JPS60165655A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS60165655A
JPS60165655A JP2082084A JP2082084A JPS60165655A JP S60165655 A JPS60165655 A JP S60165655A JP 2082084 A JP2082084 A JP 2082084A JP 2082084 A JP2082084 A JP 2082084A JP S60165655 A JPS60165655 A JP S60165655A
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JP
Japan
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group
nitrobenzyloxy
electrophotographic photoreceptor
layer
charge
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Pending
Application number
JP2082084A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Kajiura
貞夫 梶浦
Mariko Maeda
真理子 前田
Koichi Mizushima
公一 水島
Masami Sugiuchi
政美 杉内
Yuko Nakajima
中嶋 祐子
Shuji Hayase
修二 早瀬
Yasunobu Onishi
康伸 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2082084A priority Critical patent/JPS60165655A/ja
Publication of JPS60165655A publication Critical patent/JPS60165655A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は電子写真感光体に関し、更に詳しくは、カール
ソン方式に於ける積層型の電子写真感光体に関する。
[発明の技術的背景] 近年、電子写真方式を用いたプリンターの光源として半
導体レーザーが使用されるようになってきたが、半導体
レーザーの発振波長は約8000mと長いため、該長波
長域に於いても烏感度を保持できる電子写真感光体の開
発が活発に行なわれている。
開発初期に於いては、導電性支持体上に一層の光伝導体
を積層した感光体が用いられていたが、埃在に至っては
、光伝導体を電荷発生層と重荷輸送層とに分離した構造
の感光体が使用されている。
後者の感光体にあっては、電荷発生層は電荷輸送層より
も薄く、シかも機械的強暦も弱いため、通常、電、荷輸
送層が最上層とづね、電荷発生層は中間層とされている
該感光体の電荷輸送層の材料としては、該層では電荷を
発生させる必要がないため、優れた電荷保持能力及び電
荷輸送能力を有する電荷輸送物質が用いられており、そ
の結果、上記した後者の感光体は、前者の感光体よりも
感度、帯電性等が優れている。
電荷輸送物質は可視光に対して透明でめり、かかる物質
としては、ポリビニルカルバゾールもしくけその[/体
等の高分子有機半導体;オキサジアゾール誘導体、トリ
フェニルアミン誘導体もしくはピラゾリン誘導体等の低
分子有機半導体をポリエステル樹脂等の有機結着剤中に
分散したもの等が知られている。これらの電荷輸送物質
は、正孔を輸送することは可能であるが、電子を輸送す
ることはできない。尚、電荷発生物質と1−7てけ、通
常、銅フタロシアニン等の色素類が用いられ、導電性支
持体としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂
膜上にM等の金属を蒸着したもの等が用いらハている。
上記した感光体の静電潜像形成機構は、次のように考え
られている。即ち、光照射により電荷発生層で生成した
エキシトン(励起子)は、電荷発生層内又は電荷発生層
と市、#特1送層との境界において電子と正札とに解離
してキャリアー(正孔)を発生し、該キャリアーは電荷
輸送層に注入され、感光体表向の負電荷を中和すること
により静電潜像を形成する。一方、電子は導1JL性支
持体に移行する。
[背景技術の問題点] 積層型電子写真感光体にあっては導電性支持体上に電荷
発生層を蒸着により形成させること、及び保樵層を設け
ることは公知の方法である。
然しなから蒸着法による電荷発生層は導電、性支持体と
の接着力が弱いため、電荷転送層を塗布乾燥する工程に
於いてバインダー樹脂の収縮により電荷発生層が導電性
支持体から剥離すると云う問題があった。
従ってその機械的強度を改善するために電荷輸送層上に
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等で保護層を設ける方法が
とられているが溶剤の選定もむずかしくまた充分な機械
的強度がなく、電子写真感光体としての特性も満足でき
