DE19633449A1 - Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE19633449A1 DE19633449A1 DE1996133449 DE19633449A DE19633449A1 DE 19633449 A1 DE19633449 A1 DE 19633449A1 DE 1996133449 DE1996133449 DE 1996133449 DE 19633449 A DE19633449 A DE 19633449A DE 19633449 A1 DE19633449 A1 DE 19633449A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- grid structure
- functional elements
- elements
- spatial
- structure according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5381—Crossover interconnections, e.g. bridge stepovers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0041—Etching of the substrate by chemical or physical means by plasma etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1184—Underetching, e.g. etching of substrate under conductors or etching of conductor under dielectrics; Means for allowing or controlling underetching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein räumliches System von Elementen, die an definierten Stellen
miteinander in der Form eines Gitters verbunden sind und ein Verfahren zum Herstellen dieses
Gittersystems gemäß der entsprechenden, unabhängigen Patentansprüche.
In der Elektronik und in der Kommunikationstechnik wird zunehmend Signalverarbeitung im
MHz- und GHz-Bereich angestrebt, wozu Isolationsmaterialien für die mehrlagigen Verdrah
tungsträger bzw. mehrlagigen Leiterplatten mit möglichst guten dielektrischen Eigenschaften be
nötigt werden. Die in Frage kommenden Isolationsmaterialien für mehrlagige Leiterplatten bilden
eine komplexe bauliche Einheit mit der Leitungsstruktur und bestimmen somit ein unveränderli
ches elektrisches Verhalten der Verdrahtungseinheit. Von Nachteil sind die dielektrischen Eigen
schaften der Isolationsmaterialien, die im allgemeinen das mehrfache der Dielektrizitätskonstante
von Luft aufweisen. In manchen Anwendungen ist es sinnvoll, Bereiche des Verbindungssystems
mit unterschiedlichen physikalischen Eigenschaften (elektrische, thermische usw.) zu haben und
diese in der Zeit verändern zu können. Darüber hinaus ist es aus Kostenüberlegungen nicht unbe
dingt notwendig als Isolationsmaterialien hochwertige Polymere überall auf dem Verbindungssy
stem einzusetzen.
Der Zusammenbau eines Verbindungssystems aus freiliegenden Funktionselementen mit bisher
bekannten Verfahren ist technisch recht aufwendig, wenn die Leitungsschienen eine Breite von
weniger als 0,3 mm aufweisen und mehr als 3 Verdrahtungsebenen vorkommen. Einerseits erfor
dert ein aufbauendes Prinzip mit form-/kraftschlüssigen Verbindungen (Schrauben, Nieten,
Klemmen usw.) eine ausgesprochene Präzision nicht nur bei der Montage, sondern auch bei der
Fertigung der Systemkomponenten, anderseits ergeben sich bei den stoffschlüssigen Verbindun
gen (Kleben, Schweißen, usw.) Positionierungs- und Stabilitätsprobleme, wobei in beiden Fällen
die Toleranzen bei der Fertigung schwer einzuhalten sind. Darüberhinaus sind die Kosten eines
solchen Verbindungssystems und die Kosten von Werkzeugen mit der erforderlichen Genauigkeit
sehr hoch.
Den mechanischen Prinzipien z. B. Fräsen, Bohren, mit denen aus einer strukturellen Gemeinsam
keit das Isolationsmaterial bis auf die definierten Stützstellen zu entfernen ist, sind wiederum
Grenzen gesetzt. Mechanische Werkzeuge mit einem Arbeitsbereich von einigen Zehntel Millime
tern sind nicht herstellbar. Vorstellbar ist beim Abtragen von Isolationsmaterial die Anwendung
von Lasertechnologien. Beide Varianten zeichnen sich jedoch dadurch aus, daß es sich hier um
sequentielle Verfahren handelt, die bei einer komplizierten Struktur an sich langsam und relativ
teuer sind.
Aus der EP 0 283 546 ist ein Verfahren zum Herstellen beliebig geformter mikromechanischer
Bauteile bekannt, das insbesondere die Herstellung von Durchführungsöffnungen behandelt und
das sich beim Plasmaätzen Photoresistmasken bedient.
Aus der US 4,517,050 und WO 93126144 sind Verfahren zur Herstellung von Kontaktstellen be
kannt, die durch Unterätzen bei einem Plasmaätzvorgang lokale Öffnungen in der elektrisch isolie
rende Schicht herstellen und somit örtlich Teile der Leiterbahnen freilegen. Die beiden Schriften
lösen die Aufgabe, auf einem Schaltungsträger nachträgliche Kontaktierungen herzustellen. Unter
diesem Aspekt kann auch die Offenlegungsschrift DE 44 27 313 A1 erwähnt werden, wo ein
Verfahren zum Herstellen einer teilweise unterätzten Schicht vorgestellt wird.
