JPS60140792A - 伝導性貫通孔を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は２つの伝導体層の間にはさまれた導電体、すな
わち絶縁体の膚ｋＸいて伝導性の貫通孔全形成するだめ
の改良方法に関する。この方法は殊にプリントｔｍ路板
の形成に有用なものである。

米国特許第３．９６９．８１５号明細書には、基体の対
向し／ζｔ（１１面に配置きれた２つの笠属層に電気的
連結金主せしめる方法が開示されている。そこでは仁の
２つの釡へ鳩および中間の絶縁体ノーを貫いて孔がはじ
めにドリルによってか又は孔あけによって作られる。こ
の絶縁体中の孔は絶縁体層のみをエツチングする選択的
エツチング法によって拡大され、絶縁体層中に拡大され
た環状孔を形成させ−それによって金槁／＃部分がアン
ダーカットされる。その俊でＭ５縁体増の対向した仙ｊ
のこれら張シ出した金属部分は圧力がかけられることに
よシ互に接触するか又はｅよとんど接触するに至るまで
に変形される。この変形された金属部分は好ましくは亜
鉛によるオーバーコートで必る電気メッキ用金属（ｇａ
ｌｙａｎｉ。

ｍｅｔａｌ）Ｉｃ　、ｔニジ被覆されて云４通路を形成
する。

本発明は２つの＠導体層の間にはさまれた誘電体層中に
導電性通路を作るための方法であって、 ｆａｎ　誘電体層からは実質的に例らの物質と取）去る
ことなく伝導体層の部分全エツチングする也とによシ伝
導体層のうちの１つを完全に貫いて非環状孔を形成させ
、 （ｂＪ　この孔を通してこの誘電体層をエツチングし、
それによって伝導体層の間の誘電体層を貫通して通路が
形成され、そしてまた伝導体層はその＠得体層中の孔に
近接した誘電体物質のところでアンダーカットし、 （Ｃ）　このアンダーカットした伝導体７ｍｋ他方の伝
導体層に向って変形させ、そして （ｄ）　この２つの伝導体層の間に上記の通Ｍを通って
導電性通路を形成させる、 ことからなるものでめる。

第１Ａ図は導電体層、＠篭体層および導電体層とからな
り、４電体層の１つを貫いて孔が設けられている会合物
品の断面図である。

第１Ｂ図は第１Ａ図に示された物品であって、その誘電
体層を貞いてエツチングによって句加された孔を有する
断面図である。

第１Ｃ図は第１Ｂ図に示された物品であって、誘電体層
中の孔へ導電体層が変形されて入りこんでいることを示
す断面図である。

第１Ｄ図は１つの伝導体層中に形成された孔の輪郭を示
す第１Ａ図の物品の半面図°でめる。

第１Ｅ図は伝導体層中に形成された孔のもう一つの輪郭
を示す第１Ａ図の物品の平面図である。

第２Ａ図は導電体層、誘電体層および電気伝導体層とか
らなシ、導電体層の各々を貫いて孔が設けられている複
合物品の断面図である。

第２Ｂ図は第２Ａ図の物品であってその誘電体層中にエ
ツチングによって付加的に孔が形成されていることを示
す断面図である。

第２Ｃ図は第２Ｂ図に示された物品でるって、その誘電
体層中の孔へ導電体層が変形されて入シこんでいること
を示す断面図である。

第６Ａ図は導電体層、誘電体層および電気伝導体層とか
らなる複合物品であって、この複合物品を貫いて孔が設
けられている断面図である。

第５Ｂ図は第３Ａ図の物品であって、その誘電体層中に
拡大された孔が収けられている断面図である。

第３Ｃ図は第６Ｂ図に示された物品であって、孔の中へ
導電体層が変形されて入りこんでいることを示す断面図
である。

第４図は本発明に有用なプラズマ装置の略図である。

本発明は％ｔ／ｃ２つの碑車体物質の間にはさまれた誘
電体層を貫いて設けられる伝導性の貫通孔全形成するた
めに、取シ分は多数のＮ密に位置ぎめされた貫通孔の形
成に適用されるものでるる。通常導電体層゛は金属、好
ましくは銅であシ、一方誘電体物質は一般に電気絶縁性
の重合体である。

誘電体物質によって隔てられた導電体物質の２つの層か
らなる複合材料は回路板を形成するための慣用の出発材
料であってここでも好適な材料である。一般にこのＭｕ
導体層厚さが少くとも１ミルであるようなものでめシ、
また＠導体層は厚さが０．７〜２．８ミルであるような
もの、例えば銅箔であるが、これについてはよシ薄いか
又はより厚い層の両名音用いることができる。

絶縁層の構成材料については限定的ではなく、ただこれ
ら材料は液体化学エツチング剤又はゾラズマを用いてエ
ツチングしうるものであれば艮い。

本発明においては、誘電体層の材料のいかなる実質的な
除去を伴うことなしに伝導体層の１つに孔全形成するこ
とが必要である。伝導体ノー中に孔を形成するのには好
ましくは化学エツチングが用いられるが、これはプリン
ト回路の形成において良く知られたものである。このよ
うな化学エツチング法の１つの例には、ネガ型感光性フ
ィルム金誘電体層とは面していない伝導体＠面に積層し
、この感光性電合体をフォトマスクを通して化学線に露
光させ、現像し、未露光の感光性重合体を取り除いて金
属層の部分を露出させ、その後でこの露出された伝導体
層をその厚みの全体にわたって完全にエツチングする方
法が言まれる。との化学的エツチング工程によっては誘
電性重盆体膚からはほとんど物質を除かないか又は全く
物質を除くことはない。

