JPS63108747A - Gate array integrated circuit - Google Patents

Gate array integrated circuit

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JPS63108747A
JPS63108747A JP61254987A JP25498786A JPS63108747A JP S63108747 A JPS63108747 A JP S63108747A JP 61254987 A JP61254987 A JP 61254987A JP 25498786 A JP25498786 A JP 25498786A JP S63108747 A JPS63108747 A JP S63108747A
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JP
Japan
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memory
input
signal
circuit
counter
Prior art date
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JP61254987A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Nagano
宏 永野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To perform the scanning path test of a junction of a memory circuit to a logic unit by providing a counter for testing a memory and a selector in the memory, and placing a register at the junction. CONSTITUTION:A memory circuit is tested by inputting a clear signal 9 from an external terminal to counters 8 for data and address, initializing it and inputting an enable signal to count it up. At this time, a signal for controlling the memory circuit is so set as to write the signal, written, and the clear signal 9 is then input to the counter 8 for the address again, and when the enable of the counter for the address is inactivated, even if a clock is input, the same value is held. When a memory control signal is so set that the memory circuit 13 reads, the data of address 0 is set in an output register 14. This data can be read out by using a scanning path.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、メモリを内部に有するゲートアレイ集積回路
に関し、特にメモリ部を簡易化する回路を内部に有する
ゲートアレイ集積回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Field of Industrial Application> The present invention relates to a gate array integrated circuit having a memory therein, and more particularly to a gate array integrated circuit having a circuit for simplifying a memory section therein.

〈従来の技術〉 従来、メモリを内蔵したゲートアレイ集積回路において
、大規模な回路のテストを行なう方法として、論理回路
に対するスキャンパス方式がある。
<Prior Art> Conventionally, a scan path method for logic circuits has been used as a method for testing large-scale circuits in gate array integrated circuits with built-in memories.

スキャンパス方式は論理回路内の順序回路をセレクタを
介して配線することにより、通常の順序回路の動作と、
シフトレジスタの動作のどちらかを自由に選択できるよ
うにし、該セレクタのセレクト信号を外部端子から与え
ることにより、シフトレジスタ動作時に外部入力端子か
ら、順次データをシフトインして、任意の順序回路に任
意のデータをセットし、また外部端子へ順次回路内の順
序回路のデータをシフトアウトして回路内部のテストを
行なう方法である。
The scan path method enables the operation of normal sequential circuits and
By making it possible to freely select one of the shift register operations and applying the select signal of the selector from an external terminal, data can be sequentially shifted in from the external input terminal during the shift register operation and input into any sequential circuit. This method tests the inside of the circuit by setting arbitrary data and shifting out the data of the sequential circuit in the sequential circuit to an external terminal.

第2図に基づき概略説明する。まずセレクタ20および
21がシフトデータ22および23を選択するようにセ
レクト信号24を外部端子より設定する。順序回路25
および26は、他の回路内のセレクタ付き順序回路を同
様の配線をすることでシフトレジスタを形成し、クロッ
ク27を入力することで、順次データがシフトして行く
、該シフトレジスタの両端は外部端子につながっており
、外部端子から順次データをシフトインしていくことに
より、任意のデータを任意の順序回路にセットできる。
An outline will be explained based on FIG. 2. First, select signal 24 is set from an external terminal so that selectors 20 and 21 select shift data 22 and 23. Sequential circuit 25
and 26 form a shift register by wiring sequential circuits with selectors in other circuits in the same way, and data is sequentially shifted by inputting a clock 27. Both ends of the shift register are externally connected. It is connected to a terminal, and by sequentially shifting data in from the external terminal, any data can be set in any sequential circuit.

