JPS60163434A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
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- JPS60163434A JPS60163434A JP1771684A JP1771684A JPS60163434A JP S60163434 A JPS60163434 A JP S60163434A JP 1771684 A JP1771684 A JP 1771684A JP 1771684 A JP1771684 A JP 1771684A JP S60163434 A JPS60163434 A JP S60163434A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発８Ａ杜、半導体装置の製造に於ける半導体基板洗浄
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来半導体装置の製造に於けるｐｎ接合の形成には拡散
法等が用いられているが、この場合半導体基板表面は使
用するｐ型又はｎ型不純物以外の不純物及び汚れを完全
に除去した清浄な表面にしておく必微かある。
法等が用いられているが、この場合半導体基板表面は使
用するｐ型又はｎ型不純物以外の不純物及び汚れを完全
に除去した清浄な表面にしておく必微かある。
従来から半導体基板表面の清浄化には、過酸化水素を含
有するアルカリ系水溶液を用いた洗浄方法が実施されて
いる。この洗浄方法は過酸化水素の強力な酸化作用を利
用して油脂分を分解除去すると共に、半導体基板表面の
重金属類を酸化溶解させると共に、更に大気汚染源とな
るハイドロカーボン、ＮＯｘ等の有害物質を発生させな
い利点を有する。然しこの方法では過酸化水素含有水溶
液が工場廃水として排出され、半導体装置の製造工程に
用いられる酸、アルカリ系廃水と合流することになシ、
工場廃水が中和処理される場合に発生する沈澱物中に過
酸化水素が含まれることになシ、過酸化水素の分解によ
シ発生する気泡が沈澱物を浮上させることによシ、公害
防止処理の効果を低下させる欠点があった。
有するアルカリ系水溶液を用いた洗浄方法が実施されて
いる。この洗浄方法は過酸化水素の強力な酸化作用を利
用して油脂分を分解除去すると共に、半導体基板表面の
重金属類を酸化溶解させると共に、更に大気汚染源とな
るハイドロカーボン、ＮＯｘ等の有害物質を発生させな
い利点を有する。然しこの方法では過酸化水素含有水溶
液が工場廃水として排出され、半導体装置の製造工程に
用いられる酸、アルカリ系廃水と合流することになシ、
工場廃水が中和処理される場合に発生する沈澱物中に過
酸化水素が含まれることになシ、過酸化水素の分解によ
シ発生する気泡が沈澱物を浮上させることによシ、公害
防止処理の効果を低下させる欠点があった。
本発明の目的は、公知の過酸化水素分解反応を応用し、
酸アルカリ系廃水の前処理として、半導体基板表面洗浄
工程廃水中に含まれる過酸化水素をあらかじめ分解して
おき、廃水処理に関する公害防止処理の効果の低下を防
止するための、半導体基板洗浄装置を提供することであ
る。
酸アルカリ系廃水の前処理として、半導体基板表面洗浄
工程廃水中に含まれる過酸化水素をあらかじめ分解して
おき、廃水処理に関する公害防止処理の効果の低下を防
止するための、半導体基板洗浄装置を提供することであ
る。
本発明の半導体基板洗浄装置は、従来の過酸化水素を含
む洗浄液によシ半導体基板を洗浄する洗浄槽と、この洗
浄済みの半導体基板を水洗する水洗槽とを備えた半導体
基板洗浄装置に於いて、上記洗浄液及び水洗水に含有さ
れる過酸化水素の分解のため、分解促進剤として表面に
酸化膜のある鉄又は鍋等の金属片又は条片を内蔵する過
酸化水素分解槽を、水洗槽の後段に備えることにより構
成されておシ、この過酸化水素分解槽に一定時間洗浄液
及び洗浄水を滞留させて過酸化水素を分解することを特
徴としている。
む洗浄液によシ半導体基板を洗浄する洗浄槽と、この洗
浄済みの半導体基板を水洗する水洗槽とを備えた半導体
基板洗浄装置に於いて、上記洗浄液及び水洗水に含有さ
れる過酸化水素の分解のため、分解促進剤として表面に
酸化膜のある鉄又は鍋等の金属片又は条片を内蔵する過
酸化水素分解槽を、水洗槽の後段に備えることにより構
成されておシ、この過酸化水素分解槽に一定時間洗浄液
及び洗浄水を滞留させて過酸化水素を分解することを特
徴としている。
本発明で応用する過酸化水素の分解反応は、過酸化水素
分解槽に内蔵された表面に酸化膜を有する金属片又は条
片が、一般に知られているように過酸化水素と接触する