好ましい方法は米国特許第５．４６９．９８２号明細書
中に開示されてｂる。またボ型フォトポリマーはその現
像方法と共に当該技術分野では公知であ勺、例えば米国
特許第４，１９３，７９７号明細書中に開示されておシ
、これらも同様に用いることができる。

写真平版法の顕著な利点は伝導体層中に形成される孔の
物理的形状（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｇｅｏｍｅｔｒｙ）の
点に存するのである。すなわち、環状の孔の形しか与え
ることのないドリルによる穿孔操作と対照的に任意の孔
の形状をも作ることができるのである。本明細書におけ
る非環状の孔とは、ドリルによる穿孔操作において形成
される同一の半径を持った１つの譲状の孔とは対照的に
一定の半径金持たない孔全意味する。この非環状の孔の
形成によって、伝導体中の孔に近接した誘電体の除去に
よる伝導体のアンダーカットの後でこの伝導体の押しま
げが容易になる。

伝導体層中に化学的にエツチングされた非譲状の孔の直
径は小さいもの、例えばその幅が１５０〜６００ミクロ
ンの範囲のものとすることができる。また伝導体の化学
的エツチングは非常に多数の孔を同時に、例えば数百又
は数千の孔ヲ谷易に１２インチ×１２インチの大きさの
回路板のだめの複合材の全所に形成させることができる
。存外、機械ドリルによる孔あけ又はパンチによる孔め
けは、孔の数の増加に従ってエラーの機会が増大する面
倒な工程である。

またこのドリルによるか又はパンチによる孔めけでは一
般に６２５ミクロンよシも小さくない直径の孔が得られ
るのでめる。

図面について説明すると、第１八図の態様では伝４虐１
２中に化学的にエツチングされて作られた孔１４を有す
る複合材料金示している。

この孔は第１Ｄ図又は第１Ｅ図中に示されるような非環
状の形状を有する完全に蟻状ではないものである。これ
らの後者の図面（第１Ｄ図及び第１］ＩＣ図）は第１Ａ
図の別の態様の十面図であって伝導体／１）１２の下に
露出された絶縁体層１１を示す。第１Ｄ図及び第１Ｅ図
は非環状の形状中で直角をなすものを例示するもので、
この形状はタブ（ｔａｂ）　１５ｂ　ｓ　１８ａ及び１
８ｂのそれぞれを形成するものである。しかしながらこ
の金属中に設ける孔のだめの他の角度をなした形状を用
いることもできる。この角度をなした形状は誘電体ノー
を貫いて４′＃Ｌ性通路全形成するについてのその次の
操作で孔に近接した伝導体を屈曲させる時の応力を最小
化するのに役立つのである。

その後でこの伝導体層中に形成された孔全通して誘電体
層をエツチングするために選択的エツチング法が用いら
れる。これ罠よって形成された複合物品は第１Ｂ図に示
されるが、この図中には伝導体７１１２中において張Ｑ
出し部分１５ａ及び１５ｂが存在している。このエツチ
ング法によって誘電体の壁の構造１６は角度會なしたも
のとなっている。これによってエツチング剤は誘電体層
の厚みの全体にわたって物質を完全に除去し、かつその
間に同時に貫通孔の形成において＃電体を横方向にもエ
ツチングする。

タブ１５ｂは１５ａよシもよシ多くアンダーカットされ
るがそれはこのタブは片側だけからではなく３つの側か
らエツチングされるからである。

誘電体／ｌを貫いて完全にエツチングすると共に横方向
に伝導体層全アンダーカットするエツチング技法の例に
は化学エツチングとプラズマエツチングとがある。液体
によシ重合体誘電物質を貫通して選択的にエツチングす
ることができる液体エツチング法は当該技術分野で良く
知られている。このエツチング剤は伝導体物質の実質的
な除去を生じさせるものではない。適当なエツチング剤
には米国特許第３．９６９．８１５号明＃１．＃中で開
示されたものが含まれ、例えばポリエステル及びエポキ
シド樹脂に対しては硫酸溶液を用いることができる一方
、ポリイミドに対しては苛性アルカリのアルコール溶液
が適している。また伝導体金属によってマスクされてい
ない重合体の′ｇｌｉＩ城はエツチングして取シ去るこ
とができるが、金属には伺らの有害な作用を及ぼさない
溶媒の使用をこのエツチングは含むものである。溶媒の
例としてはテトラクロロエチレン、メチルクロロホルム
、容量で９０％のテトラクロロエチレンと１０％のイソ
ブチルアルコールとの混合物やクロム酸が孕けられる。

プラズマエツチングにあっては、プラズマは孔が形成さ
れている場所でのみ誘電体を攻撃するので金属伝導体層
は誘電体のためのマスクとして働く。金属は実質的にプ
ラズマによって影響全受けないか、又は少くとも誘電体
のエツチング速度の方が伝導体のエツチング速度よシも
かなり速い。

プラズマガスの種々の型のものを使用することができる
。このエツチング用のガスは、エツチングされるべき材
料とは化学的に反応し、揮発性の反応生成物を生成する
、物質柚を生成するように選はれる。種々のプラズマエ
ツチングガスの混合物もまた使用することができる。Ｂ
電体がポリイミドでマスクが銅である場合について用い
られる好ましいガス組成物は、各賞で５１Ｊ１５０から
１０／９０の割合の四弗化炭素／酸素である。

第４図は本光明で有用なプラズマエツチング装置の略図
による平面図である。この装置行は入口１２１及び出口
１２２（ｒ！する室１２０からなシ、この出口からプラ
ズマガスｅよポンプで取）出される。この至１２０の内
部には潰用のラジオ周波数発生器１２７に４体１２６で
接続されてラジオ周波数の電力が供給された電極（陽極
）１２６及び接地され７’（電極１２４が設けられてい
る。エツチングされるべき材料は電極１２６及び１２４
の間に電力）れる。この蔓の中にプラズマガスが導入さ
れた後で、よく知られたＷ、理に従ってガスプラズマを
名主させるために発生器１２７が作動δれる。