この方法で順序回路25にある値がセットされる。この
値は次のクロックが入力するまで保持され順序回路25
の出力23は組み合わせ回路群28に入力される。組み
合わせ回路群28には、前記順序回路25の出力や、他
の順序回路の出力および外部端子からの信号が入力され
、その入力値の組み合わせによる論理値29がセレクタ
21のもう1つの入力に入力される。今、セレクタ21
は順序回路25の出力23を選択するようにセレクト信
号24で設定されているが、ここでセレクト信号24を
組み合わせ回路群28の出力29を選択するように変更
し、クロック27を1度入力すると、順序回路26には
組み合わせ回路群28の出力29がセットされる。同様
に順序回路25には別の組み合わせ回路群の出力30が
セットされる。ここで再びセレクト信号24をシフトデ
ータを選択するように設定し、順序回路にセットされた
データを外部端子へシフトアウトする。このようにシフ
トレジスタにおける任意の前後2つの連続した順序回路
間の組み合わせ回路の論理値を外部端子からその入力値
の組み合わせを任意に変えてその論理値を外部端子に取
り出すためにレジスタを介してシフトレジスタ状に配線
した順序回路を使う方法をスキャンパス方式と呼ぶ、論
理回路内のテストはスキャンパスを使って行なえるが。
In this way, a certain value is set in the sequential circuit 25. This value is held until the next clock is input to the sequential circuit 25.
The output 23 is input to a combinational circuit group 28. The output of the sequential circuit 25, the output of other sequential circuits, and signals from external terminals are input to the combinational circuit group 28, and a logical value 29 resulting from a combination of the input values is input to another input of the selector 21. be done. Now selector 21
is set by the select signal 24 to select the output 23 of the sequential circuit 25, but if the select signal 24 is changed to select the output 29 of the combinational circuit group 28 and the clock 27 is input once, , the output 29 of the combinational circuit group 28 is set in the sequential circuit 26. Similarly, the output 30 of another combinational circuit group is set in the sequential circuit 25. Here, the select signal 24 is again set to select shift data, and the data set in the sequential circuit is shifted out to the external terminal. In this way, the logic value of the combinational circuit between two consecutive sequential circuits before and after in the shift register can be changed arbitrarily from the external terminal by changing the combination of the input values and taking out the logic value to the external terminal via the register. The method of using sequential circuits wired like shift registers is called the scan path method, although tests within logic circuits can be performed using the scan path.

メモリ部のテストはメモリテスト時にアドレス、書き込
み用データ入力、チップセレクトライトイネーブル等の
メモリ制御信号を直接外部端子から入力し、直接外部端
子へ出力して直接テストする方法が一般的である。
A common method for testing the memory section is to input memory control signals such as address, write data input, and chip select write enable directly from an external terminal and output them directly to the external terminal for direct testing.

第3図に基づき概略説明する。通常動作時にはセレクタ
33が論理部31からのアドレス、書き込み用データお
よびメモリ制御信号32を選択するようにセレクト信号
34を外部端子から設定し、メモリ回路35に供給され
る。メモリテスト時には、セレクタ33が外部端子から
のアドレス、書き込み用データおよびメモリ制御信号3
6を選択するようにセレクト信号34を設定する。他方
、メモリ回路の出力37は論理部31に供給されるほか
に、外部端子へ直接出力できる構造とする。
An outline will be explained based on FIG. During normal operation, a select signal 34 is set from an external terminal so that the selector 33 selects the address, write data, and memory control signal 32 from the logic section 31, and is supplied to the memory circuit 35. During a memory test, the selector 33 selects the address, write data, and memory control signal 3 from the external terminal.
The select signal 34 is set to select 6. On the other hand, in addition to being supplied to the logic section 31, the output 37 of the memory circuit is configured to be directly output to an external terminal.

このようにしてメモリ回路のテストは外部端子からの直
接のテストが行なわれている。
In this way, memory circuit tests are performed directly from external terminals.

