考案の一実施例を示す平面図、第１図Ｂは
正面図、第２図Ａはヒータブロックの使用状態を示す平
面図、第２図Ｂは第２図ＡのＸ−Ｘ′断面図、第３図Ａ
は従来のヒータブロックを示す平面図、第３図Ｂは正面
図である。 １・・・ヒータブロック本体、２，３・・・不活性ガス
供給用スルーホール、４・・・フレームカバー、５・・
・ボンディング用孔。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子をリードフレームアイランド部に接合する際
    の熱源となるヒータブロック本体の上面に不活性ガス供
    給用スルーホールを開口し、その上面をフレームカバー
    で覆った半導体素子グイボンディング用ヒータブロック
    において、前記不活性ガス供給用スルーホールに加えて
    前記ヒータブロック本体の上面に新たな不活性ガス供給
    用スルーホールを、フレームカバーのボンディング用孔
    の範囲内に設けたことを特徴とする半導体素子ダイボン
    ディング用ヒータブロック。
JP7023484U 1984-05-14 1984-05-14 半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク Pending JPS60181030U (ja)

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JP7023484U JPS60181030U (ja) 1984-05-14 1984-05-14 半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク

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JP7023484U JPS60181030U (ja) 1984-05-14 1984-05-14 半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク

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JPS60181030U true JPS60181030U (ja) 1985-12-02

Family

ID=30606646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7023484U Pending JPS60181030U (ja) 1984-05-14 1984-05-14 半導体素子ダイボンデイング用ヒ−タブロツク

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