JPS60170860A - 水素化無定形ケイ素組成物の後処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は一般に無定形ケイ素の処理方法、さらに詳しく
は、無定形ケイ素光４電性物質をフッ素含有化合物で処
理する簡ｊｉｌで、直接の経済的な方法に関する。一つ
の実施態様において、本発明は生の無定形ケイ素光導電
性物質をフン化水素酸のようなフッ素含有化合物で処理
し、それによってこれら物質の電荷アクセプタンスを増
大させる方法に関する。また、本発明方法によればミ無
定形ケイ素光導電体の電荷アクセプタンスをその像形成
装置での使用後に増大させ得る。さらに、本発明方法に
よれば、表面に望ましくない目に見えない潜像ひっかき
傷（ｓｃｒａｔｃｈｅｓ　）を含む無定形ケ・イ素をこ
れらひっかき傷の印刷上りを消去するためにフッ素含有
物質で処理できる。さらに、本発明方法によれば、生の
電子写真無定形ケイ素装置で得られる暗闇形像中の白ス
ポット（ｗｈｉｔｅ　５ｐｏｔｓ）として現れる像欠陥
を消去できる。さらにまた、本発明方法により無定形ケ
イ素を処理することにより、貯蔵した光導電性ドラムの
老化（この老化は解像力の損失となる）を防止できる。

一本発明方法により処理した無定形ケイ素物質は静電像
形成装置の光導電性像形成部材として有用である。上記
の装置は、例えば、その表面に形成された静電潜像をト
ナー粒子によって現像し、紙のような適当な基質に転写
し、次いでそれに例えば熱により任意にかつ永久に定着
さゼる装置である。

静電写真像形成システム特に静電複写像形成システムは
周知であり従来技術において広範囲に記載されている。

一般にこれらのシステムにおいては、感光性即ち光導電
体材料はその上に静電潜像を形成するために使用される
。、この光受容体は一般に表面に光導電性材料の層を含
む導電性基質か冷 らなり、多くの場合、薄いバリヤ一層を上記基質と光導
電性層との間に置いて基質からの電荷注入を防止する。

電荷注入は得られる像の品質に悪影響を及ぼず。公知の
有用な光導電性材料の例に無定形セレン、およびセレン
−タリウム、セレン−ひ素のようなセレン合金等がある
。さらに、感光性像形成性部材としては、例えば、１−
リニトロフルオレノンとポリビニルカルバゾールとのコ
ンプレックスを包含する各種有機光導電性材料を使用で
きる。最近、別々の電荷移動層と光発生層を含む積層有
機感光装置が開示されている。電荷移動層の例は各種ジ
アミンであり、使用できる光発生組成物■には三方晶セ
レン、金属および無金属フタロシアニン、バナジルフー
ロシアニン等がある。

また、無定形ケイ素光導電体も公知であ゛る（米国特許
第４，２６５，９９１号参照）。この米国特許には、基
質、バリーＸ・一層、および１０〜４０原子％の水素を
含みｊ７さ５〜８０ミクロンを有する無定形ケイ素の光
導電性上部層とを含む電子写真感光性部材を開示してい
る。さらに、この米国特許は無定形ケイ素を調製するい
くつかの方法も開示している。１つの方法においては、
この米国特許の教示によれば、チャンバー内に含まれる
電子写真部材を５０°Ｃ〜３５０℃に加熱し、ケイ素お
よび水素原子を含むガスをチャンバー内に導入し、チャ
ンバーの空間に電気放電を行い、次いで電子写真基質上
に０．５〜１００人／秒の速度で無定形ケイ素を沈着さ
せることにより、電子写真感光性部材を調製する。これ
ら装置の電イ：カアクセプタンスはその表面条件によっ
て限定されていることが見い出されている。さらに、多
くの場合、上記米国１．１許方法によって調製した装置
表面によるコロナ作用の結果として、表面型導度は望ま
しくない程増大して解像力の損失および約１０００像形
成サイクル以下で像密度の減少とを来す。従って、上記
米国特許の那定形ケイ素感光装置は有用であるＬＪれど
も、多数回の像形成サイクルでの商業的装置とし°この
使用は容易に達成されていない。

