JPS60138540A - 新規光重合性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光重合性組成物に関し、さらに詳しくは
、銅板等の基板に対する接着性、及び耐メッキ性の改良
された、光重合性組成物に関する。

本組成物の応用例として、プリント配線板等の作成に利
用されるフォトレジスト、ンルダーレジスト等が挙げら
れる。

フォトンシストを用いたプリント配線板の作成法は周知
である。その方法は次の如くである。まず、銅張り積層
板や、フレキシブル銅張板等の基板に、フォトレジスト
組成物を塗布又は積層して皮膜を形成し、次いで活性光
によって画像露光を行なうと、露光部分は重合硬化する
。次に未露光部分を適当表現像液によって溶解除去し、
レタス１両像を形成する。この画像形成基板に、エツチ
ング、メッキ、陽極処理等積々の処理を行なうことによ
り、レジストによって保護されていない銅面を変性し、
プリント配線板が作成される。

この時、レジストと基板の接着力が十分大きくないと、
エツチングやメッキ、及びそれらの前処理の際に処理液
がレジストと基板の間に浸透し、硬化したレジストのア
ンダーカットが起こり、レジストが基板から浮き上がる
ような現象が発生し易くなる。このような現象が起こる
と、エツチングによるレジスト端部の欠損、メッキのも
ぐり（メッキがレジストの下部にまで及ぶ現象）が生じ
、画線の欠損や画像輪郭の不鮮明化を招き、ノ（ターン
精度が著しく低下して不合格品となってしまう。

このため、密着助剤が種々開発されており、特公昭ｒｏ
−？／７７号公報及び、特開昭３３−７０２号公報等に
開示されているが、近年、メッキ処理技術及び特にその
前処理方法は多岐にわたり、かつ、より過酷な条件にな
り、従来の組成物では銅面密着性、耐メッキ性の両面で
満足な結果を与えるものは少ないのが現状である。

上記のよ・うなプロセスで作成されたプリント配線板に
は、部品を・ヘンダ付けする際に所望の部分以外へのハ
ンダの付着を避けるため、又、配線板表面の回路の保賎
を目的として感光性のソルダーレジストが塗布されるこ
とが多い。このソルダーレジストには、これが永久的に
製品に残る材料であること、高温のハンダ浴に浸漬する
ハンダ付は工程で、ハンダのもぐりが発生してはならな
いこと等の理由から、接着性に対する高度の要求がある
。このためには、ソルダーレジストに上に示したような
密着助剤を添加することが効果的であることは公知であ
るが、さらに高性能の密着助剤がめられている。

以上を踏まえて鋭意研究の結果、本発明者らは金属基板
、特に銅面との接着性が高く、かつ、メッキ処理におい
てメッキもぐり等の問題の発生しないフォトレジストを
与える光重合性組成物を見い出し、さらに本組成物が、
ソルダーレジストとしても有効であることを確認した。

本発明の組成物は、 （ａ）少なくともコ個の炭素−炭素二重結合を有し、光
重合開始剤によって重合体を形成できる非ガス状エチレ
ン性不飽和化合物、 （ｂ）活性光によって活性化し得る光重合開始剤、（ｃ
）構造式（１１で示される化合物 よりなる光重合性組成物 であり、必要に応じＣ （ｄ）熱可塑性有機重合体バインダー を加えることができる。

