JPS601719B2 - Memory control method - Google Patents

Memory control method

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JPS601719B2
JPS601719B2 JP52044446A JP4444677A JPS601719B2 JP S601719 B2 JPS601719 B2 JP S601719B2 JP 52044446 A JP52044446 A JP 52044446A JP 4444677 A JP4444677 A JP 4444677A JP S601719 B2 JPS601719 B2 JP S601719B2
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loop
defective
memory
loops
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一夫 古川
純男 古川
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • GPHYSICS
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリや電荷結合型素子(CCD)
メモリのようなシフトレジスタ状メモリの制御方式に関
し、詳しくは該シフトレジスタ状メモリの正常ループ、
不良ループを選別使用する方式に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory and a charge coupled device (CCD).
Regarding the control method of a shift register-like memory such as a memory, in detail, a normal loop of the shift register-like memory,
The present invention relates to a method for selectively using defective loops.

情報処理装置のファイルメモリとして、従来、磁気ドラ
ムメモリ装置、磁気ディスクメモリ装置などの機械回転
メモリ装置が使用されてきていた。
Conventionally, mechanical rotating memory devices such as magnetic drum memory devices and magnetic disk memory devices have been used as file memories in information processing devices.

しかし、最近の半導体技術の進歩により、磁気バブルメ
モリ素子や電荷結合型素子のような固体ファイルメモリ
素子が出現し、1部では実用化も行なわれている。この
固体ファイルメモリ素子は機械的回転を伴なわないため
、従来のファイルタメモリに比べ多くの利点を有するが
、経済性に関しては、現時点では必ずしも有利とは言い
難い。そこで経済性を上げるため現状の装置では、部分
的に不良な箇所を有する素子を用いて、素子の歩蟹りを
上げ、装置全体のコストを下げている。0以下、磁気バ
ブルメモリ装置を例にとり従来の不良ループ選択制御方
式及びその問題点を説明する。
However, with recent advances in semiconductor technology, solid-state file memory devices such as magnetic bubble memory devices and charge-coupled devices have appeared, and some have even been put into practical use. Since this solid-state file memory element does not involve mechanical rotation, it has many advantages over conventional filer memories, but it cannot be said that it is necessarily advantageous at present in terms of economy. Therefore, in order to improve economic efficiency, current devices use elements that have partially defective parts to increase the reliability of the elements and reduce the overall cost of the device. Below, a conventional defective loop selection control method and its problems will be explained using a magnetic bubble memory device as an example.

第1図は8個の磁気バブルチップからなるメモリュニッ
ト部を示したもので、1は情報の格納、転送を行なうマ
ィナループ群、2は情報の読み出し、又は書き込み用に
バブルの転送を行なうメジャループ、5は情報の読み出
しを行なうディテクタ、4は情報の格納を行なうジェネ
レータである。
Figure 1 shows a memory unit consisting of eight magnetic bubble chips, where 1 is a minor loop group that stores and transfers information, and 2 is a major loop that transfers bubbles for reading or writing information. , 5 is a detector for reading information, and 4 is a generator for storing information.

チップに回転磁界を加えると、マィナループ1、メジャ
ループ2の情報は図中矢印方向へ同期回転を行なう。例
えば、図中のA点の情報が読み出される場合、A点の情
報はマィナループ1上を移動し、メジャループ2に転移
し、その後メジヤループ2上を移動してディテクタ3に
より読み出される。マイナループーからメジヤループ2
への転移は各マィナループ中の同一位置の複数情報に対
して必ず行なわれ、各複数情報のマィナループ位置の順
に直列にディテクタ3で読み出される。複数チップ間で
も同期回転しており、各チップで同一位置の情報は同一
タイミングで読み出される。書き込み動作に対しても、
データの流れが読み出しと逆になることと、書き込まれ
るタイミングが読み出されるタイミングと多少異なる程
度で、基本動作は同じであるので、以下の説明はすべて
読み出し動作で行なう。さて、現状では、前述したよう
に磁気バブルチップは一部分不良箇所を含んだままで使
用する場合が多い。
When a rotating magnetic field is applied to the chip, the information of the minor loop 1 and the major loop 2 performs synchronous rotation in the direction of the arrow in the figure. For example, when information at point A in the figure is read out, the information at point A moves on minor loop 1, transfers to major loop 2, then moves on major loop 2, and is read out by detector 3. Minor loop to major loop 2
The transition to is always performed for multiple pieces of information at the same position in each minor loop, and each piece of information is read out serially by the detector 3 in the order of the minor loop position. Multiple chips also rotate synchronously, and information at the same location on each chip is read out at the same timing. Also for write operations,
The basic operations are the same, except that the flow of data is the opposite of that for reading, and the writing timing is slightly different from the reading timing, so all of the following explanation will be based on reading operations. Now, at present, as mentioned above, magnetic bubble chips are often used with some defective parts still included.