プラズマエツチングｉ＋ｔのブランソン・プラズマ・エ
ツチャーモデル７４１１’に用いての、銅が伝導体でβ
リポ′リイミドが紡ｍ体でめる抜仕体に対する好ましい
操作条件の一組を示すと次　′の通シである。

ＲＦ出力　＞２，０００ワット ＲＦ出力密度　＞０．０６ワツト／平方インチ操作圧力
　〉１０ミクロン ガス組成　容首で５０１５叶１０／９０の０Ｆ４１０２
ガス流速　＞１５０Ｃｅ／分 ＲＦ周波数　１１５６ＭＨｚ ハート″イアス　陽極、陰極又はプラズマポテンシャル 排出速度　＞、　２４５　ＣＦＭ 孔が誘電体全完全に負いて完成した後で、アンダーカッ
トされた伝導体層１５ａ及び１５ｂは変形されて層１３
と接触するようにされるか又は密接に接触するようにさ
れる。好ましい方法はアンダーカットされた伝導体部分
に直接に圧力をかけることである。これ金具体化した例
は第１０１ｄに示されるが、この図において伝導体部分
ｔ５ａはエツチングされた＠１に体表面１６を覆い、そ
してタブ１５ｂは伸長して下部の伝導体１３を核う。第
１Ｃ図は第１Ａ図の絶縁体中での孔の役割を具体化して
示すもので、タブ１５ｂは１５ａにおける１側面だけか
らとは異なシ３つの側面からアンダーカットすることが
できるので、第１Ｃ図においてタブ１５ｂはアンダーカ
ット部分の１５ａよシも長いのである。第１Ｅ図に示さ
れた構成に対しては、タブ１８ａ及び１８ｂは最終の物
品すなわち変形しためとの物品中では同一の形状のもの
とすることができる。その後で、もしも必少ならばこの
変形された導電体材料は銅のような金執で電解メッキさ
れるか、無′＃ｆ、解メッキ、はんだづけ、または溶接
されて誘電体ＩｔＪを貫通した導電性通路が完成される
か又は確実なものとされる。タブ１５ｂは導電性通路の
メッキ又ははんだづけの大＠な助けになる。本兄明によ
る技法に基づく貫通孔の形成によって薄い伝導体層、例
えば３．０ミル又はそれ以下のものの使用ができるが、
ドリルによる孔あけは第２の伝導体層の保全性全破壊す
ること、すなわちこの第２の伝導体層にも孔が、形成さ
れてしまうので孔が誘電体層を貫通してドリル穿孔され
るドリル穿孔技法はこのような薄いものには使用するこ
とができなかったのである。伝導体層中への最初の孔の
非環状の形状は伝導体層の変形又は屈曲を容易にかつ低
い圧力において進行しうるようにした。ひとたび曲げら
れると、この支えのないタブは環状の孔におけるものよ
シも伝導層１３からはね返シの少ないものとなるのであ
る。

第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図に示される本発明の別
の態様では、第１Ａ図中に示された１つの伝導体に孔が
設けられたものとは異な）、孔２４ａ及び２４ｂは互に
対向した伝導体層２２及び２３０両方に設けられる。こ
の変更ヲ除いては同一の操作工程が用いられるが、但し
誘電体のエツチングは両側の表面から同時に進行させる
ことができる。この金）ｆ４伝導体は２５ａ　％　２５
ｂ　％２５０、及び２５ｄのところでアンダーカットさ
れている。タブ２５ｃ及び２５ｄは実質的にはより多く
アンダーカットされるが、これは上部及び下部の伝導体
中の孔の形成が第１Ｄ図に示された態様のものと同じで
あるからである。誘電体の対向する側からの同時のエツ
チングによってｄ電体壁２６中に２つの明ｉな凸状の壁
部分が存在することになる。重合体の化学エツチングの
光子後、アンダーカットされた伝導体部分は他の夫々の
伝導体層の方向に変形せしめられて接触させられるか又
はほぼ接触させられる。第２Ｃ図は圧迫された伝導体部
分２５ｅ　、　２５ｆ　、　２５ｇ及び２５ｈ　全誘電
体表面２６ａと対比して示すものである。第１１！１図
に示された態様による上部及び下部の伝導体中の孔の形
成については、タブは変形工程の前及び後で同一のもの
とされる。その後で、もし所望ならば電融メッキ、無電
解メッキ、はんだづけ又は溶接を行なって導電性を確実
にする。

第３Ａ図、第３Ｂ図及び第３Ｃ図の態様は米国特許第３
．９６９．８１５号明ａ書の教示に従って作られた物品
及び貫通孔全例示するものでるる。

導電体層３２、誘電体３１及び導電体層３３からなる複
合体はその中にドリル又はノセンチであけられた孔６４
を有し、これは第３Ａ図に示されている。第６Ｂ図に示
される態様では、誘電体ノーを選択的にエツチングして
取シ去るために液体の化学エツチング剤が用いられて壁
３６が形成されるが、この壁は導電体の張シ出し部分３
５ａ及び３５ｂとは実質的に平坦な壁をなしている。第
３０図に示される態様では、これらの伝導体層を誘電体
中の孔の中に押し込む変形によって押しつけられ、しめ
つけられた伝導体部分５５ａ及び３５ｃｌの形成が起シ
、ナして誘電体の表面部分３６ａはこの伝導体層の変形
の力によって外方に屈曲される。

