JPH05335936A - 記憶回路 - Google Patents

記憶回路

Info

Publication number
JPH05335936A
JPH05335936A JP16367692A JP16367692A JPH05335936A JP H05335936 A JPH05335936 A JP H05335936A JP 16367692 A JP16367692 A JP 16367692A JP 16367692 A JP16367692 A JP 16367692A JP H05335936 A JPH05335936 A JP H05335936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input terminal
output
terminal
switch element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16367692A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Wakayama
康司 若山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP16367692A priority Critical patent/JPH05335936A/ja
Publication of JPH05335936A publication Critical patent/JPH05335936A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的はDFF+論理回路となるよう
な複合回路のtPd削減および素子数の削減を行うこと
である。 【構成】 複合回路は入力端子をスイッチ素子を介して
多入力論理3に入力し、多入力論理回路3の出力をイン
バータ7に接続し、インバータ7の出力をスイッチ素子
を介して多入力論理回路それぞれの入力に接続して構成
している。 【効果】 tPdの削減および素子数の削減ができる効
果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は記憶回路に関し、特に多
入力一出力論理回路を有する記憶回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の記憶回路を図4に示す。図4で用
いられているスイッチ素子2〜6は図2に示す回路構成
を有しており、入力端子1をPチャンネル型MOSトラ
ンジスタ2及びNチャンネル型MOSトランジスタ3の
ソース電極に接続し、Pチャンネル型MOSトランジス
タ2及びNチャンネル型MOSトランジスタ3のドレイ
ン電極を出力端子4に接続し、制御入力端子5をNチャ
ンネル型MOSトランジスタ3のゲート電極とインバー
タ回路6の入力に接続し、インバータ回路6の出力をP
チャンネル型MOSトランジスタ2のゲート電極に接続
している。
【0003】制御入力端子5が論理値で“1”の時、P
チャンネル型MOSトランジスタ2及びNチャンネル型
MOSトランジスタ3がオン状態となりスイッチ素子は
オンとなり、入力端子5が論理値で“0”の時、Pチャ
ンネル型MOSトランジスタ2及びNチャンネル型MO
Sトランジスタ3がオフ状態となりスイッチ素子はオフ
となる。
【0004】この図2に示したスイッチ素子を用いて図
4に示すように、データ入力端子1をスイッチ素子2を
介して、インバータ回路3の入力端子に接続し、インバ
ータ回路3の出力端子をデータ出力端子4とインバータ
回路5の入力端子に接続し、インバータ回路5の出力端
子をスイッチ素子6を介してインバータ回路3の入力端
子に接続し、正論理制御入力端子7をスイッチ素子2の
制御入力端子5に接続し、負論理制御入力端子8をスイ
ッチ素子6の制御入力端子5に接続して記憶回路を構成
している。
【0005】この記憶回路を用いて2つのD型フリップ
フロップの出力の論理積をとる回路を図5に示す。図5
が示すように第1の入力端子1を第1の記憶回路2のデ
ータ入力端子2−1に接続し、第1の記憶回路2のデー
タ出力端子2−4を第2の記憶回路3のデータ入力端子
3−1に接続し、第2の記憶回路3のデータ出力端子3
−4をNAND回路4の入力端子に接続し、第2の入力
端子6を第3の記憶回路7のデータ入力端子7−1に接
続し、第3の記憶回路7のデータ出力端子7−4を第4
の記憶回路8のデータ入力端子8−1に接続し、記憶回
路8のデータ出力端子8−4をNAND回路4の入力端
子に接続し、NAND回路4の出力端子を出力端子5に
接続し、クロック入力端子9を第1の記憶回路2及び第
3の記憶回路7の正論理制御入力端子2−7及び7−7
と第2の記憶回路3及び第4の記憶回路8の負論理制御
入力端子3−8及び8−8に接続して構成され、2個の
D型フリップフロップは、第1の記憶回路2と第2の記
憶回路3、および第3の記憶回路7と第4の記憶回路8
より構成されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の記憶回
路を用いて論理回路を作成すると回路規模や回路段数が
大きくなり、チップサイズの増大や遅延時間の増大を招
くという欠点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、複数の
入力端子をそれぞれスイッチ素子を介して多入力一出力
論理回路の入力に接続し、該多入力一出力論理回路の出
力端子をインバータ回路の入力端子に接続し、該インバ
ータ回路の出力を入力端子の数だけスイッチ素子を介し
て該多入力一出力論理回路の入力にそれぞれ接続し、該
入力端子に接続された該スイッチ素子には正論理制御入
力端子を接続し、該多入力一出力論理回路の入力に接続
された該スイッチ素子には負論理制御入力端子を接続し
たことである。
【0008】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1,図2,図3は本発明の第1実施例を示す回路
図である。
【0009】本実施例は図2に示すスイッチ素子を用い
て記憶回路を構成している。すなわち、図1に示すよう
に第1のデータ入力端子1を第1のスイッチ素子2を介
してNAND回路3の入力端子に接続し、第2のデータ
