JPS6018018A - Cmosゲ−ト回路 - Google Patents

Cmosゲ−ト回路

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Publication number
JPS6018018A
JPS6018018A JP58126665A JP12666583A JPS6018018A JP S6018018 A JPS6018018 A JP S6018018A JP 58126665 A JP58126665 A JP 58126665A JP 12666583 A JP12666583 A JP 12666583A JP S6018018 A JPS6018018 A JP S6018018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
channel
gate
network
Prior art date
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Pending
Application number
JP58126665A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Sato
比佐夫 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58126665A priority Critical patent/JPS6018018A/ja
Publication of JPS6018018A publication Critical patent/JPS6018018A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/0948Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/1733Controllable logic circuits
    • H03K19/1738Controllable logic circuits using cascode switch logic [CSL] or cascode emitter coupled logic [CECL]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 路構成に関するもので、特に入力の比較的多いゲート回
路、デコーダ回路に関するものである。
説明をわかシ易くするために具体的な論理関数を取シ上
げて説明する。例としてA 、 B 、 C、Dの4人
力の論理関数1 (A 、 B+C+D )を取り上げ
る。
この論理関数を実現する従来の0M08回路は第1図に
示す回路である。図中1〜4はPチャネル・トラン・ジ
スタ、6〜9はNチャネル・トランジスタで5は出力で
あるclPチャネル・トランジスタの回路網1()とN
チャネル争トヲンジスタノ回路網11は電源と出力5の
間の2端子回路とすると、出力をVSaにする入力に対
しては各々、開・閉となり、出力をVDDにする入力に
対・しては逆に閉・開となる。一般的に言えば、従来の
ゲート回路は入力の値に応じて閉・開となる回路網lO
と逆に開・閉となる回路網11を第2図のよう岐接続し
たものである。この従来のゲート回路で鉱入力の数が増
すと、閉じた回路網中の直列になるトランジスタが多く
なるため抵抗が犬きくなシ、また、出力ノードに接続さ
れるNチャネルeトヲンジスタのドレイン電極の数が増
すため容量が大きくなる。
その結果ゲートの遅延が犬きくなるという欠点があった
。特にPチャネル・トランジスタはオン抵抗が大きいた
め出力の立上フの遅延の増加は著しく、このようなゲー
トを使った設計には充分注意を払わねばならなかった。
本発明はこの欠点を解決しようとするものである。第3
図は本発明の実施例を示す回路図である。
第4図は、例に上げた論理関数と本発明の回路で実施し
た例である。17〜20はNチャネル・トランジスタで
回路網12を構成する。2i −24もNチャネル・ト
ランジスタで回路網11を構成する。回路網1]と12
はある入力に対して一方が閉となれば他方は開となるよ
う構成しなければならない。このようにするにはトラン
ジスタの接続関係を従来の回路(第1図)のPチャネル
側の回路網10と同じにしPチャネル・トランジスタを
Nチャネル拳トヲンジスタで置き換え、かつ、それらの
ゲート電極に反転信号を加えればよい。13と14はP
チャネル・トランジスタで各々のゲートは互いのドレイ
ン電極16と15に接続されている。今、回路網12が
閉、11が開とするとトランジスタ14のゲート電極は
Va&とな)オンし、そのドレイン電極16はVDDと
なり、トランジスタ13のゲート電圧もVDDとなり、
トランジスタ13はオフになる。回路網11と12の開
閉が逆になるとトランジスタl:4 、14のオン・オ
フも逆になる。したがってドレイン電極I6は回路網1
1を閉にする入力に対してはVSS 、開にする入力に
対してはVDDを出力する。ドレイン電Vi、15は1
6の反転出力となる。この回路では比較的オン抵抗の小
さいNチャネル・トランジスタで回路が組凍れているた
め閉状態での抵抗が小さく、また回路網の負荷はPチャ
ネル・トランジスタ13又は14のゲート容量とドレイ
ン容量のみであるので、従来の回路よル入力数の増加に
対して遅延の増加を小さくすることができる。つまシ、
本発明の回路には多入力の論理回路の遅延時間を小さく
すると−う長所がある。反転入力を必要とする点は反転
信号を作り出すためのゲート回路も追加になるが、デコ
ーダ回路のように入力が反転信号と組になっている回路
ではゲートの増加にはならないのでゲート回路に向いて
いる。特にマイクロ・コンピュータの命令デコーダのよ
うに入力数が多いデコーダに向いている。
本発明からPチャネル・トランジスタとNチャネル・ト
ランジスタを入れ換えた論理回路は容易に考えつくもの
であるが、しかも、Pチャネル・トランジスタのオン抵
抗が大きいことを考えると有用性の低いものである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来のC,MOE論理回路を示す図。 1〜4:Pチャネル・トランジスタ 6〜9:Nチヤネル・トランジスタ 5:出力 川:Pチャネル・トランジスタの回路網11 : Nチ
ャネル・トランジスタの回路網第3図、第4図は本発明
の実施例である論理回路を示す図。 13 、14 : Pチャネル・トランジスタ15 、
16 : )ヲンジスタ13 、14のドレイン電極で
あると同時に互いに反転した出力であ る。 12:Nチャネル会トヲンジスタの回路網17〜24:
Nチャネル拳トヲンジスタ以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 vOD V’op 81 図 市2図 第6図 11

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 0MO8・工Cのゲート回路に於て、複数の入力信号と
    該入力信号の反転入力信号を入力とし、ソース電極を電
    源の高電圧側(以後VDDと呼ぶ)に接続し、ドレイン
    電極を互いのゲート電極と接続した2つのPチャネル・
    トランジスタと、該2つのトランジスタのドレイン電極
    と電源の低電圧側(以後VSSと呼ぶ)との間に接続さ
    れ前記入力をゲート電極に加え入力値に応じて開・閉と
    なるNチャネル・トランジスタの回路網と前記反転入力
    をゲート電極に加え入力値に対し該回路網とは開閉が逆
    になるNチャネル・トランジスタの回路網との2つの回
    路網から成り、前記Pチャネルトランジスタのドレイン
    電極よシ出力を得ることを特徴とするCMOSゲート回
    路。
JP58126665A 1983-07-12 1983-07-12 Cmosゲ−ト回路 Pending JPS6018018A (ja)

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JPS5058972A (ja) * 1973-09-25 1975-05-22

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