この不良箇所がメジャループとなる場合は、そのチップ
を使用することはできないが、マィナループとなる場合
は該当マィナループが不良となるのみで他のマィナルー
プ、メジヤループを使用することは可能である。したが
って、チップ作成時予め予備マィナループを準備してい
る。ここでは、1チップ中にマィナループを132本準
備し、そのうち128本を実際に使用するものとし、4
本は予備ループとする。第4図は各チップのマィナルー
プの正常、不良の状態を示したもので、「0」印は正常
ループ、「×」印は不良ループである。第4図より、各
チップのマィナループ番号#0のものについてはすべて
正常ループであるから同一タイミングで読み出された情
報はすべて有効で、これを第0バイトとする。マィナル
ーブ番号#1についてみると、N02のチップが不良ル
ープであるので、N02のチップではこの情報をマィナ
ループ番号#2のマィナループに割当てる。したがって
、第4図に破線で示すように、NOO〜NO1、N03
〜N07のチップのマイナループ番号#1とN02のチ
ップのマイナループ番号#2で第1バイトを構成する。
このように、従来は不良ループに対しては同一チップ内
の次のタイミングの正常マィナループに情報を割当てて
いる。
If this defective part becomes a major loop, the chip cannot be used, but if it becomes a minor loop, only the corresponding minor loop becomes defective, and other minor loops and major loops can be used. Therefore, a preliminary minor loop is prepared in advance when making the chip. Here, it is assumed that 132 minor loops are prepared in one chip, 128 of which are actually used, and 4
The book is a preliminary loop. FIG. 4 shows the normal and defective states of the minor loops of each chip, with "0" marks indicating normal loops and "x" marks indicating defective loops. From FIG. 4, all of the minor loop numbers #0 of each chip are normal loops, so all information read at the same timing is valid, and this is set as the 0th byte. Regarding the minor loop number #1, since the chip numbered N02 is a defective loop, the chip numbered N02 assigns this information to the minor loop numbered #2. Therefore, as shown by the broken line in FIG. 4, NOO~NO1, N03
The first byte is composed of the minor loop number #1 of the chip of ~N07 and the minor loop number #2 of the chip of N02.
In this way, conventionally, information for a defective loop is assigned to a normal minor loop at the next timing within the same chip.

この場合の金物構成を第2図に、制御法を第5図及び第
6図に示す。第2図において、11i(i=0〜7)は
磁気バブルチップN○i、12は各マィナループ対応に
正常ループか、不良ループかを示す情報を格納する読み
出し専用メモリ(ROM)、13iは磁気バブルチップ
(N○i)11iからの情報のタイミング調整を行なう
4ビットシフトレジスタ、14iはシフトレジスタ13
iの4ビットから使用するビットを選択するためのセレ
ク夕、15は各シフトレジスター3iの歩進、セレクタ
14iの選択動作を制御する制御信号作成回路である。
ROM12には第5図に示すデ−夕が格納されている。
第5図のROMビット位置は第4図のチップ番号と対応
し、ROM内アドレスは第4図のマィナループ番号に対
応し、0は正常ループ表示、1は不良ループ表示である
。さて、外部から加えられる回転磁界の1周期で、各チ
ップ11。
The hardware configuration in this case is shown in FIG. 2, and the control method is shown in FIGS. 5 and 6. In Fig. 2, 11i (i=0 to 7) is a magnetic bubble chip N○i, 12 is a read-only memory (ROM) that stores information indicating whether it is a normal loop or a bad loop for each minor loop, and 13i is a magnetic bubble chip N○i. Bubble chip (N○i) 4-bit shift register that adjusts the timing of information from 11i, 14i is shift register 13
A selector 15 for selecting the bit to be used from the 4 bits of i is a control signal generating circuit that controls the increment of each shift register 3i and the selection operation of the selector 14i.
The ROM 12 stores data shown in FIG.
The ROM bit positions in FIG. 5 correspond to the chip numbers in FIG. 4, and the addresses in the ROM correspond to the minor loop numbers in FIG. 4, with 0 indicating a normal loop and 1 indicating a defective loop. Now, each chip 11 in one period of the rotating magnetic field applied from the outside.