又は−Ｎ＝Ｃ，−であり、ｃ、　、　（４は共に炭素で
ｃｌは７ Ｓと結合し、Ｃ２はＮと結合する。ＸＩ　、　Ｘｓは水
素又はＲ％Ｘ３は水素又はＲ％Ａは水素、Ｒ１アミノ基
、カルボキシル基、Ｘ５は水素、Ｒ１又は）Ｓ　ＣＨｚ
　Ｃ０ＯＨ、、メルカプト基、フェニル基、Ｘ７は水素
、Ｒ又はフェニル基、Ｒはアルキル基）ここで、Ｘ１％
Ｘ２としては水素又はメチル基が好ましく、Ｘ３ね、水
素又はＣ００ＣＲ３基が好ましい。ムとしては水素、メ
チル基、アミノ基、カルボキシル基が好ましく、Ｘｓと
しては水素、メチル基、フェニル基が好ましい。さらに
為としては水素、メチル基、アミノ基、メチルアミノ基
、５−ＣＨ２Ｃ０ＯＨ基、フェニル基、メルカプト基が
好ましく、ｘ７はフェニル基又はメルカプト基が好ま〜
しい。又、Ｒとしては炭素数ノないし乙のアルキル基が
好ましい。好ましい化合御名を具体的に挙げるならば、
コーメルカブトチアゾリン、左、Ｓ−ジメチル−２−メ
ルカプトチアゾリン、ｔ−メトキシカルボニル−＆、１
−ジメチルーーーメルカブトチアゾリン等メルカプトチ
アゾリン類、コーメルカブトチアゾール、コーメルカプ
トーグーメチルチアゾール、−一メルカプトーダーフェ
ニルチアゾール、λ−メル力プトー亭、３−ジメチルチ
アゾール、！−７ミノーコーメルカブトチアゾール等２
−メルカプトチアゾール類、コーメルカプ）−５−フェ
ニル−／、、７．４’−チアジアゾール、コ、Ｓ−ジメ
ルカプト−／、　Ｊ、　４ｔ−チアジアゾール、Ｓ−ア
ミノーコーメルカプ）　−／、　３．グーチアジアゾー
ル、３−メチルアミノーコーメルカブト−／、　ｊ、　
＋−チアジアゾール、Ｓ−メチルーコーメルカプトー／
、　Ｊ、　ｌｌ−チアジアゾール、３−フェニル−５−
メルカプト−／。

コツグーチアジアゾール、３．５−：）メルカプト、−
／。

コ、ダーチアジアゾール等チアジアゾール類等がある。

この中でもさらにメルカプトチアプリン類が好ましい。

構造式（１）で示される化合物の添加量に制限社ないが
、全組成物に対し、ＱＯ３ないし５重量％が好ましく、
さらにＱ２ないし２重量％が好ましい。

又、これらの化合物は一種類以上用いても良い。

さらに本発明の化合物と、特開昭！；Ａｒ−ＡＳ９’１
７号、特開昭３！；−４タコ０２号、特開昭、４−＆−
ロー、１０３号、特開昭ｋＡ−！；／’／３ｇ号、特開
昭３４−Ａ７Ｅグダ号、特開昭５６−６７ざ９５号、特
開昭３ｇ−ｉｏｏｇｔダ号、特開昭５７−／９２”？ダ
６号、特開昭５３−７コグｊ’９４’号等の公報に開示
されている化合物を併用することもできる。これらの化
合物は、具体的には、フタルイミド、フタラジン、イン
ダゾール、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、モノ
アザインドール、ジフェニルカルバゾン、λ、４’、Ａ
−トリメルカプトトリアジン、チオバルビッール酸、チ
オヒダントイン等が挙げられる。

上記光反応性組成物のエチレン性不飽和化合物（以下モ
ノマーと称する）は、少なくとも２個の末端エチレン基
を有し、光重合開始剤によって重合体を形成し、非ガス
状で、大気圧下で１００℃以上の沸点を有するものであ
る。このようなエチレン性不飽和化合物の例は、（メタ
）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド、アリ
ル化合物、ビニルエーテル化合物、ビニルエステル化合
物である。

（メタ）アクリル酸エステルとしては多価アルコールの
ポリ（メタ）アクリレート（ここで言うポリとはジ（メ
タ）アクリレート以上の化合物である。）であり、多価
アルコールとしてはポリエチレングリコール、ボリア’
ｌ＝ピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリ
メチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ブタンジ
オール、トリメチルールエタンがある。