場合に触媒作用を示して、分解を促進すると考えられる
１、この分解反応によシ、過酸化水素含有系廃水か仙の
廃水例えば酸アルカリ系廃水へ合流する前の段階で、過
酸化水素を分解して簡くことが出来る１、これによシ、
酸アルカリ系廃水の中和処理で発生する沈澱物中に過酸
化水素が含有されることを防ぐことが出来る。
分解槽に内蔵された表面に酸化膜を有する金属片又は条
片が、一般に知られているように過酸化水素と接触する
場合に触媒作用を示して、分解を促進すると考えられる
１、この分解反応によシ、過酸化水素含有系廃水か仙の
廃水例えば酸アルカリ系廃水へ合流する前の段階で、過
酸化水素を分解して簡くことが出来る１、これによシ、
酸アルカリ系廃水の中和処理で発生する沈澱物中に過酸
化水素が含有されることを防ぐことが出来る。
その結果過酸化水素の分解で発生する気泡は無くなシ、
沈澱物の浮上を防止することが出来る。
沈澱物の浮上を防止することが出来る。
以下、図面を参照して、本発明についてよシ詳細に説明
する。。
する。。
第１図に従来の過酸化水素水溶液を用いた半導体基板洗
浄装置の構成図を示す。、半導体基板の洗浄方法として
は、過酸化水素水溶液貯槽１とアンモニア水等のアルカ
リ水溶液貯槽２から一定量の各水溶液を自動的に計量し
て半導体基板洗浄槽３へ供給し、この檜の中へ半導体基
板９ａを挿入し、上下振動又は超音波振動機構等により
一定時間洗浄する。半導体基板９ａは一定時間洗浄の水
洗槽４へ送られる。場合によっては弗酸洗浄槽５を通シ
水洗槽６によυ水洗し、最後に脱水乾燥される。
浄装置の構成図を示す。、半導体基板の洗浄方法として
は、過酸化水素水溶液貯槽１とアンモニア水等のアルカ
リ水溶液貯槽２から一定量の各水溶液を自動的に計量し
て半導体基板洗浄槽３へ供給し、この檜の中へ半導体基
板９ａを挿入し、上下振動又は超音波振動機構等により
一定時間洗浄する。半導体基板９ａは一定時間洗浄の水
洗槽４へ送られる。場合によっては弗酸洗浄槽５を通シ
水洗槽６によυ水洗し、最後に脱水乾燥される。
洗浄槽３からの洗浄液及び水洗槽４か、らの水洗水は工
場廃水として排出され、弗酸洗浄槽５及び水洗槽６から
の廃液と共に排水如坤槽７へ排出され、他の製造工程か
ら排出される酸ブルカＩＪ ｉ廃水と合流し、中和処理
後排水される。この中和処理の際、酪アルカリ成分は沈
澱するか、この沈澱物が過酸化水素の分解による酸素で
浮き上ってしまい、外部にそのまま排水されてしまう危
険があった。
場廃水として排出され、弗酸洗浄槽５及び水洗槽６から
の廃液と共に排水如坤槽７へ排出され、他の製造工程か
ら排出される酸ブルカＩＪ ｉ廃水と合流し、中和処理
後排水される。この中和処理の際、酪アルカリ成分は沈
澱するか、この沈澱物が過酸化水素の分解による酸素で
浮き上ってしまい、外部にそのまま排水されてしまう危
険があった。
第２図に本発明の一実施例による洗浄装かの構成図を示
す。
す。
半導体基板９ａの洗浄方法紘従来の方法と同一である。
本実施例では過酸化水素洗浄槽３からの洗浄液及び水洗
槽４からの水洗液は過酸化水素分解槽８へ送られる。過
酸化水素分解槽８の中には、分解促進剤として表面に酸
化膜を有する鉄片又は鉄の条片を一定量入れて置き、洗
浄槽３及び水洗槽４の廃液を必要時間、例えば夜間８時
間過酸化水素分解槽８の中に滞留させる３、このような
処理によシ、酸化膜を有する鉄の作用で、洗浄液及び水
洗水に含まれる過酸化水素は、目標濃度以下に分解され
る。
槽４からの水洗液は過酸化水素分解槽８へ送られる。過
酸化水素分解槽８の中には、分解促進剤として表面に酸
化膜を有する鉄片又は鉄の条片を一定量入れて置き、洗
浄槽３及び水洗槽４の廃液を必要時間、例えば夜間８時
間過酸化水素分解槽８の中に滞留させる３、このような
処理によシ、酸化膜を有する鉄の作用で、洗浄液及び水
洗水に含まれる過酸化水素は、目標濃度以下に分解され
る。
分解促進剤としては、表面に酸化膜を有する銅片又鉱銅
の条片を使用することも出来る。。
の条片を使用することも出来る。。
半導体基板洗浄装置に本発明のように過酸化水素分解槽
を付は加えれば、過酸化水素をこの洗浄装置内で分解し
た後に工場廃水として流すことができるので、酸アルカ
リ系工場廃水の中和処理で生成する沈澱物中にも過酸化
水素は含まれない。
を付は加えれば、過酸化水素をこの洗浄装置内で分解し
た後に工場廃水として流すことができるので、酸アルカ
リ系工場廃水の中和処理で生成する沈澱物中にも過酸化
水素は含まれない。
このため従来発生していた過酸化水素の分解で発生する
気泡に原因する沈澱物の浮上を防止することが出来る。
気泡に原因する沈澱物の浮上を防止することが出来る。
この結果廃水処理の効果を維持しながら半導体基板表面
を洗浄出来るので、半導体装置の製造に関し大きな効果