入力端子4を第2のスイッチ素子5を介してNAND回
路3の入力端子に接続し、NAND回路3の出力端子を
データ出力端子6とインバータ回路7の入力端子に接続
し、インバータ回路7の出力端子を第3のスイッチ素子
8を介してNAND回路3の一方の入力端子に、第4の
スイッチ素子11を介して接続しもう一方の入力端子に
接続し、正論理制御信号入力端子9を第1のスイッチ素
子2および第2のスイッチ素子5の制御入力端子に接続
し、負論理制御信号入力端子10を第3のスイッチ素子
8および第4のスイッチ素子11の制御入力端子に接続
して記憶回路を構成している。
【0010】この記憶回路を用いて2つのD型フリップ
フロップの論理積をとる回路を図3に示す。図3に示す
ように、第1の入力端子1を第1の従来の記憶回路2の
データ入力端子2−1に接続し、第1の従来の記憶回路
2のデータ出力端子2−4を本実施例の記憶回路3の第
1のデータ入力端子3−1に接続し、第2の入力端子6
を第2の従来の記憶回路2のデータ入力端子2−1に接
続し、第2の従来の記憶回路6の出力端子6−4を本実
施例の記憶回路3の第2の入力端子3−4に接続し、本
実施例の記憶回路3のデータ出力端子3−6を出力端子
4に接続し、クロック入力端子9を第1の従来の記憶回
路2の負論理制御入力端子2−8と第2の従来の記憶回
路6の負論理制御入力端子6−8と本実施例の記憶回路
3の正論理制御入力端子3−9に接続し、反転クロック
入力端子10を従来の記憶回路2の正論理制御入力端子
2−7と従来の記憶回路6の正論理制御入力端子6−7
と本発明の記憶回路3の負論理制御入力端子3−10に
接続して構成している。
【0011】ここでは、2個のD型フリップフロップを
第1の従来の記憶回路2と本実施例の記憶回路3、およ
び第2の従来の記憶回路6と本実施例の記憶回路3で構
成し、本実施例の記憶回路3にNAND回路を内蔵させ
ることにより、従来例と比べると論理段数が一段小さく
なり、素子数も3個少なくなっている。
【0012】第2の実施例は2つのD型フリップフロッ
プの論理和をとる回路であるが、図1においてNAND
回路をOR回路に置き換えることにより実現できる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数の入
力端子をそれぞれスイッチ素子を介して多入力一出力論
理回路の入力に接続し、多入力一出力論理回路の出力端
子をインバータ回路の入力端子に接続し、インバータ回
路の出力を入力端子の数だけスイッチ素子を介して多入
力一出力論理回路の入力にそれぞれ接続し、入力端子に
接続されたスイッチ素子には正論理制御入力端子を接続
し、多入力一出力論理回路の入力に接続されたスイッチ
素子には負論理制御入力端子を接続して記憶回路を構成
することにより、D型フリップフロップと論理回路を組
み合わせたような回路を作成する場合、回路規模の削減
や、回路段数の削減による伝搬遅延時間ができるという
利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す回路図である。
【図2】スイッチ素子の構成を示す回路図である。
【図3】第1実施例を利用した2つのDフリップフロッ
プの論理積をとる回路の回路図である。
【図4】従来例の記憶回路を示す回路図である。
【図5】従来例を使用した2つのDフリップフロップの
論理積をとる回路の回路図である。
【符号の説明】 図1において、 1 第1のデータ入力端子 2 第1のスイッチ素子 3 NAND回路 4 第2のデータ入力端子 5 第2のスイッチ素子 6 データ出力端子 7 インバータ回路 8 第3のスイッチ素子 9 正論理制御入力端子 10 負論理制御入力端子 図2において、 1 入力端子 2 Pチャンネル型MOSトランジスタ 3 Nチャンネル型MOSトランジスタ 4 出力端子 5 制御入力端子 6 インバータ回路 図3において、 1 第1のデータ入力端子 2 第1の従来の記憶回路 3 本発明の記憶回路 4 データ出力端子 5 第2のデータ入力端子 6 第2の従来の記憶回路 7 クロック入力端子 8 反転クロック入力端子 図4において、 1 データ入力端子 2 第1のスイッチ素子 3 インバータ回路 4 データ出力端子 5 第2のインバータ回路 6 第2のスイッチ素子 7 正論理制御入力端子 8 負論理制御入力端子 図5において、 1 第1のデータ入力端子 2 第1の記憶回路 3 第2の記憶回路 4 NAND回路 5 データ出力端子 6 第2のデータ入力端子 7 第3の記憶回路 8 第4の記憶回路 9 クロック入力端子 10 反転クロック入力端子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の入力端子をそれぞれスイッチ素子
    を介して多入力一出力論理回路の入力に接続し、該多入
    力一出力論理回路の出力端子をインバータ回路の入力端
    子に接続し、該インバータ回路の出力を入力端子の数だ
    けスイッチ素子を介して該多入力一出力論理回路の入力
    にそれぞれ接続し、該入力端子に接続された該スイッチ
    素子には正論理制御入力端子を接続し、該多入力一出力
    論理回路の入力に接続された該スイッチ素子には負論理
    制御入力端子を接続したことを特徴とする多入力一出力
    の記憶回路。
JP16367692A 1992-05-29 1992-05-29 記憶回路 Pending JPH05335936A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16367692A JPH05335936A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 記憶回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16367692A JPH05335936A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 記憶回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05335936A true JPH05335936A (ja) 1993-12-17

