JPS60144921A - 小形トランスの製造方法 - Google Patents
小形トランスの製造方法Info
- Publication number
- JPS60144921A JPS60144921A JP54784A JP54784A JPS60144921A JP S60144921 A JPS60144921 A JP S60144921A JP 54784 A JP54784 A JP 54784A JP 54784 A JP54784 A JP 54784A JP S60144921 A JPS60144921 A JP S60144921A
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- JP
- Japan
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- magnetic core
- metal layer
- conductive metal
- spiral
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高周波トランスやパルストランスなどとし
て用いられる小形トランスの製造方法に関する。
て用いられる小形トランスの製造方法に関する。
周知のように、近年では電子回路装置の超小形化が大き
な技術課題となっており、各種電子部品の小形化や実装
密度の向上と言った観点で盛んに技術開発がなされてい
る。高周波トランス・パルストランス・共振トランスな
どは電子回路部品の１つとして各種の装置に組込まれて
いるが、これらトランスはＩＣのように超小形化ができ
ず、装置の小形化の大きな障害要因となっている。
な技術課題となっており、各種電子部品の小形化や実装
密度の向上と言った観点で盛んに技術開発がなされてい
る。高周波トランス・パルストランス・共振トランスな
どは電子回路部品の１つとして各種の装置に組込まれて
いるが、これらトランスはＩＣのように超小形化ができ
ず、装置の小形化の大きな障害要因となっている。
従来、上述のような各種トランスは適宜な磁芯に細い導
線を巻いて構成されている。この種の巻線桶造では、超
小形の１〜ランスで、ある程度ターン数の大きなものを
歩留り良く製造するのは非常に困難である。極めて細い
導線を相互に絶縁しながら超小形の磁芯に多数回巻き付
けることになるが、このときの線材に伸び・Ｖ′Ｊ断・
緩みを生じやすく、線材の巻き方によって特性ムラが生
じ、精度および信頼性の面に問題があった。
線を巻いて構成されている。この種の巻線桶造では、超
小形の１〜ランスで、ある程度ターン数の大きなものを
歩留り良く製造するのは非常に困難である。極めて細い
導線を相互に絶縁しながら超小形の磁芯に多数回巻き付
けることになるが、このときの線材に伸び・Ｖ′Ｊ断・
緩みを生じやすく、線材の巻き方によって特性ムラが生
じ、精度および信頼性の面に問題があった。
この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
あり、その目的は、超小形で精度・信頼性の高いトラン
スを簡単な製造工程で歩留り良く安定かつ安価に量産す
ることができる製造方法を提供することにある。
あり、その目的は、超小形で精度・信頼性の高いトラン
スを簡単な製造工程で歩留り良く安定かつ安価に量産す
ることができる製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、この発明は、適宜な磁性
材料からなる円柱形磁芯の周面に薄い導電金属層を均一
に形成し、この導電金属層をレーザなどによる微細トリ
ミング装置を用いて線状にトリミングすることで、円柱
形磁芯の周囲に互いに交わらない２条以上のスパイラル
状溝を刻設し、この２条以上のスパイラル溝で非接触状
態に分離された２条以上のスパイラル線状に上記導電金
属層を残すことを特徴とする。
材料からなる円柱形磁芯の周面に薄い導電金属層を均一
に形成し、この導電金属層をレーザなどによる微細トリ
ミング装置を用いて線状にトリミングすることで、円柱
形磁芯の周囲に互いに交わらない２条以上のスパイラル
状溝を刻設し、この２条以上のスパイラル溝で非接触状
態に分離された２条以上のスパイラル線状に上記導電金
属層を残すことを特徴とする。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
