JPS60142254A - ガス・クロマトグラフイ - Google Patents
ガス・クロマトグラフイInfo
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- JPS60142254A JPS60142254A JP25190783A JP25190783A JPS60142254A JP S60142254 A JPS60142254 A JP S60142254A JP 25190783 A JP25190783 A JP 25190783A JP 25190783 A JP25190783 A JP 25190783A JP S60142254 A JPS60142254 A JP S60142254A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カスが蒸発・吸収を繰り返すキトビラリイ・
カラムがｎ個のブロックにより構成されているため、超
精密級から簡便形ガス・クロマトグラフィが必要とする
長さに応じ（、同一形状をしたブロックの接着数を変化
さヒＣ実現できるガス・り０マドグラフイに関する。
カラムがｎ個のブロックにより構成されているため、超
精密級から簡便形ガス・クロマトグラフィが必要とする
長さに応じ（、同一形状をしたブロックの接着数を変化
さヒＣ実現できるガス・り０マドグラフイに関する。
まず、本発明に係る従来技術のガス・クロマトグラフィ
を第１図及び第２図によって説明づる。
を第１図及び第２図によって説明づる。
第１図には、一枚のシリ−１ン・ウェハ１にキャリヤ・
ガス５２の注入口３．サンプル・ガス注入口４、キャピ
ラリイ・カラム８．及び温度ヒンリ−６を形成し、これ
とデータ処理装置５０と、キトリヤ・ガス容器５２ａと
、調圧器５１で構成されるガス・クロマトグラフィを示
ず。
ガス５２の注入口３．サンプル・ガス注入口４、キャピ
ラリイ・カラム８．及び温度ヒンリ−６を形成し、これ
とデータ処理装置５０と、キトリヤ・ガス容器５２ａと
、調圧器５１で構成されるガス・クロマトグラフィを示
ず。
ｉ２２Ｏ４、第１図のシリコン・ウェハ１上のキャビラ
リイ・カラム８．キｔ・リヤ・ガス注入口３．キトリヤ
・ガス排気口２サンプル・ガス注入口４．１ナンプル・
カスからキ１７すＡ７・ガスへの注入部７．温度センリ
用空隙６ｂ温Ｉ衰センサ６のリード線引出し穴９などの
特定の形をした保護膜５ｉＯｚ を設け、この保護膜を
通してシリコン・ウェハ１に化学ｒｉｌｌ磨法により腐
蝕を施して、キャピラリイ・カラム８などを加工する。
リイ・カラム８．キｔ・リヤ・ガス注入口３．キトリヤ
・ガス排気口２サンプル・ガス注入口４．１ナンプル・
カスからキ１７すＡ７・ガスへの注入部７．温度センリ
用空隙６ｂ温Ｉ衰センサ６のリード線引出し穴９などの
特定の形をした保護膜５ｉＯｚ を設け、この保護膜を
通してシリコン・ウェハ１に化学ｒｉｌｌ磨法により腐
蝕を施して、キャピラリイ・カラム８などを加工する。
第２図すは、従来技術により作ったサンプル・ガス注入
口４゜注入部７の断面図である。
口４゜注入部７の断面図である。
化学的研磨法に３３いては、厚み４００〜５００μｍの
シリコン・ウェハの貫通穴エツチングにＫ Ｏ＋−１水
溶液を、１０〜２０μｍのエツチングに１−４ ＋：水
溶液を用いるが、保護膜５ｉ０２にはピン・ホールが多
数存在り−るため、不必要な箇所がエツチングされてし
まう例が多い。
シリコン・ウェハの貫通穴エツチングにＫ Ｏ＋−１水
溶液を、１０〜２０μｍのエツチングに１−４ ＋：水
溶液を用いるが、保護膜５ｉ０２にはピン・ホールが多
数存在り−るため、不必要な箇所がエツチングされてし
まう例が多い。
このため、一枚の人形シリコン・ウェハ上にガス・クロ
マトグラフィをつくり仕上げ率（歩留り率〉が茗るしく
低下するという欠点があり、一枚のシリコン・ウェハ上
に長いキャピラリイ・カラムをつくることはシリコン・
つｌハの結晶欠陥やシリコン・ウェハ・エツチング時に
予期しない部分の１ツチングが生じ、予想しない不必要
な加工が行われ、シリコン・ウェハ」二のガス・クロマ
トグラフィの歩留り率を悪化させる欠点があった。
マトグラフィをつくり仕上げ率（歩留り率〉が茗るしく
低下するという欠点があり、一枚のシリコン・ウェハ上
に長いキャピラリイ・カラムをつくることはシリコン・
つｌハの結晶欠陥やシリコン・ウェハ・エツチング時に
予期しない部分の１ツチングが生じ、予想しない不必要
な加工が行われ、シリコン・ウェハ」二のガス・クロマ
トグラフィの歩留り率を悪化させる欠点があった。
本発明は、このような欠点を除去するために考えられた
ものであり、特に、シリコン・ウェハ加工時に生ずる歩
留り率向上を計ったカス・クロマトグラフィを提供する
ことを目的とづる。
ものであり、特に、シリコン・ウェハ加工時に生ずる歩
留り率向上を計ったカス・クロマトグラフィを提供する
ことを目的とづる。
本発明は、シリコン・ウェハ表裏面に同一の長さを有す
る同一形状のガス通路のキャビラリイ・カラムを多数同
