JPS60178670A - シヨツトキ−バリアダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−バリアダイオ−ドInfo
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- JPS60178670A JPS60178670A JP3346284A JP3346284A JPS60178670A JP S60178670 A JPS60178670 A JP S60178670A JP 3346284 A JP3346284 A JP 3346284A JP 3346284 A JP3346284 A JP 3346284A JP S60178670 A JPS60178670 A JP S60178670A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔枝術分野〕
不発明は、シカ２．トキーバリアダイオードの電極１１
４造に関するものである。
４造に関するものである。
従来のショットキーバリアダイオードはｈＭＯ（バリア
メタル）の上に金属を順次付着して、電極形成を行なっ
ている。しかしながら１Ｍｏと酸化膜の密着性が悪いた
め、製造工程での熱処理等で漏れ電流が大きくなる欠点
がある。又ペレット電極周辺部の剥離等が有り問題とな
っている。
メタル）の上に金属を順次付着して、電極形成を行なっ
ている。しかしながら１Ｍｏと酸化膜の密着性が悪いた
め、製造工程での熱処理等で漏れ電流が大きくなる欠点
がある。又ペレット電極周辺部の剥離等が有り問題とな
っている。
本発明の目的は、熱ストレス等に対して、ペレット電極
周辺部の剥離がなくな−リ、特性劣化等のない安価なシ
ョットキーバリアダイオードを提供するものである。
周辺部の剥離がなくな−リ、特性劣化等のない安価なシ
ョットキーバリアダイオードを提供するものである。
本発明によれば、半導体基板上にＭＯ等の障壁形成金属
が被着されており、この隋壁形成金属周辺の半導体基板
上には酸化膜を有し、導電性で酸化膜との密層性の良い
金属を障壁形成金属をおおい、更に〜化膜上にまで延長
形成したショットキーバリアダイオードを得る。
が被着されており、この隋壁形成金属周辺の半導体基板
上には酸化膜を有し、導電性で酸化膜との密層性の良い
金属を障壁形成金属をおおい、更に〜化膜上にまで延長
形成したショットキーバリアダイオードを得る。
次に図面を参照して本発明をよシ詳却１に説明する。
第１図は従来のショットキーバリアダイオードを示した
もので、シリコン又はＧａＡｓ等のｎ型半導体基板ｌの
表面の所足部を囲むようにＰ＋型ガードリング５が設け
られており、このガードリング５よりも外の半導体基板
Ｉの表面には酸化膜２が設けられている０ＭＯ等の障壁
形成金属３はガードリング５上を端部としてその内部の
半導体基！１上に酸化膜２をも一部おおうように被層形
成されている。この障壁形成金属３上に電極形成金属４
が形成されている。又半導体基板６の裏面には他方の電
極を形成する金属層６が形成されている。
もので、シリコン又はＧａＡｓ等のｎ型半導体基板ｌの
表面の所足部を囲むようにＰ＋型ガードリング５が設け
られており、このガードリング５よりも外の半導体基板
Ｉの表面には酸化膜２が設けられている０ＭＯ等の障壁
形成金属３はガードリング５上を端部としてその内部の
半導体基！１上に酸化膜２をも一部おおうように被層形
成されている。この障壁形成金属３上に電極形成金属４
が形成されている。又半導体基板６の裏面には他方の電
極を形成する金属層６が形成されている。
かかる構造によれば、障壁形成金属３はその周辺で酸化
膜２と接し、外部雰囲気に接している。
膜２と接し、外部雰囲気に接している。
ところが障壁形成金属３は酸化膜２との密着性が悪いた
め、この障壁形成金Ｊｆｔ４３と酸化膜２との接Ｐ部分
から不純物等が侵入し漏れ電流を増大したシ、この部分
ではがれて電極の信頼性を低下したジする欠点があった
。
め、この障壁形成金Ｊｆｔ４３と酸化膜２との接Ｐ部分
から不純物等が侵入し漏れ電流を増大したシ、この部分
ではがれて電極の信頼性を低下したジする欠点があった
。
第２図は不発明の＠ １ （１）実施例を示したもので
ある。シリコンやＧａＡｓ等のれ型半導体基板１１の表
面には一部を数カ囲むように環状のＰ 型ガードリング
】５が形成されている。このガードリング１５を端部と
してその周辺の半導体基板上には酸化膜１２が形成され
ている２Ｍｏ等の障壁形成金属１３ＩＩ′ｉガードリン
ク１５から内部の半導体基板】１表面とガードリング１
５とに接してかつ酸化膜Ｊ２の表面には存在しないよう
に形成されている。アルミニウムやクロム等の酸化膜１
２との密着性の強い電極形成金属１４はこの障壁形成金
属１３を９つみ込むように障壁形成金属１３上およびそ
の周辺の酸化膜１２上に形成されている。
ある。シリコンやＧａＡｓ等のれ型半導体基板１１の表
面には一部を数カ囲むように環状のＰ 型ガードリング
】５が形成されている。このガードリング１５を端部と
してその周辺の半導体基板上には酸化膜１２が形成され
ている２Ｍｏ等の障壁形成金属１３ＩＩ′ｉガードリン
ク１５から内部の半導体基板】１表面とガードリング１
５とに接してかつ酸化膜Ｊ２の表面には存在しないよう
に形成されている。アルミニウムやクロム等の酸化膜１
２との密着性の強い電極形成金属１４はこの障壁形成金