この先行技術の教示するところとは対照的に、第１Ａ図
、及び第２Ａ図の伝導体中にはじめに化学的エツチング
であけられる孔は環状の形状よシはむしろ非環状の形状
をなすものである。

これまでに論じたように非環状の形状は変形を容易にす
るのである。また先行技術によるドリルによる孔あけ操
作によっては、たった１つの伝導体のみがその中に任意
の孔が形成せしめられるものである第１Ａ図、第１Ｂ図
及び第１゜図に示される態様のものと異なシ、両方の云
岑体中に孔の形成が生じてしまうのである。伝導体とし
ては箔及び他の薄いシート全使用することができ、そし
てこの伝導体はその完全な形状ケ留めるものである。ま
た先行技術との比較では、第１Ｃ図及び第２０図に示さ
れた態様物品は通路のところで伝導体部分がよシ小さな
ストレスヲ有するものとすることができる。先行技術に
よる第６Ｃ図に示された伝導通路の形成に当って起る誘
電体の変形は、この発明の態様のものよシも大きい残留
ひずみを起すことになる。

また一般に云って機械ドリルによる孔あけで実用的に形
成させることのできる最も小さい孔は６２５ミクロンの
オーダーのものでるる。これと対比して本兄明において
用いられる好ましい化学的エツチング技法では、伝導体
層中の非環状である孔はかなシ小さい、例えば１５０〜
３００ミクロンの範囲のものとすることができる。勿論
のことであるが、もし必要ならばより大きい孔を形成さ
せることもできる。

本発明の方法は殊に多層の電気回路の形成に使用される
ものである。例示的に述べれば、誘電体層を貫いて１つ
の伝導性の通路が完成した後に新たな誘電体層全少くと
も１つの伝導体層に適用することができ、そしてこの誘
電体層の上に新たな伝導体ｌ―を適用することができる
。

この新たな誘電体と新たな伝導体層とは４１１！性の貫
通孔を有する物品に同時に適用する、すなわち事前に処
理して少くとも１つの貫通孔全形成させておいた伝導体
層上に誘電体層と伝導体層の複合体を積層することもで
きるのである。

その後でこの新たに適用した誘電体層を貫いてこれ迄に
開示された技法に従って伝導性通路が形成されるのであ
る。

次に述べる実施例においては、特記しない限シすべての
部と１００分率とは重量によるものとする。

実施例　１ ０、００１インチ（０，００２５ｃｍ）のポリエチレン
テレフタレートのシート上に、熱硬化しうる重合体’１
８２９ｂのメチレンクロライドと１８％のエチルセロソ
ルブ（固体含有量４７％）から被覆し、乾燥させ、そし
てポリプロピレンのカバーシートに積層した。この３．
０ミル（０，００７６鋸）の淳さの乾燥した重合体は次
の組成よｐなるものであった。

ジル／メチルメタクリレートの共重合 体 メチルメタクリレート（９５，５）／工　８０％チルア
クリレ−）（４，５）の共重合体−チル ペンタエリスリトールトリアクリレート　２５．０％ベ
ンゾフェノン　５．３％ ４．４′ビスジメチルアミノ−ベンゾフェノ　０．３％
ン モナストラール（Ｍｏｎａｓｔｒａｌ）■緑色顔料　０
．５％３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール　１
２，０％ポリプロピレンカバーシートをはずし、この粘
稠なフォトポリマーを１枚の銅をクラッドしたエポキシ
ガラスの不資ノ曽体に積ノ曽した。そしてポリエチレン
テレフタレートシートｔはずし、１枚の厚さ１．０ミル
（０，００２５ｃｍ）の銅箔をこの重合体が被接されて
いる銅をクラッドした基体に積層した。この銅箔中にリ
ストン（Ｒ１ｓｔｏｎ＃１２１０を用い、そして米国特
許第３．４６９．９８２号明ＭＪ書中に記載された方法
で小さな１ｏミル（０，０２５ａａ）の孔を形成させた
。この操作は第１載図に示されたようなタブの形状を用
いることを除いてほぼ同一の寸法の非環状の孔を形成す
ることによって修正することができる。この試料をメチ
ルクロロホルムケ満した超音波洗浄機中に４５秒間浸漬
し、それで重合体全孔から除去して約５ミル（０，０１
２７ｃＩＩＬ）の銅の張シ出し部分を残した。この試料
は水中ですすぎ洗いして現像を停止し、１５０℃で１６
時間熱硬化した。

現像及び硬化の後で、この＠／重合体／＠のサンドイッ
チ状物全積層プレス中に置きゴム製のバンドで覆った。

このパッドはボスト４ミル（１乙０００／平方インチ）
の通常のパターンを有するものであった。このプレスは
１０００ｐｓｉに加圧されて銅の張り出し部分金工の銅
の層上に押しつぶした。との銅／重合体／銅のサンドイ
ッチ状物は酸性の硫酸鋼メッキ浴中で１５分間３０アン
ペア／乎方フイートの条件下に電気メッキされた。

このメッキしたサンドインチ状物の上部をリストン■１
２１０フィルムで抜機し、７０ミル（０，１７７８ｃｍ
）のパッドは米し！！１％許第３，４６９，９８２号明
細書に記載の回路エツチング技法を用いて押しつぶされ
そしてメッキされた孔にそってエツチングされた。出来
上った通路は４電性であった。

実施例　２ シリコンで処理された１ミル（０，００２５ｃＷＬ）の
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に、熱硬化しう
る重合体組成物全メチレンクロライド（固体含有量３５
％）から被覆し、乾燥して厚さ２．０ミル（０，００５
α）のものとした。この重合体組成物は次の構成成分か
らなるものであった。