るものでない。
[発明の目的] 本発明は電子写真感光体としての機械的強度が良好でか
つ光感度の高い電子写真感光体を提供することにある。
[発明の概要] 本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に、電荷発
生層と電荷輸送層とを順次積層して成る電子写真感光体
に於いて、 電荷輸送層上に光硬化性樹脂組成物から成る保護層を設
けることを特徴とするものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の感光体は、電荷輸送上に保護層とじて光硬化樹
脂組成物層を設けたことを除き、光伝導体層を二層に分
離した従来の感光体と同一のものが用いられる。
導電性支持体としては、通常、樹脂膜上に導電性物質を
蒸着したものが使用される。通常、該支持体lI:t′
50〜500μmの厚さを有する。樹脂膜は、実質的に
感光体としての機能に関与するものではないため、その
種類は格別限定されない。一方、導電性物質トシては、
例えば、AJ、 In、 Au、 Cu、 Ni。
Sn、 Zn、 Ag等の金属類が使用される。
電荷発生層を構成する電荷発生物質は、電荷輸送層にお
ける電荷輸送物質よりも、イオン化エネルギーが大きく
、かつフェルミ準位が高いことが好ましい。該層は通常
0.1〜1μmの厚さを有する。
電荷発生物質は、正孔を電荷輸送層に供給して、#層の
マイナスの荷電を中和する機能があり、かつ長波長域(
400〜9001m )に吸収帯を有する有機半導体物
質である。該物質としては、従来から電子写真感光体に
おける電荷発生物質として用いられていた物質であれば
、いかなるものも使用可能であるが、通常、芳香族系の
色素類が使用される。この具体例としては、例えば、銅
フタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、ゲルマ
ニウムフタロシアニン等のフタロシアニン類やピリリウ
ム塩色素、アゾ系色素、ペリレン系色素、インジゴイド
色素、ペリノン系色素、キノン系色素、アントラキノン
系色素、キナクリドン系色素、ジオキサジン系色素、シ
アニン系色素等があげられる。
電荷輸送層は、長波長域の可視光に対して透過性を有す
る正孔輸送物質から成る。核層は、通常2〜50μmの
ノ享さを有する。該材料としては、通常、高分子有機半
導体又は低分子有機半導体を有機結着剤に分散したもの
等が使用される。
更に本発明に供せられる光硬化樹脂組成物の一成分をな
すエポキシ樹脂としては一官能性エボキシ化合物及び多
官能性エポキシ化合物があげられる。−官能性エポキシ
化合物としては、エチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、ブチレンオキシド、スチレンオキシド、フェニルグ
リシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル等があけ
られる。
1だ、多官能性エポキシ化合物としては、特に限定され
ないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビ
スフェノールF型エポキシ樹脂;フェノールノボラック
型エポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;トリグリシジル
イソシアネート、ヒダントインエポキシ等の含複素埋エ
ポキシ樹脂;水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂:プ
ロピレングリコール−ジグリシジルエーテル、ペンタエ
リスIJ )−ルーポリグリシジルエーテル等の脂肪族
系エポキシ樹脂;芳香族、脂肪族もしくは脂環式のカル
ボン酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得られる
エポキシ樹脂;スピロ環含有エポキシ樹J11;o−ア
リル−フェノールノボラック化合物とエピクロルヒドリ
ンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ
61脂;ビスフェノールAのそれぞれの水酸基の〇−位
にアリル基を有するジアリルビスフェノール化合物とエ
ピクロルヒドリンとの反応生成物であるクリシジルエー
テル型エポキシ樹脂等があげられ、これらから選ばれた
1種もしくは2種以上のものを任意に使用することが出
来る。
光硬化性樹脂組成物の第2の成分であるアルミニウム化
合物としては、アルミニウム原子にアルコキシ基%フェ
ノキシ基、アシルオキシ基、β−ジケトナト基、0−カ
ルボニルフェノラド基などが結合した有機アルミニウム
の錯体化合物であることが好ましい。
ここで、アルコキシ基としては炭素数1〜10のものが
好ましく、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、ベントオキシなどがあけられ;フェノキシ基とし
ては、フェノキシ基、o−メチルフェノキシ基、O−メ
トキシフェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、2..
