JP2003183876A - 基板の製造方法 - Google Patents

基板の製造方法

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JP2003183876A
JP2003183876A JP2001386111A JP2001386111A JP2003183876A JP 2003183876 A JP2003183876 A JP 2003183876A JP 2001386111 A JP2001386111 A JP 2001386111A JP 2001386111 A JP2001386111 A JP 2001386111A JP 2003183876 A JP2003183876 A JP 2003183876A
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substrate
hole
forming
manufacturing
film
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Akira Nagai
亮 長井
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Mitsui High Tec Inc
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Mitsui High Tec Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 無駄な部分のめっき層の形成を防止し、ファ
インパターン、即ちより鮮明な回路パターンの形成が可
能な基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性基材10の両面全面に金属層1
1、12を有する基板本体13の両面に絶縁性保護膜1
4、15を形成する第1工程と、絶縁性保護膜14、1
5が形成された基板本体13の所定の位置にスルーホー
ルとなる貫通孔16を形成する第2工程と、貫通孔16
内に導電性被膜21を形成した後、貫通孔21内に電解
めっきを行う第3工程と、絶縁性保護膜14、15を剥
離する第4工程とを有する。ここで、導電性被膜21の
形成は、例えば、負に帯電させたカーボン微粒子を用い
る静電塗装法と無電解めっきで行う場合がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路(IC)
等を搭載して電子回路を構成する場合に使用する基板の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】BGA(ボールグリッドアレイ)等の半
導体装置に使用される基板の製造方法について図4を参
照しながら説明する。図4(A)に示すように、絶縁性
シートからなる基材50の両面に銅箔等からなる導体層
51、52が形成された基板本体53を用意する。そし
て、図4(B)に示すように、この基板本体53に回路
パターンに合わせて所定の位置にスルーホールとなる貫
通孔54を形成する。次に、図4(C)に示すように、
貫通孔54の内側に例えば無電解めっき等で導電被膜5
5を形成して、図4(D)に示すように、電解めっきに
よるめっき層56を表面に形成して、表裏の導体層5
1、52を電気的に確実に接続する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来例に係る基板の製造方法においては、以下のよう
な問題があった。 (1)貫通孔54の電解めっきを行う際に、上下の回路
パターンとなる導体層51、52にもめっきがなされ
て、導体層51、52の厚みが厚くなると共に、めっき
のために無駄な電力を消費する。 (2)貫通孔54と導体層51、52の境界部分に電流
が多く流れてその部分に膨らみ57が形成され、エッチ
ングによって回路パターンを形成する際にエッチングフ
ァクターが低下し、ファインパターンの形成ができな
い。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、無駄
な部分のめっき層の形成を防止し、ファインパターン、
即ちより鮮明な回路パターンの形成が可能な基板の製造
方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う第1の発
明に係る基板の製造方法は、絶縁性基材の両面全面に金
属層を有する基板本体の両面に絶縁性保護膜を形成する
第1工程と、前記絶縁性保護膜が形成された基板本体の
所定の位置にスルーホールとなる貫通孔を形成する第2
工程と、前記貫通孔内に導電性被膜を形成した後、該貫
通孔内に電解めっきを行う第3工程と、前記絶縁性保護
膜を剥離する第4工程とを有する。また、第2の発明に
係る基板の製造方法は、絶縁性基材の両面全面に金属層
を有する複数の基板本体を積層し、この積層体の両面に
絶縁性保護膜を形成する第1工程と、前記絶縁性保護膜
が形成された積層体の所定の位置にスルーホールとなる
貫通孔を形成する第2工程と、前記貫通孔内に導電性被
膜を形成した後、該貫通孔内に電解めっきを行う第3工
程と、前記絶縁性保護膜を剥離すると共に、前記積層さ
れた各基板本体を剥離して分離する第4工程とを有す
る。
【0005】第1、第2の発明に係る基板の製造方法に
おいて、第3工程における前記貫通孔内の導電性被膜の
形成は、前記貫通孔の形成された基板本体にカーボン微
粒子を静電塗布した後、前記基板本体の表裏面のカーボ
ン微粒子を除去し行うこともできる。また、第1、第2
の発明に係る基板の製造方法において、第3工程におけ
る前記貫通孔内の導電性被膜の形成は、無電解めっきに
よって行うこともできる。