ビスフェノールＡのジアクリレートニス　１５６０％チ
ルエポキシ樹脂（２５℃の粘度 １．０００，０００　Ｑｐ−比重＝１．２）はンタエリ
スリトールトリアクリレー）　１０．０％トリメチロー
ルプロパンドリアクリレート　１５．０％７６〜８５） ヘキサメトキシメチルメラミン　９０％メチルメタクリ
レート／ブタジェン／ス　２０．０％チレン共重合体（
比重−１，０） ベンゾフェノン　５，０％ ４．４′ビスジメチルアミノベンゾフエノン　０．６％
モナストラール■緑色顔料　０．７％ へキサジエン−１−イリデン−Ｎ−メタニウムクロライ
ド この重合体組成物ｑ１６２αＸ　７．６２　ｃｍの大き
さの１枚の銅全クラッドしたエポキシガラスの積層体に
積ノーシた。ポリエチレンテレフタレートフィルムをは
ずし１．０ミル（０，００２５儂）の厚さの銅箔全との
重合体組成ｖ！Ｊに積層した。

これに実施例１にＮｒ：２載のように、タブ形状のよう
な、非環状の孔を形成させることができた。

こうして実施例１に記載の方法を用いて１０ミル（０，
０２５儂）の孔を形成させた。仁の来積されたサンドイ
ンチ状物をメチルクロロホルムの噴霧で授潰して上記の
孔から重合体組成物を除き、そして銅箔中の孔にすべて
の方向に約５ミル（０，００７６ｃｍ）の犬＠避のアン
ダーカットを形成させた。現像のめとで全体（ｐａｃｋ
ａｇｅ）を１５０℃で１時間加熱することによシ熱硬化
させた。

銅箔の張り出し部分は次いで個々に小さな金稿のプロー
ブを用いて押しつぶした。

この部品は次いで標準的な酸性の鋼メッキ浴中で電気メ
ッキされ、銅全クラッドした積層１体上に銅箔の張シ出
し部分を押しつぶすことによって出来上った相互の結合
全史に強固にすることもでさる。

この上部の銅箔は次いでリストン■１２１０で被覆され
ても良く、そして所望の回路パターンを確定するために
実施例１に記載のように処理されうる。

この操作工程は目に見えない相互連絡路を有する多層の
回路板を組み立てるために繰シ返し行うこともできる。

実施例　５ Ｍｋクラッドしたエポキシガラスの積層体上に、メチレ
ンクロ２イド浴液（尚体含有蛍６５係）からフィルムを
被覆した。乾燥したのちのこのフィルムの厚さは２ミル
（０，００５０）であシ、そして次の組成ヲ有するもの
でめった。

メチルメタクリレート（９５，５）／エチルアクリ　５
０部レート（４，５）の共重合体 Ｈ １ ジシアノジアミドＮ＝Ｏ−ＮＨ−０−ＮＨ２５部１ミル
の厚さの銅箔を上記の被覆の上に熱積層した。この上部
のＭ洛中に、回路板製造の技術分野でよく知られた技法
を用いて１０ミル（０，０２５ｃｍ）の孔をエツチング
して作った。同様に実施例１で論じたように、タブの形
状のような非項状の孔を形成ざぜることもで＠／こ。こ
の試料板金メチルクロロホルム盆満した超音波クリーナ
ー中に１分間浸漬して重合体−エポキシ被覆を除去し、
５ミル（０，（Ｎ２７ｃｍ）の銅の張シ出し部分を残し
た。１０ミル（０，０２５℃ｗＬ）の厚さの厚紙のシー
トと４０ミル（０，１０Ｑｎ）のシリコンゴムのパッド
をこの現像した試料の上に載置した。積層プレスを用い
て２０，０００ｐｓｉの圧力を加えて銅の張シ出し部分
を下部の銅をクラッドしたエポキシガラス上に押しつぶ
した。

この試料は１５０℃で１時間硬化処理された。

この試料に慣用のメッキ技術を用いてＡミル（０，００
１２７ｃｍ）の銅をメッキして艮好な電気結合を確実に
した。最後に上部の＠箔に標準的な回路エツチング技法
を用いて所望の回路パターンを形成させ、回路板を完成
させた。

実施例　４ ポリエチレンテレフタレートフィルム上へ熱硬化性重合
体のメチレンクロライド（３５％固体）から抜機した。

この重合体は次の成分組成を有するものであった。

成　分 ビスフェノールＡのジアクリレートエステル　２０％ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート　２０％ベンゾフ
ェノン　４．０％ ４．４′ビスジメチルアミノベンゾフエノン　０．５％
クレー（０，５ミクロン）　２２．０％モナストラール
■緑色顔料　０．５％ この乾燥した被覆は０．００２インチ（０，００５１ｃ
ｍ）の厚さであった。この層の２つ（［１，００４イン
チすなわち０．０１０２ＣＩｒＬ）を銅をクラッドした
エポキシガラスの１枚に積層した。谷積増後被覆シー）
１取り除いた。そして粘稠な重合体に０．００１インチ
（０，００２５４６ＩｒＬ）の厚さの＠箔の１枚を撰増
し、銅／重合体／銅をクラッドした槓膚構造物金得た。

