JPS60154675A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPS60154675A JPS60154675A JP1125984A JP1125984A JPS60154675A JP S60154675 A JPS60154675 A JP S60154675A JP 1125984 A JP1125984 A JP 1125984A JP 1125984 A JP1125984 A JP 1125984A JP S60154675 A JPS60154675 A JP S60154675A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半尋体装置、特に２次元電子ガスによる尚電子
移動度分有して電流各音が従来より増大された、高速度
かつ高出力の電界効果トランジスタにＩｖ、ｌ′ｔ７．
。
移動度分有して電流各音が従来より増大された、高速度
かつ高出力の電界効果トランジスタにＩｖ、ｌ′ｔ７．
。
（ｂ） 技術の背景
現在エレクトロニクスの主役となっているノリコン（Ｓ
ｉ）半導体装置の限界を超える重速化、低消費通力化全
実現するために、キャリア！ｒ！ｊに電子の桜勤度がノ
リコンより逼に大きいカリウム・砒素（ＧａＡｓ ）な
どの化合物半導体を用いる半導体装置の開発か推進され
ている。
ｉ）半導体装置の限界を超える重速化、低消費通力化全
実現するために、キャリア！ｒ！ｊに電子の桜勤度がノ
リコンより逼に大きいカリウム・砒素（ＧａＡｓ ）な
どの化合物半導体を用いる半導体装置の開発か推進され
ている。
化合物半導体を用いるｌ−ランシスタとしては、そのＮ
ｘ’Ｗ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によって一界幼呆トランジスタ（以下Ｆ Ｅ
Ｔと略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｐ！紘性
の化合物半導体を基板に用いで（−を赳容呈を減少せし
めたショットキーバリア形１イ” Ｅ Ｔが主流となっ
ている。
ｘ’Ｗ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によって一界幼呆トランジスタ（以下Ｆ Ｅ
Ｔと略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｐ！紘性
の化合物半導体を基板に用いで（−を赳容呈を減少せし
めたショットキーバリア形１イ” Ｅ Ｔが主流となっ
ている。
従来の横這の８１もしくはＧａＡａ等の半導体装１級に
おいては、キャリアは不純物イオンが存在している半導
体全曲内を移動する。この移動に際してキャリアはイｌ
子振動および不純値イオンによって散乱を受けるが、格
子振動による散乱の確率を小さくするために温＃を低下
させると不純物イオンによる散乱の確率が犬きくなシ、
キャリアの移動度はこれによって制限される。
おいては、キャリアは不純物イオンが存在している半導
体全曲内を移動する。この移動に際してキャリアはイｌ
子振動および不純値イオンによって散乱を受けるが、格
子振動による散乱の確率を小さくするために温＃を低下
させると不純物イオンによる散乱の確率が犬きくなシ、
キャリアの移動度はこれによって制限される。
この不純物散乱効果をリド除するために、不純物が添加
される領域とキャリアが移動する領域と金へテロ接合界
面によって空間的に分離して、特に低温におけるキャリ
アの′＄励度を増大せしめたヘテロ接合形電界効果トラ
ンジスタ（以下へテロ接合形］” Ｅ Ｔと略称する＞
Ｋよって一層の高速化が実現逼れている。
される領域とキャリアが移動する領域と金へテロ接合界
面によって空間的に分離して、特に低温におけるキャリ
アの′＄励度を増大せしめたヘテロ接合形電界効果トラ