まず第１図に示すように、フェライト・ケイ素鋼・ニッ
ケル鋼・パーマロイなどの磁性材料からなる円柱形磁芯
１１を用意し、この磁芯１１の外周面の全面に絶縁層１
２を形成して被覆し、さらに絶縁層１２の全表面に簿い
導電金属層１３を均一に形成する。絶縁層１２は、例え
ば絶縁性の塗料を円柱形磁芯１１の外周面に塗布するこ
とで形成する。導電金属層１３は、例えば銅などの良導
電性金属を蒸着によって絶縁層１２の表面に形成する。
ケル鋼・パーマロイなどの磁性材料からなる円柱形磁芯
１１を用意し、この磁芯１１の外周面の全面に絶縁層１
２を形成して被覆し、さらに絶縁層１２の全表面に簿い
導電金属層１３を均一に形成する。絶縁層１２は、例え
ば絶縁性の塗料を円柱形磁芯１１の外周面に塗布するこ
とで形成する。導電金属層１３は、例えば銅などの良導
電性金属を蒸着によって絶縁層１２の表面に形成する。
次に、絶縁層１２と金属層１３で二重に被覆した円柱形
磁芯１１を高精度な回転送り装置（図示省略）に装着し
、第２図に示すように、磁芯１１をその軸方向Δに一定
速度で移動させるとともに、矢印Ｂのように磁芯１１を
その軸線を中心に一定速度で回転させる。このように回
転送りされる磁芯１１の側方に３台のレーザトリミング
装置３ａ。
磁芯１１を高精度な回転送り装置（図示省略）に装着し
、第２図に示すように、磁芯１１をその軸方向Δに一定
速度で移動させるとともに、矢印Ｂのように磁芯１１を
その軸線を中心に一定速度で回転させる。このように回
転送りされる磁芯１１の側方に３台のレーザトリミング
装置３ａ。
３ｂ 、３ｃを設置し、これらから生じる３本の細いレ
ーザビーム４ａ 、４ｂ 、４ｃを磁芯１１の周面の金
属層１３に照射する。各レーザビーム４ａ。
ーザビーム４ａ 、４ｂ 、４ｃを磁芯１１の周面の金
属層１３に照射する。各レーザビーム４ａ。
４ｂ、４ｃの照射点は、金属層１３の表面で磁芯１１の
長手方向に微小な一定間隔を保っている。
長手方向に微小な一定間隔を保っている。
磁芯１１は矢印六方向に直線送りされるとともに矢印Ｂ
方向に回転送りされているので、各レーザビーム４ａ、
４ｂ、４０の照射点は、円柱形磁芯１１の周面において
スパイラル状の軌跡を描く。
方向に回転送りされているので、各レーザビーム４ａ、
４ｂ、４０の照射点は、円柱形磁芯１１の周面において
スパイラル状の軌跡を描く。
導電金属層１３は非常に薄く、レーザビーム４ａ。
４ｂ、４ｃが照射されると、それぞれの照射部分の金属
層は除去され、下層の絶縁層１２が露出する。レーザビ
ーム４ａ、４ｂ、４ｃの照射点がスパイラル状の軌跡を
描くので、導電金属層１３はその軌跡通りに線状に除去
されて、スパイラル状の溝２ａ 、 ２ｂ 、２ｃが刻
設される。
層は除去され、下層の絶縁層１２が露出する。レーザビ
ーム４ａ、４ｂ、４ｃの照射点がスパイラル状の軌跡を
描くので、導電金属層１３はその軌跡通りに線状に除去
されて、スパイラル状の溝２ａ 、 ２ｂ 、２ｃが刻
設される。
各レーザビーム４ａ、４ｂ、４Ｇの照射点が磁芯１１の
長手方向に微小な一定間隙を保っているので、レーザビ
ーム４ａで刻設されるスパイラル状溝２８と、レーザビ
ーム４ｂで刻設されるスパイラル状溝２ｂと、レーザビ
ーム４Ｃで刻設されるスパイラル状溝２ｂとは互いに交
わることがなく、磁芯１１の周囲に３条の平行なスパイ
ラル状溝となる。これら３条のスパイラル状溝２ａ、２
ｂ、２ｃで導電金属１１１３がトリミングされる結果、
金属層１３はこれら溝で非接触状態に分離された３条の
スパイラル線の形で磁芯１１の表面に残る。
長手方向に微小な一定間隙を保っているので、レーザビ
ーム４ａで刻設されるスパイラル状溝２８と、レーザビ
ーム４ｂで刻設されるスパイラル状溝２ｂと、レーザビ
ーム４Ｃで刻設されるスパイラル状溝２ｂとは互いに交
わることがなく、磁芯１１の周囲に３条の平行なスパイ
ラル状溝となる。これら３条のスパイラル状溝２ａ、２
ｂ、２ｃで導電金属１１１３がトリミングされる結果、
金属層１３はこれら溝で非接触状態に分離された３条の
スパイラル線の形で磁芯１１の表面に残る。
上記のように円柱形磁芯１１の全長にわたってトリミン
グを行ない、その後磁芯１１を任意の長さに切断すると
、所望のトランスが完成する。
グを行ない、その後磁芯１１を任意の長さに切断すると
、所望のトランスが完成する。
第３図はこのように製造されたトランスに３対のリード