6−シメチルフエノキシ基などがあけられ;アシルオキ
シ基としては、アセタト、グロビオナト、イソプロピオ
ナト、ブチラド、ステアラド、エチルアセトアセタト、
プロビルアセトアセタト、フチルアセトアセタト、ジエ
チルマラト、ジヒバロイルメタナトなどの配位子殖あけ
られ;β−ジケトナト基としては、例えば、アセチルア
セトナト、トリフルオロアセチルアセトナト、ヘキザフ
ルオロアセチルアセトナト、 れ;0−力ルボニルフェノラド基としては、例えば、サ
リチルアルデヒダトがあけられる。
このようなアルミニウム化合物の具体例としてハ、トリ
スメトキシアルミニウム、トリスエトキシアルミニウム
、トリスイングロボキシアルミニウム、トリスフェノキ
シアルミニウム、トリスパラメチルフェノキシアルミニ
ウム、イソプロポキシジェトキシアルミニウム、トリス
ブトキシアルミニウム、トリスアセトキシアルミニウム
、トリスステラドアルミニウム、トリスブチラドアルミ
ニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリスイソ
プロピオナトアルミニウム、トリスアセチルアセトナト
アルミニウム、トリストリフルオロアセチルアセトナド
アルミニウム、トリスヘキサフルオロアセチルアセトナ
ドアルミニウム、トリスエテルアセトアセケトアルミニ
ウム、トリスサリチルアルデヒダトアルミニウム、トリ
スジエチルマロラドアルミニウム、トリスプロピルアセ
トアセケトアルミニウム、トリスプチルアセトアセタト
アルミニウム、トリスジピバロイルメタナトアルミニウ
ム、ジアセチルアセトナトジピバロイルメタナトアルミ
ニウム などがあげられる。
これらのアルミニウム化合物は、11市もしくは2種以
上の混合系で用いてもよく、その添加配合量は、エポキ
シ樹脂に対しM量比で、0.001〜1゜チ、好ましく
 tri、0.1〜5チの範囲である。配合量が0.0
01重量%に満たない場合には、十分な硬化特性が得ら
れず、また、1ON量チを超えると、コスト高や密着性
の低下の原因となる。
この光硬化性樹脂組成物は光照射によってシラノール基
を生ずるケイ素化合物を第3の成分として含むことを特
徴とする。このようなケイ素化合物としては、ペルオキ
シシラン%、o−ニトロベンジルオキシ基、α−ケトシ
リル基のいずれかを有するケイ素化合物であることが好
ましい。
これらケイ素化合物のうち、ペルオキシシラン基を有す
るものは次式: (R”)n−8i +0−0−R”)
4−n(式中% Hl、 B2は同一であって異なって
いてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、炭素
数1〜5のアルキル基若しくはアリール基を表わし;n
はO〜3の整数を表わす。)で示される化合物である。
上記式中、炭素数1〜5のアルキル基としては、例えば
、メチル基、エチル基、イソプロピル基。
n−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基。
5ec−ブチル基、n−ペンチル基、メトキシ基、エト
キシ基、クロルメチル基が挙げられ;アリール基として
は、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基
、ベンジル基が挙げられ;炭素数1〜5のアルキル基及
びアリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアン基、
メトキシ基等の置換基を有してもよい。
このようなケイ素化合物の具体例としては、次式: しHl で示される化合物等があげられる。
また、0−ニトロベンジルオキシ基を有するものは、次
式: (式中、R1,R2,Ieaは同一であっても異なって
いてもよく、それぞれ、水素原子;ハロゲン原子;ビニ
ル基;アリル基;炭素数1〜1oの非置換若しくけ置換
アルキル基;炭素数1〜1oのアルコキシ基;非置換若
しくは置換アリール基;アリールオキシ基;シロキシ基
を表わし、 R4は水素原子;炭素数1〜1oの非置換
若しくは置換アルキル基:フェニル基;置換フェニル基