時にエツチングを施して加工せしめ、これを長方形にス
クライブして、シリコン・ウェハ片とし、このシリコン
・ウェハ片の合格品にガラス板を密着さけて、キャピラ
リイ・カラムをブロック化とする。
る同一形状のガス通路のキャビラリイ・カラムを多数同
時にエツチングを施して加工せしめ、これを長方形にス
クライブして、シリコン・ウェハ片とし、このシリコン
・ウェハ片の合格品にガラス板を密着さけて、キャピラ
リイ・カラムをブロック化とする。
このブロック１個で、ガス・り【：１７１〜クラフイの
キＶピラリイ・カラムの動作を行わしめ、このブロック
をｎ個を各々注入口と排気［ｌを接ぎ合わせて、１つの
ブロックのキャビラリイ長の０倍のキャピラリイ長さの
カラムを有するガス・クロマＦ・グラフィの実現を行う
ものである。
キＶピラリイ・カラムの動作を行わしめ、このブロック
をｎ個を各々注入口と排気［ｌを接ぎ合わせて、１つの
ブロックのキャビラリイ長の０倍のキャピラリイ長さの
カラムを有するガス・クロマＦ・グラフィの実現を行う
ものである。
本発明の実施例を第３図から第６図によって説明する。
第３図は、本発明のキャピラリイ・カラム・ブロックを
用いたカス・クロマトグラフィを示Ｊが、従来技術を示
す第１図と第３図は本質的には同一機能を有り−るカス
・クロマトグラフィである。
用いたカス・クロマトグラフィを示Ｊが、従来技術を示
す第１図と第３図は本質的には同一機能を有り−るカス
・クロマトグラフィである。
１１個のブロック５５は各々のブロック５５注入ロア１
と排気口６６が直列的に接続されて１個のブロック５５
が有Ｊるキャビラリイ・カラム６２゜６５長さのｎ ４
ｆ５の長さのキャピラリイ・カラム５６を示す。
と排気口６６が直列的に接続されて１個のブロック５５
が有Ｊるキャビラリイ・カラム６２゜６５長さのｎ ４
ｆ５の長さのキャピラリイ・カラム５６を示す。
第４図は、長方形シリ：１ン・ウェハ片６９の表裏面に
設けた主１１ピラリイ・カラム６２．６５のみを判り易
く示したものであり、ガス注入口６１からガスがシリコ
ン・ウェハ片６７表面のキャビラリイ・カラム６２を通
り、シリコン・ウェハ片６７、貫通口６３からガスは裏
面のガス連絡口６４と、キトピラリイ・カラム６５を通
り、ガス排気口６４からガスが排出される。
設けた主１１ピラリイ・カラム６２．６５のみを判り易
く示したものであり、ガス注入口６１からガスがシリコ
ン・ウェハ片６７表面のキャビラリイ・カラム６２を通
り、シリコン・ウェハ片６７、貫通口６３からガスは裏
面のガス連絡口６４と、キトピラリイ・カラム６５を通
り、ガス排気口６４からガスが排出される。
第５図は、シリコン・つ１ハ片６９の表面６７ど裏面６
９に第４図のキトビラリイ・カラム６２゜５を有し、ガ
ラス板７０のガス通過ロア１とシリコン・ウェハ片６９
のキャビラリイ・カラム６２へのガス注入口６１を合致
さゼて、シリコン・ウェハ片６９とガラス板７０を抜打
さｔ！ ｒ ｊＩＩツク５５をつくり出す状況を示す。
９に第４図のキトビラリイ・カラム６２゜５を有し、ガ
ラス板７０のガス通過ロア１とシリコン・ウェハ片６９
のキャビラリイ・カラム６２へのガス注入口６１を合致
さゼて、シリコン・ウェハ片６９とガラス板７０を抜打
さｔ！ ｒ ｊＩＩツク５５をつくり出す状況を示す。
第６図は、２個のブロック５５の−ｈの７０ツク５５の
ガス排気口６６と別ブロック５５のガス注入ロア１を合
わせてＩＩる状況を示す。
ガス排気口６６と別ブロック５５のガス注入ロア１を合
わせてＩＩる状況を示す。
第３図に示ずよ−うにプ［Ｉツク５５をｎ個直列に接続
することによって、新たな４ヤピラリイ・カラム５Ｇを
つくり出１ことができる。
することによって、新たな４ヤピラリイ・カラム５Ｇを
つくり出１ことができる。
このにうにして、本発明のブロック５５を極力多く接続
せしめることにより、超精密級ガス・クロマトグラフィ
が実現できる。また、高速カス分析を行うには、本発明
のブロック５５を１個ないし２個用いればよい。いずれ
にしても、１）１１４１のブロックの初段には第５図に
おけるガラス７０を畜６さＵる必要がある。
せしめることにより、超精密級ガス・クロマトグラフィ
が実現できる。また、高速カス分析を行うには、本発明
のブロック５５を１個ないし２個用いればよい。いずれ
にしても、１）１１４１のブロックの初段には第５図に
おけるガラス７０を畜６さＵる必要がある。
本発明は以上のような構成であり、かつ、本発明に係る
ガス・クロマトグラフィにおけるキｔ？ビラリイ・カラ
ムがｎ個のブ［１ツクにより構成されＣ’ Ｊ３す、直
列に接続することにより超精密級ガス・クロマトグラフ
ィから簡便形ガス・クロマトグラフィが実現でき、一枚
の大形シリコン・ウェハ上から）Ｊス・クロマトグラフ
ィをつくり０」二げ眸ｚ（歩留り率）を若しく向上でき
る効果を炎する。
ガス・クロマトグラフィにおけるキｔ？ビラリイ・カラ
ムがｎ個のブ［１ツクにより構成されＣ’ Ｊ３す、直
列に接続することにより超精密級ガス・クロマトグラフ
ィから簡便形ガス・クロマトグラフィが実現でき、一枚