〜117で1ットの情報が読み出され、シフトレジスタ
13。〜137に格納される。従って、まず4周期タイ
ミングにより、シフトレジスタ13iにはチップ(N○
i)11iの4ビット分、すなわちマィナループ番号#
0,#1,#2,#3の情報が読み出される。
In steps 117 to 117, 1 bit of information is read out and transferred to the shift register 13. ~137. Therefore, first, due to the 4-cycle timing, the shift register 13i has a chip (N○
i) 4 bits of 11i, i.e. minor loop number #
Information of 0, #1, #2, and #3 is read out.

この時点でのシフトレジスタ13。〜137の情報の有
効、無効を第6図aに示す。ここで、「0」は正常ルー
プから読み出された有効ビット、「×」は不良ループか
ら読み出された無効ビットを示す。上記と同じタイミン
グでROM12の内容が読み出されはじめる。ROM1
2から読み出された内容は制御信号作成回路15により
展開されるが、はじめのROMアドレス0の内容はオー
ル0であり、この時、すべてのシフトレジスタ13o〜
137の第3ビットがセレクタ14。〜147 により
選択され、これが第0バイト情報として外部装置に送出
される。次のタイミングでシフトレジスタは1ビット歩
進し、第6図bの内容になる。このタィミンではROM
12からはROM内アドレス1の内容(27〜ぞ=0,
0,0,0,0,1,0,0)が読み出される。これは
磁気バブルチップ(N02)112 のマイナループが
不良ループであることを示しており、制御信号作成回路
15により展開され、セレクタ14o,141,143
〜7では対応したシフトレジスタの第3ビットが選択さ
れるが、セレクタ142‐では第2ビットが選択される
Shift register 13 at this point. The validity and invalidity of the information of 137 to 137 are shown in FIG. 6a. Here, "0" indicates a valid bit read from a normal loop, and "x" indicates an invalid bit read from a defective loop. The contents of the ROM 12 begin to be read out at the same timing as above. ROM1
The contents read from 2 are expanded by the control signal generation circuit 15, but the contents of the initial ROM address 0 are all 0, and at this time, all shift registers 13o to 13 are expanded.
The third bit of 137 is the selector 14. ~147, and this is sent to the external device as the 0th byte information. At the next timing, the shift register increments by 1 bit, resulting in the contents shown in FIG. 6b. At this timing, ROM
From 12 onwards, the contents of address 1 in the ROM (from 27 = 0,
0, 0, 0, 0, 1, 0, 0) is read out. This indicates that the minor loop of the magnetic bubble chip (N02) 112 is a defective loop, and is developed by the control signal generation circuit 15 and sent to the selectors 14o, 141, 143.
-7 selects the third bit of the corresponding shift register, while selector 142- selects the second bit.

