JPS60170963A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS60170963A JPS60170963A JP2746184A JP2746184A JPS60170963A JP S60170963 A JPS60170963 A JP S60170963A JP 2746184 A JP2746184 A JP 2746184A JP 2746184 A JP2746184 A JP 2746184A JP S60170963 A JPS60170963 A JP S60170963A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体集積回路装置に関する。
（従来技術）
従来、電子機器の電源には、電源糸のインピーダンスを
下け、雑音や信号が電源糸に回り込まない様ニ、バイパ
スコンデンサを付加している。このことは、半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという。）にも適用される。特に
高周波用のＩＣでは、ボンディングワイヤや、ＩＣパッ
ケージのリードインダクタンスの寄生素子の影智がない
様に、ＩＣ内部にバイパスコンデンサを有するものもあ
る。
下け、雑音や信号が電源糸に回り込まない様ニ、バイパ
スコンデンサを付加している。このことは、半導体集積
回路装置（以下、ＩＣという。）にも適用される。特に
高周波用のＩＣでは、ボンディングワイヤや、ＩＣパッ
ケージのリードインダクタンスの寄生素子の影智がない
様に、ＩＣ内部にバイパスコンデンサを有するものもあ
る。
第１図は従来のＩＣの一例のチップのレイアウト図であ
る。第１図において、１は活性領域で、トランジスタ、
ダイオード、抵抗、コンデンサ等をアルミニウム、金等
の導体により接続することにより電気回路を構成してい
る領域である。２はポンディングパッドで、ＩＣパッケ
ージとチップはこのポンディングパッド２を介し゛Ｃボ
ンディングされ信号の授受を行なう。３はスクライブ線
（領域）で、半導体ウェーハに板数個誓製造されたＩＣ
のチップを切り出すための切りしるになる。４は不活性
領域で、ポンディングパッドとスクライブ線に囲まれた
領域であり、スクライプによるチツブの破損により、Ｉ
Ｃ内部の回路を破壊させないためや、スクライプにより
第２図に示す部分断面図の様にチップが切り出された場
合、チップ５上にボンディングパノド２を配置すると、
チップ５の薄い部分にボンディングによる圧力がかかる
ために、チップが破壊される事を防ぐためにある程度の
面積を有する領域である。
る。第１図において、１は活性領域で、トランジスタ、
ダイオード、抵抗、コンデンサ等をアルミニウム、金等
の導体により接続することにより電気回路を構成してい
る領域である。２はポンディングパッドで、ＩＣパッケ
ージとチップはこのポンディングパッド２を介し゛Ｃボ
ンディングされ信号の授受を行なう。３はスクライブ線
（領域）で、半導体ウェーハに板数個誓製造されたＩＣ
のチップを切り出すための切りしるになる。４は不活性
領域で、ポンディングパッドとスクライブ線に囲まれた
領域であり、スクライプによるチツブの破損により、Ｉ
Ｃ内部の回路を破壊させないためや、スクライプにより
第２図に示す部分断面図の様にチップが切り出された場
合、チップ５上にボンディングパノド２を配置すると、
チップ５の薄い部分にボンディングによる圧力がかかる
ために、チップが破壊される事を防ぐためにある程度の
面積を有する領域である。
チップの利用効率全土げるという点からは、不活性領域
４も積橙的に第１」用することが望ましい。
４も積橙的に第１」用することが望ましい。
しかし、従来は、上記の理由から使用され′Ｃいなかっ
た。従っ′Ｃ１前記バイパスコンデンサも活性領域４に
配置され、チップの利用効率を下げるという欠点があっ
た。
た。従っ′Ｃ１前記バイパスコンデンサも活性領域４に
配置され、チップの利用効率を下げるという欠点があっ
た。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去することにより電源用
バイパスコンデンサを有し、かつ、チップの利用効率の
高い半導体集積回路装置を提供することにある。
バイパスコンデンサを有し、かつ、チップの利用効率の
高い半導体集積回路装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体集積回路装置は、ポンディングパッドと
スクライプ線に囲まれたチップの周辺領域上に、第１の
金属からなる下部電極と該下部電極よりも内側に配置さ
れた第２の金属からなる上部電極と該上部電極と前記下
部電極間に密接して設けられた誘電体とからなるコンデ
ンサを形成したことから構成される。
スクライプ線に囲まれたチップの周辺領域上に、第１の
金属からなる下部電極と該下部電極よりも内側に配置さ