Aus der WO 92/15408 ist ein determiniertes Mikrosieb bekannt, das Ausnehmungen und Durch
gänge aufweist. Hier wird die Aufgabe gelöst, in einer Kunststoffolie Öffnungen herzustellen. Aus
dem Dokument geht hervor, daß diese Öffnungen als Durchkontaktierungen in einem flächigen
Gebilde (z. B. Leiterplatte) eingesetzt werden können. Die Leiter (Kondukte) sind auf ihrer ganzen
Länge baulich mit der Grundplatte oder Unterlage aus Isolierstoff vereinigt.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen
mit ausgesprochen neuen Funktionseigenschaften und Recyclingfähigkeit zu schaffen und ein
Verfahren anzugeben, mit dem eine solche Struktur hergestellt werden kann.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Struktur mit den Merkmalen nach Anspruch 1
gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Weiterhin wird die Aufgabe durch Verfahren mit den Merkmalen nach Anspruch 14 gelöst. Vor
teilhafte Varianten des Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Unter einem räumlichen System von Elementen, die an definierten Stellen verbunden sind, wird
eine in sich selbst stabile Gitternetzstruktur verstanden, in der die eigentlichen Funktionselemente
mit Verbindungsgliedern (Stützstellen) an den Stellen, wo sich zwei oder mehrere Elemente un
terschiedlicher Raumpositionen kreuzen oder überdecken, verbunden sind. Unter Verbindungs
gliedern (Stützstellen) wird eine Anhäufung von festen Material an den Kreuzungs- oder Über
deckungsstellen verstanden. Dieses Material kann sowohl einkomponentig als auch mehrkompo
nentig sein und wird im weiteren als Trägermaterial definiert. Die Stützstellen ergeben sich nach
einem selektiven Entfernen von Trägermaterial. Zur Bildung von lokalen Stützstellen werden je
dem Funktionselement eine bestimmte Form und Raumposition beim Layoutdesign zugeteilt.
Werden die Stützstellen in ihren Abmessungen klein zur Länge des jeweiligen Funktionselements
gebildet bspw. in der Größenordnung der Breite des jeweiligen Funktionselementes, so liegen die
Funktionselemente gleichsam frei vom Trägermaterial im Raum. In diesem Zusammenhang kön
nen die Funktionselemente als luftgelagert angesehen werden, solange die Stützstellen in ihren
Abmessungen nicht größer als die halbe Wellenlänge der zu übertragenden elektromagnetischen
Schwingung sind.
Die Erfindung, wie in den Patentansprüchen 1 und 14 beschrieben, löst die Aufgabe, eine solche
Gitternetzstruktur mit einer räumlichen Anordnung von Elementen aus einer primär definierten
Konstellation von Funktionselementen und Trägermaterial auf einfache und schnelle Weise her
zustellen, derart, daß das Endprodukt aus Recyclingüberlegungen aber auch aus mechanischen
und elektrischen Gesichtspunkten möglichst wenig Trägermaterial enthält, und zwar so wenig wie
nötig, um die mechanische Stabilität der Struktur zu gewährleisten.
Die Stützstellen in der Gitternetzstruktur sind in ihrem Volumen klein gegenüber den eigentlichen
Funktionselementen zu halten. Die Präzision beim Abtragen des Trägermaterials bis zur Bildung
der Stützstellen und die Geschwindigkeit dieses Prozesses hängen vom Abstand zwischen den
Elementen ab. Bei der konkreten Anwendung je nach Schwierigkeitsgrad können mehrere Gitter
netzstrukturen durch ein nachträgliches Verbinden zu einem komplexeren System miteinander
verbunden werden.
Zur Erhaltung der ursprünglichen Anordnung von Funktionselementen muß das Abtragen von
Trägermaterial möglichst frei von großen mechanischen Kräften erfolgen. Schließlich muß unab
hängig von der Relation der Funktionselemente zueinander die gewünschte Heraustrennung von
Trägermaterial bis auf die Stützstellen in jeder beliebigen Konstellation mit der notwendigen Ge
nauigkeit erfolgen. Voraussetzung dafür, daß die Gitternetzstruktur nach dem Abtragen des Trä
germaterials in sich stabil bleibt, ist eine gewisse Häufigkeit der Überdeckung bzw. Kreuzung von
Elementen.
Dies wird folgendermaßen erreicht:
Als Trägermaterial im Sinne dieser Schrift können Folien mit einer Dicke 50 µm in Betracht kommen. Werden diese Folien auf der einen oder anderen Seite mit einem Elementemuster oder einer Schicht, in diesem Falle mit einer Metallschicht versehen oder wird umgekehrt das Träger material auf die vorliegende Metallstruktur aufgebracht, so wird diese Trägerfolie mechanisch stabilisiert und zugleich wird eine einheitliche Haftung in jedem Punkt des Metall-Foli en-Verbundes gewährleistet. Diese Haftfestigkeit ist bereits standardisiert, und unterstützt entschei dend das Zusammenhalten der ursprünglichen Struktur Element-Trägermaterial. Die Elemente werden mit einer Dicke von 1-20 µm und einer Breite von 5-100 µm auf diesen Folien auflami niert, aufgedampft oder aus einer Fläche strukturiert. Somit wird deutlich, daß hier andere Maß stäbe als bei der makroskopischen Aufbautechnik gelten.