を上けることが出来る。
を洗浄出来るので、半導体装置の製造に関し大きな効果
を上けることが出来る。
第１図は従来の過酸化水素水溶液を用いた半導体基板洗
浄装動のＩＰ、成因で、第２図は本発明の一実施例によ
る半導体基板洗浄装置の措成因である。 １・・・・・・迎酸化水素水溶液の貯槽、２・・・・・
・アンモニア水等のアルカリ性水溶液の貯槽、３・・・
・・・過酸化水素洗浄槽、４・・・・・・水洗槽、５・
・・・・・弗酸洗浄槽、６・・・・・・水洗槽、７・・
・・・・醒アルカリ系工場廃水処理装置、８・・・・・
・過酸化水素分解槽、９ａ、９ｂ・・・・・・洗浄前及
び洗浄済み半塙体基板。 第１図 弗２図
浄装動のＩＰ、成因で、第２図は本発明の一実施例によ
る半導体基板洗浄装置の措成因である。 １・・・・・・迎酸化水素水溶液の貯槽、２・・・・・
・アンモニア水等のアルカリ性水溶液の貯槽、３・・・
・・・過酸化水素洗浄槽、４・・・・・・水洗槽、５・
・・・・・弗酸洗浄槽、６・・・・・・水洗槽、７・・
・・・・醒アルカリ系工場廃水処理装置、８・・・・・
・過酸化水素分解槽、９ａ、９ｂ・・・・・・洗浄前及
び洗浄済み半塙体基板。 第１図 弗２図
Claims (1)
- 過酸化水素を含む洗浄液によシ半導体基板を洗浄する洗
浄槽と、前記洗浄済みの半導体基板を水洗する水洗槽と
を備えた半導体基板洗浄装置に於いて、上記洗浄液及び
水洗水に含有される過酸化水素の分解のため、分解促進
剤として表面に酸化膜のある鉄又は銅等の金属片又は条
片を内蔵する過酸化水素分解槽を備え、該過酸化水素分
解槽に一定時間上記洗浄液及び水洗水を滞留させて過酸
化水素を分解することを特徴とする半導体基板洗浄装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1771684A JPS60163434A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1771684A JPS60163434A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163434A true JPS60163434A (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=11951470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1771684A Pending JPS60163434A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281544A (en) * | 1990-07-23 | 1994-01-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing planar type polar transistors and combination bipolar/MIS type transistors |
| US5404043A (en) * | 1990-07-23 | 1995-04-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices of the planar type bipolar transistors and combination bipolar/MIS type transistors |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP1771684A patent/JPS60163434A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281544A (en) * | 1990-07-23 | 1994-01-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing planar type polar transistors and combination bipolar/MIS type transistors |
| US5404043A (en) * | 1990-07-23 | 1995-04-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices of the planar type bipolar transistors and combination bipolar/MIS type transistors |
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