れた第２の金属からなる上部電極と該上部電極と前記下
部電極間に密接して設けられた誘電体とからなるコンデ
ンサを形成したことから構成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第３図は本発明の一実施例の要部を示す平ｉｆｕ図、第
４図はそのＡ−Ａ’断面図である。
４図はそのＡ−Ａ’断面図である。
本実施例は、ポンディングパッドとメクラ１イブ線に囲
まれたチップの周辺領域上に、第１の金属としてアルミ
ニウムからなる下部電極７と、この下ＢＩＸ電極７より
も内１１４ｔ１に配置された第２の金属としてアルミニ
ウムからなる上部電極９と、この」二部電極９と下部電
極７間に密接して設けられた誘電体としてシリコン窒化
膜８とからなるコンデンサを形成したことから構成され
る。なおここで、６はシリコン半導体基板、１０は電源
用ポンディングパッドで上部電極９が接続されている。
まれたチップの周辺領域上に、第１の金属としてアルミ
ニウムからなる下部電極７と、この下ＢＩＸ電極７より
も内１１４ｔ１に配置された第２の金属としてアルミニ
ウムからなる上部電極９と、この」二部電極９と下部電
極７間に密接して設けられた誘電体としてシリコン窒化
膜８とからなるコンデンサを形成したことから構成され
る。なおここで、６はシリコン半導体基板、１０は電源
用ポンディングパッドで上部電極９が接続されている。
又、１９゜２０は例えばシリコン酸化物からなる絶縁層
である。
である。
すなわち、本実施例は、ＩＣの内部の配線に使用する２
）＠のアルミニウム電極とその間に誘電体としてシリコ
ン窒化膜を使用して、金属−絶縁体−金属構造（ＭＩＭ
構造）のコンデンサを前記不活性領域に配置した例であ
る。
）＠のアルミニウム電極とその間に誘電体としてシリコ
ン窒化膜を使用して、金属−絶縁体−金属構造（ＭＩＭ
構造）のコンデンサを前記不活性領域に配置した例であ
る。
第５図はさらに本実施例のチップ全体についＣ示した平
面図である。下部電極７は、スルーホール１２を介して
、内部の活性領域の接地用として使用されている接地用
ポンディングパッド１１に接続されている。従って等測
的には第６図に示す様にＩＣパッケージ１３に電源用リ
ード線１４を介してチップの電源配線１６に電源を供給
し、接地用リード線１５ｆ：チップの接地用配線１７に
接続した場合、電源−接地間に１部篭極７−シリコン鼠
化膜８−上部電極９からなる電源用バイパスコンデンサ
１８が、ＩＣ内部に接続された形になる。。
面図である。下部電極７は、スルーホール１２を介して
、内部の活性領域の接地用として使用されている接地用
ポンディングパッド１１に接続されている。従って等測
的には第６図に示す様にＩＣパッケージ１３に電源用リ
ード線１４を介してチップの電源配線１６に電源を供給
し、接地用リード線１５ｆ：チップの接地用配線１７に
接続した場合、電源−接地間に１部篭極７−シリコン鼠
化膜８−上部電極９からなる電源用バイパスコンデンサ
１８が、ＩＣ内部に接続された形になる。。
又、第５図から明らかな様に、寄生インダクタンスは極
めて少ないために、高周波的にも良好なコンデンサとな
り得る。
めて少ないために、高周波的にも良好なコンデンサとな
り得る。
さらに、スクライプ時のチップの破損に対しては、下部
電極７は第４図に示した様にスクライプ線３まで接近さ
せ、上部電極９および容量仙を決定するシリコン窒化膜
８を下部電極７よりチップの内側に配置することにより
、防ぐことができる。
電極７は第４図に示した様にスクライプ線３まで接近さ
せ、上部電極９および容量仙を決定するシリコン窒化膜
８を下部電極７よりチップの内側に配置することにより
、防ぐことができる。
つ−まり、チップの端が少々欠けても、下部電＆７の破
損ですみ、下部電極７と上部電極９の短絡にはなり得な
い。
損ですみ、下部電極７と上部電極９の短絡にはなり得な
い。
又、チップの不活性領域つ甘り、回路素子や配線のない
部分にバイパスコンデンサを配ｌｉｔ、たことにより、
内部の活性領域は、何ら制約を与え”Ｃおらず、この点
からもチップの利用効率全」二けるという利点を有する
。
部分にバイパスコンデンサを配ｌｉｔ、たことにより、
内部の活性領域は、何ら制約を与え”Ｃおらず、この点
からもチップの利用効率全」二けるという利点を有する
。
なお、上記実施例においては、上部電極、下部％極とも
にアルミニウム電＆’に用いたけれども、例えは片側が
多結晶シリコン電極のように他の金属からなるものを用
いることができる。
にアルミニウム電＆’に用いたけれども、例えは片側が
多結晶シリコン電極のように他の金属からなるものを用
いることができる。
（発明の効果）
以上詳細説明したとおり、本発明によれば、上記の構成
により、電蝕バイパスコンデンサを有し。
により、電蝕バイパスコンデンサを有し。
かつ、チップの利用効率の筒い半専体集積回路装置が得
られる。
られる。
第１図は従来の半専体集槓回路装置の一例のチップのレ