Als Trägermaterial im Sinne dieser Schrift können Folien mit einer Dicke 50 µm in Betracht kommen. Werden diese Folien auf der einen oder anderen Seite mit einem Elementemuster oder einer Schicht, in diesem Falle mit einer Metallschicht versehen oder wird umgekehrt das Träger material auf die vorliegende Metallstruktur aufgebracht, so wird diese Trägerfolie mechanisch stabilisiert und zugleich wird eine einheitliche Haftung in jedem Punkt des Metall-Foli en-Verbundes gewährleistet. Diese Haftfestigkeit ist bereits standardisiert, und unterstützt entschei dend das Zusammenhalten der ursprünglichen Struktur Element-Trägermaterial. Die Elemente werden mit einer Dicke von 1-20 µm und einer Breite von 5-100 µm auf diesen Folien auflami niert, aufgedampft oder aus einer Fläche strukturiert. Somit wird deutlich, daß hier andere Maß stäbe als bei der makroskopischen Aufbautechnik gelten.
Die oben beschriebenen ursprünglichen Folie-Struktur-Systeme können ohne weiteres miteinander
laminiert werden, in dem ein ursprüngliches Schichtsystem aus Elementen und Trägermaterial
entsteht. Dieses Schichtsystem ist durch die anwendungsspezifische räumliche Anordnung der
Elemente charakterisiert.
Eine andere Verfahrensvariante sieht, das Einlegen der Elemente in ihrer ursprünglichen Anord
nung in ein plastifiziertes Medium, z. B. in das plastifizierte thermoplastische Trägermaterial vor.
Dabei kann die Raumposition der Elemente beliebige Ausrichtung annehmen. Nach einer Aushär
tung liegt das ursprüngliche System Elemente-Trägermaterial vor.
Für die Entfernung des Trägermaterials kommen die oben beschriebenen bisher bekannten se
quentiellen Trennverfahren nicht in Frage. Die bekannten Naßätzverfahren werden genauso beisei
te gelassen, weil die Unterätzung bei diesen in Konflikt mit der angestrebten Präzision kommt. Es
wird ein Plasmaätzverfahren favorisiert, das den Anforderungen der Anisotropie der Trennwir
kung entspricht. Dabei sind die in und/oder an dem Trägermaterial aufgebrachten Funktionsele
mente oder deren Oberfläche so resistent gegenüber der Ätzwirkung, die auf das Trägermaterial
gerichtet ist, daß das völlige Abtragen von Trägermaterial ohne Ätzwirkung auf die Funktionse
lemente erfolgen kann.
Eine der möglichen Varianten ist eine gezielte doppelseitige Wirkung des Ätzmediums auf das
vorgefertigte, primäre Halbzeug aus Trägermaterial und Funktionselementen. Erfolgt die Exposi
tion dieses Halbzeuges senkrecht zur Wirkungsrichtung des anisotropen Ätzvorganges, so werden
die im Wirkungsfeld liegenden, von einem anderen Funktionselement nicht bedeckten Teile eines
jeden Funktionselements frei von Material. Anderseits bleiben Teile des Trägermaterials an den
Kreuzungsstellen bzw. Überdeckungsstellen unberührt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren führt der Einsatz von Metall bei der Anfertigung der
Funktionselemente und die Verwendung eines beliebigen thermoplastischen Polymers für das Trä
germaterial dazu, daß ein Leitungssystem mit luftgelagerten Leitern entsteht. Das Medium um die
Leiter kann aber nicht nur Luft sein. Es bietet sich die Möglichkeit, durch kühlende Medien eine
direkte Wärmeabfuhr von jedem einzelnen Leiter zu ermöglichen. So reichen die Einsatzmöglich
keiten gemäß der Erfindung an die Supraleitertechnologien heran. Das Medium um die freien
Leiter kann folgerichtig nicht nur gasförmiger Natur sein. Möglich ist z. B. auch ein nachträgliches
Ausfüllen der Gitternetzstruktur mit Billigpolymeren oder gar ein Recyclat.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht auch in der Recyclingfähigkeit des Produktes,
und zwar durch die umweltgerechte Entsorgungsfähigkeit der eingesetzten Stoffe. Grundsätzlich
wird eine den Recyclingprozeß prinzipiell unterstützende Anforderung erfüllt, den quantitativen
Materialeinsatz zu minimieren. Das neuartige Verbindungssystem, bestehend aus freien Elementen
mit gleichartigen Materialeigenschaften und Stützstellen als Ergebnis der Trägermaterialentfer
nung ermöglicht es, ein Erzeugnis anzubieten, das in seinem größten Teil aus den Materialien der
Funktionselementen besteht und bei dem der Anteil des Trägermaterials gering zur Gesamtmasse
gehalten wird.