ンジスタ（以下へテロ接合形］” Ｅ Ｔと略称する＞
Ｋよって一層の高速化が実現逼れている。
（ｃｌ 従来技術と問題点
前記へテロ接合形ＦＥＴの従来の構造の１例を胆１図（
ａ）に示す０半杷は性ＧａＡｓ基板ｌ上に、ノンドープ
のｉ型ＧａＡｓＪ１２と、これにより竜子親オロカの小
さいｎｕ砒化アルミニウムガリウム（ｄＧａＡｓ）１１
３と、ｎ型ＧａＡｓ Ｉｎ ４とが設けられている。ｎ
型のＡ ＩＧ ａ Ａ ８層３（′電子供給鳩という）
からｉ型ＧａＡｓＭ２ （チャネル）―という）へ遷移
した１１．子によって１μり層のへテロ接合弁開近傍に
生成される２次元電子カス２Ａがチャネルとして機能す
る。この２次元亀子ガス２Ａの面濃度を制御するゲート
−極５は、通常ｎ型ＧａＡｓ層４全選択的に除去したリ
セス構造によって、ｎ型ＡＡＧａＡｓｌ付３に接して設
けら４るＣ−土た６ ｉ１ノース山、極、７１．１ドレ
イン１１４．猛でめる。なお目ｕ記ｌｌ型ΔｔＧａＡｓ
ｌｊ３の１ＭＧａＡｓ１７２とのへテロ砿合弁面近傍に
ドナー不純物全導入しないスペーサ領域を設けて、２次
元議子ガス２Ａに対する不純物イオン散乱効果を防止す
ることがしばしば行なわれている。第１し１（ｂ）は本
従来例の伝りメ・沿のエネルギーダイヤグラムであり、
ｉｔ図（ａ）と同−符号により対応を示す。
ａ）に示す０半杷は性ＧａＡｓ基板ｌ上に、ノンドープ
のｉ型ＧａＡｓＪ１２と、これにより竜子親オロカの小
さいｎｕ砒化アルミニウムガリウム（ｄＧａＡｓ）１１
３と、ｎ型ＧａＡｓ Ｉｎ ４とが設けられている。ｎ
型のＡ ＩＧ ａ Ａ ８層３（′電子供給鳩という）
からｉ型ＧａＡｓＭ２ （チャネル）―という）へ遷移
した１１．子によって１μり層のへテロ接合弁開近傍に
生成される２次元電子カス２Ａがチャネルとして機能す
る。この２次元亀子ガス２Ａの面濃度を制御するゲート
−極５は、通常ｎ型ＧａＡｓ層４全選択的に除去したリ
セス構造によって、ｎ型ＡＡＧａＡｓｌ付３に接して設
けら４るＣ−土た６ ｉ１ノース山、極、７１．１ドレ
イン１１４．猛でめる。なお目ｕ記ｌｌ型ΔｔＧａＡｓ
ｌｊ３の１ＭＧａＡｓ１７２とのへテロ砿合弁面近傍に
ドナー不純物全導入しないスペーサ領域を設けて、２次
元議子ガス２Ａに対する不純物イオン散乱効果を防止す
ることがしばしば行なわれている。第１し１（ｂ）は本
従来例の伝りメ・沿のエネルギーダイヤグラムであり、
ｉｔ図（ａ）と同−符号により対応を示す。
以」二睨明した可１きｎ−ＡＪＧａＡｓ／１−ＧａＡｓ
からなる従来のンングルへテロ４４す魚の・＼テロ接合
形ＦＥＴにおＶ、−Ｃは、２仄元′岨子カス２ｐｃ／）
４．子■濃度Ｎｓに洞１収がある。すなわち２仄几″Ｉ
感子ガス２Ａ中では′４子が状態重度が大きい領域で縮
退しているために、ｎ型ＡＪＧａＡｓ勉３のドナー不純
物一度を増大させても、フェルミ準位の変化が小ちくて
２仄７Ｔ：電子ガス２Ａの１１、子面函度Ｎｓが請訓し
ない飽第１月頃同を示す。この結末％ｌ’４！Ｉ ａｅ
促米列においては、温度７７（Ｋｌにおいて例えば２次
元電子ガスの電子移動度μｍ５ＸｌＯ’（Ｇが／■・Ｓ
〕を得るためには、その面濃度Ｎｉｌが６〜７×１ｏ■
〔ｃｍ″〕程度以下に制限され、これより大電流動作は
期待しがたく、またオーミック接触抵抗、雑音指数の低
減などが困難である。
からなる従来のンングルへテロ４４す魚の・＼テロ接合
形ＦＥＴにおＶ、−Ｃは、２仄元′岨子カス２ｐｃ／）
４．子■濃度Ｎｓに洞１収がある。すなわち２仄几″Ｉ
感子ガス２Ａ中では′４子が状態重度が大きい領域で縮
退しているために、ｎ型ＡＪＧａＡｓ勉３のドナー不純
物一度を増大させても、フェルミ準位の変化が小ちくて
２仄７Ｔ：電子ガス２Ａの１１、子面函度Ｎｓが請訓し
ない飽第１月頃同を示す。この結末％ｌ’４！Ｉ ａｅ
促米列においては、温度７７（Ｋｌにおいて例えば２次
元電子ガスの電子移動度μｍ５ＸｌＯ’（Ｇが／■・Ｓ