〈発明の解決しようとする問題点〉 上述した従来のメモリを内蔵するゲートアレイ集積回路
は、メモリ部のテスト用の外部端子が必要となる。メモ
リ容量の増大とともに該外部端子数が増加することを余
儀無くされ、他の端子との共用を考えても、端子に対す
る制約が大きくなるという問題点がある。また、メモリ
部と論理部との接続部分はスキャンパス方式によるテス
トができないため、この部分のテストが極めて困難であ
るという問題点を有する。
<Problems to be Solved by the Invention> The above-described conventional gate array integrated circuit incorporating a memory requires an external terminal for testing the memory section. As the memory capacity increases, the number of external terminals inevitably increases, and even when considering the possibility of sharing the terminals with other terminals, there is a problem in that restrictions on the terminals become greater. Furthermore, since the connection portion between the memory section and the logic section cannot be tested using the scan path method, there is a problem in that it is extremely difficult to test this section.

〈問題点を解決するための手段および作用〉本発明に係
わるゲートアレイ集積回路はアレイ状に配置された基本
セルを有する論理部とメモリ回路を有するメモリ部を具
備したゲートアレイ集積回路において、該メモリ部中に
外部入力端子から制御可能なカウンタおよびセレクタお
よびメモリ回路入力用レジスタおよびメモリ回路出力用
レジスタを有し、該セレクタは論理部からの信号と該カ
ウンタ出力信号の何方かを外部端子より自由に選択し、
メモリ回路入力用レジスタを介してメモリ回路へ入力信
号を入力し、メモリ回路の出力信号をメモリ回路出力レ
ジスタを介して論理へ供給することを特徴としている。
<Means and operations for solving the problems> A gate array integrated circuit according to the present invention is a gate array integrated circuit comprising a logic section having basic cells arranged in an array and a memory section having a memory circuit. The memory section has a counter and a selector that can be controlled from an external input terminal, a memory circuit input register, and a memory circuit output register, and the selector receives either the signal from the logic section or the counter output signal from the external terminal. freely choose,
It is characterized in that an input signal is input to the memory circuit via a memory circuit input register, and an output signal from the memory circuit is supplied to the logic via a memory circuit output register.

上記構成に係わるゲートアレイ集積回路は、メモリのテ
スト用アドレスおよびデータをLSI内部で発生させる
ためのカウンタおよび通常時のアドレスおよびデータと
該カウンタにより発生させたアドレスおよびデータのど
ちらかを選択するセレクタを有し、該セレクタのセレク
ト信号は外部端子より直接設定し、また該セレクタおよ
び論理部と、メモリ回路の接続部にレジスタとを有する
ことで、メモリ回路のカウンタにより発生させたデータ
およびアドレスによる書き込み読み出し等のテストをク
ロック同期で行なうことができる。
The gate array integrated circuit having the above configuration includes a counter for generating memory test addresses and data inside the LSI, and a selector for selecting between the normal address and data and the address and data generated by the counter. The select signal of the selector can be set directly from an external terminal, and a register is provided at the connection between the selector, the logic section, and the memory circuit. Tests such as writing and reading can be performed in clock synchronization.

