JPS60140817A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60140817A JPS60140817A JP25004783A JP25004783A JPS60140817A JP S60140817 A JPS60140817 A JP S60140817A JP 25004783 A JP25004783 A JP 25004783A JP 25004783 A JP25004783 A JP 25004783A JP S60140817 A JPS60140817 A JP S60140817A
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- JP
- Japan
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- basket
- stick
- stage
- heat treatment
- heat
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋１１発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは縦型の拡散熱
処理、特に１１００℃以上の高温熱処理方法に関する。
処理、特に１１００℃以上の高温熱処理方法に関する。
（２）技術の背景
（１）
半導体装置の製造工程においてウェハに対して拡散熱処
理がなされることが多く、それを第１図の断面図を参照
して説明する。第１図において、１は炉芯管、２はヒー
タ、３はガス導入孔、４はガス排出孔、５はウェハバス
ケット（以下バスケットという）、６はバスケット５を
吊り下げ移動するスティック、７はウェハを示す。バス
ケット５とスティック６は石英または炭化シリコン（Ｓ
ｉＣ）製のもので、半導体シリコンウェハの処理との関
係でこれらのものを金属で作ることはできない。操作に
おいて、スティック６を用いてバスケットを図示の位置
まで下ろし、バスケット５を吊り下げた状態で所定のガ
スをガス導入孔３から導入し、ヒータ２で炉芯管内の温
度を所定の温度に保って拡散熱処理を行う。
理がなされることが多く、それを第１図の断面図を参照
して説明する。第１図において、１は炉芯管、２はヒー
タ、３はガス導入孔、４はガス排出孔、５はウェハバス
ケット（以下バスケットという）、６はバスケット５を
吊り下げ移動するスティック、７はウェハを示す。バス
ケット５とスティック６は石英または炭化シリコン（Ｓ
ｉＣ）製のもので、半導体シリコンウェハの処理との関
係でこれらのものを金属で作ることはできない。操作に
おいて、スティック６を用いてバスケットを図示の位置
まで下ろし、バスケット５を吊り下げた状態で所定のガ
スをガス導入孔３から導入し、ヒータ２で炉芯管内の温
度を所定の温度に保って拡散熱処理を行う。
（３）従来技術と問題点
第１図に示す装置を用いる拡散熱処理において、１１０
０℃以上の高温においては、石英などで作ったスティッ
ク６が延びてバスケットが炉芯管の所定の位置に安定に
保持できなかったり、場合によっ（２） てはスティックが切断してバスケット５が落下しバスケ
ットとウェハを損傷する問題がある。また、炉芯管は煙
突の如きものであるから冷風が下から入り込んでヒータ
の幾何学的寸法によって定まる均熱長（均熱長とは炉芯
管内で温度が均一に保たれる部分の長さをいい、それが
大である程ウェハに対し均一な拡散熱処理がなされる）
が乱され、ウェハに対し均一な拡散熱処理がなされない
問題がある。更には、炉芯管内の熱が、その下方および
上方から逃げ、電力が浪費される問題もある。
０℃以上の高温においては、石英などで作ったスティッ
ク６が延びてバスケットが炉芯管の所定の位置に安定に
保持できなかったり、場合によっ（２） てはスティックが切断してバスケット５が落下しバスケ
ットとウェハを損傷する問題がある。また、炉芯管は煙
突の如きものであるから冷風が下から入り込んでヒータ
の幾何学的寸法によって定まる均熱長（均熱長とは炉芯
管内で温度が均一に保たれる部分の長さをいい、それが
大である程ウェハに対し均一な拡散熱処理がなされる）
が乱され、ウェハに対し均一な拡散熱処理がなされない
問題がある。更には、炉芯管内の熱が、その下方および
上方から逃げ、電力が浪費される問題もある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、縦型の炉芯管を用いる
ウェハの拡散熱処理において、炉芯管からの熱の逃げが
防止されて省電力化と均熱長の増大が実現され、バスケ
ットおよびウェハが安定に保持される方法を提供するこ
とを目的とする。
ウェハの拡散熱処理において、炉芯管からの熱の逃げが
防止されて省電力化と均熱長の増大が実現され、バスケ
ットおよびウェハが安定に保持される方法を提供するこ
とを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体ウェハの縦型
の拡散熱処理を行う方法にして、炉芯管の底に設けた断
熱用ステージ上にスティックによ（３） って吊り下げたウェハバスケットをのせ、次いでスティ
ックを炉芯管の外に退避させ、しかる後に熱処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供すること