を表わし、R5,R6,R?、 H8は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ、水素原子;ニトロ基;
シアノ基;ヒドロキシ基:メルヵプト基:ハロケン原子
;アセチル基;アリル基;炭素数1〜5のアルキル基:
炭素数1〜5のアルコキシ基;非置換若しくけ置換アリ
ール基;アリ−ルオキシ基を表わし、p+q、rFio
≦p、 q。
r≦3.1≦p+q+r≦3の粂件を満たす整数を表わ
す。) で示される化合物である。
炭素数1〜10の非置換若しくは置換アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t−
ブチル基、ペンチル基、クロロメチル基、クロロエチル
基、フルオロメチル基、シアンメチル基などがあげられ
、炭素数1〜10のアルコキシ基としてはメトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基などが
あげられる。非置換若しくは置換アリール基としては、
フェニル基、p−メトキシフェニル基、p−クロロフェ
ニル基、p−トリフルオロメチルフェニル基などがあげ
られ、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などがあ
げられる。
また、ケイ素化合物としては、0−ニトロベンジルオキ
シシリル基を末端基とし、主鎖が次式:(式中、nけO
又は1以上の整数を表わし;R1及びR2は前記と同様
の意味を有し;Xl Yは、同一でも異なっていてもよ
く、各々、酸素原子、アルキレン基、アリール基等を表
わす。)で示される基から成る化合物であってもよい。
本発明に用いる、ケイ素原子仁山接結合した非置換もし
くは置換0−ニトロベンジルオキシ基を有するケイ素化
合物の具体例としては。
トリメチル(0−ニトロベンジルオキシノシランジメチ
ルフェニル(0−ニトロベンジルオキシ)シランジフェ
ニルメチル(0−ニトロベンジルオキシ)シラ/トリフ
ェニル(0−ニトロベンジルオキシ)シランビニルメチ
ルフェニル(0−ニトロベンジルオキシ)シランt−ブ
チルメチルフェニル(0−ニトロベンジルオキシ)シラ
ントリエチル(0−ニトロベンジルオキシ)シラントリ
(2−クロロエチル)−〇−二トロベンジルオキシシラ
ン) IJ (p −) IJフルオロメチルフェニル
)−〇−ニトロベンジルオキシシラン トリメチル〔α−(0−ニトロフェニル)−〇−二トロ
ベンジルオキシ〕シラン ジメチルフェニル〔α−(0−ニトロフェニル〕−〇−
ニトロベンジルオキシ〕シラン メチルフェニルジ〔α−(0−ニトロフェニル)−〇−
二トロベンジルオキシ〕シラン トリフェニル(α−エチル−〇−ニトロベンジルオキシ
)シラントリメチル(3−メチル−2〜ニトロベンジル
オキシ)シランジメチルフェニル(3,4,,5−)ジ
メトキシ−2−二トロベンジルオキシ)シラン トリフェニル(4,5,64リメトキシー2−ニトロベ
ンジルオキシ)シラン ジフェニルメチル(5−メチル−4−メトキシ−2−ニ
トロベンジルオキシ)シラン トリフェニル(4,5−ジメチル−2−二トロベンジル
オキシ)シラン ビニルメチルフェニル(4,5−ジクロロ−2−二トロ
ベンジルオキシ)シラン トリフェニル(2,6−ジニトロベンジルオキシ)シラ
ンジフェニルメチル(2,4−ジニトロベンジルオキシ
)シラントリフェニル(3−メトキシ−2−二トロベン
ジルオキシ)シランビニルメチルフェニル(3,4−ジ
メトキシ−2−ニトロベンジルオキシ)シラン ジメチルジ(0−ニトロベンジルオキシ)シランメチル
フェニルジ(0−ニトロベンジルオキシ)シランビニル
フェニルジ(0−ニトロベンジルオキシ)シランt−7
’チルフエニルジ(0−ニド胃ベンジルオキシ)シラン
トリチルジ(o−ニトロベンジルオキシ)シラン2−ク
ロロエチルフェニルジ(0−ニトロベンジルオキシ)シ
ランジフェニルジ(o−ニトロベンジルオキシ)シラン
ジフェニルジ(3−メトキシ−2−ニトロベンジルオキ
シ)シランジフェニルジ(3,4−ジメトキシ−2−二
トロベンジルオキシ)シラン ジフェニルジ(2,6−ジニトロベンジルオキシ)シラ