さらに、“調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置”
の名称の同時係属米国出願１１ＳＳＮ、　５２４８０１
／８３（その記載はすべて本明細書に参考として合体す
る）においては、電子写真像形成装置に合体させるのに
使用できる無定形ケイ素の調製方法を記載しており、該
無定形ケイ素により高解像力の像を多数回の像形成サイ
クルで得ることができるものである。この方法は無定形
ケイ素を同時に処理することを包含する。

最近、実質的な興味が無定形ケイ素光受容体材料を得る
ごとに向＆ノられている。というのは、この受容体材料
は、無定形ケイ素は極めて硬質でかつ数白°Ｃ程の１０
１温においても長時間に且って結晶化しない点で、例え
ば、無定形セレン系材料に比較し多くの利点を有してい
るからである。しかも、フ１！（定形ケイ素光受容体材
料ばず（れた光電気的特性および可視領域を通しての高
吸収係数とを有し、さらにセレン光導電体に比し使用寿
命コストが比較的低いものである。しかも、無定形ケイ
素光受容体は、静電複写的に荷電し各種像形成システム
中で正または負に放電できるように両極性であり得る。

さらにまた、無定形ケイ素はほう素およびりんのような
各種ドーパントを加えて変性することができ、この材料
をｐまたはｎタイプの半導体装置として機能できるよう
にし；また無定形ケイ素はスペクトルの赤外線領域で感
光性である材料を調製する目的でゲルマニウムおよびず
ずを含む他の物質で合金化してもよい。さらにまた、無
定形ケイ素祠料は不活性で無毒であり、これら材料を光
勇−電性像形成性部祠として非常に望ましいものとする
。

無定形ケイ素を製造する方法は公知であるが、殆んどの
場合、これら方法は電子写真像形成製９：での繰返しの
使用後に電荷アクセプタンスを減少させ得られた像を貧
弱な密度にする無定形ケイ素を与える。理論により拘束
する積もりはないが、現像剤キャリャービー不問無定形
ケイ素表面との連続的な機械相互作用の結果としてケイ
素−水素および／またはケイ素−ケイ素結合を破壊し、
また水の存在で蒸気がケイ素−ヒドロキシ型結合に変換
するものと信する。表面条件により限定されるこれら装
置の電荷アクセプタンスは上記機械的相互作用の結果と
して減少し、像密度に望ましくない減少を起す減少した
電荷アクセプタンスを生しる。さらに、現像段階での現
像剤ビーズによる機械的劣下は全無定形ケイ素感光装置
即しドラムの電荷アクセプタンスを低下させかつ全像密
度に相応する減少を生ぜしめる。

無定形ケイ素で観察される他のタイプの劣下は表面の小
はく離領域であり、ごの劣下は一般にひっかき傷（スク
ラッチ）と称される。これらのひっかき傷は、例えば、
無定形ケイ素光導電体をハイパー刃にて掃除する静電複
写像形成工程中に生しる。さらに、現像剤混合物中に含
まれるはく離したキャリヤー粒子と無定形ケイ素の相互
作用もひっかき傷を生じ得る。しかも、これらひっかき
傷は無定形ケイ素ドラムを製造する間のその操作中およ
び装置中へのドラムの設置中にも発生し得る。、目に見
えないこれら潜在的ひっかき傷は無定形ケイ素の表面を
劣下してその電荷アクセプタンスの減少およびひっかき
傷の浮き出しくプリントアラ１−）を起す。最小回数の
像形成サイクルで、無定形ケイ素のギヤリヤービーズと
の相互作用は像密度の減少を来し、ひっかき傷が浮き出
される。

