JPS60160508A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60160508A JPS60160508A JP1676684A JP1676684A JPS60160508A JP S60160508 A JPS60160508 A JP S60160508A JP 1676684 A JP1676684 A JP 1676684A JP 1676684 A JP1676684 A JP 1676684A JP S60160508 A JPS60160508 A JP S60160508A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- forming transparent
- oxidation
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は液晶表示素子、圧電素子等において用いられる
透明導電膜の形成方法の改良に関するものである。
透明導電膜の形成方法の改良に関するものである。
〈従来技術〉
従来、液晶表示素子、圧電素子等において用いられる透
明導電膜としてＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ（微
量のスズを含有した酸化インジウム；以下Ｉ。
明導電膜としてＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ（微
量のスズを含有した酸化インジウム；以下Ｉ。
Ｔ、０．と略す）がよ（知られている。この１．Ｔ、０
．膜の作成方法としては概ね次の２通りの方法が知ら−
れている。■スプレーコートの後アニールする膜形成法
、■蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングによ
る膜形成法、である。上記従来の透明導電膜の作成方法
に共通している欠点は膜形成時の酸化度、キャリア濃度
の決定が困難な事である。即ち■の方法ではアニール温
度、雰囲気ガスの条件選定の精度が恕い為に１．Ｔ、０
．膜の酸化度。
．膜の作成方法としては概ね次の２通りの方法が知ら−
れている。■スプレーコートの後アニールする膜形成法
、■蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングによ
る膜形成法、である。上記従来の透明導電膜の作成方法
に共通している欠点は膜形成時の酸化度、キャリア濃度
の決定が困難な事である。即ち■の方法ではアニール温
度、雰囲気ガスの条件選定の精度が恕い為に１．Ｔ、０
．膜の酸化度。
キャリア濃度の調整が困難であり、■の方法では初期酸
化物の酸化度が蒸気圧の違いによりめるものと異なって
しまうのである。
化物の酸化度が蒸気圧の違いによりめるものと異なって
しまうのである。
〈目的〉
本発明は上記従来欠点を解消する為になされたものであ
り、１． Ｔ、 ０．膜の酸化度、キャリア濃度の調整
を精度良く行ない高品質の透明導電膜を得ることをその
目的とする。
り、１． Ｔ、 ０．膜の酸化度、キャリア濃度の調整
を精度良く行ない高品質の透明導電膜を得ることをその
目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る実施例について詳細に説明を行なう
。
。
手順に従って説明する。
（１） スパッタリングチャンバーにてスパッタリング
を行ない５ｗｔ％のスズを含有したインジウム膜を基板
上に８００Åの膜厚に形成する。尚、スパッタ条件とし
てはアルゴン分圧を３×１０′Ｔｏｒｒ としＤＣスパ
ッタリング法を採用した。
を行ない５ｗｔ％のスズを含有したインジウム膜を基板
上に８００Åの膜厚に形成する。尚、スパッタ条件とし
てはアルゴン分圧を３×１０′Ｔｏｒｒ としＤＣスパ
ッタリング法を採用した。
（２）上記インジウム膜を形成した基板をプラズマチャ
ンバー内に移動する。
ンバー内に移動する。
（３） プラズマチャンバーにて上記インジウム膜にプ
ラズマで酸化処理を施こすことにより酸化インジウム膜
に変化せしめる。この処理条件としてはＮ２＋０゜の圧
力を１０ｍｍＴｏｒｒとした。
ラズマで酸化処理を施こすことにより酸化インジウム膜
に変化せしめる。この処理条件としてはＮ２＋０゜の圧
力を１０ｍｍＴｏｒｒとした。
次にプラズマ酸化処理の条件を種々と変えた時の膜厚が
５５０ ｎｍの酸化インジウム膜（１，Ｔ、０．膜）の
単位面積当りの膜面抵抗及び透過率を表にして示す。
５５０ ｎｍの酸化インジウム膜（１，Ｔ、０．膜）の
単位面積当りの膜面抵抗及び透過率を表にして示す。
表
上記プラズマ酸化処理によればＮ２１０２組成及び処理
時間の調整によって酸化インジウム膜の酸化度、キャリ
ア濃度のコントロールが容易であり、上記表の如く低抵
抗、高透過率の良質な透明導電膜を得ることができるも
のである。
時間の調整によって酸化インジウム膜の酸化度、キャリ
ア濃度のコントロールが容易であり、上記表の如く低抵
抗、高透過率の良質な透明導電膜を得ることができるも
のである。
く効果〉
本発明によれば高品質の透明導電膜を供給できる。
Claims (1)
- １、微量のスズを含有したインジウムからなる金属膜を
基板」二に形成し、該基板上の金属膜に対してプラズマ
酸化処理を施したことを特徴とする透明導電膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1676684A JPS60160508A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1676684A JPS60160508A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160508A true JPS60160508A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11925337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1676684A Pending JPS60160508A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160508A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP1676684A patent/JPS60160508A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853819A (en) * | 1994-08-30 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically conductive layer formed by a glow discharge process |
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