この積増した鮒陥中にリストン＠’１２１０を用い実施
例１に記載した方法にょシｏ、ｏｉインチ（０，０２５
４ｃ１ｎ）の孔のパターンを形成させた。同様に実施例
１で論じたようにタブ形状のような非環状の孔を作るこ
ともできた。この部品を次いで超音波クリーナー中でメ
チルクロロホルムに１分間浸漬し、孔から重合体を取シ
除いて少くとも０．００５（７チ（ａ、ａ１２ｙａｎ　
）ｏｓの張り出し部分を残した。この部品は１５０℃で
８時間熱硬化させた。硬化後との部品を積層プレス中に
、孔の側を上にし、実施例ｊＫ記載したようにくばみの
あるゴムのパッドの圧力均等化のだめのシートで覆って
載置した。’１．０００　ｐｓｉの圧力を１０秒間かけ
て銅箔の張シ出し？押しつぶしそうして銅の積層体にそ
れが接触するようにした。この部品をプレスから取シ出
し、標準的な酸性の銅の眠気メッキ浴中で電気メッキし
て結合を増大させた。この部品の押しつぶされた張シ出
し部分のある側を次いでリストン■１２１０で被覆し、
実施例１にＢピ載のように処理して所望の回路パターン
全確定した。

実施例　５ 実施例４全＠箔の張９出し全個々に小さな金属のプロー
ブでつぶしたこと２除いて繰ｂｉした。

実施例　６ ０．００６インチ（０，０１５２４α）の厚さで６“×
６″（１５，２４ａｎｘ　１５，２４ｃＩｎ）の大きさ
のバイララックス（ｐｙｒａｌｕｘ）％：ｒ　ｑ　１１
１ｃデュポン社製造）のパネルにその片面に回路パター
ン全作り、他の而の銅箔にリストン■２１５Ｒ紫用い米
国特許第３．４６９．９８２号明粗書に記載の方法に従
って１０ミル（０，０２５４ｃｒｒＬ）の直径の孔倉作
つた。同様に実施例１で論じたように、タブ形状のよう
な非環状の孔を形成させることもできた。この孔はこの
１０ミルの孔があけられる銅箔と回路パターンが作られ
る側の上の箔との間に貫通孔が形成されるような場所に
符合して位置せしめられる。アルミニウム板へ接続がな
される場合には回路側の銅箔は除かれる。パネルの回路
、６ターンの側は次いで０．００２インチ（０，００５
７ｃＩｎ）厚さのバイララックス■ＷＡ接涜剤を用いて
積層プレス中で３５０　ｐｓｉの圧力、３５０ア（１７
６，７℃〕の温度で４５分間プレスしてアルミニウム板
に積層される。

この部品は次いでブ２ンソン・プラズマ・エツチャー・
モデル７４　ｊ　１　（Ｂｒａｎｓｏｎ　Ｐｌａｓｍａ
　ＲｊｔｃｈｅｒＭｏｄθ１７４１１）のプラズマエツ
チング室中でプラズマエツチングに付される。この装置
において基礎圧力が５０ミクロンになる迄減圧され、次
いで容量で０２が７０％、　ＯＦ４が２９係、アルゴン
が１％よシなるガスが菫の圧力が２００ミクロンに達す
る迄導入された。ポンプ速度は５５００ＦＭであシ、ガ
ス流速は７５０ｃｃＺ分であると見積られた。ＲＦ出力
をオンにして３８００ワツトの所に７０分間セットした
。このアルミニウム板は回路パターン全プラズマから保
護するマスクとして作用した。０．０１インチ（０，０
２５４ｃＩＩＬ）の孔をあけられた銅箔はパネルの他の
側でプラズマに対するマスクとして作用し、銅箔中に作
られた孔のところでのみエツチングが生じるようにした
。プラズマは０．００３インチ（０，００７６儂）の誘
′亀体を貫いて金Ｊｆ４箔回路パターンと接触するに至
るまでエツチングするが、又は（］、０００５インチ　
０．０１２７ｃｍ）の導電体を貫いてアルミニウム板に
到達するに至るまでエツチングする。

出来上った張多出し部分は次いでこのパネルを積層プレ
ス中に置いてつぶされた。圧力を平均化させるための厚
紙のシートを片持ちばシと共に＠箔の次に置いた。この
厚紙のシートの上にシリコンゴム製のパッドを置き、そ
の上に鋼装の当て材を置いた。１８，０００ｐθ１の圧
力を１０秒間加えて張シ出し部分を孔の中に押しつぶし
た。実施例１に記載したようにここでもまたタブ形状を
そなえた非譲状の孔を形成させることができた。そして
米国特許第３．４６９．９８２号明＃１沓に記載された
慣用の方法による描画とエツチングの技法を用いて銅箔
中に回路のパターンが作られる。相互の連結？更に増大
させるためにこのパネルは６０／４０の錫／鉛のはんだ
中に５００″’ＦＣ２６０℃）で５秒間浸偵されこの連
結をはんだで被蝋した。

実施例　７ プラズマによるエツチングに先立ってパネルの回路ノミ
ターンの側をアルミニウム板の代シに銅をクラ、ラドし
たエポキシガラス板で積層することだけが異なる上記の
やｐ方で張シ出し部分全パネル中に形成させ、そしてこ
れを押しつぶした。プラズマによるエツチングと押しつ
ぶしの後でこの・ぞネルはリストン■１２１５ｔメツキ
のためのレジストとして用い、＠’ｉｎ銅のメッキ浴中
で３０分間３ＱＡＳＦで、そして錫／鉛フルオロボレー
ト浴中で１５分間１５　ＡＳＦで回路パターンのメッキ
を行ない、上部伝導ノーと下部伝４層との間の連絡の結
合を増大させた。そして最後にメッキ操作で用すたレジ
ストをはがし取シ、表面に回路パターンを形成させるだ
めの慣の技法を用いパックグンウンドの銅をエツチング
した。