結果として、最初その耐久性故に使用された無定形ケイ
素光受容体はもはや使用されずそのために廃棄されてい
る。

さらに、無定形ケイ素の電子写真的性能の劣下はコロナ
雰囲気に対する特に高温度での露出によるケイ素装置の
化学変化に対する感応性により生ずると信じられている
。これらの感応性は露出表面が実質的に無定形ケイ素を
含む装置の実際的使用に基本的な制限を生ずる。この問
題は無定形ケイ素を無定形チソ化ケイ素、無定形炭化ケ
イ素または無定形炭素の化学的に不活性な硬質オーバー
コーテイングでカプセル化することにより最小にできる
けれども、そのような装置は静電複写像形成システムに
合体したとき像の不鮮明化および数回の、典型的には１
０回以下の像形成サイクルての極め°で急速な像の消失
とをもたらす。しかも、これらオーバーコーテイング装
置においては操作（ザクリング）による貧弱な像品質が
摩耗または保護オーバーコーテイング層を含まない無定
形ケイ素によって生ずるような化学作用によるよりはむ
しろ下層の無定形ケイ素層の表面導電性の増大により生
じている。この導電性の増大はよく知られた金属−絶縁
体一半導体装置での電界作用に由来する作用に類似した
オーバーコーテイングした装置表面に存在する電界によ
り誘起され、光受容体表面に投影された直線または端末
像に伴う縁部電界中の光発生した電荷の潜在的拡大を起
し、その結果像の不鮮明化および像の消失を来す。

また、新しく調製した無定形ケイ素装置は電荷を受入れ
ない自スポットと称される小欠陥領域も有する。暗闇形
領域により原像の複写中に発生する自スポットは殆んど
無定形ケイ素中の構造的欠陥により生ずるようである。

しかも、無定形ケイ素受容体は貯蔵によって望ましくな
い老化を生ずること、即ら、そのような装置で得られる
像のまともな解像力は作製後の短時間は見られるりれど
も、数ケ月貯蔵したとき解像力の消失した像を発生ずる
ことが知られている。これらの変化は例えば無定形ケイ
素の周囲環境との相互作用の結果としての無定形ケイ素
表面の化学変性によって生ずるものと信じられている。

従って、多数の像形成サイクルで繰返し使用できる無定
形ケイ素を得ることか要求されている。

さらに、無定形ケイ素の電荷アクセプタンスおよび解像
力を増大させまた表面ひっかき傷および白スポットを除
去する目的で、無定形ケイ素光専電性祠料を処理する方
法が要求されている。また、最小の処理工程で処理でき
て表面ひっかき傷を除去し電荷アクセプタンスを増大さ
せ得る無定形ケイ素光導電体材料が要求されている。さ
らにまた、生の未使用の無定形ケイ素光導電性物質を主
としてその電荷アクセプタンスを１１／１大させる目的
で処理できることも要求されている。また、処理した後
電子写真像形成システムに合体させ得、かつ、電荷アク
セプタンスを増大させて像品質の劣下なしに特に低密度
と乏しい解像力の像を与えることなしに実質回、故の像
形成サイクルで使用可能である無定形ケイ素物質の直接
の経済的処理方法も要求されている。さらにまた、像形
成装置で使用後密度の損失とひっかき傷の浮き出しを示
す無定形ケイ素ドラムを再研磨して再生させる方法も要
求されている。

発明の要約 従って、本発明の目的は無定形ケイ素物質の処理方法を
提供することである。

本発明の他の目的はフッ素含有物質で無定形ケイ素物質
を処理する改良された方法を提供することである。

本発明の別の目的は、電荷アクセプタンスを増大させる
目的で無定形ケイ素光導電性材料の改良された直接処理
方法を提供することである。

本発明のさらに別の特別な目的は潜在的な表面ひっかき
傷を消去する目的でフ・ノ化水素敵のようなフッ素含有
物質で無定形ケイ素光導電性材料を処理する方法にある
。

本発明のさらに別の目的は電荷アクセプタンスを増大さ
せる目的で、生の無定形ケイ素光導電性材料を処理する
方法を提供することである。

本発明のさらに別の目的は静電複写像形成装置に合体さ
せたとき増大した解像力を与える生の無定形ケイ素光導
電性Ｈ料を処理する方法を提供することである。

本発明の別の目的は、公知の白スボ・ノドを含む像欠陥
を除去することを主目的として、生の無定形ケイ素光４
電性月料を処理する方法を提供することである。

本発明の上記および他の目的は、無定形ケイ素光導電性
材料をフッ素含有物質と接触させることによる該無定形
ケイ素材料の改良された簡単かつ直接処理方法を提供す
ることより達成される。さらに詳しくは、１つの実施態
様において、本発明は（１１無定形ケイ素光導電性材料
を用意し、（２）該材料をフッ素含有物質と、該材料の
電荷アクセプタンスの増大および／または該材料に含ま
れる表面ひっかき傷の除去を可能にするに十分な時間接
触させることからなる改良方法に関する。