によって達成される。
の拡散熱処理を行う方法にして、炉芯管の底に設けた断
熱用ステージ上にスティックによ（３） って吊り下げたウェハバスケットをのせ、次いでスティ
ックを炉芯管の外に退避させ、しかる後に熱処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供すること
によって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
第２図に本発明方法を実施するに用いる拡散熱処理装置
が断面図で示され、同図において、１１は炉芯管、１２
ばヒータ、１３はガス導入孔、１４はガス排出孔、１５
はウェハバスケット（以下バスケットという）、１６は
バスケット１５を吊り下げ移動するに用いるステインク
、１７はウェハ、１８はステージを示す。
が断面図で示され、同図において、１１は炉芯管、１２
ばヒータ、１３はガス導入孔、１４はガス排出孔、１５
はウェハバスケット（以下バスケットという）、１６は
バスケット１５を吊り下げ移動するに用いるステインク
、１７はウェハ、１８はステージを示す。
バスケット１５とスティック１６とは共に石英またはＳ
ｉＣで作り、かつ、スティック１６はバスケットに取り
外し可能に係合される構造にする。ステージ１８ば例え
ば石英ウールを内部に充填した石英製の断熱用容器（加
熱による体積膨張で爆発しないように空気排出口がある
）であって、炉芯管の熱が下方に逃げないようにすると
共に、バスケソ１−（４） １５がその」二に載置されたとき、ヒータ１２の幾何学
的寸法によって定まる均熱長のほぼ中央にバスケット１
５が位置するよう設計する。
ｉＣで作り、かつ、スティック１６はバスケットに取り
外し可能に係合される構造にする。ステージ１８ば例え
ば石英ウールを内部に充填した石英製の断熱用容器（加
熱による体積膨張で爆発しないように空気排出口がある
）であって、炉芯管の熱が下方に逃げないようにすると
共に、バスケソ１−（４） １５がその」二に載置されたとき、ヒータ１２の幾何学
的寸法によって定まる均熱長のほぼ中央にバスケット１
５が位置するよう設計する。
操作において、スティック１６を用いバスケット１５を
第２図の位置から第３図の位置に下しバスケット１５を
ステージ１８上にのせる。次いで、スティック１６を矢
印で示すように回しバスケットとの係合状態から外し、
炉芯管の外に退避させる。次いで所定の拡散熱処理を行
うが、断熱用のステージ１８によって熱が下方に逃げる
ことが防止され、それに伴って消費電力が節減される。
第２図の位置から第３図の位置に下しバスケット１５を
ステージ１８上にのせる。次いで、スティック１６を矢
印で示すように回しバスケットとの係合状態から外し、
炉芯管の外に退避させる。次いで所定の拡散熱処理を行
うが、断熱用のステージ１８によって熱が下方に逃げる
ことが防止され、それに伴って消費電力が節減される。
また、ヒータ１２の幾何学的寸法によって定まる均熱長
が増大するのでバスケット１５内のウェハ１７のすべて
に対して均一に拡散熱処理が行われる スティック１６は熱処理中炉芯管の外部に退避している
から、１１００℃以上の高温熱処理においても、バスケ
ット１５はステージ１８上にのっているだけであり、従
来経験されたスティック１６の延びまたは切断によるバ
スケットとウェハの損傷は完全に防止される。
が増大するのでバスケット１５内のウェハ１７のすべて
に対して均一に拡散熱処理が行われる スティック１６は熱処理中炉芯管の外部に退避している
から、１１００℃以上の高温熱処理においても、バスケ
ット１５はステージ１８上にのっているだけであり、従
来経験されたスティック１６の延びまたは切断によるバ
スケットとウェハの損傷は完全に防止される。
（５）
本発明の第２の実施例は第３図に断面図で示される装置
を用いるものであり、同図において第２図に示した部分
と同じ部分は同一符号を付して表示する。この第２実施
例においては、ステージ１８に加えてキャップ１９を設
け、炉芯管の熱が上方に逃げることを防止する。すなわ
ち、スティック１６が炉芯管１１の外へ出た後にキャッ
プ１９を図示の位置に動かし、ステージ１８と共同して
炉芯管１１からの熱の逃げを最小に留め、それによって
均熱長を更に増大するだけでなく消費電力を節減する。
を用いるものであり、同図において第２図に示した部分
と同じ部分は同一符号を付して表示する。この第２実施
例においては、ステージ１８に加えてキャップ１９を設
け、炉芯管の熱が上方に逃げることを防止する。すなわ
ち、スティック１６が炉芯管１１の外へ出た後にキャッ
プ１９を図示の位置に動かし、ステージ１８と共同して
炉芯管１１からの熱の逃げを最小に留め、それによって
均熱長を更に増大するだけでなく消費電力を節減する。
キャップ１９もステージ１８と同様に内部に石英ウール
を充填した石英容器（加熱による体積膨張で爆発しない
ように空気排出口がある）で構成した断熱部材である。
を充填した石英容器（加熱による体積膨張で爆発しない
ように空気排出口がある）で構成した断熱部材である。
拡散熱処理が終ると、第１の実施例ではスティック１６
を下し、バスケット１５と係合させ、しかる後にバスケ
ットを炉芯管の外に出す。第２実施例の場合には、キャ