実施例　８ ０、００６インチ（０，０１５２４儂）の厚さで（、＃
Ｘ　６　／／（１５，２４鑞Ｘ１５．２４儂）の大きさ
のパインラックス■９１１１（デュポン社製）であって
、その銅箔の双方に６〜１５ミル（０，００７６〜０．
０３８α）の範囲にわたる孔を写真平版法によって形成
してなるものを用いた。実施例６において論じたように
、ここでも同様にタブ形状の非譲状の孔を形成させるこ
とができた。このパネルを実施例乙に記載した方法及び
装ｍを用いてプラズマでエツチングしてパネルの両側の
＠箔に張シ出しの部分を形成させた。この張勺出しの部
分を孔の中に押しつぶし、この銅箔の両方に回路ノミタ
ーンを形成させ、そして実施例６に記載のようにして相
互の結合を増大させた。

実施例　９ ケプラー（Ｋｅｖｌａｒ）■の織物にエポキシ樹脂を含
浸させ、その両側面に０．００１４インチ（０，００３
５５６ｃＩＬ）ノ銅箔を接着した厚さ０．００４インチ
（０，（１１０２に）の績ノ一体にその両側面’ｆｃ’
）ストン■２１５Ｒで被覆した。その両銅箔に米国特許
第３，４６９，９８２号明＃１畳に記載の慣用の方法？
用いて０．０１０インチ（０，０２５４ａ＋＋）と、０
．００５インチ（ｏ、ｏ１２７１）の孔を写真平版法に
よって形成させた。同様に実施例１で論じたように、タ
ブ形状のような非環状の孔を形成させることもできた。

この／ぐネルを実施例乙に記載した方法及び装置音用い
てプラズマエツチングしてパネルノ両側面の銅箔に張シ
出し部分を形成させた。この張シ出し部分を孔の中に押
しつぶし、この銅箔の両方に回路パターンを形成させ、
そして実施例乙に記載したようにして相互の結合を増大
させた。

実施例　１０ 厚さが０．００６インチ（０，０１５２４ｃｍ）のパイ
ンラックス■でその両側面を銅でクラッドした積層体（
ＬＰ、９１１１％デュポン社製）の３　／／　ｘ　６Ｉ
Ｉ（７，６２ｃ１ｎＸ　１５．２４ａｎ　）の大きさの
パネルを５枚用意し、その片面には回路パターンを、そ
して他の側面の銅箔にはリストン■１２１５’に用い米
国特許第３．４６９．９８２号明細省に記載された方法
を用いて１５ミルの環状の孔を作った。この環状の孔は
積層体の他の側面の回路要素か又は銅の接地面（ｇｒｏ
ｕｎｄ　ｐｌａｎｅ）に接続を与えるように設けられた
。との０Ｊ撓性の回路の回路パターンの側は［１，００
２インチ（０，００５７α）の厚さのバイラ２ツクス■
ＷＡ接溝−剤（デュポン社製）ヲ用い、積層プレス中で
３５０　ｐｓｉの圧力、６５０″Ｆの温度で１時間鋼を
クラッドしたエポキシガラス板に積層した。

厚さが０．００６インチ（０，０１５２４１）のバイラ
ラックス■でその両側面を銅でクラッドした積Ｊｌ１体
（ＬＦ　９１１１、デュポン社製）のＺ５インチ×９イ
ンチ（１９，０５［Ｘ２２．８６ｃＩｎ）の大きさのパ
ネルを７枚用意し、その片面には回路／ぞターンを、そ
して他の側面にはりストン■１２１Ｆｌ”用い、米国特
許明細書に記載された方法により第１Ｄ図に示されたよ
うな０．０１２ミルの非環状の孔を作った。これらの可
読性の回路は上記したように銅をクラッドしたエポキシ
ガラス板ＫＭＲＩ曽された。