零発・明のある特定の実施態様においては、（１）生の
未使用無定形ケイ素光導電性材料を用意し、（２）該材
料をフン化水素酸から発生した蒸気と約１分〜約２４０
分間、好ましくは約１０分〜約６０分間接触させて、フ
ッ化水素酸蒸気で処理しない無定形ケイ素と比較して増
大した電荷アクセプタンスと解像力とを与えることから
なる無定形ケイ素光導電性材料の改良された処理方法を
提供する。

本発明の別の特定の実施態様においては、（１１無定形
ケイ素光導電性材料を用意し、（２）該材料をフッ化水
素酸から発生した蒸気とその使用後電子写真装置から取
り出した後に約１分〜約２４０分間好ましくは約１５分
〜６０分間接触させて得られた装置の電荷アクセプタン
スを増大させることおよび／またはその中に含まれる表
面ひっかき傷を実質的に除去することからなる無定形ケ
イ素光導電性材料の改良された処理方法を提供する゛。

本発明の他の好ましい特定の実施態様においては、無定
形ケイ素光導電性材料を用意し、該材料をフン化水素酸
から発生した蒸気と約１分〜約２４０分間好ましくは約
１０分〜約６０分間接触させて無定形ケイ素材料のフッ
素化を生しさせ、かつフッ素をその表面に含ませること
からなる無定形ケイ素光導電性材料の改良された処理方
法を提供する。

本発明の目的に使用できるフッ素含有物質の具体的例は
フッ化水素酸または六フッ化物頚であり、好ましいのは
フン化水素酸である。しかしながら、多くの他の物質も
フッ素化剤として作用する限り使用でき本発明の目的を
達成できるものと確信している。これらの物質にはフッ
素ガスのようなフッ素を含む物質がある。

使用するフッ素化剤の量は例えば、無定形ケイ素光受容
体のフッ素源を有する容器の液体レベルからの距＾１＃
を含む多くのファクターによるが、一般には、約１００
ｍ１〜約１０６ｍ４好ましくは約１０３■ｒｅ〜約１０
’ｍＡのフッ素化剤物質を使用する。

処理する無定形ケイ素光導電性部材はフッ素含有溶液中
に分散させるか、好ましくはフッ素含有溶液の蒸気と例
えば該フッ素含有溶液のす＜’−Ｌでかつ近接して上記
部材を回転することにより接触させ得る。回転ば約０．
２　ＲＰ　Ｍ〜約６ＯＲＰＭ好ましくは約１ＯＲＰＭ〜
約３ＯＲＰＭで行う。

フッ素含有溶液中に分散させる場合には、無定形ケイ素
光導電体像形成性部材は溶液中に約１分〜約２４０分間
好ましくは約１００〜約６０分間滞留せしめる。本発明
方法による“溶液”なる用語はフッ化水素酸のようなフ
ッ素含有物質の水溶液を意味し、該水溶液は約２５重足
％〜約６０重足％のフン化水素と約７５重量％〜約４０
重量％の水とを含む。

処理の結果は第二イオン質量分光分析（ＳＩＭＳ）およ
び化学分析用電子分光学（ＥＳＣＡ）を含む分析方法に
より評価し得る。これらの方法は未露出または生の無定
形ケイ素装置に比較したとき露出無定形ケイ素領域上に
高レベルのフッ素を分析した。また、本発明の方法によ
り処理した無定形ケイ素光導電性物質の電荷アクセプタ
ンスは生の装置に対し約２倍の例えば２００〜４００ボ
ルトを有し、また像形成装置で使用し取り出した後の装
置に対し５倍以上増大した８０〜４００ボルトを有して
いた。

無定形ケイ素光導電性物質の電荷アクセプタンスは得ら
れる像の品質に直接関係する。即ち、例えば、未処理ケ
イ素の電荷アクセプタンスが約１００００回の像形成サ
イクル後に、２００ボル１・から約１１０ポルＩ−ｉ　
減少したときは、得られる像の密度は約１．２から約０
．７に減少する点で許容され得ないものである。ある場
合には、未処理無定形ケイ素の電圧低下は、得られる像
の密度が０に近く、そのため時には読み取り得ない程度
に有意である。