ンジフェニルジ(2,4−ジニトロベンジルオキシ)シ
ランメチルトリ(0−ニトロベンジルオキシ)シランフ
ェニル) IJ (0−ニトロベンジルオキシ)シラン
ルービス(0−ニトロベンジルオキシジメチルシリル)
ベンゼン1.1,3.3−テトラフェニル−1,3−ジ
(0−ニトロベンジルオキシ)シロキサン 1.1,3,3,5.5−へキサフェニル−1,5−ジ
(0−ニトロベンジルオキシ)シロキサン 及び8iCj含有シリコーン樹脂と0−ニトロベンジル
アルコールとの反応により生成するケイ素化合物等があ
けられる。
最後に、α−ケトシリル基を翁するものは、次式: %式%) (式中、nは0.1,2.3の数を表わし;Rは炭素数
1〜10のアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール
基などの炭化水素基、アリールオキシ基、炭素数1〜1
0のアルコキシ基を表わし、これらはハロゲン原子、 
NO,、CN。
−0CR,などの置換基を分子内に有していてもよい。
) で示される化合物である。
具体的には、 などの化合物をあげることができる。
これらのケイ素化合物の添加配合量は、エポキシ樹脂に
対し、0.1〜20重量%、好ましくは1〜10M量チ
の範囲である。配合量が0.1重量%に満たない場合に
は、充分な硬化特性が得られず、また、20重量%な超
えて用いることは可能であるが、コスト高や触媒成分の
分解生成物が問題になる場合があるので好ましくない。
然して本発明の電子写真感光体の形成はまず、導電性支
持体上に蒸着法により受容電位と光感度との関係から0
.1〜0.5μ好ましく id 0.1〜0.3μの厚
さの電荷発生層を設けこの層上に電荷輸送物質とバイン
ダー樹脂からなる電荷輸送層を受容電位と光感度の関係
から10〜50μ好捷しくけ10〜20μの厚さに塗布
、乾燥により形成し、さらにこの電荷輸送層上に光硬化
性樹脂組成物を塗布後、常温での光、加熱時での光によ
り硬化させて保朦層を設けることによってなされる。こ
の保睦層の厚さは光感IKと機械的強度との関係から0
.5〜3μ。
好ましくは0.5〜1μである。
このとき照射する光の波長は、光硬化性樹脂組成物の組
成によっても異なるが、通常180〜700nmである
。とりわけ、紫外線の照射は効果的である。光照射時間
は、エポキシ樹脂の組成、触媒の種類、光源などによっ
て異なるが、通常1〜90分、好ましくは1〜20分で
ある。加熱光硬化する場合の加熱温度に、エポキシ樹脂
の組成および触媒の種類によって異なるが、通常20〜
200℃、好ましく id 60〜100°Cである。
光源としては通常、光硬化用に使用されているものであ
ればいかなるものでもよく、例えば、低圧水銀ランプ、
高圧水銀ランプ、カーボンアークランプ、メタルハロゲ
ンランプ、キセノン−水銀ランプ、キセノンランプ、水
素放電管、タングステンランプ、ハロゲンランプ、ナト
リウム放電管、ネオン放電管、アルコン放41 (ff
 、 He−Neレーザー、Arイオンレーザ−1N、
 v−ザー、 Cdイオンレーザ−1He−Cdレーザ
ー、色素レーザー等があげられ、これらから成る群より
選ばれた1種もしくは2種以上のものが適宜使用される
[発明の効果] 本発明の電子写真感光体は無溶剤型の光硬化性樹脂組成
物を保藤層としており電子写真感光体としての棲械的強
度が良好であるため、電荷発生層と電荷輸送層からなる
電子写真感光体の本来の静電コントラストを顕著化し、
鮮明な静電画像が長期の使用によっても得らねるという
利点が生ずる。
[発明の実施例] 実施例I Mを蒸着したポリエチレンテレフタレート樹脂膜(1(
fi品名:メタルミー、東し社)を導電性支持体として
用いた。このアルミニウム面上に電荷発生物質となる3
回昇華精製後の鋼フタロシアニンを真空蒸着形成して2
000〜3000 Xの電荷発生層を設けた。この電荷
発生層上にさらにツビコール210(商品名、亜南香刺
産業社製ポリビニルカルバゾール樹脂)のクロルベンゼ
ン−テトラヒドロフラン溶液をスピンコード法により膜