属１３を９つみ込むように障壁形成金属１３上およびそ
の周辺の酸化膜１２上に形成されている。
他方の電極を形成する金属層１６は半導体基板１１の裏
面に形成されている。
面に形成されている。
かかる実施例によれば、障壁形成金属１３の周辺は全て
酸化膜１２との密着性の良い電極形成金属１４で囲まれ
ているので、外界からの不純物が侵入することはない。
酸化膜１２との密着性の良い電極形成金属１４で囲まれ
ているので、外界からの不純物が侵入することはない。
このため漏れ電流の増大はなくなる。また、電極形成金
属】４が電極周辺で酸化＋１４１２と強固に密着されて
いるので、電極のはがれという問題もない、又、熱スト
レスによる障壁形成金［１３に与える影響も少く、特性
劣化のないショットキーバリアダイオードを得ることか
で角る。
属】４が電極周辺で酸化＋１４１２と強固に密着されて
いるので、電極のはがれという問題もない、又、熱スト
レスによる障壁形成金［１３に与える影響も少く、特性
劣化のないショットキーバリアダイオードを得ることか
で角る。
第３図は不＋ｈ明の第２の実施例を示したもので。
障壁形成金ｈｉ ２３はカードリンク２５の内側の牛導
体基ｖｉＺＸとのみ接するように形成されている。
体基ｖｉＺＸとのみ接するように形成されている。
電極形成金属２４は障壁形成金ＰＡ２３をつつみ込みこ
れと接してかつガードリング２５およびその周辺の酸化
膜２２と接するように形成されている。
れと接してかつガードリング２５およびその周辺の酸化
膜２２と接するように形成されている。
他方の電極は第２図同様半導体？ｆＩ板２１の黒面に金
属層２６ｔ−被着して形成されている。
属層２６ｔ−被着して形成されている。
かかる実施例においても、ｌｌγ壁形成金践２３０周辺
は全て酸化膜と密層性の良いｍ′極影形成金属２４つつ
み込まれているので、第２図と同様の効果ｆ、得ること
ができる。
は全て酸化膜と密層性の良いｍ′極影形成金属２４つつ
み込まれているので、第２図と同様の効果ｆ、得ること
ができる。
ｍ １１：Ｊは従来の７．ットキーバリアダイオードの
断面図である。 第２１′Ｎは本発明のｇｑ １のす５施例によるショッ
トキバリアダイオードの断面図であシ、第３図は不発明
の第２の実施例によるショットキバリアダイオードの断
面図である。 １．１１．２１・・・・・・半導体基板、２，１２，２
２・・・・・・酸化膜％ ３．１３．２３・・・・・障
壁形成金属、４．１４，２４・・・・・・電極形成金属
、５． １５．２５・・・・・・ガードリング％ ６．
１６．２６・・・・・・金属層。
断面図である。 第２１′Ｎは本発明のｇｑ １のす５施例によるショッ
トキバリアダイオードの断面図であシ、第３図は不発明
の第２の実施例によるショットキバリアダイオードの断
面図である。 １．１１．２１・・・・・・半導体基板、２，１２，２
２・・・・・・酸化膜％ ３．１３．２３・・・・・障
壁形成金属、４．１４，２４・・・・・・電極形成金属
、５． １５．２５・・・・・・ガードリング％ ６．
１６．２６・・・・・・金属層。
Claims (1)
- 半棉体基板と、該半導体基板上に１５′［足部を除いて
形成された絶縁）俣と、該半導体基板の前記所足部に被
層した障壁形成金属と、該障壁形成金属と接してこれを
つつみ込み前記絶縁１拠上にまで形成された電極形成全
縮とを含むことを特徴とするショットキーバリアダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3346284A JPS60178670A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3346284A JPS60178670A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178670A true JPS60178670A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12387202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3346284A Pending JPS60178670A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0465151A2 (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with Shottky junction |
| US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP3346284A patent/JPS60178670A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
| EP0465151A2 (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with Shottky junction |
| US5438218A (en) * | 1990-06-29 | 1995-08-01 | Canon Kk | Semiconductor device with Shottky junction |
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