〈実施例〉 次に、本発明について図面を参照して説明する。<Example> Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の概略図である。1.はゲー
トアレイ集積回路を、2は入出力バッファ群を、3は論
理を構成する部分をそれぞれ示しており、ここでは論理
部と呼ぶ、4は基本セル群でトランジスタ群を意味する
。3の論理部は、4の基本セル群のトランジスタの配線
を行なって回路を実現する。5が本発明の実施部である
メモリ部である。メモリは、説明を簡単にするためにこ
こでは256ワード×9ビツトのRAMを考えるが、任
意のメモリに当てはめることができる。256ワードの
RAMには8ビツトのアドレスを入力させる必要がある
が、この8ビツトのアドレス信号は論理部3から与えら
れる。また、チップセレクトやライトイネーブル等のメ
モリ制御用信号および書き込み時の書き込みデータも同
様に論理部3からメモリ回路13に供給される。これら
の信号は、第1図中6で示されており、セレクタ7へ入
力する。8はテスト用のアドレスおよびデータ発生用カ
ウンタを示すが、ここではアドレス用に8ビツト、書き
込みデータ用に9ビツトのカウンタで構成されているも
のとする。各々のカウンタには、外部端子からクリア、
イネーブル等のカウンタ制御信号9を入力し、別々に動
作できるようにすると任意のアドレス、任意のデータが
設定できる。データ側9ビツトおよびアドレス側8ビツ
トのカウンタ出力は外部端子からのメモリテスト用のチ
ップセレクト、ライトイネーブル等のメモリ制御信号と
ともに、テスト時のメモリ入力信号10を形成してセレ
クタ7へ入力する。カウンタ8を構成する順序回路には
、スキャンバス方式用のものを用いて論理部3と同じク
ロックを入力すると、カウンタをスキャンバスに組み込
むことができる。セレクタ7には、平常時には論理部か
らの入力信号6を、またメモリテスト時には、テスト時
のメモリ入力信号10を選択できるように外部端子から
直接セレクト信号11を与える。セレクタ7の出力は、
入力レジスタ12へ入力する。入力レジスタ12は、論
理部3の順序回路と同じクロックを入力し、スキャンバ
ス方式用の順序回路を用いることでスキャンバスに組み
込める。入力レジスタ12の出力は、メモリ回路13(
今の場合はRAM)に入力される。メモリ回路13の読
み出しデータは、出力レジスタ14に入力されるが、今
の場合、9ビツトのレジスタとなる。入力レジスタ12
と同じ方法で、出力レジスタ14もスキャンバスに組み
込む、出力レジスタ14の出力は論理部へ供給される。
FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment of the present invention. 1. 2 indicates a gate array integrated circuit, 2 indicates a group of input/output buffers, 3 indicates a portion constituting logic, which is referred to as a logic section here, and 4 indicates a group of basic cells, meaning a group of transistors. The logic section 3 implements the circuit by wiring the transistors of the basic cell group 4. 5 is a memory section which is an implementation section of the present invention. For the purpose of simplifying the explanation, a 256 word x 9 bit RAM is considered here, but any memory can be used. It is necessary to input an 8-bit address to the 256-word RAM, and this 8-bit address signal is provided from the logic section 3. Furthermore, memory control signals such as chip select and write enable, and write data during writing are similarly supplied from the logic section 3 to the memory circuit 13. These signals are indicated by 6 in FIG. 1 and are input to the selector 7. Reference numeral 8 indicates a test address and data generation counter, which is assumed here to be composed of an 8-bit counter for addresses and a 9-bit counter for write data. Each counter can be cleared from an external terminal,
By inputting a counter control signal 9 such as an enable signal so that they can operate separately, arbitrary addresses and arbitrary data can be set. The counter outputs of 9 bits on the data side and 8 bits on the address side, together with memory control signals such as chip select and write enable for memory testing from external terminals, form a memory input signal 10 at the time of testing and are input to the selector 7. The counter 8 can be incorporated into the scan canvas by using a sequential circuit for the scan canvas system and inputting the same clock as that of the logic unit 3 to the sequential circuit constituting the counter 8. The selector 7 receives an input signal 6 from the logic section during normal operation, and receives a select signal 11 directly from an external terminal during a memory test so that it can select the memory input signal 10 during the test. The output of selector 7 is
Input to input register 12. The input register 12 can be incorporated into the scan canvas by inputting the same clock as the sequential circuit of the logic unit 3 and using a sequential circuit for the scan canvas method. The output of the input register 12 is sent to the memory circuit 13 (
In this case, it is input to RAM). The read data from the memory circuit 13 is input to the output register 14, which in this case is a 9-bit register. Input register 12
In the same way, an output register 14 is also incorporated into the scan canvas, the output of which is fed to the logic section.