以下同様にして、不良ル−プからの読み出し情報に対し
ては、ROM12の内容にもとづいてセレクタ14によ
り読みとばし、順次正常ループからの読み出し情報を割
当てる。 Z以上のように、従来の方式では不良
ループがある場合、単位情報(ここでは8ビット=1バ
イト)を構成する各ビットが磁気バブルチップから読み
出されるタイミングが異なるため、予備マィナループ数
分のビット数を有するシフトレジスタZを設けなければ
ならないなど、金物量が膨大になるという欠点があった
。更に、従来の方式では、不良ループ数が予備ループ数
より多いチップは使用することができず、歩蟹り低下要
因となっていた。
2本発明の目的は、上記の従来技術の欠点をなくし
、金物量も少なく構成が容易で、しかもチップ使用制限
を大幅に緩和し、チップ歩蟹りを向上させる不良ループ
選択制御方式を提供することにある。
2上記の目的を達成するため、本発
明は、磁気バブルメモリやCCDのようなシフトレジス
タ状メモリの複数の情報ループからなるメモリ装置にお
いて、単位情報ビット数より多いメモリチップを設ける
とともに、各チップの同一ループ情報を同3ータィミン
グで読み出し又は書き込む手段、および正常ループか不
良ループかを記憶する読み出し専用メモリなどの付加メ
モリを有し、付加メモリ内の情報により正常ループを選
択することを特徴とするものである。更に、同一タイミ
ングで読み3書きされる正常ループ数が単位情報ビット
数に満たない場合は、付加メモリの内容により不良情報
と判定し、そのタイミングで読み出した情報は未使用と
し、書き込むべき情報に対しては一時特合せることを特
徴とする。 4以下、実施例によ
り本発明の内容を詳細に説明する。第7図は本発明によ
るメモリチップの使用例及び各チップのマィナループの
正常、不良の状態を′示したものである。
Similarly, information read from the defective loop is skipped by the selector 14 based on the contents of the ROM 12, and information read from the normal loop is sequentially assigned. ZAs mentioned above, in the conventional method, when there is a defective loop, each bit that makes up the unit information (here, 8 bits = 1 byte) is read out from the magnetic bubble chip at different timings, so the number of bits equal to the number of preliminary minor loops is read out from the magnetic bubble chip. This has the drawback that the amount of metal required is enormous, such as the need to provide several shift registers Z. Furthermore, in the conventional method, a chip in which the number of defective loops is greater than the number of spare loops cannot be used, which causes a slowdown.
2. It is an object of the present invention to provide a defective loop selection control method that eliminates the above-mentioned drawbacks of the prior art, uses less metal, is easy to configure, and greatly relaxes chip use restrictions and improves chip speed. There is a particular thing.
2 In order to achieve the above object, the present invention provides a memory device consisting of a plurality of information loops of a shift register-like memory such as a magnetic bubble memory or a CCD, in which memory chips are provided in a number greater than the number of unit information bits, and each chip is It has a means for reading or writing the same loop information at the same timing, and an additional memory such as a read-only memory for storing whether the loop is a normal loop or a defective loop, and the normal loop is selected based on the information in the additional memory. It is something to do. Furthermore, if the number of normal loops read and written three times at the same timing is less than the number of unit information bits, the information is determined to be defective based on the contents of the additional memory, the information read at that timing is considered unused, and the information to be written is It is characterized by temporary matching. 4 Below, the content of the present invention will be explained in detail with reference to Examples. FIG. 7 shows an example of the use of the memory chip according to the present invention and the normal and defective states of the minor loop of each chip.

こ)でも先の従来例と同じく、単位情報は8ビット=1
バイトとするが、従来例では磁気バブルチップ数は単位
情報ビット数に対応した8チップであったのに対し、本
発明の実施例では10チップを用いる。すなわち、同一
タイミングで10チップから情報が読み出され、又は書
き込まれるが、その10チップに対応した10ビットの
うち正常ループの8ビットを使用し、正常ループが8ビ
ットに満たない場合は該当10ビットすべてを使用しな
い。この様子を第7図を用いて説明する。第7図におい
て、各チップのマィナループ番号#0のものについては
10チップ中すべて正常ループであり、この場合は磁気
バブルチップNOO〜N07までのマィナループを第0
バイトとする。
However, as in the previous conventional example, the unit information is 8 bits = 1
In the conventional example, the number of magnetic bubble chips was 8 chips corresponding to the number of unit information bits, but in the embodiment of the present invention, 10 chips are used. In other words, information is read or written from 10 chips at the same timing, but of the 10 bits corresponding to the 10 chips, 8 bits of the normal loop are used, and if the normal loop is less than 8 bits, the corresponding 10 bits are used. Don't use all the bits. This situation will be explained using FIG. 7. In FIG. 7, all of the 10 chips with minor loop number #0 are normal loops, and in this case, the minor loops of magnetic bubble chips NOO to N07 are numbered 0.
Part-time job.