Die Erfindung wird nachfolgend an einer Reihe von Ausführungsbeispielen erläutert. Neben den
grundlegenden Prinzipien der Herstellung der Gitternetzstrukturen wird auch auf einige augenfäl
lige Vorteile und neuartigen Applikationen näher eingegangen. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Ausschnitt aus der räumlichen, in sich selbst stabilen Gitternetzstruktur
Fig. 2, 3 einen beispielhaften Ablauf des Verfahrens bei der Herstellung der Gitternetzstruk
tur
Fig. 4 eine Gitternetzstruktur aus freiliegenden Funktionselementen, die auf einem Trä
gersubstrat positioniert werden kann
Fig. 5 eine der Möglichkeiten zur Gestaltung der Gitternetzstruktur
Fig. 6 ein freiliegendes Funktionselement, das durch äußere chemische und/oder physika
lische Einwirkung beeinflußbar ist, in diesem Fall mit dem Ziel der Abschirmung
mehrfach beschichtbar ist.
Fig. 7 eine Anordnung, in der die Gitternetzstruktur aktiv gekühlt wird
Fig. 8 die Möglichkeiten, durch den freien Zugriff zu den freien Elementen, diese an be
liebigen Stellen zu kontaktieren.
Als Beispiel sei ein elektrisches Verbindungssystem angeführt, gebildet durch eine Gitternetzstruk
tur, in welcher die eigentlichen Leitungen bis auf die Stützstellen frei von Trägermaterial sind und
somit durch Luft (εr = 1) als Dielektrikum gekennzeichnet sind. Zum einen erfüllt diese Anord
nung die Anforderungen der Recyclingfähigkeit, zum anderen besitzt die Luft die bestmöglichen
dielektrischen Eigenschaften. Der freie Platz um die Funktionselemente kann bspw. auch dann
wichtig sein, wenn die stabile räumliche Gitternetzstruktur aus Lichtwellenleitern besteht und
bspw. ein Zugriff zu den innenliegenden Lagen relevant erscheint oder die Plazierung von zusätz
lichen Bauteilen direkt im System von Leitern zu einem späteren Zeitpunkt nach dem Aufbau der
gesamten Gitternetzstruktur notwendig ist.
In den Ausführungsbeispielen ist von besonderer Bedeutung, daß über ein System von freiliegen
den Funktionselementen sich die Freiheit ergibt, das Medium um die Funktionselemente nach
Wirkung, Art, Zustand und Zeit variieren zu können. Die gesamte Baugröße der Gitternetzstruk
tur kann bis auf die mikromechanische Ebene reduziert werden, wobei nur ein minimaler Kos
ten- und Arbeitsaufwand bei der Herstellung verursacht wird.
Fig. 1 zeigt einen kleinen Ausschnitt aus einer komplexen Gitternetzstruktur. Diese besteht aus
Funktionselementen 1 bis 3 unterschiedlicher Art. Hier sind nur einige der möglichen Ausführun
gen angegeben, die nach Form, Raumposition und Verlauf anwendungsspezifisch gewählt werden
können. Die abgebildeten fünf Stützstellen ergeben sich nach dem gerichteten Trennvorgang aus
einem ursprünglichen Trägermaterial an den Stellen, an denen sich z. B. die Elemente 1 und 2 bzw.
1′ und 3 überdecken bzw. kreuzen. Der Verlauf des Funktionselementes 1′ deutet darauf hin, daß
Teile von den Elementen oder Elementenden aus der Gesamtheit der Gitternetzstruktur hinaus
gehen können.
Betrachtet man ein solches System von Elementen, dann sind die zahlreichen Möglichkeiten zu
einem direkten Eingriff in das System kaum zu übersehen. Jedes Funktionselement 1 bis 3 steht
frei zur Verfügung für äußere chemische und/oder physikalische Einwirkungen. Aber auch die
Stützstellen 4 sind genauso frei für physikalische und/oder chemische Behandlungen. Dabei blei
ben die Räume um die Elemente frei für jegliche Medien, die man beliebig einsetzen kann. Her
vorzuheben ist, daß das Ganze bis auf einer Microebene betrieben werden kann.
Fig. 2 und 3 zeigen nun zwei beispielhafte Abläufe des Herstellungsverfahrens in den unter
schiedlichen Stadien der Herstellung. Das Endprodukt der Verfahrensschritte, die hier nur auf
einem kleinen Ausschnitt demonstriert sind, ist eine wie in Patentanspruch 1 beschriebene räumli
che, in sich selbst stabile Gitternetzstruktur aus freiliegenden Funktionselementen. Die Abbildun
gen sind verständnishalber auf kleine Ausschnitte konzentriert, da im Grunde genommen die be
schriebenen Prozesse der Materialentfernung simultan wirken, d. h. gleich für alle Punkte des Sy
stems ablaufen.