【0006】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図1(A)〜(G)は本発
明の第1の実施の形態に係る基板の製造方法の説明図、
図2は同方法の説明図、図3は本発明の第2の実施の形
態に係る基板の製造方法の説明図である。
【0007】図1、図2を参照しながら、本発明の第1
の実施の形態に係る基板の製造方法について説明する。
図1(A)に示すように、ガラスエポキシ樹脂又はポリ
イミド樹脂等のような薄板状(例えば、厚みが0.01
〜0.1mm)の絶縁性基材10の両面全面に、例え
ば、厚みが0.001〜0.01mmの銅箔の金属層1
1、12が貼着された基板本体13を用意する。なお、
既に金属層11、12が絶縁性基材10の両面に貼着さ
れたものを購入してもよいし、絶縁性基材10と金属層
11、12を別々に用意し、接着剤等を介して又は適当
な温度に加熱して貼着してもよい。そして、図1(B)
に示すように、この基板本体13の両面に保護材となる
絶縁性保護膜の一例である厚みが例えば、0.001〜
0.01mmのドライフィルム14、15を貼着する。
このドライフィルム14、15の貼着は金属層11、1
2の貼着と同時に行ってもよい(以上、第1工程)。
【0008】ドライフィルム14、15が貼着された基
板本体13の所定位置に、図1(C)に示すように、貫
通孔16を形成する。この貫通孔16は最終的には基板
の表裏に形成された回路パターンを電気的に連結するス
ルーホールとなるものであるから、回路パターンの形状
によって当然変わる。貫通孔16の形成はドリルを用い
て行ってもよいが、プレス加工、レーザー加工によって
行ってもよい(以上、第2工程)。図2には、ロール1
7に巻かれた基板本体13の両面にそれぞれロール1
8、19に巻かれたドライフィルム14、15を図示し
ない加熱ロールに挟んで貼着した後、パンチングプレス
等の孔開け装置20を用いて所定の箇所に貫通孔16を
形成する方法が記載されている。なおロール17〜19
は実際には更に大径のロールを使用している。
【0009】次に、図1(D)に示すように、貫通孔1
6の内側に導電性被膜21を形成する。この方法として
は、例えば、ドライフィルム14、15が貼着された基
板本体13(以下、中間製品Aという)をプラスに帯電
しておき、マイナス電荷を帯電させたカーボン微粒子を
吸着させるいわゆる静電塗装によって行う。ここで、カ
ーボン微粒子としては、カーボンの微粒を接着剤として
作用する溶液中に混在させた混合液を予め作り、この混
合液を霧状に噴霧して微粒子としたものを使用するのが
好ましいが、カーボンの微粒に接合性を有する材料を付
着させておき、この微粒をマイナスに帯電させて、プラ
スに帯電させた基板本体13に吸着させることもでき
る。この場合、接合性を有する材料は液体でも固体でも
よいが、固体の場合には中間製品Aをある程度加熱して
おき、吸着と同時に接合性を有する固体材料が溶けるよ
うにするのが好ましい。
【0010】この後、図1(E)に示すように、ドライ
フィルム14、15が溶ける溶剤に、カーボン微粒子が
付着した中間製品Aを短時間浸漬することによって、ド
ライフィルム14、15の表面のみが溶けて中間製品A
の貫通孔16を除く表裏面に付着したカーボン微粒子か
らなる導電性被膜21が除去される。なお、中間製品A
にはカーボン微粒子が隙間なく密に覆っている場合に
は、ドライフィルム14、15の表面が溶けないので、
カーボン微粒子は多孔質状態で層を形成するようにす
る。
【0011】なお、ドライフィルム14、15としては
この実施の形態ではアルカリ液溶解性の材質が使用され
ており、溶剤としてはアルカリ液が使用されている。こ
こで、ドライフィルム14、15を長時間アルカリ液に
漬けると、全部のドライフィルム14、15が溶けてし
まうので、アルカリ液の浸漬は、ドライフィルム14、
15の表面のみが溶ける時間とする。なお、ドライフィ
ルムを溶剤に溶解するフィルムAと溶剤に溶解しないフ
ィルムBとの2層構造とし、溶剤に溶解するフィルムA
を露出させることによって、確実にドライフィルム上に
塗布したカーボン微粒子を除去することができる。ま
た、導電性被膜の形成にあっては従来から広く行われて
いる無電解めっきであってもよい。
【0012】次に、図1(F)に示すように、この導電
性被膜21の表面に電解めっきを行ってめっき層22を
形成する。この場合、中間製品Aの表面には絶縁性のド
ライフィルム14、15が貼着されているので、めっき
層を形成しない(以上、第3工程)。この後、図1
(G)に示すように、ドライフィルム14、15を剥離
する(以上、第4工程)と、表裏面に金属層(銅)1
1、12が形成されて、更には、金属層11、12は貫
通孔16に形成された銅めっきによって電気的に連結さ
れた基板23が完成する。この後、所定の回路パターン
をエッチング処理によって形成して、電子回路基板が完
成する。
【0013】次に、本発明の第2の実施の形態に係る基
板の製造方法について説明する。本発明の第2の実施の
形態に係る基板の製造方法は、図3に示すように、ガラ
スエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等からなる絶縁性基
材25の両面全面に銅泊等からなる金属層26、27が
それぞれ形成された帯状の基板本体30、31を積層し
て積層体32を製造し、この積層体32の両面に保護材
となる絶縁性保護膜の一例であるドライフィルム14、
15を貼着している(以上、第1工程)。次に、ドライ
フィルム14、15が表裏に貼着された積層体32の所
定の位置に、例えば、プレス等の孔開け装置20を用い
てスルーホールとなる貫通孔33を形成する(以上、第
2工程)。