マィナループ番号#1のものについては、磁気バブルチ
ップN02のマイナループが不良であるので、磁気バブ
ルチップNO〜NO1、N03〜N08のマィナループ
を第1バイトとする。マィナループ番号#2のものにつ
いては、マィナループ番号#0の場合と同様に、磁気バ
ブルチップNOO〜N07までのマィナループを用いて
第2バイトとする。マィナルーブ番号#3のものについ
ては、磁気バブルチップN05〜N07のマィナループ
が不良であり、正常ループは7本しか残らない。したが
って、このタイミングのマイナループはすべて使用しな
い。そして、マイナループ番号#4で得られる磁気バブ
ルチップNOO〜N02、N05〜NO9までの8ビッ
トを第3バイトとする。本発明の具体的な金物構成と制
御法を第3図、第8図に示す。以下の説明では説明の簡
単化のため読み出し動作についてのみ述べるが、書き込
み動作についてもデータの方向が反対となる以外は大き
な差異はない。第3図で、21i=(i=0〜9)は磁
気バブルチップNOi、22は同一タイミングで読み書
きされる各マィナルーブ対応に正常ループか不良ル−プ
かを示すとともに、マイナループ群に対応して不良ルー
プ群であることを示す情報を格納する読み出し専用メモ
リ(ROM)、23iは正常ループを有する磁気バブル
チップを選択するためのセレクタ、24はROM22の
情報によりセレクタ23iの選択信号を作成し、さらに
不良ループ群を指定する信号を作成する制御信号作成回
路、25は上記した不良ループ群を指定する不良バイト
表示信号である。セレクタ23iにはチップ(N○i)
21iの出力情報線の外にチップ21i+1,21i+
2の出力情報線が入力される。ROM22には第8図に
示すデータが格納されており、ROM内アドレスは第7
図のマィナループ番号に対応しているが、ROMビット
位置は従来方式とは異なり、第7図のチップ番号とは対
応しておらず、以下のような使い方がされる。同一マィ
ナループ番号の10本のマイナループ中、不良ループが
ない場合は27〜少をオール1とする。不良ループが1
ループある場合は不良チップ番号を夕〜グで示し、27
〜亥はオール1とする。不良ループが2ループの場合は
それぞれの不良チップ番号を27〜〆、夕〜そで示す。
不良ループが3ル−プ以上の場合は27〜〆を1110
1110として不良バイトであることを表示する。さて
、各チップに回転磁界が加えられ、マィナループ番号#
0の10ビットが各磁気バブルチップ21。
Regarding the minor loop number #1, since the minor loop of magnetic bubble chip N02 is defective, the minor loops of magnetic bubble chips NO to NO1 and N03 to N08 are set as the first byte. Regarding the minor loop number #2, as in the case of the minor loop number #0, the minor loops from magnetic bubble chips NOO to N07 are used as the second byte. Regarding the minor loop number #3, the minor loops of magnetic bubble chips N05 to N07 are defective, and only seven normal loops remain. Therefore, all the minor loops at this timing are not used. Then, the 8 bits from the magnetic bubble chips NOO to N02 and N05 to NO9 obtained by the minor loop number #4 are set as the third byte. The specific hardware configuration and control method of the present invention are shown in FIGS. 3 and 8. In the following explanation, only the read operation will be described to simplify the explanation, but there is no major difference in the write operation except that the direction of data is reversed. In Figure 3, 21i = (i = 0 to 9) indicates the magnetic bubble chip NOi, 22 indicates whether it is a normal loop or a defective loop for each minor loop that is read and written at the same timing, and also indicates whether it is a normal loop or a defective loop corresponding to the minor loop group. A read-only memory (ROM) stores information indicating that the group is a defective loop; 23i is a selector for selecting a magnetic bubble chip having a normal loop; 24 is a selector for creating a selection signal for the selector 23i based on information in the ROM 22; Furthermore, a control signal generation circuit 25 generates a signal specifying a group of defective loops, and 25 is a defective byte display signal specifying the group of defective loops described above. The selector 23i has a chip (N○i)
Chips 21i+1 and 21i+ are installed outside the output information line of 21i.
2 output information lines are input. The data shown in FIG. 8 is stored in the ROM 22, and the address in the ROM is 7th.
Although it corresponds to the minor loop number shown in the figure, the ROM bit position differs from the conventional system and does not correspond to the chip number shown in FIG. 7, and is used as follows. If there is no defective loop among the 10 minor loops with the same minor loop number, 27 to 27 are all set to 1. 1 bad loop
If there is a loop, indicate the defective chip number in digits and press 27.
~ Pig is all 1. If there are two defective loops, indicate the respective defective chip numbers as 27~〆 and 〆~〆.
If the number of defective loops is 3 or more, set 27 to 1110.
1110 indicates that it is a bad byte. Now, a rotating magnetic field is applied to each chip and the minor loop number #
Each magnetic bubble chip 21 has 10 bits of 0.