LSIの平常動作時には、セレクタ7は論理部からの入
力信号6を選択するので、従来のメモリ内蔵のゲートア
レイ集積回路と同様の動作を行なうが、入出力レジスタ
12.14のためメモリ部はクロック同期となる。
During normal operation of the LSI, the selector 7 selects the input signal 6 from the logic section, so the operation is similar to that of a conventional gate array integrated circuit with a built-in memory. It becomes synchronous.

次にメモリテストについて一例を示す、セレクタ7がカ
ウンタ8の出力および外部端子からのメモリ制御信号で
形成されるメモリテスト用入力信号10を選択するよう
に、セレクト信号11を外部端子から設定する。外部端
子からのカウントのクリア信号およびイネーブル信号9
により、データ用カウンタには任意のデータをアドレス
用カウンタには任意のアドレスを設定できる。メモリ回
路のテストは例えば、まずデータ用カウンタおよびアド
レス用カウンタに外部端子からクリア信号を入力し、カ
ウンタを初期化するとともにイネーブル信号を入力する
ことでクロックが入るたびにカウントアツプしていく。
Next, as an example of a memory test, a select signal 11 is set from the external terminal so that the selector 7 selects the memory test input signal 10 formed by the output of the counter 8 and the memory control signal from the external terminal. Count clear signal and enable signal 9 from external terminal
Therefore, any data can be set in the data counter and any address can be set in the address counter. To test a memory circuit, for example, first input a clear signal to a data counter and an address counter from external terminals, initialize the counters, and input an enable signal to count up each time a clock is input.

このとき、メモリ回路制御用の信号をメモリが書き込み
動作を行なうように外部端子から設定すると、メモリに
は各アドレスにアドレスと同じデータが専き込まれてい
く。
At this time, if a memory circuit control signal is set from an external terminal so that the memory performs a write operation, the same data as the address is dedicated to each address in the memory.

書き込み後、再びアドレス用カウンタにクリア信号を入
力すると、アドレス用カウンタはアドレス0番地を示す
。ここで、アドレス用カウンタのイネーブルを非活性に
すると、アドレス用カウンタはクロックが入っても同じ
値を保つ。メモリ制御信号をメモリ回路が読み出し動作
となるように外部端子から設定してクロックを1度だけ
入力すると出力レジスタには、アドレス0のデータがセ
ットされる。このデータはスキャンパスを使って外部端
子へシフトアウトすることで読み出すことができる。各
アドレスについて同様に調べることにより、書き込みテ
ストが行なえる。またこの方法でクロックサイクルを変
えることで書き込み動作のスピードテストが行なえる。
After writing, when a clear signal is input to the address counter again, the address counter indicates address 0. Here, when the enable of the address counter is deactivated, the address counter maintains the same value even if a clock is applied. When a memory control signal is set from an external terminal so that the memory circuit performs a read operation and a clock is input only once, data at address 0 is set in the output register. This data can be read by shifting out to an external terminal using the scan path. A write test can be performed by checking each address in the same way. Also, by changing the clock cycle using this method, it is possible to perform a speed test of the write operation.

読み出しテストについては、メモリに前述の方法でデー
タを書き込んでおき、メモリを読み出し動作となるよう
に外部端子より設定し、アドレス用カウンタをカウント
アツプしていく。あるアドレスnになった時にクロック
を止めるとメモリが正常に動作しているとすればアドレ
スn −1番地のデータが出力レジスタ14にセットさ
れる。スキャンパスを使って出力レジスタ14の値を調
べることでメモリ回路の読み出しテストが行なえる。こ
こでもグロックサイクルを変えることで読み出し動作の
スピードテストが行なえる。メモリのテスト方法には本
発明の構造にすると、種々いろいろな方法が考えら九る
。入力レジスタ12および出力レジスタ14は、スキャ
ンパスに組み込まれているので、メモリ回路13を除い
た他の部分は、スキャンパスを用いてテストできる。こ
のようにして、ゲートアレイ集積回路のLSIテスト効
率を上げることが可能となる。
For the read test, data is written into the memory using the method described above, the memory is set for read operation from an external terminal, and the address counter is counted up. If the clock is stopped when a certain address n is reached, the data at address n-1 is set in the output register 14, assuming that the memory is operating normally. A read test of the memory circuit can be performed by checking the value of the output register 14 using the scan path. Here again, you can test the speed of the read operation by changing the Glock cycle. When the structure of the present invention is used as a memory testing method, various methods can be considered. Since the input register 12 and the output register 14 are incorporated in the scan path, the other parts except the memory circuit 13 can be tested using the scan path. In this way, it is possible to increase the efficiency of LSI testing of gate array integrated circuits.