本発明方法において“電荷アクセプタンス”なる語は荷
電直後の無定形ケイ素光受容体上の測定電位を意味する
。電荷アクセプタンスば荷電用クロト１コンずく近くに
（ｌｉｌｆえイ１けられた容量的に結合したプルーブに
よる無定形ケイ素の表面電位の４（す定を包含する多く
の公知方法により測定できる。

−ＩＩＩｌａに約２００ボルト〜約３５０ボルトの電荷
アクセプタンスが１０ミクロン厚の無定形ケイ素に所望
され、さらに、この電荷アクセプタンスは１００．００
０回以上の像歴成サイクルで変わらずに残存することが
重要である。

本発明方法により処理した後、無定形ケイ素光導電性物
質は一般に水のような不活性物質で洗浄し乾燥させる。

洗浄には約１００００〜約５００００ｍ　７！の水を使
用する。他の洗浄用物質は本発明の１°」的が達成され
る限りにおいて使用できる。

本発明方法により処理した感光装置は各種の像形成シス
テム特に静電複写像形成システムに合体；き・ｔ！’　
ｆ：）る。これらのシステＪ、においでは、静電？Ｕ像
を合体させた感光装置上に形成し、次いでこの潜像を公
知の現像剤組成物によって現像し、続いて像を適当な基
質に転写し、さらに必要に応じ像を基質−にに永久的に
固着さセる。これらの像形成システムに使用した無定形
ケイ素光導電体装置は、本発明方法により処理した後、
高解像力を有し多数回の像形成サイクルで高密度の像を
発生させるのに有用である。さらに、本発明方法により
処理した後、製造段階中で生じた望ましくない白スポッ
トを消去しその故に高品質ですぐれた解像力の像を与え
る。また、本発明方法により処理した後、解像力の損失
として現われる前述したような無定形ケイ素の老化を実
質的に消去する。

理論によって拘束することは望まないけれども、未処理
無定形ケイ素は、静電写真環境にさらしたとき、ケイ素
−水素結合を破壊せしめ、かくしてその上に表面ひっか
き傷を生じまたそのような装置の電荷アクセプタンスを
減少させるものと信じている。さらに詳しくは、前述し
たように、水蒸気の存在下の破壊した結合はケイ素−水
酸基結合を形成し、かくして表面特性を変化させるもの
と信じている。いずれにしろ、表面摩耗は無定形ケイ素
表面に電導性状態を形成し、荷電中、これが電荷アクセ
プタンスの減少の原因となる。

以下、本発明をその好ましい具体的な実施態様に関連し
て詳細に述べるが、これらの実施例は単に例示的なもの
であることを理解されたい。本発明は実施例中で用いた
各材料、諸条件または各プロセスパラメーターに限定す
るものではない。実施例中、すべての部およびパーセン
トは特に断らない限り重量による。

去巖汎上 プラズマ反応器中に、はう素でドーピングした水素化無
定形ケイ素ドラムを次の如くして作製した。

１１００ｐｐのほう素でドーピングした無定形ケイ素Ｈ
料Ａ−５ｉ：ＩＩの１０００オングストロームｊゾのブ
ロッキング界面層を、１１００ｐｐのジボランと混合し
たシランガス２００ｓｅｃｍ　（標準立方ｃｍＺ分）を
反応器に流し込むことにより、先ず形成した。プラズマ
圧を５００ミクロンに維持し、３０Ｗの１３．６Ｘ１０
６サイクルのラジオ周波数出力（ｒｆ比出力を２３０°
Ｃの温度に維持した回転中のアルミニウムドラムと反応
器中に含まれた同心円対向電極との間に適用した。アル
ミニウム基質上への界面層の析出に続いて、１０ｐｐｍ
ホウ素を含む無定形ケイ素Ａ−３ｉ：）（の３θミクロ
ン層をその上に次のようにして形成した。１８０ｓｅｃ
ｍのシランガスと１１００ｐｐのジボランを含む２０Ｓ
ＣＣｆｆｌのシランガスとを反応器中に通した。プラズ
マ圧を５００ミクロンにまたｒｆ比出力３０ワツトにセ
ントした。１０ｐｐｍのホウ素でドーピングしたＡ　−
５ｉ　：’　Ｈを含む３０ミクロン厚の層を上記界面層
上に１７時間のプラズマ析出中に形成した。