〜219から読み出されるものとする。この場合、同時
にROM22からはROM内アドレス0の情報が読み出
される。この時の情報はすべて正常ループであることを
示すオール1であり、制御信号作成回路24により各セ
レクタ23jは3入力セレクトゲートのうちの上段ゲー
ト23ioを開き、NOO〜N07の磁気バブルチップ
21。〜217 までの情報を第0バイトとする。次に
マィナルーブ番号#1が読み出される。
-219. In this case, information at address 0 in the ROM is read out from the ROM 22 at the same time. The information at this time is all 1 indicating that the loop is normal, and each selector 23j opens the upper gate 23io of the 3-input select gates by the control signal generation circuit 24, and the magnetic bubble chips 21 of NOO to N07. The information from 217 to 217 is the 0th byte. Next, the minor lube number #1 is read out.

この場合、ROM22からはROM内アドレス1の情報
が読み出され、23〜20は不良チップ番号#N02を
示す0010,27 〜24 はそれ以上、欠陥がない
ことを示すオール1であり、制御信号作成回路15によ
り、セレクタ23o,23・では3入力ゲートのうちの
上段ゲート23oo,23,o、セレクタ232〜23
7では3入力ゲートのうちの中段ゲート232,〜23
7,を選択し、NO0,NO1,N03〜N08の磁気
バブルチップ22o,221,223 〜228 まで
の情報を第1バイトとする。次のマィナループ番号#2
に関しては、マィナループ番号#0の場合と同様に、N
○o〜N07の磁気バブルチップ21。〜217 まで
の情報を第3バイトとする。次のマィナループ番号#3
の場合はROM内アドレス3から27〜2oが不良バイ
トを示す11101110の情報が読み出され、制御信
号作成回路24で各セレク夕23iのすべてのゲートを
閉じるとともに不良バイト表示信号25を送出し、外部
に対し該当タイミングでの信号の無効を表示する。そし
て、次のタイミングで読み出されるマィナループ番号#
4から構成される8ビットの情報を第3バイトとする。
以下同様である。以上説明した如く、本発明によれば、
従来方式のような1バイトを構成する各ビット間でのタ
イミングずれがなくなるばかりでなく、シフトレジスタ
が不用となり、大幅な金物削減を図ることができる。
In this case, the information at address 1 in the ROM is read from the ROM 22, 23 to 20 are 0010 indicating the defective chip number #N02, 27 to 24 are all 1 indicating that there are no more defects, and the control signal By the creation circuit 15, the upper gates 23oo, 23, o of the three input gates and the selectors 232 to 23
7, the middle gates 232, 23 of the 3 input gates
7, and set the information of the magnetic bubble chips 22o, 221, 223 to 228 of NO0, NO1, N03 to N08 as the first byte. Next minor loop number #2
Regarding, as in the case of minor loop number #0, N
○o~N07 magnetic bubble chip 21. The information from 217 to 217 is the third byte. Next minor loop number #3
In this case, information 11101110 indicating that 27 to 2o are defective bytes is read from address 3 in the ROM, and the control signal generation circuit 24 closes all gates of each selector 23i and sends a defective byte display signal 25. Displays to the outside that the signal is invalid at the relevant timing. Then, the minor loop number # read out at the next timing
The 8-bit information consisting of 4 is assumed to be the third byte.
The same applies below. As explained above, according to the present invention,
Not only is there no timing difference between the bits constituting one byte as in the conventional system, but a shift register is no longer required, and hardware can be reduced significantly.

更に、従来方式では〜1チップ中に不良マイナループを
所定本数以上含むチップは全く使用できなかったが、本
発明方式を用いれば、例えば5本の不良マイナループを
もつチップを10チップ用いて1バイトを構成した場合
でも、99.86%のチップは使用できることになり、
したがって、予備のために2チップ増やした分を補って
余りある効果となり、総合的にみて経済性が非常に向上
する。
Furthermore, in the conventional method, a chip containing more than a predetermined number of defective minor loops in one chip could not be used at all, but with the method of the present invention, for example, 1 byte can be obtained by using 10 chips with 5 defective minor loops. Even if configured, 99.86% of chips can be used,
Therefore, the effect more than compensates for the addition of two chips for backup, and the overall economic efficiency is greatly improved.