イアウト図、第２図はその部分断面図、第３図は本発明
の一実施例の要部を示す平面図、第４図はそのＡ−Ａ’
断面図、第５図はそのチップ全体について示した平面図
、第６図はその模式的等価回路図である。 ｌ・・・・・・活性領域、２・・・・・・ポンディング
パッド、３・・・・・・スクライプ紡、４・・・・・・
不活性領域、５・・・・・・チップ、６・・・・・・シ
リコン半導体基板、７・・・・・・下部電極、８・・・
・・・シリコン窒化膜、９・・・・・・上部電極、ｌＯ
・・・・・・電源用ポンディングパッド、１１°パパ°
接地用ポンディングパッド、１２°゛゛°°スルーホー
ル、１３・・・・・・ｌＣパッケージ、１４・旧・・電
源用リード、１５・・・・・・接地用リード、１６・旧
・・チップの電源配線、１７・・・・・・チップの接地
配線、１８・・・・・・電源用バイパスコンデンサ、１
９．２０・・・・・・絶縁層。 ４ｈ４ ｔ し） ネ ２ 図 牢３ 図 第４ 凶 掴５ 図 竿７６図
イアウト図、第２図はその部分断面図、第３図は本発明
の一実施例の要部を示す平面図、第４図はそのＡ−Ａ’
断面図、第５図はそのチップ全体について示した平面図
、第６図はその模式的等価回路図である。 ｌ・・・・・・活性領域、２・・・・・・ポンディング
パッド、３・・・・・・スクライプ紡、４・・・・・・
不活性領域、５・・・・・・チップ、６・・・・・・シ
リコン半導体基板、７・・・・・・下部電極、８・・・
・・・シリコン窒化膜、９・・・・・・上部電極、ｌＯ
・・・・・・電源用ポンディングパッド、１１°パパ°
接地用ポンディングパッド、１２°゛゛°°スルーホー
ル、１３・・・・・・ｌＣパッケージ、１４・旧・・電
源用リード、１５・・・・・・接地用リード、１６・旧
・・チップの電源配線、１７・・・・・・チップの接地
配線、１８・・・・・・電源用バイパスコンデンサ、１
９．２０・・・・・・絶縁層。 ４ｈ４ ｔ し） ネ ２ 図 牢３ 図 第４ 凶 掴５ 図 竿７６図
Claims (2)
- （１） ポンディングパッドとスクライブ線に囲まれた
チップの周辺領域上に、第１の金属からなる下部電極と
該下部電極よりも内側に配置された第２の金属からなる
上部電極と該上部電極と前記下部電極間に密接して設け
られた誘電体とからなるコンデンサを形成したことを特
徴とする半導体集積回路装置。 - （２）下部電極が接地用ボンディングパッドニ接続され
、上部電極が電源供給用ボンティングパッドに接続され
”Ｃいることを特徴とする特許請求の範囲＠（１）項記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2746184A JPS60170963A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2746184A JPS60170963A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170963A true JPS60170963A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12221752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2746184A Pending JPS60170963A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170963A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177056U (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-16 | ||
| JP4917537B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2012-04-18 | フィニサー コーポレイション | フィルタ処理を一体化して寄生静電容量が低減されたトランスインピーダンス増幅器 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2746184A patent/JPS60170963A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177056U (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-16 | ||
| JP4917537B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2012-04-18 | フィニサー コーポレイション | フィルタ処理を一体化して寄生静電容量が低減されたトランスインピーダンス増幅器 |
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