線５ａ 、５ａと５ｂ、５ｂと５ｃ、５ｃτハンダ付け
した状態を示している。つまり、円柱形磁芯１１の周面
にスパイラル線状に残った３条の導電金属層１３はそれ
ぞれ独立して連続しており、これら各スパイラル線の両
端にそれぞれリード線をハンダ付けしたものである。リ
ード線５ａ、５ｃ間のスパイラル線は第１巻線に相当し
、リード線５ｂ、５ｂ間のスパイラル線は第２巻線に相
当し、リード線５ｃ、５Ｃ間のスパイラル線は第３巻線
に相当する。この実施例の小形１ヘランスは１つの磁芯
１１に同じ巻き数の３つの巻線を有するものである。
線５ａ 、５ａと５ｂ、５ｂと５ｃ、５ｃτハンダ付け
した状態を示している。つまり、円柱形磁芯１１の周面
にスパイラル線状に残った３条の導電金属層１３はそれ
ぞれ独立して連続しており、これら各スパイラル線の両
端にそれぞれリード線をハンダ付けしたものである。リ
ード線５ａ、５ｃ間のスパイラル線は第１巻線に相当し
、リード線５ｂ、５ｂ間のスパイラル線は第２巻線に相
当し、リード線５ｃ、５Ｃ間のスパイラル線は第３巻線
に相当する。この実施例の小形１ヘランスは１つの磁芯
１１に同じ巻き数の３つの巻線を有するものである。
周知のように、レーザトリミング装置によれば極めて微
細なトリミング加工が可能である。例えば、前述のよう
に各スパイラル状）ｆｉ７２ａ、２ｂ。
細なトリミング加工が可能である。例えば、前述のよう
に各スパイラル状）ｆｉ７２ａ、２ｂ。
２Ｃの幅を１μｍとし、各溝間に残るはスパイラル線状
の金属層１３の幅を１μｍとした場合、僅か１１′Ｉ１
ｍの長さの円柱状磁芯１１の外表面に前述の第１巻線、
第２巻線、第３巻線の全体で５００ターンのスパイラル
状巻線を形成づることができる。
の金属層１３の幅を１μｍとした場合、僅か１１′Ｉ１
ｍの長さの円柱状磁芯１１の外表面に前述の第１巻線、
第２巻線、第３巻線の全体で５００ターンのスパイラル
状巻線を形成づることができる。
従って、導線を巻き付ける従来の巻線構造のトランスに
比べ、超小形で高密度の巻線を持ったトランスを、回転
送り装置およびトリミング装置を用いたシンプルな製造
工程で超高精度に製造することができ、製品の歩留りお
よび信頼性も高いものとなる。
比べ、超小形で高密度の巻線を持ったトランスを、回転
送り装置およびトリミング装置を用いたシンプルな製造
工程で超高精度に製造することができ、製品の歩留りお
よび信頼性も高いものとなる。
なお、レーザトリミング装置は非常に微細な加工が可能
な優れた装置であるが、その他の微細トリミング装置、
例えばサンドブラスト・トリミング装置などを用いるこ
とも可能である。また、前記実施例では円柱形磁芯１１
は中実であるが、必要に応じてこれを円筒形としてもよ
い。また、この発明による小形トランスを回路接続する
手段としては、第３図で説明したリード線をハンダ付す
る方法に限定されず、例えばスパイラル線状の金属層１
３の端部を基板表面に直接ハンダ付することも可能であ
る。
な優れた装置であるが、その他の微細トリミング装置、
例えばサンドブラスト・トリミング装置などを用いるこ
とも可能である。また、前記実施例では円柱形磁芯１１
は中実であるが、必要に応じてこれを円筒形としてもよ
い。また、この発明による小形トランスを回路接続する
手段としては、第３図で説明したリード線をハンダ付す
る方法に限定されず、例えばスパイラル線状の金属層１
３の端部を基板表面に直接ハンダ付することも可能であ
る。
さらに、上記絶縁層１２は、例えば磁芯１１がニッケル
ジンクのような比抵抗の大きな材質の場合は不要であっ
て、磁芯１１の周面に直接導電金属層１３を形成するこ
とも可能である。
ジンクのような比抵抗の大きな材質の場合は不要であっ
て、磁芯１１の周面に直接導電金属層１３を形成するこ
とも可能である。
以上詳細に説明したように、この発明の製造方法によれ
ば、超小形・高精度・高信頼性・高密度の小形トランス
を比較的簡単な生産設備による簡単な製造工程で安価に
量産することができる。
ば、超小形・高精度・高信頼性・高密度の小形トランス
を比較的簡単な生産設備による簡単な製造工程で安価に
量産することができる。
第１図は絶Ｒ層と導電金属層で二重に被覆した円柱形磁
芯を示す図、第２図はスパイラル状溝の形成工程を示す
図、第３図は完成した小形トランスを示す図である。 ２ａ、２１）、２ｃ・・・・・・スパイラル状溝３ａ
、３ｂ 、３ｃ・・・・・・レーザトリミング装置４ａ