Fig. 2.1 zeigt zwei Folien als Trägermaterial 5, an denen mittels an sich bekannter Verfahren die
Elemente der künftigen Gitternetzstruktur bspw. auflaminiert, geklebt, aus einer Metallschicht
durch Naßätzverfahren strukturiert oder auf eine andere Weise aufgebracht worden sind. Die
Komplexität der flächigen Strukturen kann für jede einzelne Lage, bezogen auf dem speziellen
Anwendungsfall, unterschiedlich sein. Einschränkungen bei dem Layoutentwurf ergeben sich
durch die Anforderung, daß jedes Element einer Ebene sich mindestens einmal mit einem anderen
Element einer anderen Ebene überdeckt, was im Prinzip bei komplexeren Strukturen leicht oder
an sich immer erfüllt werden kann.
Wie bereits schon erwähnt, muß bei der Materialwahl solch eine Kombination von Ele
menten- und Trägermaterial getroffen werden, daß die Elemente oder deren Oberfläche dem Ätzmedium
gegenüber mehrfach resistenter als der Trägermaterial sind.
Fig. 2.2 zeigt einen Ausschnitt aus dem fertigen Halbzeug, in dem das Trägermaterial eindeutig
die primäre Relation der Elemente zueinander fixiert. Das Zusammenbringen der Folienschichten
kann beispielsweise durch Laminieren, Verpressen oder ähnliches erfolgen, wobei bei der Nutzung
von zusätzlichen Fügematerialien 12 auf die Resistenz gegenüber dem Ätzmediums geachtet wer
den muß. In diesem Fall soll sie vergleichbar mit der Resistenz des Trägermaterials sein.
Fig. 2.3 zeigt einen Teil der Gitternetzstruktur, nach dem sie in das Wirkungsfeld der gerichte
ten Trennwirkung exponiert worden war. Die Verwendung von Ätzmedien gasförmiger Art wird
favorisiert. Insbesondere eignen sich Plasmaätzverfahren für das selektive Trennen vom Träger
material. Hingegen werden Naßätzverfahren wegen der großen Unterätzung nur in soweit in Be
tracht gezogen, wenn sie eine gerichtete Wirkung aufweisen können. Allenfalls ist die Kombinati
on von Naß- und Trockenätzverfahren möglich.
Werden Funktionselemente oder deren Oberfläche aus Metall eingesetzt und ein Trägermaterial
aus thermoplastischem Polymer, etwa LCP oder Polyimid, so ist es ohne zusätzliche Masken
möglich, zum gewünschten Ergebnis in Fig. 2.3 zu kommen.
Fig. 3.1 zeigt eine andere Alternative bei der Gestaltung der primären Konstellation der Funkti
onselemente. In einem plastifizierten thermoplastischen Material 5 oder nicht ausgehärtetem
Werkstoff 5 ist es ohne weiteres möglich, die Elemente 1 bis 3 einzubetten, wobei im Unterschied
zu dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 die Form (z. B. Element 1′) und der Verlauf (z. B. Ele
ment 2) der Funktionselemente uneingeschränkt, mit einem noch größeren Freiheitsgrad variiert
werden kann. Die Randbedingungen zur Resistenz der Elemente oder deren Oberfläche gegenüber
dem Ätzmedium sowie die Anforderung, daß die Funktionselemente sich miteinander wegen der
Stabilität mindestens ein Mal überdecken bzw. im Raum kreuzen, müssen erfüllt werden.
In einem zusätzlichen Verfahrensschritt wird das gesamte System aus Trägermaterial und Funkti
onselementen ausgehärtet, wobei auch die notwendige Haftung zwischen Elementen und Träger
material hergestellt wird.
Fig. 3.2 zeigt einen Querschnitt durch die realisierte Gitternetzstruktur. Nach dem Ätzverfahren
bleiben die Elemente, die in ihrem größten Teil frei von Trägermaterial 5 sind und die Stützstel
len 4 als Restposten des Materials 5 an den Überdeckungsstellen in einem in sich selbst stabilen
System bestehen.
Die Form der Stützstellen nach den Verfahrensabläufen laut Fig. 2 und 3 ergibt sich demnach in
dem Raum der axonometrischen Projektionen der sich überdeckenden Elemente und kann folge
richtig bei dem Layoutdesign beeinflußt werden.
Der absolute Kostenvorteil dieser Technologie entsteht aus dem Verzicht auf Deckfolien oder
Masken zur Realisierung der Aufgabenlösung durch ein Plasmaätzverfahren.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel dafür, wie das Handling der Gitternetzstruktur realisiert werden kann.
Ein Substratträger 6 übernimmt in diesem Beispiel die mechanische Trägerfunktion. So kann
bspw. die Gitternetzstruktur auf den Substratträger durch an sich bekannte Methoden befestigt
werden. Man kann auch gezielt Elemente 3 dimensionieren, welche durch die dazugehörigen
Stützstellen 4 zur Stabilisierung dienen.