〕を得るためには、その面濃度Ｎｉｌが６〜７×１ｏ■
〔ｃｍ″〕程度以下に制限され、これより大電流動作は
期待しがたく、またオーミック接触抵抗、雑音指数の低
減などが困難である。
電子面濃度の大きい２次元電子ガスが得られる４１９造
として例えば第２図に示す一層ドーピングへテロ構造が
既に知られている。図において１１はＧａＡｓ１曽、＋
２はＡＪＧａＡｓ層であり、各層にドナー不純物が導
入されている。本構造においてはｎＷＧａＡａ層１１に
これを挾む２層のｎＷＡＡＧａＡｓ層１２から電子層着
２し、更にｎ型Ｇａ／Ｉｓ層１１に導入されたドナー不
純物からも電子が供給されて、ｎ型ＧａＡｓ１曽１１の
厚さが２０（ｎｍ）程度以下である場合には、これらの
電子が混合された２次元電子カスＬＩＡが形成きれる。
として例えば第２図に示す一層ドーピングへテロ構造が
既に知られている。図において１１はＧａＡｓ１曽、＋
２はＡＪＧａＡｓ層であり、各層にドナー不純物が導
入されている。本構造においてはｎＷＧａＡａ層１１に
これを挾む２層のｎＷＡＡＧａＡｓ層１２から電子層着
２し、更にｎ型Ｇａ／Ｉｓ層１１に導入されたドナー不
純物からも電子が供給されて、ｎ型ＧａＡｓ１曽１１の
厚さが２０（ｎｍ）程度以下である場合には、これらの
電子が混合された２次元電子カスＬＩＡが形成きれる。
本構造によれば２次元電子カスの面濃度は増大するが、
この２次元電子ガスは不純物が導入された半導体空間内
にあるため不純物散乱が犬きく電子移動度が低く、ヘテ
ロ接合形Ｂ″ＥＴには適しない。
この２次元電子ガスは不純物が導入された半導体空間内
にあるため不純物散乱が犬きく電子移動度が低く、ヘテ
ロ接合形Ｂ″ＥＴには適しない。
（ｄ） 発明の目的
本り６明は以」二説明した問題点に対処し、ヘテロ接合
形ＦＥＴについてその電流各桁が１１；１大さレル猶遺
を提供することを目的とする０ （ｅ） 発明の構成 本発明のｈＩＩ記目的は、第１の化合物半導体よりなり
ドナー不純物を営む第ｌの半導体層と、該第１の化合物
半導体よりなり該第１０牛４体層の上面に接する第２の
半導体層と、該第１の化合物半導体より電子親和力が小
さい第２の化合切半導体よりなりドナー不＾ＵＩＩＩ＊
に含んで該第２の半専体ｊ音の上面に接する第３の半導
体層とを備えて、該第３の半導体層から該第２の半導体
層に遷移する甫１子によって生成ちれる２次元１に子カ
ス層と該第１の半導体層とを直流路とする半導体装置に
より達ｌ戊される。
形ＦＥＴについてその電流各桁が１１；１大さレル猶遺
を提供することを目的とする０ （ｅ） 発明の構成 本発明のｈＩＩ記目的は、第１の化合物半導体よりなり
ドナー不純物を営む第ｌの半導体層と、該第１の化合物
半導体よりなり該第１０牛４体層の上面に接する第２の
半導体層と、該第１の化合物半導体より電子親和力が小
さい第２の化合切半導体よりなりドナー不＾ＵＩＩＩ＊
に含んで該第２の半専体ｊ音の上面に接する第３の半導
体層とを備えて、該第３の半導体層から該第２の半導体
層に遷移する甫１子によって生成ちれる２次元１に子カ
ス層と該第１の半導体層とを直流路とする半導体装置に
より達ｌ戊される。
本発明の構造のエネルギーバンド図の例を第３図に示す
。
。
図ニオイて、２０は半絶縁性基板又はノンドープのバッ
ファ１θである。２Ｌは前記第１の半導体ＭｒＣあって
ドナー不純物が４人されており、例えばＱａＡｓによっ
て形成される。２２は前記第２の半導体層であり第１の
半導体層と組成は同一であるが通常ノンドープのｉ型で
ある０２３はＡｉｔ記第３の半導体層であり、スペーサ
領域を除いてドナー不純物が導入式れている。第１及び
第２の半導体層がＧａＡｓであるならばこの第３の半導
体層はＡＡＧａＡｓによって形成される。
ファ１θである。２Ｌは前記第１の半導体ＭｒＣあって
ドナー不純物が４人されており、例えばＱａＡｓによっ
て形成される。２２は前記第２の半導体層であり第１の