の大形シリコン・ウェハ上から）Ｊス・クロマトグラフ
ィをつくり０」二げ眸ｚ（歩留り率）を若しく向上でき
る効果を炎する。
第１図及び第２図Ｃａ＞、 （ｂ）は、従来のガス・ク
ロマトグラフィを示し、第３図から第６図は、本発明に
係るカス・クロマトグラフィを示す図であり、各図を通
じて同一部分は、同−何月で表わしている。 １・・・シリコン・ウェハ ２・・・キャリヤ・カス排気口 ３・・・キャリ曳７・ガス注入口 ４・・・リーンプル・ガスン主入口 ５０・・・・・・データ処理 ６・・・温度センナ ６ｂ・・・センザ用空隙 ７・・・ガス注入部 ８・・・キトピラリイ・カラム ９・・・リード線引出し口 ５１・・・調圧器 ５２・・・キャリー・カス ５５・・・ブロック ５６・・・ｎ個接続したブロック ６１・・・ガス注入Ｕノ ロ２・・・キャピラリイ・ノコラム（表面）６３・・・
ガス連絡口く表面） ６４・・・ガス連絡口（裏面） ６５・・・４：Ｉ′−ビラリイ・カラム（表面）６６・
・・ガス排気口（表面） ６７・・・シリコン・ウェハ片 表面 ６８・・・シリコン・ウェハ片 裏面 ６９・・・シリコン・つ１ｂ片 ７０・・・ガラス板 ７１・・・ガス通過口 手続補正書く方式〉 昭和５９年 ６月７日 特許庁長官 若杉和夫殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第２５１９０７号 ２ 発明の名称 ガス・クロマトグラフィ ３ 補正する者 事件との関係 特許出願人 千葉県千葉市真砂５丁目２０番７号 昭和５９年３月２７日発送日 ５ 補正の対岨 明ａｌｌ書
ロマトグラフィを示し、第３図から第６図は、本発明に
係るカス・クロマトグラフィを示す図であり、各図を通
じて同一部分は、同−何月で表わしている。 １・・・シリコン・ウェハ ２・・・キャリヤ・カス排気口 ３・・・キャリ曳７・ガス注入口 ４・・・リーンプル・ガスン主入口 ５０・・・・・・データ処理 ６・・・温度センナ ６ｂ・・・センザ用空隙 ７・・・ガス注入部 ８・・・キトピラリイ・カラム ９・・・リード線引出し口 ５１・・・調圧器 ５２・・・キャリー・カス ５５・・・ブロック ５６・・・ｎ個接続したブロック ６１・・・ガス注入Ｕノ ロ２・・・キャピラリイ・ノコラム（表面）６３・・・
ガス連絡口く表面） ６４・・・ガス連絡口（裏面） ６５・・・４：Ｉ′−ビラリイ・カラム（表面）６６・
・・ガス排気口（表面） ６７・・・シリコン・ウェハ片 表面 ６８・・・シリコン・ウェハ片 裏面 ６９・・・シリコン・つ１ｂ片 ７０・・・ガラス板 ７１・・・ガス通過口 手続補正書く方式〉 昭和５９年 ６月７日 特許庁長官 若杉和夫殿 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第２５１９０７号 ２ 発明の名称 ガス・クロマトグラフィ ３ 補正する者 事件との関係 特許出願人 千葉県千葉市真砂５丁目２０番７号 昭和５９年３月２７日発送日 ５ 補正の対岨 明ａｌｌ書
Claims (1)
- （１）一枚のシリコン・ウェハをｎ個の一定面積の長方
形に分割して、その長方形シリコン・ウェハ面上に、一
定の長さのガス通路のキャビラリイ・カラムを設け、そ
のカラムにウェハの一方面よりガスを注入する注入口と
、ウェハのもう一方面よりガスを排気づる排気口を有す
る長方形のシリコン・ウェハと、 この長方形シリコン・つｌハ面にカス通気口を有するガ
ラス板を密着してできる端面のブロックと、中間の各ブ
ロックのガス注入口と隣接するブロックのガス排気口を
密着して、密着したｎ個のブロックから成り、１個のブ
ロックのｎ倍のキャピラリ（・カラムをイ１するガス・
りロマトグラフイ。 （２、特許請求の範囲第１項記載のｎ個のキャビラリイ
・カラム・ブロックのガスと主入口とカス排気口に、サ
ンプル・ガス注入弁１ｎツクと温度センサブロックを密
着させ各々のブロックを直列状に接続して構成されるガ
ス・クロマトグラフィ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25190783A JPS60142254A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ガス・クロマトグラフイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25190783A JPS60142254A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ガス・クロマトグラフイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142254A true JPS60142254A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17229729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25190783A Pending JPS60142254A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ガス・クロマトグラフイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142254A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4935040A (en) * | 1989-03-29 | 1990-06-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Miniature devices useful for gas chromatography |