厚が10μとなるように塗布形成した後50℃で8時間
熱風乾蝶して電荷輸送層を形成した。
別にセロキサイド2021 (商品名、ダイセル社製脂
環式エポキシ樹脂、エポキシ当t 145 )を50M
1k部、エビコー) 828 (商品名、シェル化学社
製ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量19
0−210)を30重量都、エピコート1001(il
i品名、シェル化学社製ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、エポキシ当量450〜525)を20重量部からな
るエポキシ樹脂とトリスエチルアセトアルミニウム化合
物が0.5重量部、さらに下記構造体からなる硅素化合
物が2重量部の組成割合で調製した光硬化性樹脂組成物
を用意する。
前記した電荷輸送層上にこの光硬化性樹脂組成物を膜厚
が0.5μとなるようにスピンコード法により塗布後、
この塗布体を80W/αの空冷水銀ランプ3本からなる
光源の15.下で10秒間の光照射により硬化させて電
子写真感光体とした。
この電子写真感光体を暗所に一昼夜放置後、静電気帯電
試験装置(川口電機製作新製、MODELSP −4,
28)を用いて一6KVのコロナ放電を行なった。この
ときの表面電位は600〜700V、半減露光量は20
〜30 Juxsec 、残留電位は4O−50Vとな
り再現性のある繰り返しの使用にも十分耐えられる強度
のある感光体が得られた。
実施例2 光硬化性樹カ旨組成物としてはBPL4221(商品名
UCC社製脂環式エポキシ樹脂、エポキシ当量145)
を80和伊部、エピコー) 1001を20重量部。
トリスイソプロポキシアルミニウムを0.5重量部。
トリフェニル(0−ニトロベンジルオキシ)シランな2
重量部にした以外は実施例1と同様にして電子写真感光
体を得た。
この場合にも実施例1と同様な光感度が得られ、かつ強
度のめる感光体が得られた。
実施例3 光硬化性初脂紹成物としてはセロキサイド2021を8
0重都二部、エピコート828を200重量部)リスバ
ラメチルフェノキシアルミニウムを1重責部+ ) j
l フェニルシリルフェニルケトンヲ3 重量部にした
ことと、光源がメタルハライドランプであること以外は
実施例1と同様にして電子写真感光体を得た。
この場合にも実施例1と同様な光感度特性が得られ、か
つ強度のある感光体が得られた。
[比較例] 実施例1〜3と異なりポリカーボネート樹脂のジクロル
メタン溶液を前述の電荷軸[送層上に0.5μの厚さに
かるように塗布乾燥させて保護層とした。このとき電荷
発生層が溶出する傾向がみられた0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)導電性支持体上に、電荷発生層と電荷輸送層とを
    順次積層して成る電子写真感光体に於いて、電荷輸送層
    上に光硬化性樹脂組成物から成る保護層を設けることを
    特徴とする電子写真感光体。 (2、特許請求の範囲第1項の記載において、光硬化性
    樹脂組成物がエポキシ樹脂;アルミニウム化合物;及び
    光照射によってシラメール基を生ずるケイ素化合物とか
    ら成る電子写真感光体。 (81特許請求の範囲第1項の記載において、光硬化性
    樹脂組成物に於いて用いるアルミニウム化合物が有機ア
    ルミニウム化合物である電子写真感光体。 (4)特許請求の範囲第1項の記載において、光硬化性
    樹脂組成物に於いて用いるケイ素化合物が、ペルオキシ
    シラン基、0−ニトロベンジルオキシ基、α−ケトシリ
    ル基のいずれかを有するケイ素化合物である電子写真感
    光体。 (5)特許請求の範囲第1項の記載において、光硬化性
    樹脂組成物に於いて用いるアルミニウム化合物及び該ケ
    イ素化合物の配合量が、核エポキシ樹脂の重量に対し、
    それぞれ、0.001〜10重量%、0.1〜20重量
    係である電子写真感光体。
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