半導体層と組成は同一であるが通常ノンドープのｉ型で
ある０２３はＡｉｔ記第３の半導体層であり、スペーサ
領域を除いてドナー不純物が導入式れている。第１及び
第２の半導体層がＧａＡｓであるならばこの第３の半導
体層はＡＡＧａＡｓによって形成される。
ペテロ接合界面に生ずるＧａＡｓ層２２の伝導帯のボテ
ン／ヤル井戸内に閉じこめられて２次元電子ガス２２Ａ
が生成されるが、ｎ型ＱａＡ４１鱒２【内の不純物によ
るクーロン散乱を防止するために、２次元電子ガス２２
Ａとｎ型ＧａＡ＋ｓ層２１との間の２次元１子ガスの波
動関数が分布する範誼クンドープのｉ型ＧａＡｓ２２が
必要である。この距離は通常ＬＯＣｎｍ）程度以上あれ
ばよい。
ン／ヤル井戸内に閉じこめられて２次元電子ガス２２Ａ
が生成されるが、ｎ型ＱａＡ４１鱒２【内の不純物によ
るクーロン散乱を防止するために、２次元電子ガス２２
Ａとｎ型ＧａＡ＋ｓ層２１との間の２次元１子ガスの波
動関数が分布する範誼クンドープのｉ型ＧａＡｓ２２が
必要である。この距離は通常ＬＯＣｎｍ）程度以上あれ
ばよい。
本半導体装置は２次元電子ガス２２Ａとｎ型ＧａＡｓ層
２１内の３次元電子との双方をチャネルとし、ゲートバ
イアス電圧が浅いときには２次元。
２１内の３次元電子との双方をチャネルとし、ゲートバ
イアス電圧が浅いときには２次元。
３次元の双方のＩｊｂ子によって伝尋が行なわれ、ゲー
トバイアス電圧を深くＪ−れば２次元′電子カス２２Ａ
かう・己にピンチオフ４−る。
トバイアス電圧を深くＪ−れば２次元′電子カス２２Ａ
かう・己にピンチオフ４−る。
（ｆ） 発明の゛実施例
に
以下本発明ψ実施例によりりこに具体的に説明する０
第４図（ａ）は本つら明の実施例を示す断聞図、同図（
ｂ）はそのエネルギーバンド図である。本’９４ ＋＋
ｉｕ例の半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板３０−ヒに
、例えば分子線エビタキノヤル成長方法或いは有（幾金
箱熱分解気相成長方法によって成長した下記の半導体層
か設けられている。たたし下記表中、組成比ＸがＯはＧ
ａＡｓ、 ０．３はＡＡ！ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ 、 ０−
０．３はＧａＡｓ１ＭとＡＡ’ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ層との
開音連続的につなぐ様に組成比が変化するＡＡＧａＡｓ
盾を示し、各符号 組成比Ｘ ドナー濃度 厚さ くＣｍ Ｊ （ｎｍ） ３７ ０ １ＸＩＯ１８７０ ３６０〜０．３ ｔＸｌｏ” ３０ ３５ ０．３ １ＸＩＯ” ３０ ３４ ０．３ ノンドープ ６ ３３ ０ ノンドープ ２０ ３２ ０ １ｘｌｏ” ５０ ３１ ０ ノンドープ ３００ ノンドープのｉ型ＧａＡＧａＡｓ１ｅに２仄元゛電子ガ
ス３３Ａが生成されでいる。またｎ型ＧａＡｓ１峠３２
は不純物を冨むチャネル層であるが、この層の不純物般
１屁はｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ７Ａｓ ’ｂ１子供給層３
５等より不純Ｉ＋／１ｇ＋兜ケ低くしてこれによる電子
のクーロン散＾Ｌをづ”ｌ’ １ｍ Ｌでいる。
ｂ）はそのエネルギーバンド図である。本’９４ ＋＋
ｉｕ例の半導体基体は半絶縁性ＧａＡｓ基板３０−ヒに
、例えば分子線エビタキノヤル成長方法或いは有（幾金
箱熱分解気相成長方法によって成長した下記の半導体層
か設けられている。たたし下記表中、組成比ＸがＯはＧ
ａＡｓ、 ０．３はＡＡ！ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ 、 ０−
０．３はＧａＡｓ１ＭとＡＡ’ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ層との