、４ｂ 、４ｃ・・・・・・レーザビーム５ａ、５ｂ
、５ｃ・・・・・・リード線１１・・・・・・円柱形磁
芯 １２・・・・・・絶縁層１３・・・・・・導電金属
層 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 弁理士 −色健輔
芯を示す図、第２図はスパイラル状溝の形成工程を示す
図、第３図は完成した小形トランスを示す図である。 ２ａ、２１）、２ｃ・・・・・・スパイラル状溝３ａ
、３ｂ 、３ｃ・・・・・・レーザトリミング装置４ａ
、４ｂ 、４ｃ・・・・・・レーザビーム５ａ、５ｂ
、５ｃ・・・・・・リード線１１・・・・・・円柱形磁
芯 １２・・・・・・絶縁層１３・・・・・・導電金属
層 特許出願人 富士電気化学株式会社 代 理 人 弁理士 −色健輔
Claims (1)
- （１）磁性材料からなる円柱形磁芯の周面に薄い導電金
属層を均一に形成する工程と、微細トリミング装置によ
って上記導電金属層を線状に除去してなる溝を上記円柱
形磁芯の周囲に互いに交わらない２条以上のスパイラル
状に刻設する工程とを含み、上記２条以上のスパイラル
状溝で非接触状態に分離された２条以上のスパイラル線
状に上記導電金属層を残すことを特徴とする小形トラン
スの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54784A JPS60144921A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 小形トランスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54784A JPS60144921A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 小形トランスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144921A true JPS60144921A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11476749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54784A Pending JPS60144921A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 小形トランスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019103895A1 (de) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | Tdk Electronics Ag | Spule und Verfahren zur Herstellung der Spule |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494153A (ja) * | 1972-05-02 | 1974-01-14 | ||
| JPS5738080A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ghost detector |
-
1984
- 1984-01-07 JP JP54784A patent/JPS60144921A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494153A (ja) * | 1972-05-02 | 1974-01-14 | ||
| JPS5738080A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ghost detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019103895A1 (de) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | Tdk Electronics Ag | Spule und Verfahren zur Herstellung der Spule |
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