ンプ１９を炉芯管の外に出した後に前記したスティック
の操作を行う。
を下し、バスケット１５と係合させ、しかる後にバスケ
ットを炉芯管の外に出す。第２実施例の場合には、キャ
ンプ１９を炉芯管の外に出した後に前記したスティック
の操作を行う。
（７）発明の効果
（６）
以上詳細に説明した如く本発明によれば、縦型炉を用い
るウェハの拡散熱処理において、ステージおよびキャッ
プを用いることにより熱の逃げが低減されるだけでなく
、スティックは熱処理中炉の外部にあり、バスケットは
ステージ上に安定状態でのっているので、特に１１００
°Ｃ以上の高温熱処理が安定性良く、かつ、信頼性高く
行いうるだけでなく、消費電力が節減され、更には均熱
長が増大するので、バスケット内のすべてのウェハに対
して均一に熱処理がなされる利点がある。
るウェハの拡散熱処理において、ステージおよびキャッ
プを用いることにより熱の逃げが低減されるだけでなく
、スティックは熱処理中炉の外部にあり、バスケットは
ステージ上に安定状態でのっているので、特に１１００
°Ｃ以上の高温熱処理が安定性良く、かつ、信頼性高く
行いうるだけでなく、消費電力が節減され、更には均熱
長が増大するので、バスケット内のすべてのウェハに対
して均一に熱処理がなされる利点がある。
第１図は従来の縦型の熱処理装置の断面図、第２図と第
３図は本発明の第１実施例の操作を示す断面図、第４図
は本発明の第２実施例を示す断面図である。 １１−炉芯管、１２− ヒータ、１３−・−ガス導入孔
、１４−・ガス排出孔、１５− ウェハバスケット、ｉｅ−スティック、１７センウエハ
、１８− ステージ、１９−キャップ （７）
３図は本発明の第１実施例の操作を示す断面図、第４図
は本発明の第２実施例を示す断面図である。 １１−炉芯管、１２− ヒータ、１３−・−ガス導入孔
、１４−・ガス排出孔、１５− ウェハバスケット、ｉｅ−スティック、１７センウエハ
、１８− ステージ、１９−キャップ （７）
Claims (2)
- （１）半導体ウェハの縦型の拡散熱処理を行う方法にし
て、炉芯管の底に設けた断熱用ステージ上にステインク
によって吊り下げたウェハバスケットをのせ、次いでス
テインクを炉芯管の外に退避させ、しかる後に熱処理を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）ステインクを退避させた後において、断熱用キャ
ップを炉芯管の上方位置に配置することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25004783A JPS60140817A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25004783A JPS60140817A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140817A true JPS60140817A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17202020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25004783A Pending JPS60140817A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0888193A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-04-02 | Furendotetsuku Kenkyusho:Kk | 半導体デバイスの製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129964A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-13 | Hitachi Ltd | Method and device for inserting and taking out of heat treatment jig |
| JPS56165317A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25004783A patent/JPS60140817A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53129964A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-13 | Hitachi Ltd | Method and device for inserting and taking out of heat treatment jig |
| JPS56165317A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0888193A (ja) * | 1995-08-11 | 1996-04-02 | Furendotetsuku Kenkyusho:Kk | 半導体デバイスの製造装置 |
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