JPS60167509A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents

弾性表面波素子の製造方法

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JPS60167509A
JPS60167509A JP59021546A JP2154684A JPS60167509A JP S60167509 A JPS60167509 A JP S60167509A JP 59021546 A JP59021546 A JP 59021546A JP 2154684 A JP2154684 A JP 2154684A JP S60167509 A JPS60167509 A JP S60167509A
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JP
Japan
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wafer
surface acoustic
acoustic wave
angle
face
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Pending
Application number
JP59021546A
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English (en)
Inventor
Takeshi Shoroku
松緑　剛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０３）単結晶
からなる弾性表面波素子の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に１弾性表面波素子は１弾性表面波を励振。
受信する櫛形電極が形成された鏡面の表面と％１５〜２
０μｍ　Ｒｍａｘの粗面の裏面とからなっている。とこ
ろで１表面の入力側電極で弾性表面波を励振する際、同
時にバルク波も発生する。もし、裏面が平滑面であると
すると、このバルク波は裏面で反射されて出力側電極に
おいて弾性表面波とともに受信されスプリアスの原因と
なる。そこで、バルク波を減衰させるだめのラッピング
、プラスト加工等の粗面化加工が裏面に対して施されて
いる。
しかしながら、従来のラッピング、プラスト加工等によ
る粗面化加工法は１次のような欠点をもっている。すな
わち、■加工歪によシ反υが３００μｍ程度発生するこ
とがあり、この場合、エツチング工程が余分に必要とな
る。■ラッピング加工による場合、大きな砥粒を用いる
ので、ウェーハの割れ、チッピングを惹起しやすい。ま
た、プラスト加工による場合も、砥粒の衝突にともなう
衝撃力によりウェーハの割れ、チッピングを惹起する。
■加工時に生じた割れ、チッピング等の欠陥を起点とし
て、後続工程又は使用中において付加された熱応力、衝
撃力によシ臂開面に沿って上記欠陥が拡大し１歩留低下
、特性劣化の原因となる。
〔発明の目的〕
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので。
加工時又は加工後に破損を生じることのないＬｉＴａ０
゜からなる弾性表面波素子の製造方法を提供することを
目的とする。
〔発明の概要〕
（２１１０）面でカットされたＬＩＴａＯ，単結晶ウェ
ーハにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
まず、図示せぬ単結晶製造装置によりＬｉＴａ０．単結
晶インゴットを製造したのち、ウェーハを切出す。第１
図は、　ＬＩＴａＯ，単結晶ウェーッ・（１）を示して
いる。このウェーハ（１）の主面は、（２ｉｉＯ）面と
なっている。この（２丁丁０）面には、ψ開面（４，Ｔ
ａ２）、（ｉｏｔ２）。
（ｏｘＴ２）が交差している。ウェーハ（１）主面と襞
間面（１１０２）、　（１０１２）との交線は第１の襞
間線（２）となっている。まだ、ウェーハ（１）主面と
襞間面（０１１２）との交線は、第２の襞間線（３１と
なっている。これら第１及び第２のり量線（２）、（３
）の交差角λ５．λ、は、それぞれ９５°及び８５°と
なっている。さらに、ウェーハ（１）の一端部には、１
１２．２°回転Ｙ方向にオリエンテーションフラット（
４）が形成されていて、このオリエンテーションフラッ
ト（４）方向に弾性表面波が伝播するように々っている
。一般に、ＬｉＴａ０．は。
弾性表Ｍ波フィルタとしては有用な圧電材料であるが、
上記第１及び第２の勢量線に沿って割れやすい欠点をも
っている。そこで、第２図に示すように１本実施例にお
いては、複数の格子状溝（５）・・・を例えばダイヤモ
ンドポイント工具を用いたスクライビングにより、第１
及び第２の襞間線（２）、　（３）方向からの角度が最
大になるよう々方向に高密度に形成する。これら溝（５
）・・・の方向は次のようにして規定されている。すな
わち、第３図は（２１１０）面の投影図を示していて、
この図において〔０ＩＴＯ〕方向からＣ０００１）方向
への最短回転角方向に角度ψ、（ψ１＝　１７１°）又
は角度ψ、（ψ、＝８１°）だけ回転した方向に溝（５
）・・・をスクライビングによシ形成する。
この場合、溝（５）・・・は、第１図及び第２図に示す
ように、オリエンテーションフラット（４）に対して、
角度θ、（θ１＝５９°）及び角度θ２（θ２＝３１°
）だけ傾斜している。
このように、ウェーハ（１）に溝（５）・・・を多数個
しかも高密度で形成する結果、ウェーッ・（１）主面は
粗面化され１弾性表面波に随伴するバルクの裏面反射を
効果的に減衰させることができる。かチ十号下溝（５）
・・・は、襞間方向から最大角になるように襞間線（２
）、　（３！から第１図角度θ１．θ２だけ回転した方
向に形成されているので、スクライビング中に割れ。
欠は等の欠陥が発生することがほとんどなく、仮に発生
しても伝播しにくく、かつ襞間面とのなす角度が大きい
ので、欠陥が拡大することがない。
また、後続のデバイス製造工程において、ウェーハ（１
）に例えば熱応力などの外力が加わっても、男開面で破
壊されにくくなっている。
なお、上記実施例においてはスクライビング溝方向は、
角度ψ１と角度ψ２の２方向としたがいずれか一方のみ
でもよい。さらに、スクライビング溝方向は、角ψ１±
１５°及び角度ψ２±１５°の範囲内であれば、上記実
施例と同様の効果を奏する。さらに、上記角度範囲内で
任意角度のスクライビング溝を無作為に形成するように
してもよい。
〔発明の効果〕
本発明の弾性表面波素子の製造方法は、Ｉ、１Ｔａｏｓ
の裏面粗化を割れ、欠は等の欠陥をはとんど生じること
なく行うことができる。しかも、裏面粗化工程後の工程
において、溝位置を起点として熱応力によシ欠陥が発生
するようなことがなくなる。
とれらの諸効果により所望の弾性表面波に随伴するバル
ク波の減衰特性を得ることができるとともに、ＬＩＴａ
Ｏ，、を用いた弾性表面波素子の歩留及び信軸性が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第１図はＬｉＴａ０．単結晶ウェーハの平面図、第２図
は溝形成されたウェーッ１の斜視図、第３図はＬＩＴａ
Ｏ，単結晶の（２丁１０）面の投影図である。 （１）・・・ウェーハ、（５）・・・溝代理人　弁理士
　則　近　憲　佑 （にか１名） （７） 第１図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）タンタル酸リチウム単結晶のインゴットから主面
    が（２１１０）面のウェーハを切出す工程と、上記ウェ
    ーハの主面と襞間面（１１０２）、　（１０１２）。 （０１１２）との交線方向でない方向に複数の直線状溝
    をスクライビングによシ形成する工程とを具備すること
    を特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 （２）溝の方向は（０１１０）方向から（０００１）方
    向への最短回転角方向に角度８１°±１５°及び角度１
    ７１°±１５°のうちいずれか一方又は両方に回転した
    方向であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の弾性表面波素子の製造方法。
JP59021546A 1984-02-10 1984-02-10 弾性表面波素子の製造方法 Pending JPS60167509A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1365455A1 (en) * 2001-01-31 2003-11-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Solar cell and method for producing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1365455A1 (en) * 2001-01-31 2003-11-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Solar cell and method for producing the same
EP1365455A4 (en) * 2001-01-31 2006-09-20 Shinetsu Handotai Kk SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

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