丈韮」九１ 実施例ＩＴ：調製した積層型ドラム装置の電子写真特性
は、ドラムを２Ｏｒｐｍで回転しながらスキャンナー（
ｓｃａｎｎｅｒ　）中で測定した。また、ドラムを一定
電流にセントシた１０インチ（２５，４ｃｍ）幅のクロ
Ｉ−ロンで正に荷電した。特に３０マイクロ′１ンペア
の荷電電流で、ドラムの電荷アクセプタンスは、」−記
スキャンナーで測定したとき、（ｉｉＩ電後、ｔ　＝　
０．１９．０．４２および１．１２秒の各時間でそれぞ
れｆＯＯ１１３０および９０ボルトであることが判った
。このドラム装置は良好な感光性を有し、８エルグ／　
Ｃ１１！の光で完全に放電した。

次いで、ドラムをゼロックスコーポレーション３１００
像形成装置に挿入し、適正密度の暗粉末（ｄａｒｋ　ｄ
ｕｓｔｉｎｇｓ　）を調製した。暗粉末は、露出せずに
荷電した後印刷したところ、無定形ケイ素フィルム中に
欠陥を示す著しい白スボソ１−を示した。

実施例３ 実施例１で調製したゲイ素ドラムをその長さに沿って４
つのセグメントに分割し、適当にＡ、Ｂ、ＣおよびＤと
した。第１および第３のセグメントをドラムの周縁で固
定したマイラーテープで保護した。そのあと、ドラムを
摩耗試験機中で裸スポンジ鉄ビーズによる表面作用；老
化促進試験に供してドラム」二での２４００回被写を生
成する効果を測定した。）ｒ耗試験機で２時間後、部分
ＡおよびＣよりマイラーテープをはずして、ドラムを実
施例２の３１００複写機に挿入した。暗粉末は、露出な
しで荷電後に印刷すると、保護領域ＡとＣの印刷密度は
影響されてないことを示した。領域■３とＤの印刷密度
は１．２から０．７へ著しく減少した。ト′ラムをスキ
ャンナー内で試験し、３０マイクロアンペアの荷電電流
で領域へとＣの電位はｔ　＝　０．１９．０．４２およ
び１．１２秒でそれぞれ２００．１３０および９０ボル
トであることが判った。即し、保護領域ＡとＣの電位は
変わらなかった。領域ＢおよびＤの電位は荷電後ｔ＝０
．１９．０、４２および１．１２秒でそれぞれ１１０．
４５および２０ボルトであった。従って、促進老化は領
域ＢとＤの電荷アクセプタンスを著しく低下さセた。

−１」 次に、実施例３のドラム装置の領域Ｃ（生およびテープ
除去した）およびＤ（老化させた）セグメントを約６０
％の水と約４０％のフッ化水素酸からなるＩＴ　Ｆ　溶
液を含むビーカー上でドラムを回転することによりＨＦ
蒸気に露出した。領域ＡとＢはマイラーテープで保護し
これら領域のＨＦ　蒸気への露出を最小にした。ＨＦへ
の１時間の露出後、ドラム上に、生の領域Ａ１老化した
領域Ｂ、ＨＦに露出した生の領域Ｃ１およびＨＦ１４気
に露出した老化領域りを得た。次いで、マイラーテープ
を領域へとＢからはがした。印刷試験すると、暗粉末は
像密度の低下を有する領域はＢだけであることを示した
。領域１）の老化時の像密度の低士はＨＦ　ｙ４気処理
により復帰していた。生のドラムの晴粉末中に見られる
白スポットはＨＦ蒸気ムこ露出した領域では殆んど消失
していた。

