JPS60167354A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60167354A JPS60167354A JP2252984A JP2252984A JPS60167354A JP S60167354 A JPS60167354 A JP S60167354A JP 2252984 A JP2252984 A JP 2252984A JP 2252984 A JP2252984 A JP 2252984A JP S60167354 A JPS60167354 A JP S60167354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- high melting
- semiconductor device
- melting point
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置における高融点金属配線の製造方法
に関する。
に関する。
従来、高融点金属を配線に用いた半導体装置に於てけ、
高融点金属配線表面の保護被曝にけＣＶＤによるＳ ＠
０２膜を用いるのが通例でちった。
高融点金属配線表面の保護被曝にけＣＶＤによるＳ ＠
０２膜を用いるのが通例でちった。
しかし、上記従来技術によると、高融点金属表面に質の
良い熱酸化膜等が形成できない、更に、高融点金属表面
への熱酸化膜節の形成と同時に、基板Ｓｉ半導体表面へ
の熱酸化膜等の形成ができないと云う欠点があった、 〔目的〕 本発明け、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体上の
高融点金属配線表面と、Ｓｉ半導体表面とに同時にまた
各々高品質の熱酸化膜（ＳｉＯ２）２は熱窒化膜（Ｓｊ
３Ｎ、）を形成する方法を提供することを目的とする、 〔概要〕 上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造方法に関し、半導体基板上または半導体
基板上の絶縁膜上に形成されたタングステン等の高融点
金属配線表面にはシリコンまたはシリサイド膜が形成さ
れ、該シリコンまたはシリ叶イド膜を熱酸化したシリコ
ン酸化膜または熱窒化したシリコン窒化膜が形成されて
成ることを特徴とする。
良い熱酸化膜等が形成できない、更に、高融点金属表面
への熱酸化膜節の形成と同時に、基板Ｓｉ半導体表面へ
の熱酸化膜等の形成ができないと云う欠点があった、 〔目的〕 本発明け、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体上の
高融点金属配線表面と、Ｓｉ半導体表面とに同時にまた
各々高品質の熱酸化膜（ＳｉＯ２）２は熱窒化膜（Ｓｊ
３Ｎ、）を形成する方法を提供することを目的とする、 〔概要〕 上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造方法に関し、半導体基板上または半導体
基板上の絶縁膜上に形成されたタングステン等の高融点
金属配線表面にはシリコンまたはシリサイド膜が形成さ
れ、該シリコンまたはシリ叶イド膜を熱酸化したシリコ
ン酸化膜または熱窒化したシリコン窒化膜が形成されて
成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は従来技術による半導体装置（Ｃおける高融点金
属配線構造を示す断面図である。すなわちｐｉ基板１の
表面には熱酸化膜２が形成され、その上に形成されたタ
ングステン等の高融点金属配線３上にけ０ＶＤＩ／Ｃよ
るＳｊ ０２膜４が形成されて成るのが通例であった。
属配線構造を示す断面図である。すなわちｐｉ基板１の
表面には熱酸化膜２が形成され、その上に形成されたタ
ングステン等の高融点金属配線３上にけ０ＶＤＩ／Ｃよ
るＳｊ ０２膜４が形成されて成るのが通例であった。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置の判造工程
順の断面図である。すなわち、（α）ｓｉ基板１１上に
形成された熱酸化膜１２上にはタングステン等の高融点
金属配線１６が形成され、（ｂ）該高融点金属配線１３
上にｓｉ膜１４が形成され、の）読Ｓｉ膜をアニールし
てシリサイド膜１５にするか、そのままｓｉ膜１４ｆ残
す等して、顧酸化処理またａｇ化処理することにより、
酸化シリコン膜または窒化シリコン膜からなる熱生成膜
１６を形成して成る。
順の断面図である。すなわち、（α）ｓｉ基板１１上に
形成された熱酸化膜１２上にはタングステン等の高融点
金属配線１６が形成され、（ｂ）該高融点金属配線１３
上にｓｉ膜１４が形成され、の）読Ｓｉ膜をアニールし
てシリサイド膜１５にするか、そのままｓｉ膜１４ｆ残
す等して、顧酸化処理またａｇ化処理することにより、
酸化シリコン膜または窒化シリコン膜からなる熱生成膜
１６を形成して成る。
第３図は本発明の仙の実施例を示す半導体装置の断面図
であり、ｓｉ基板２１の表面には第１の熱酸化膜２２が
形成され、その上に形成された高融点金属配Ｉ％！２３
上には熱生成膜２４がＳｉｋ板２板上１上２の熱生成膜
２５と同時に形成されて成る。
であり、ｓｉ基板２１の表面には第１の熱酸化膜２２が
形成され、その上に形成された高融点金属配Ｉ％！２３
上には熱生成膜２４がＳｉｋ板２板上１上２の熱生成膜
２５と同時に形成されて成る。
本発明の如く、高融点金属配線上にｓｉＯ熱生成嘆が形
成できると、表面保護膜の膜質が高品質で形成できると
共に、第３図の例の如く、下地ｓｊ基板上にも同時に高
品質の熱酸化膜が形成できる効果がある。
成できると、表面保護膜の膜質が高品質で形成できると
共に、第３図の例の如く、下地ｓｊ基板上にも同時に高
品質の熱酸化膜が形成できる効果がある。
第１図は従来技術による半導体装置の断面図、第２図（
α）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す半導体装置の製
造方法を示す工程毎の１面図、第３図は本発明の仲の実
施例を示す半導体装置の断面図である。 １、 １１．２１ ・・・・・・ｓｊ基板２、１２．．
２２ ・・・・・・ｓｊ ｏ、膜３．１３．２３・・・
・・・高融点金属配線４ ＝＝＝ ＯＶ Ｄ −Ｓｉ
Ｏ２膜１４・・・・・・Ｓｉ膜 １５ ・・・・・・シリサイド膜 １６、２４．２５・・・・・・Ｂｊの熱酸化または窃化
膜以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図
α）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す半導体装置の製
造方法を示す工程毎の１面図、第３図は本発明の仲の実
施例を示す半導体装置の断面図である。 １、 １１．２１ ・・・・・・ｓｊ基板２、１２．．
２２ ・・・・・・ｓｊ ｏ、膜３．１３．２３・・・
・・・高融点金属配線４ ＝＝＝ ＯＶ Ｄ −Ｓｉ
Ｏ２膜１４・・・・・・Ｓｉ膜 １５ ・・・・・・シリサイド膜 １６、２４．２５・・・・・・Ｂｊの熱酸化または窃化
膜以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図
Claims (1)
- 半導体基板上または半導体基板上の絶縁膜上に形成され
たタングステン等の高融点金属配線表面にはシリコンま
たはシリサイド嗅が形成され、該シリコンまたはシリサ
イド膜を熱酸化したシリコン酸化膜または熱窒化したシ
リコン窒化膜が形成されて成ることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252984A JPS60167354A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252984A JPS60167354A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167354A true JPS60167354A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12085318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252984A Pending JPS60167354A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167354A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543361A (en) * | 1990-05-14 | 1996-08-06 | At&T Global Information Solutions Company | Process for forming titanium silicide local interconnect |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389374A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-05 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP2252984A patent/JPS60167354A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389374A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-05 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543361A (en) * | 1990-05-14 | 1996-08-06 | At&T Global Information Solutions Company | Process for forming titanium silicide local interconnect |
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