この部品を次いで実施例乙のようにしてプラズマでエツ
チングした。この部品を積層プレス中に置キ、ボストク
ミル（４，０００／半方インチ）の普通のパターンを有
するゴム製のパッドで覆い、このプレスを１０秒間５０
００ボンド／平方インチで加圧ブーることにより、この
張シ出し部分を押し−した。この部品を実施例７（ＦＪ
、載したように回路パターンメッキした。電気試験の結
果は６７５の環状の相互の結合すなわち通路の９８％は
褥軍件であったが、３９２０の非環状の通路ＣＭＩ　Ｄ
図参照）の９９９％以上は′電気的に良好なものである
ことを示している。相互の結合された部分の断面の頭微
鏡写真は、非環状の相互の結合の方が環状の相互の結合
よシもよシ均一に押し潰されておシ、またよシ均一に電
気メッキされていることｔ示している。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は本発明の一つの実施の悪球を示す複合物品の
げ［面図であシ、第１Ｂ図は第１Ａ図に示された物品で
あって、誘電体層を貫いてエツチングによって付加され
た孔を有する断面図であシ、第１Ｃ図は第１Ｂ図に示さ
れた物品であって、ルリ′成体虐中の孔へ４竜体層が変
形されて入シこんでいることを示す断面図で１払第１Ｄ
図は１つの伝導体層中に形成された孔の輪郭を示ｆ第１
Ａ図の物品の半面図であシ、第１Ｅ図は伝導体層中に形
成された孔のもう一つの輪郭を示す第１八凶の物品の十
囲図であり、第２Ａ図は本発明の別の実施の態様を示す
複合物品の断面図であり、第２Ｂ図はｉ２Ａ図の物品で
あって誘電体層中にエツチングによって付加的に孔が形
成されていることを示す断面図であシ％第２Ｃ図はｉ、
ｇ　２３図に／」＼延れた′部品でろって、訪′岨体層
中の孔へ導電体層が変形ざ１１て入シこんでいることｔ
７ｒＸす断面図で必シ、第６Ａ図は従米技術による複合
物品であって、この複合物品を貫いて孔が設けられでい
る断面図であり、第６Ｂ図は第３Ａ図の物品であって、
誘電体層中に拡大された孔が設けられている断面図であ
シ、第６０図は第６Ｂ図に示された物品であって、孔の
甲へ４篭体層が変形されて入シこんでいることを示す断
面図であり、第４図は本発明に有用なプラズマ装置の略
図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）２つの伝導体層の間にはさまれた誘電体層中に４電
   性通路全形成するだめの方法であって、 （ａＪ　伝導体層の一部分をエツチングすることによっ
   て誘電体Ｊ−からは実質的に何らの物質を取シ去ること
   なく、この伝導体層のうちの１つを完全に貞いて非譲状
   の孔を形成させ、 （ｂＪ　この孔を通してこの誘電体層をエツチングし、
   それによって伝導体層の間の誘電体層全完全に貨いて通
   路全形成し、またそれによって伝導体層はその伝導体層
   中の孔に近接した誘電体物質のところ全アンダーカット
   し、 （ｑｌ　このアンダーカットした伝導体）’ｔＭｋ他の
   伝導体層に向って変形させ、そして ｋｌＪ　この２つの伝導体層の間に上記の通路を通って
   ４１を性通路全形成させる ことからなる方法。 ２）工８（ａ）において、１つの伝導体層にのみ孔を形
   成させる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３）工程ｆａＪにおいて形成される孔をその中に有しな
   い伝導体層が６．０ミルよりも大きくはない厚さを拘す
   る特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４）伝導体層が銅である特許請求の範囲第２項に記載の
   方法。 ５）工程ｆａＪにおいて重合体誘電体層の対向した側面
   の伝導体層中に孔を形成させ、そして工程ｔｂ＞におい
   て伝導体層中のこれらの対向した側面の孔を通してこの
   誘電体層がエツチングされる特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 ６）工程（（ＩＪにおける電気的接続が２つの伝導体層
   の接触によって形成される特許請求の範囲第１項に記載
   の方法。 ７）工程（ｂＪにおける誘電体のエツチングがプラズマ
   エツチング又は液体エツチングによって達成される特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ８）電気的接続の形成が４電性材料を通路中の伝導体層
   へ適用すること全′諷せする特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 ９）工程（ａＪにおいて複数個の孔が同時に形成され、
   そして工程ｔｂ＋において複数個の通路が同時に形成さ
   れる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １０）誘電体層が少くとも１ミルの厚さを有する特許請
   求の範囲第１項に記載の方法。 １１）工程（ａＪのエツチングが化学エツチングである
   ％許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２）非環状の孔が角度？なした構造を有する特許請求
   の範囲第１項に記載の方法。 １６）構造中に少くとも１つのｌａ角が存在する特許請
   求の範囲第１２項に記載の方法。 １４）工程（０３及び工程（ｄＪが実質的に同時に行な
   われる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １５）上記した工程（ｄＪのあとで、新たな誘電体層と
   衝だな伝導体層とを伝導体層の１つに、この新たな誘電
   体層が２つの伝導体層によってはさまれるように適用し
   、次いで以下の工程（ａＪ　新たな伝導体層の一部分を
   エツチングすることによって新たな誘電体層からは実質
   的に何らの物質を取シ去ることなくこの新たな伝導体層
   を完全に責いて非環状の孔を形成させ、 （ｂＪ　この孔を通して新たな誘電体にエツチングを行
   ない、それによって伝導体層の間の新たな＃ｈ直体］ｌ
   ＃を完全に貫通して通Ｎｒ？形成させ、またそれによっ
   て新たな伝導体贋金その伝導体ノー中の孔に近接した誘
   電体物質のところでアンダーカットし、 ｔｃｔ　このアンダーカットした新たな伝導体層？他の
   伝導体層に同って変形させ、 （ｄＪ　この２つの伝導体層の間に上記の通路を通って
   導電性通路を形成させる ことを行うことからなる％許請求の範囲第１項に記載の
   方法。 １６）２つの銅の層の間にはさまれた誘電体層を貫いた
   導電性通路全形成するための方法であ　。 って、 （ａＪ　誘′亀体膚又は第２の銅の層からは実質的に何
   らの物質を取シ去ることなく第１の銅の伝導性層を完全
   に貢いて非環状の孔を形成させ、 （ｂＪ　この孔を通してこの重合体の誘電体層をエツチ
   ングし、それによってｍｌＪＬ体層を完全に買いて通路
   を形成させ、またそれによって第１の銅の層はその銅の
   ノー中の孔に近接した誘電体物質のところでアンダーカ
   ットし、 ＩＱ）　このアンダーカットしｆｃｉｌｌの膚金第２の
   銅の増に同って変形δせ、 ＋（１）　この２つの銅の膚の間に通ｗ６を辿って電気
   的接続を形成させる、 ことからなる方法。 １７）誘電体層を貫いてｆＡ長するが、非伝導体層の非
   環状の孔によって形成された張シ出しｔ育する他の伝導
   体層は貝いていない孔に張シ出した、２つの伝導体層の
   うちの１つの伝導体層の部分全折り曲げることによシ、
   ｄ電体層中の孔を通って４電性の通路が作られている肪
   電体ノ曽によって隔てられた、２つの伝導体層からなる
   物品。 １８）回路板でめって導電体層を貢いて少くとも１００
   個の伝導通路ｋＷＬでいる特許請求の範囲Ｍ１７項に記
   載の物品。 １９）各々の導電体）＠を買いて分離しｆｃ伝導通路ｔ
   ／にする誘電体層によって互いに隔てられた６つの伝導
   体膚倉有する％計Ｍ求の範囲第１７項に記載の物品。