【0014】次に、この貫通孔33内に導電性被膜を形
成する。これについては、第1の実施の形態と同じ処理
を行う。即ち、負に帯電させたカーボン微粒子を、正に
帯電させたドライフィルム14、15が貼着された積層
体32(以下、中間製品Bという)に吸着させる。カー
ボン微粒子は中間製品Bの表面に付着するので、十分に
付着させた後、ドライフィルム14、15の表面を溶か
す溶剤に短時間浸漬し、中間製品Bの表裏面に付着した
カーボン微粒子を除去する。これによって、貫通孔33
内のみに導電性被膜が形成される。なお、第1の実施の
形態に係る方法と同様、ドライフィルムに2層構造の特
殊なフィルムを使用することもできる。この後、ドライ
フィルム14、15が貼着されている状態で、貫通孔3
3内に形成されている導電性被膜の表面に電解めっきを
行って、めっき層を形成する(以上、第3工程)。そし
て、ドライフィルム14、15の剥離した後、積層され
た基板本体30、31を剥離する(以上、第4工程)。
これによって、同一構造の2枚の基板が完成する。
【0015】なお、この第2の実施の形態においては、
2枚の基板本体を積層しているが、更に3枚以上の基板
本体を積層して、同時に3枚以上の基板を製造すること
もできる。また、前記実施の形態は、使用する材料の厚
み等において具体的数字を用いて説明したが、本発明は
この数字に限定されるものではない。更には、導電性被
膜の形成にあって、静電塗装法(静電被膜形成法)を用
いる場合には、導電性微粒子にはカーボン微粒子に限定
されず、その他の金属性(シリコンも含む)又は導電性
セラミック微粒子であってもよい。
【0016】
【発明の効果】請求項1〜4記載の基板の製造方法にお
いては、回路パターンとなる金属層の表面を絶縁性保護
膜で覆った状態で貫通孔内にめっき処理を行うので、貫
通孔の出入り口付近に膨らみが発生せず、エッチングフ
ァクターが向上し、ファインパターンの回路の形成が可
能となる。特に、請求項2及びこれに従属する請求項
3、4記載の発明においては、貫通孔内に適切なめっき
層が形成された複数の基板を同時に製造できるので、基
板の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(G)は本発明の第1の実施の形態に
係る基板の製造方法の説明図である。
【図2】同方法の説明図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る基板の製造方
法の説明図である。
【図4】(A)〜(D)は従来例に係る基板の製造方法
の説明図である。
【符号の説明】
10:絶縁性基材、11、12:金属層、13:基板本
体、14、15:ドライフィルム、16:貫通孔、17
〜19:ロール、20:孔開け装置、21:導電性被
膜、22:めっき層、23:基板、25:絶縁性基材、
26、27:金属層、30、31:基板本体、32:積
層体、33:貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/40 H05K 3/40 E 3/42 610 3/42 610A 610B

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基材の両面全面に金属層を有する
    基板本体の両面に絶縁性保護膜を形成する第1工程と、
    前記絶縁性保護膜が形成された基板本体の所定の位置に
    スルーホールとなる貫通孔を形成する第2工程と、前記
    貫通孔内に導電性被膜を形成した後、該貫通孔内に電解
    めっきを行う第3工程と、前記絶縁性保護膜を剥離する
    第4工程とを有することを特徴とする基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 絶縁性基材の両面全面に金属層を有する
    複数の基板本体を積層し、この積層体の両面に絶縁性保
    護膜を形成する第1工程と、前記絶縁性保護膜が形成さ
    れた積層体の所定の位置にスルーホールとなる貫通孔を
    形成する第2工程と、前記貫通孔内に導電性被膜を形成
    した後、該貫通孔内に電解めっきを行う第3工程と、前
    記絶縁性保護膜を剥離すると共に、前記積層された各基
    板本体を剥離して分離する第4工程とを有することを特
    徴とする基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の基板の製造方法に
    おいて、第3工程における前記貫通孔内の導電性被膜の
    形成は、前記貫通孔の形成された基板本体にカーボン微
    粒子を静電塗布した後、前記基板本体の表裏面のカーボ
    ン微粒子を除去して行うことを特徴とする基板の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2記載の基板の製造方法に
    おいて、第3工程における前記貫通孔内の導電性被膜の
    形成は、無電解めっきによって行うことを特徴とする基
    板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661713B1 (ko) 2005-05-12 2006-12-26 가부시키가이샤 마루와세이사쿠쇼 프린트 기판의 제조방법
CN108430171A (zh) * 2018-01-29 2018-08-21 昆山群安电子贸易有限公司 半加成法制作印刷电路板过程中制作孔导电层的方法
KR20190012300A (ko) * 2017-07-26 2019-02-11 주식회사 잉크테크 인쇄회로기판 제조방법

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