〈発明の効果〉 以上説明したように本発明はメモリを内蔵したゲートア
レイ集積回路において、メモリ部内にメモリテスト用の
カウンタおよびセレクタを有することにより、メモリの
読み出し書き込みテストおよびスピードテストの、メモ
リ回路の論理部との接続部にレジスタを置くことで、こ
のレジスタをスキャンパスに組み込むことで、接続部の
スキャンバステストも行なえるようになり、LSIテス
トのテスト効率を向上させる効果がある。
<Effects of the Invention> As explained above, the present invention provides a gate array integrated circuit with a built-in memory that has a counter and a selector for memory testing in the memory section. By placing a register at the connection part with the logic section of the LSI and incorporating this register into the scan path, it becomes possible to perform a scan path test of the connection part, which has the effect of improving the test efficiency of LSI testing.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す概略ブロック図、 第2図はスキャンパス方式を説明するブロック図5 第3図は従来のメモリ内蔵ゲート集積回路のメモリ部の
テスト方式を説明するブロック図である。 1・・・ゲートアレイ集積回路、 2・・・人出力バッフ7群 (外部入出力端子群)、 3・・・論理部、 4・・・基本セル群。 5・・・メモリ部、 6・・・論理部からのメモリ入力信号、7・・・セレク
タ、 8・・・メモリテスト用カウンタ、 9・・・カウンタ制御信号、 10・・・メモリテスト用メモリ入力信号、11・・・
セレクト信号、 12・・・入力レジスタ、 13・・・メモリ回路、 14・・・出力レジスタ、
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram explaining the scan path method. FIG. 3 is a block diagram explaining a conventional test method for the memory section of a gate integrated circuit with built-in memory It is a diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Gate array integrated circuit, 2... 7 groups of human output buffers (external input/output terminal group), 3... Logic section, 4... Basic cell group. 5...Memory section, 6...Memory input signal from logic section, 7...Selector, 8...Counter for memory test, 9...Counter control signal, 10...Memory for memory test Input signal, 11...
Select signal, 12... Input register, 13... Memory circuit, 14... Output register,

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  アレイ状に配置された基本セルを有する論理部とメモ
リ回路を有するメモリ部を具備したゲートアレイ集積回
路において、該メモリ部中に外部入力端子から制御可能
なカウンタおよびセレクタおよびメモリ回路入力用レジ
スタおよびメモリ回路出力用レジスタを有し、該セレク
タは論理部からの信号と該カウンタ出力信号の何方かを
外部端子より自由に選択し、メモリ回路入力用レジスタ
を介してメモリ回路へ入力信号を入力し、メモリ回路の
出力信号をメモリ回路出力レジスタを介して論理へ供給
することを特徴としたゲートアレイ集積回路。
In a gate array integrated circuit comprising a logic section having basic cells arranged in an array and a memory section having a memory circuit, the memory section includes a counter and a selector that can be controlled from an external input terminal, a register for inputting the memory circuit, and a memory section having a memory circuit. It has a memory circuit output register, and the selector freely selects either the signal from the logic section or the counter output signal from an external terminal, and inputs the input signal to the memory circuit via the memory circuit input register. , a gate array integrated circuit characterized in that an output signal of a memory circuit is supplied to logic via a memory circuit output register.
JP61254987A 1986-10-27 1986-10-27 Gate array integrated circuit Pending JPS63108747A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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