Family

ID=15778484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16367692A Pending JPH05335936A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 記憶回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05335936A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4813020A (en) Semiconductor device
JPS6365171B2 (ja)
KR880002325A (ko) Cmost 입력 버퍼
US5994936A (en) RS flip-flop with enable inputs
JPH05335936A (ja) 記憶回路
JP2749185B2 (ja) 複合論理回路
JPH05102312A (ja) 半導体集積回路
JPH01276915A (ja) 論理回路
JP2712432B2 (ja) 多数決論理回路
JPS6037822A (ja) Cmos論理回路
JP2734531B2 (ja) 論理回路
JP2830244B2 (ja) トライステートバッファ回路
JPH061638B2 (ja) シフトレジスタ
JP2735268B2 (ja) Lsiの出力バッファ
JPH01181321A (ja) 論理回路
JP3143022B2 (ja) J−kフリップフロップ回路
JPH02266609A (ja) セット・リセット式フリップフロップ回路
JPH0431630Y2 (ja)
JPS62150920A (ja) Mis双安定回路
JP2867504B2 (ja) 出力バッファ回路
JPS62231521A (ja) 半導体集積回路
JPH02105716A (ja) セット・リセット・フリップフロップ回路
JPS59193614A (ja) シユミツトトリガ回路
JPS60116222A (ja) セレクタ回路
JPH0552688B2 (ja)