スキャンナー内で得られたドラムを測定すると、次の電
位を秒で示す時間でのボルトで得た。

ＥＴ趙多ｔ、ｖ（ｏ、１９＋１）ｖ（ｏ、４２」）Ｖ（
１，１２秒）Ａ　生　２００　１．３０　９０ １３　老化　１１０　４５　２０ 生の領域の電荷アクセプタンスはかくしてＨＦ蒸気への
露出により改良されており、また老化領域の電荷アクセ
プタンスの低下はＨＦ蒸気の露出により回復していた。

印刷欠陥（白スポット）は観察により測定したとき、Ｉ
−Ｉ　Ｆ処理により殆んど消失していた。

実施例５ 解像ターゲットの像を実施例４により調製した無定形ゲ
イ素装置上に調製した。観察により、領域ＣとＤにおい
て白スポットが少なくまた良好な解像力であったので、
ＨＦ露出領域の解像力は生領域Ａの解像力よりはるかに
ずくれていたごとが判った。次いで、無定形ケイ素ドラ
ムを１０ケ月間周囲条件で暗所に貯蔵し、解像ターゲッ
トの像をこの貯蔵無定形ケイ素ドラム上に調姶した。観
察により、生の領域への解像力はそれから得られた像が
不鮮明で汚れていた点で劣っていた。これに対し、貯蔵
無定形ケイ素光受容体に発生させ現像した像は、ＨＦ　
藩気に露出した領域針おいて、高品質の像とすぐれた解
像力を得た点で解像力の低下を示さなかった。

本発明を好ましい特定の実施態様に関連して記載して来
たけれども、これらに限定するものではない。むしろ、
当業者ならば本発明の精神および特許請求の範囲内で各
種変形および修正が可能であることは理解されるであろ
う。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ｉ）無定形ケイ素光導電性物質を調製し、ｉｉ　
   ）この物質をフッ素含有物質と十分に有効な時間接触さ
   セ、それによって、電子写真像形成装置に合体させたと
   き、未処理の無定形ケイ素光導電体物質と比較したとき
   実質的に白スポットのない増大した解像力の像を達成可
   能にする光導電体物質を得ることを特徴とする無定形り
   ・イ素光導電体物質の処理方法。 ｆ２１ｉ）無定形ケイ素光導電性物質を調製し、ｉｉ　
   ）この物質をフッ素含有物質と約１分〜約２４０分間接
   触させて、電子写真像形成装置に合体させたとき、未処
   理の無定形ケイ素光導電体物質に比較したとき実質的に
   白スポットのない増大した解像力の像を達成可能にする
   光導電体物質を得ることを特徴とする無定形ケイ素光導
   電体物質の処理方法。 （３）無定形ケイ素をフン化水素蒸気に約１０分〜約６
   ｇ３間さらす前記第（２）項記載の方法。 （４）貯蔵後に電子写真像形成装置に合体させたとき装
   置の老化特性を望ましく減少させる光導電体装置を得る
   前記第（２）項記載の方法。 （５）　フン化水素酸溶液が約２５重量％〜約６０重量
   ％のフッ化水素と約７５重慣％〜約４０重四％の水を含
   む前記第（３）項記載の方法。 （６）処理の後で無定形ケイ素を水で洗浄する前記第３
   項記載の方法。 （７）生の未使用無定形ケイ素光導電体を調製し電荷ア
   クセプタンスの増大を得る前記第２項記載の方法。 （８）処理により実質的回数の像形成ザイクルの静電複
   写像形成装置に合体させた無定形ケイ素光導電体を調製
   する前記第（２）項記載の方法。 （９）前記第（１）項の処理無定形ケイ素光導電性部材
   を用意し、その装置を像形成的に露出し、得られた像を
   １−ナー粒子により現像し、その後適、当な基質に転写
   し、この基質に像を任意に永久的に定着して１０００像
   形成サイクル以上においてずぐれた品質の高解像力の像
   を得ることからなる像形成方法。 （１０）　無定形ケイ素光導電性部材をフン化水素酸に
   より処理する前記第（９）項記載の方法。 （１１）得られた装置の電荷アクセプタンスを増大させ
   る前記第（９）項記載の方法。 （１２）　像中の自スポットの数の減少を得、また装置
   の老化の減少および像の増大した解像力とを得る前記第
   （９）項記載の方法。