【図面の簡単な説明】 第1図は磁気バブルメモリ装置のメモリユニット部、第
2図は磁気バブルメモリ装置の従来の制御方式を示すブ
ロック図、第3図は本発明による制御方式の一実施例を
示すブロック図、第4図は磁気バブルメモリ装置の不良
ループの従釆の選択方法を示す概念図、第5図は第4図
の不良ループの選択方法で用いられるROMの内容を示
す図、第6図は従来の不良ループの選択方法を適用した
場合のシフトレジスタの内容を示す図、第7図は本発明
を適用した場合の磁気バブルメモリ装置の不良ループの
選択方法を示す概念図、第8図は第7図の本発明の不良
ループの選択方法で用いられるROMの内容を示す図で
ある。 21。 〜219・・・磁気バブルチップ、22・・・読み出し
専用メモリ、23。 〜237・・・セレクタ、24・
・・制御信号作成回路、25・・・不良バイト表示信号
。ガ 1 区Q オ2図 才3図 才4図 カタ図, 矛る図 才7図 汁8図
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a memory unit section of a magnetic bubble memory device, Fig. 2 is a block diagram showing a conventional control method for a magnetic bubble memory device, and Fig. 3 is an implementation of a control method according to the present invention. A block diagram showing an example, FIG. 4 is a conceptual diagram showing a method for selecting a follower of a defective loop in a magnetic bubble memory device, and FIG. 5 is a diagram showing the contents of a ROM used in the method for selecting a defective loop in FIG. 4. , FIG. 6 is a diagram showing the contents of a shift register when the conventional method for selecting a defective loop is applied, and FIG. 7 is a conceptual diagram showing a method for selecting a defective loop in a magnetic bubble memory device when the present invention is applied. , FIG. 8 is a diagram showing the contents of a ROM used in the defective loop selection method of the present invention shown in FIG. 7. 21. ~219...Magnetic bubble chip, 22...Read-only memory, 23. ~237...Selector, 24.
...Control signal generation circuit, 25...Bad byte display signal. Ga 1 Ward Q O 2 Figures Sai 3 Figures Sai 4 Figures Katazu, Toru Figuresai 7 Figures Soup 8 Figures

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 各々シフトレジスタ状メモリの複数の情報ループを
含む複数個のメモリチツプを有し、それらメモリチツプ
の各1つの情報ループを指定し、指定された情報ループ
群に対し特定ビツト数からなる単位情報のビツト群の読
み出しまたは書き込みを行なうメモリ制御装置において
、前記特定ビツト数よりも多い数のメモリチツプと対応
して、指定される前記メモリチツプの各1つの情報ルー
プからなる情報ループ群の不良情報ループの位置を示す
情報を格納する付加メモリと、該付加メモリ内の情報に
基いて、対応して指定される前記情報ループ群から不良
情報ループを除く情報ループを前記特定ビツト数に等し
い数だけ選び、該特定数の情報ループに対し単位情報と
なるビツト群の読み出しまたは書き込みを行なう制御手
段とを設けたことを特徴とするメモリ制御方式。 2 前記付加メモリに、前記対応して指定される情報ル
ープ群単位に不良情報ループ群であるか否かを示す情報
を格納し、該付加メモリ内の情報により該当不良情報ル
ープ群を未使用とすることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のメモリ制御方式。
[Scope of Claims] 1. It has a plurality of memory chips each including a plurality of information loops of shift register-like memory, each one of the memory chips is designated, and a specific number of bits is assigned to the designated information loop group. In a memory control device that reads or writes a group of unit information bits consisting of a number of bits, an information loop group consisting of one information loop for each of the designated memory chips corresponds to a number of memory chips larger than the specific number of bits. an additional memory for storing information indicating the position of a defective information loop; and based on the information in the additional memory, information loops excluding the defective information loop from the correspondingly designated group of information loops are equal to the specified number of bits. 1. A memory control system, comprising a control means for selecting a specific number of information loops and reading or writing a group of bits serving as unit information for the specific number of information loops. 2. In the additional memory, information indicating whether or not the correspondingly specified information loop group is a defective information loop group is stored, and the information in the additional memory is used to mark the corresponding defective information loop group as unused. A memory control method according to claim 1, characterized in that:
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DE2817134A DE2817134C2 (en) 1977-04-20 1978-04-19 Storage control system
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