開音連続的につなぐ様に組成比が変化するＡＡＧａＡｓ
盾を示し、各符号 組成比Ｘ ドナー濃度 厚さ くＣｍ Ｊ （ｎｍ） ３７ ０ １ＸＩＯ１８７０ ３６０〜０．３ ｔＸｌｏ” ３０ ３５ ０．３ １ＸＩＯ” ３０ ３４ ０．３ ノンドープ ６ ３３ ０ ノンドープ ２０ ３２ ０ １ｘｌｏ” ５０ ３１ ０ ノンドープ ３００ ノンドープのｉ型ＧａＡＧａＡｓ１ｅに２仄元゛電子ガ
ス３３Ａが生成されでいる。またｎ型ＧａＡｓ１峠３２
は不純物を冨むチャネル層であるが、この層の不純物般
１屁はｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ７Ａｓ ’ｂ１子供給層３
５等より不純Ｉ＋／１ｇ＋兜ケ低くしてこれによる電子
のクーロン散＾Ｌをづ”ｌ’ １ｍ Ｌでいる。
この半導体基体のｎ型ＧａＡｇ増３７に深さ６゜Ｃｎｍ
）程１反のリセスを形成して、ゲート長駒１〔μｍ〕
ゲート幅ｆ＋６００［μｍ〕 のゲート順１８にフルミ
ニラム（ＡＡ）ｋ用いて配設している。またソース電極
３９及びドレイン′電極４ｏは金ゲルマニウム／ 笠Ｌ
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてｎ型Ｇａｘｓ層３７上に配設
している。
）程１反のリセスを形成して、ゲート長駒１〔μｍ〕
ゲート幅ｆ＋６００［μｍ〕 のゲート順１８にフルミ
ニラム（ＡＡ）ｋ用いて配設している。またソース電極
３９及びドレイン′電極４ｏは金ゲルマニウム／ 笠Ｌ
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてｎ型Ｇａｘｓ層３７上に配設
している。
本実施例にお、いて電子面濃度Ｎｓ中１．２ Ｘ Ｌ
Ｏ１２［Ｃｒｎ−’ ）と前記従来例の約２倍になり、
７１１．流′＃１杖もほぼ２倍となっている。
Ｏ１２［Ｃｒｎ−’ ）と前記従来例の約２倍になり、
７１１．流′＃１杖もほぼ２倍となっている。
以上の説明はへテロ接合形ＦＦｊＴの本来の構成として
、２次元′電子ガスが生成されるチャネル層をノンドー
プのｉ型としている。しかしながら２次元電子ガスが生
成されるチャネル層、前記実施例のＧａＡｓ層３３に僅
かにドナー不純吻ヲ４φ人することによって１子移動度
をさほど低下４〜ることなく螺子面礎１ルを増大するこ
ともできる。
、２次元′電子ガスが生成されるチャネル層をノンドー
プのｉ型としている。しかしながら２次元電子ガスが生
成されるチャネル層、前記実施例のＧａＡｓ層３３に僅
かにドナー不純吻ヲ４φ人することによって１子移動度
をさほど低下４〜ることなく螺子面礎１ルを増大するこ
ともできる。
例えば前記実施例のスペーサ層３４及び２次元電子によ
るチャネル層３３を下記の如く変更する〇符号 組成比
Ｘ ドナーａ度 厚さ 〔ｏｎ”〕（ｎｍ） ３４ｄ Ｏ，３２ＸｌＯ” ６ ３３ｄ Ｏ２Ｘ１０” ５０ この様に不純ｌ吻を低ａ度にチャネル層等に導入した実
施例においては、電子面一度及び電流容縫が前記実施例
に比較してほぼ１０％程度増大している。
るチャネル層３３を下記の如く変更する〇符号 組成比
Ｘ ドナーａ度 厚さ 〔ｏｎ”〕（ｎｍ） ３４ｄ Ｏ，３２ＸｌＯ” ６ ３３ｄ Ｏ２Ｘ１０” ５０ この様に不純ｌ吻を低ａ度にチャネル層等に導入した実
施例においては、電子面一度及び電流容縫が前記実施例
に比較してほぼ１０％程度増大している。
以上説明した如く本発明の構造によって、従来のへテロ
接合形ＦＥＴの限界をこえて電子面濃度及び′電流容箱
を増大’ｉ１−ることかでき、平均的な電子移動度の低
下も悌かである。また本発明の半導体装置は従来のソヨ
ソｉ・キーバリア形ＦＥＴに比較して平均的な軍子移動
期が高く、かつ２次元′心子ガスの効果によってトラン
スコンダクタンスｇｍの増大、ゲート鬼１王に対するド
レイン電流の＋ｔｌＬ編性の改署がもたらされる。
接合形ＦＥＴの限界をこえて電子面濃度及び′電流容箱