Fig. 5 stellt eine der möglichen Anordnungen der Elementen dar. Das Element 1′′ ist durch sei
ne Form charakterisiert. Dem Entwickler von solchen Gitternetzstrukturen ist die Möglichkeit
gegeben, die Wirkung des Ätzvorganges durch flächige Elemente 1′′ abzuschirmen. Das ist einer
einseitigen selektiven Trennwirkung gleichzustellen. Die Stützstellen 4′ zwischen Elementen 1
und 1′′ haben in diesem Fall eine ausgedehnte Form, entlang der Projektion der Elemente 1 auf
das flächige Element 1′′.
Im allgemeinen kann das Element 1′′ beliebige Konturen und Größe aufweisen, bis auf eine Anord
nung, bei der die ganze Gitternetzstruktur über einem oder mehreren Elementen 1′′ liegt. Bei so
einer Ausführung liegen die Stützstellen 4′ entlang der gesamten Länge der Elemente 1.
Fig. 6 zeigt ein elektrisch leitendes Funktionselement, das durch äußere Einwirkung, z. B. Dünn
schichttechnologie, beschichtet ist. Die Innenlage 8 ist ein dielektrisches Material bspw. Polymer,
und die Mantelung 7 aus einem leitenden Werkstoff sorgt für die elektromagnetische Abschir
mung des Elements 1. Dadurch kann eine vollständige Störsignalabschirmung direkt vor Ort rea
lisiert werden.
Fig. 7 gibt eine mögliche Verwirklichung des Konzepts für eine aktive Kühlung der Gitternetz
struktur GNS mittels Medium 9 wieder. Die freien Räume um die Gitternetzstruktur ermöglichen
eine freie Auswahl der Funktionseigenschaften des Mediums 9. In der Fig. 5 übernimmt das
Medium die Kühlung, indem jedes Funktionselement mit elektrisch leitenden Eigenschaften aber
auch, je nach Ausführung, jedes Bauelement 10 durch das Fluid 9 umströmt wird.
Die Innenlagen in einem mehrlagigen Verbindungssystem werden genauso gut wie die Außenlagen
einer Wärmeabführung unterzogen.
Fig. 8 zeigt einen weiteren Vorteil der Gitternetzstruktur gemäß der Erfindung. Da die Funkti
onselemente, in diesem Ausführungsbeispiel als elektrische Leiter realisiert, quasi frei im Raum
liegen, ist zu jeder Zeit, an jeder beliebigen Stelle eine elektrische Verbindung 11′ zwischen den
Elementen herzustellen. Der freie Zugriff entlang der Leitungen unterstützt nicht nur die Kontak
tierung 11 unterschiedlicher Elemente 1 unterschiedlicher Raumpositionen, sondern es wird auch
ein vollkommener Komfort bei der Reparatur und bei der Prüfung und Korrektur des Verbin
dungssystems während oder nach dem entsprechenden Verfahrensschritt angeboten.
Bezugszeichenliste
1 Funktionselement - allgemein
1′ Funktionselement mit einem Verlauf in mehr als einer Ebene
1′′ Funktionselement mit flächigen Konturen
2 Funktionselement mit zylindrischer Form
3 Funktionselement - nicht zur Übertragung von Informationen
4 Stützstelle - allgemein
4′ Stützstelle mit ausgedehnter Form
5 ursprüngliches Trägermaterial
6 Substratträger
7 äußere Mantelung eines Funktionselements - Abschirmung
8 Innenlage bei einer mehrfachen Beschichtung eines Funktionselements
9 Medium um die Funktionselemente in der Gitternetzstruktur
10 zu verbindende Bauelemente
11 äußerer Eingriff zur Kontaktierung - allgemein
11′ Verbindungsstelle
12 Fügemittel - optional
13 Versorgungsanschlüsse für Medium
14 Außenanschlüsse
GNS Gitternetzstruktur
1′ Funktionselement mit einem Verlauf in mehr als einer Ebene
1′′ Funktionselement mit flächigen Konturen
2 Funktionselement mit zylindrischer Form
3 Funktionselement - nicht zur Übertragung von Informationen
4 Stützstelle - allgemein
4′ Stützstelle mit ausgedehnter Form
5 ursprüngliches Trägermaterial
6 Substratträger
7 äußere Mantelung eines Funktionselements - Abschirmung
8 Innenlage bei einer mehrfachen Beschichtung eines Funktionselements
9 Medium um die Funktionselemente in der Gitternetzstruktur
10 zu verbindende Bauelemente
11 äußerer Eingriff zur Kontaktierung - allgemein
11′ Verbindungsstelle
12 Fügemittel - optional
13 Versorgungsanschlüsse für Medium
14 Außenanschlüsse
GNS Gitternetzstruktur
Claims (19)
1. Räumliche Gitternetzstruktur, bestehend aus Funktionselementen, insbesondere zur Übertra
gung von Informationen, dadurch gekennzeichnet, daß ein räumliches System von Funktion
selementen zur Informationsübertragung mittels Stützstellen (4; 4′) stabilisiert ist, wobei die
Stützstellen (4; 4′) in den Räumen, abgegrenzt durch die axonometrischen Projektionen des
jeweiligen Elementes auf seinem Verbindungspartner, liegen und die Funktionselemente in ih
rer Längenausdehnung frei im Raum angeordnet sind und wenigstens eine Stützstelle (4; 4′)
aufweisen.
2. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktion
selemente und die Stützstellen entlang ihrer Längenausdehnung frei für chemische und/oder
physikalische Einwirkungen sind, wobei ihre Materialeigenschaften und ihre Form beliebig ver
änderbar sind.
3. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Medium (9) in den freien Räumen um die Funktionselemente und die Stützstellen beliebig nach
Art, Zustand und Eigenschaften und nach der Zeit veränderbar ist.
4. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Medi
um (9) durch seine Eigenschaften die Funktionen der Funktionselemente unterstützt und ver
bessert, sowie selbst Funktionen im System übernimmt.
5. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktion
selemente elektrische, optische oder andere Informationsträger sind.
6. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Funktionselemente als elektrische Mikroleitungen fungieren und das Medium (9) Luft
oder Vakuum mit einer Dielektrizitätskonstante εr = 1 ist.
7. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Funktionselemente plastisch verformbar oder flexibel sind oder die gesamte Gitter
netzstruktur flexibel oder plastisch verformbar ist.
8. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Funktionselemente oder die Gitternetzstruktur teilweise oder vollständig eine ein- oder mehr
fache Beschichtung aufweisen und dabei eine koaxiale Anordnung vorliegt.
9. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens ein Funktionselement der Funktionselemente in seiner Längenausdehnung
durch unterschiedliche Ebenen der Gitternetzstruktur verläuft.
10. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Funktionselemente Oberflächenstrukturen, Ausnehmungen oder Löcher und die Enden
der Funktionselemente Löcher, Vertiefungen, Rundungen, Haken o. dgl. aufweisen.
11. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß mehrere Gitternetzstrukturen miteinander verbunden sind.
12. Räumliche Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gitternetzstruktur selbst eine stabile bauliche Einheit bildet und zusätzlich auf einem
Trägersubstrat (6) oder in einem Rahmen oder Gehäuse aus einem Trägersubstrat (6) positio
niert und/oder befestigt ist.
13. Räumliche Gitternetzstruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitter
netzstruktur in einem geschlossenen Gehäuse angeordnet ist, wobei das Gehäuse Versorgungs
anschlüsse (13) und/oder Anschlüsse zur Informationsübertragung (14) aufweist.
14. Verfahren zur Herstellung einer räumlichen Gitternetzstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis
13, dadurch gekennzeichnet, daß eine bauliche Einheit aus den Funktionselementen und
Stützstellen (4; 4′) erzeugt wird, wobei die mechanische Kopplung zwischen den Funktionse
lementen und Stützstellen (4; 4′) in einem früheren Zeitpunkt hergestellt wird, indem ein Ma
terial oder Materialverbund (5) mit Funktionselementen durch Einlegen, Laminieren, Schwei
ßen, Übergießen, Spritzen oder andere an sich bekannte Verfahren zur Verbindung gebildet
wird und anschließend durch selektives Abtragen aus dem Material oder Materialverbund (5)
die Stützstellen (4; 4′) an den Stellen gebildet werden, an denen mindestens zwei Elemente
unterschiedlicher Raumpositionen sich kreuzen oder überdecken und dadurch einen Schutz
raum für die abtragende Trennwirkung bilden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das selektive Abtragen auf das
ganze Verbindungssystems oder auf lokale Bereiche angewandt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das selektive Abtragen des Ma
terials oder Materialverbundes (5) durch Plasmaätzen erfolgt.
17. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktionselemente
miteinander und/oder mit anderen Bauelementen (10) in einem weiteren Verfahrensschritt mit
tels an sich bekannter Verbindungstechniken kontaktiert werden.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktion
selemente in den Ebenen durch naßchemisches Ätzen auf dem Material oder Materialver
bund (5) vor der Herstellung des räumlichen Gebildes erzeugt werden.