| US5087275A (en) * | 1987-09-22 | 1992-02-11 | Thomson-Csf | Electrochemical sensor having microcavities |
| US5720798A (en) * | 1996-04-30 | 1998-02-24 | Hewlett-Packard Company | Micromachined analyte trap for gas phase streams |
| US6670024B1 (en) * | 2002-06-05 | 2003-12-30 | The Regents Of The University Of California | Glass-silicon column |
| WO2013018903A1 (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | 株式会社堀場エステック | プレート型キャピラリカラム、キャピラリカラムユニット及びそれらを用いたクロマトグラフ |
| CN105929070A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-09-07 | 中国烟草总公司郑州烟草研究院 | 一种卷烟主流烟气中香味成分的气相色谱-四极杆飞行时间质谱/火焰离子化检测方法 |
| JP2016538556A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-08 | トタル ソシエテ アノニムＴｏｔａｌ Ｓａ | キャピラリーカラムを有するガスクロマトグラフ用プレート、キャピラリー装置、およびガスクロマトグラフ |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25190783A patent/JPS60142254A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087275A (en) * | 1987-09-22 | 1992-02-11 | Thomson-Csf | Electrochemical sensor having microcavities |
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| CN103403541A (zh) * | 2011-08-04 | 2013-11-20 | 株式会社堀场Stec | 平板型毛细管柱、毛细管柱单元以及使用其的色谱仪 |
| JPWO2013018903A1 (ja) * | 2011-08-04 | 2015-03-05 | 株式会社堀場エステック | プレート型キャピラリカラム、キャピラリカラムユニット及びそれらを用いたクロマトグラフ |
| US9354210B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-05-31 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Plate-type capillary column, capillary column unit, and chromatograph using same |
| JP2016538556A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-08 | トタル ソシエテ アノニムＴｏｔａｌ Ｓａ | キャピラリーカラムを有するガスクロマトグラフ用プレート、キャピラリー装置、およびガスクロマトグラフ |
| CN105929070A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-09-07 | 中国烟草总公司郑州烟草研究院 | 一种卷烟主流烟气中香味成分的气相色谱-四极杆飞行时间质谱/火焰离子化检测方法 |
| CN105929070B (zh) * | 2016-04-27 | 2018-06-15 | 中国烟草总公司郑州烟草研究院 | 一种卷烟主流烟气中香味成分的气相色谱-四极杆飞行时间质谱/火焰离子化检测方法 |
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