を増大’ｉ１−ることかでき、平均的な電子移動度の低
下も悌かである。また本発明の半導体装置は従来のソヨ
ソｉ・キーバリア形ＦＥＴに比較して平均的な軍子移動
期が高く、かつ２次元′心子ガスの効果によってトラン
スコンダクタンスｇｍの増大、ゲート鬼１王に対するド
レイン電流の＋ｔｌＬ編性の改署がもたらされる。
以」二の説明はＧａＡｇ／ＡＡＧａＡｓｋ用いて本発明
の半導体装置を４８成しているが、例えばＧａｎ４７Ｉ
ｎｏ５ｚＡｓ／ ＡＪｏ４ｓ 工ｎｏ５２ＡＳなど他の
化合物半導体を用いても本発明の半導体装置を実現する
ことができる。
の半導体装置を４８成しているが、例えばＧａｎ４７Ｉ
ｎｏ５ｚＡｓ／ ＡＪｏ４ｓ 工ｎｏ５２ＡＳなど他の
化合物半導体を用いても本発明の半導体装置を実現する
ことができる。
□□□）弁明の効果
以上説明した如く本発明によれは、良好な電子移動岐と
大きい成流容世とが実現され、高速度で商出力の半導体
装置を提供することができる。
大きい成流容世とが実現され、高速度で商出力の半導体
装置を提供することができる。
第１図（ａ）は従来のへテロ接合形ｊ” Ｅ ’Ｌ’の
ＩＪｒ而図面図図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第
２区１０ま従来の試みを説明するエネルギーバンド図、
第３図は本発明を説明するエネルギーバンド図％第４図
（ａ）は本発明の実施例の１υ［面図、同ヌＩ（ｂｉ＆
よそのエネルギーバンド図である。 図において、２０は半絶蒜性ＧａＡｓ基板又はノンドー
プのＧａＡｓバッファ層％２【はｎ型Ｇａ Ａｓｌｍ５
，２２はノンドープのＧａＡｓ１偶＋、２２ Ａは２仄
元′電子ガス、２３はノンドープ領域ケ含むｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ１脅、 ３０は半ｓｉｔ性ＧａＡｓＪ板、３１及
び３３はノンドープのＧａＡｓ１＆、３２及び３７はｎ
Ｗ Ｇ ａ Ａ ８１曽、３４はノンドープのＡ Ｉ
［１，３Ｇａｏ、ｙ Ａ ｓ １ｍ、３５ばｎ型ＡＪｏ
３Ｇａｏ７Ａｓ Ｉｉｖ、３ Ｇはｎ型ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ （０：５ｘＳ０．３）層、３Ｂはゲート電極、
３９はソース唱転 ４０はドレイン゛電極を示す〇第１
図 隼２ ド ／／７ｆ 第３Ｚ
ＩＪｒ而図面図図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第
２区１０ま従来の試みを説明するエネルギーバンド図、
第３図は本発明を説明するエネルギーバンド図％第４図
（ａ）は本発明の実施例の１υ［面図、同ヌＩ（ｂｉ＆
よそのエネルギーバンド図である。 図において、２０は半絶蒜性ＧａＡｓ基板又はノンドー
プのＧａＡｓバッファ層％２【はｎ型Ｇａ Ａｓｌｍ５
，２２はノンドープのＧａＡｓ１偶＋、２２ Ａは２仄
元′電子ガス、２３はノンドープ領域ケ含むｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ１脅、 ３０は半ｓｉｔ性ＧａＡｓＪ板、３１及
び３３はノンドープのＧａＡｓ１＆、３２及び３７はｎ
Ｗ Ｇ ａ Ａ ８１曽、３４はノンドープのＡ Ｉ
［１，３Ｇａｏ、ｙ Ａ ｓ １ｍ、３５ばｎ型ＡＪｏ
３Ｇａｏ７Ａｓ Ｉｉｖ、３ Ｇはｎ型ＡｌｘＧａ１−
ｘＡｓ （０：５ｘＳ０．３）層、３Ｂはゲート電極、
３９はソース唱転 ４０はドレイン゛電極を示す〇第１
図 隼２ ド ／／７ｆ 第３Ｚ
Claims (1)
- 第１の化合物半導体よりなりドナー不純物を含む≠１の
半導体層と、該第１の化合物半導体よりなり、該第ｌの
半、ｖｆ体層の上面に接する第２の手酌、体層と、該第
１の化合物半導体より電子親λＩＪ力が小さい編２の化
合物半導体よりなり、ドナー不純物を含んで該第２の半
導体層の上面に接する第３の半４体層と′に備えて、該
第３の半導体層から該第２の半畳体層に遷移する電子に
よって生成される２次元箱、子ガス層と該第１の半導体
層とを電流路とすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011259A JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011259A JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154675A true JPS60154675A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH0797633B2 JPH0797633B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=11772940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011259A Expired - Lifetime JPH0797633B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797633B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0308969A2 (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | High electron mobility transistor structure |
| US5389802A (en) * | 1992-12-21 | 1995-02-14 | Nec Corporation | Heterojunction field effect transistor (HJFET) having an improved frequency characteristic |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107678A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59011259A patent/JPH0797633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107678A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0308969A2 (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | High electron mobility transistor structure |
| EP0308969A3 (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-18 | Siemens Aktiengesellschaft | High electron mobility transistor structure |
| US5389802A (en) * | 1992-12-21 | 1995-02-14 | Nec Corporation | Heterojunction field effect transistor (HJFET) having an improved frequency characteristic |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797633B2 (ja) | 1995-10-18 |
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