19. Verfahren nach Ansprüchen 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützstellen (4; 4′)
vor der Weiterverarbeitung der Gitternetzstruktur mit einem thermisch stabilen Material zur
Erzeugung eines Kammereffektes umhüllt werden, so daß die äußere Form der Stützstel
len (4; 4′) unter Temperatureinwirkung erhalten bleibt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996133449 DE19633449A1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996133449 DE19633449A1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19633449A1 true DE19633449A1 (de) | 1998-02-26 |
Family
ID=7803060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996133449 Withdrawn DE19633449A1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19633449A1 (de) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3859177A (en) * | 1971-10-15 | 1975-01-07 | Thomson Csf | Method of manufacturing multilayer circuits |
US4517050A (en) * | 1983-12-05 | 1985-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for forming conductive through-holes through a dielectric layer |
EP0283546A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen beliebig geformter mikromechanischer Bauteile aus planparallelen Platten aus Polymermaterial oder beliebig geformter Duchführungsöffnungen in denselben |
WO1992015408A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | Dyconex Patente Ag Heinze & Co | Determiniertes mikrosieb, determinierter verbundkörper |
WO1993026144A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-23 | Dyconex Patente Ag | Verfahren zur herstellung von nachträglich konditionierbaren kontaktstellen an schaltungsträgern und schaltungsträger mit solchen kontaktstellen |
DE4238867C2 (de) * | 1992-11-18 | 1995-02-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zum Anschließen von mehreren elektrischen Verbrauchern |
JPH0794850A (ja) * | 1991-12-11 | 1995-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面実装用フレキシブル配線板の製造方法 |
DE4427313A1 (de) * | 1994-08-02 | 1996-02-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Herstellen einer teilweise unterätzten anorganischen Nutzschicht auf einem Substrat |
-
1996
- 1996-08-20 DE DE1996133449 patent/DE19633449A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3859177A (en) * | 1971-10-15 | 1975-01-07 | Thomson Csf | Method of manufacturing multilayer circuits |
US4517050A (en) * | 1983-12-05 | 1985-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for forming conductive through-holes through a dielectric layer |
EP0283546A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen beliebig geformter mikromechanischer Bauteile aus planparallelen Platten aus Polymermaterial oder beliebig geformter Duchführungsöffnungen in denselben |
WO1992015408A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | Dyconex Patente Ag Heinze & Co | Determiniertes mikrosieb, determinierter verbundkörper |
JPH0794850A (ja) * | 1991-12-11 | 1995-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面実装用フレキシブル配線板の製造方法 |
WO1993026144A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-23 | Dyconex Patente Ag | Verfahren zur herstellung von nachträglich konditionierbaren kontaktstellen an schaltungsträgern und schaltungsträger mit solchen kontaktstellen |
DE4238867C2 (de) * | 1992-11-18 | 1995-02-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zum Anschließen von mehreren elektrischen Verbrauchern |
DE4427313A1 (de) * | 1994-08-02 | 1996-02-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Herstellen einer teilweise unterätzten anorganischen Nutzschicht auf einem Substrat |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69117381T2 (de) | Mehrschichtleiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2702844C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vielschichtigen gedruckten Schaltung | |
DE4100233A1 (de) | Verfahren zum herstellen gedruckter schaltungen | |
DE102005031165A1 (de) | Leiterplatte mit dreidimensionalem, spiralförmigen, induktivem Bauelement und Verfahren zur Herstellung davon | |
DE4422827C2 (de) | Geschichtete vergossene elektrische Wicklung sowie Transformatoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102012216101A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer in einem Substrat integrierten oder auf einem Substrat aufgebrachten Spule und elektronisches Gerät | |
DE19615395A1 (de) | Elektrostatische Schutzvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
WO2004100253A2 (de) | Elektronisches bauteil, sowie systemträger und nutzen zur herstellung desselben | |
DE10000090A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer mehrlagigen Planarspule | |
EP0175045A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten flexiblen Leiterplatten für hohe Biegebeanspruchung | |
EP0700630B1 (de) | Folienleiterplatten und verfahren zu deren herstellung | |
WO2009143550A1 (de) | Verfahren zur integration wenigstens eines elektronischen bauteils in eine leiterplatte sowie leiterplatte | |
DE4020498C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Multiwire-Leiterplatten mit isolierten Metalleitern und/oder optischen Leitern | |
DE10300530A1 (de) | Leiterplatte mit einem eingebauten passiven Bauelement, Herstellungsverfahren der Leiterplatte und Elementarplatte für die Leiterplatte | |
EP0620702B1 (de) | Kern für elektrische Verbindungssubstrate und elektrische Verbindungssubstrate mit Kern, sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102007060510A1 (de) | Leiterplatten-Herstellungsverfahren, Leiterplatte und elektronische Anordnung | |
EP3547338A1 (de) | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
EP1550358B1 (de) | Leiterplatte mit mindestens einem starren und mindestens einem flexiblen bereich sowie verfahren zur herstellung von starr-flexiblen leiterplatten | |
DE102020102362B4 (de) | Komponententräger mit Brückenstruktur in einem Durchgangsloch, das die Designregel für den Mindestabstand erfüllt | |
EP0451541B1 (de) | Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten mit erhöhter Leiterbahnendichte | |
WO2004030429A1 (de) | Verfahren zur herstellung von starr-flexiblen leiterplatten und leiterplatte mit mindestens einem starren bereich und mindestens einem flexiblen bereich | |
DE3688255T2 (de) | Verfahren zur herstellung von mehrschichtleiterplatten. | |
DE10108168C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Multiwire-Leiterplatte | |
EP0692178B1 (de) | Strukturieren von leiterplatten | |
DE19633449A1 (de) | Räumliche Gitternetzstruktur aus Funktionselementen und Verfahren zu deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8141 | Disposal/no request for examination |