又、好ましい七ツマ−として、ウレタン（メタ）アクリ
レートが挙げられる。これは、水酸基を有する（メタ）
アクリレートもしくは（メタ）アクリルアミドとコ個以
上のインシアナト基を有する化合物の付加生成物であり
、これらの（メタ）アクリレートとしては、コーヒドｐ
キシエチル（メタ）アクリレート、コーヒドロキシプロ
ビル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモ
ノ（メタ）アクリレート、ユーヒドロキシ−３−フェノ
キシプロビル（メタ）アクリレート等がある。さらにア
ミドとしては、ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミ
ドがある。さらにポリエチレングリコール、ポリプロピ
レングリコール等のポリオールにその２倍当量以上のジ
イソシアナートを反応させて得られたポリイソシアナー
トと水酸基を有する（メタ）７クリレート等を反応させ
て得られたウレタン（メタ）アクリレート等も有効であ
る。ユ個以上のインシアナト基を有する化合物としては
ヘキサメチレンジイソシアナート、トリレンジイソシア
ナート、インホロンジイソシアナート、キシリレンジイ
ソシアナート、り、り′−ジイソシアナー　トジフェニ
ルメタン等があり、これらのウレタン（メタ）アクリレ
ート等については、特願昭５サ−ｇｏｌＩｑｓ号明細書
に詳しい。これらのウレタン（メタ）アクリレートを用
いると、構造式（１）で示される化合物の耐メッキ性に
対する効果がさらに増大することは特鹸に値する。さら
に用いることのできる七ツマ−として、フタル酸、アジ
ピン酸、マロン酸等のジアリルエステルや、ジビニルサ
クシネート、ジビニルアジペート、ジビニルフタレート
等のジビニルエステル類、アシッドホスホオキシジエチ
ルメタクリレート、３−７０ローコ−７シツドホスホキ
シプｐビルメタクリレート、コービス（メタクリロキシ
エチル）ホスフェート、コービ７．（アクリロキシ）ホ
スフェート等がある。

これら七ツマ−の量としては、１０％ないし９？チ　が
好ましく、さらには、２０’％ないし３０％が好ましい
。以上の七ツマ−をコ種以上用いることも制限するもの
で社ない。

光反応性組成物に有用な光重合開始剤又は増感剤は一般
に使用されるもので良いが、エチレン性不飽和化合物の
重合に適するものは、アントラキノン、コーメチルアン
トラキノン、コーエチルアントラキノン等のアントラキ
ノン誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル等のベンゾイン誘導体、りｐ
ルチオキサントン、ジイソプロピルチオキサントン等の
チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン、フェナントレ
ンキノン、ミヒラーケトン（＋、ｌＩ’−ビス（ジメチ
ル７ミノ）ベンゾフェノン）である◎これら光重合開始
剤等の使用量に制限はないな好ましくはｏ、ｏ２９ｂな
いし１３％、さらに好ましくは０．　／　％ないし１０
チである。

又、本発明の組成物には、熱可塑性有機重合体バインダ
ーが含まれることが好ましく、それらとしてはエチレン
性不飽和化合物と相溶性のあるものが使用されるため、
その組合わせは自ずと決まってくるが、本発明に使用さ
れるバインダーは、ポリメチルメタクリレート、ポリス
チレン、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、ポリビ
ニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブ
チラール、ポリアクリル酸等のビニルモノマーの重合物
及び共重合体が好ましい。その使用量として社１．ｔ％
ないしｇθチが好ましく、さらに好ましくれ一〇％ない
し４０％である。ソルダーレジストとして本組成物を用
いる場合はバインダーは用いないか、もしくは少量用い
ることが推奨される。

他に、光反応性組成物の貯蔵時の熱重合を防止するため
の重合禁止剤、レジストを見易くするための染料、顔料
、光感応性変色剤、物理的・化学的性質を改良するため
の可塑剤、難燃剤等を使用しても差支えない。ここで、
染料としては、例えばベーシック・ピュアー・ブルーＢ
Ｏ，マラカイト・グリーン、ビクトリア・ブルー、ブリ
リアント・グリーンＧＸ　等の塩基性染料や各種油溶性
染料が挙げられる。

本発明の光反応性組成物を基板上に製膜する方法として
社、該組成物の溶液を基板上に塗布し乾燥する方法と、
適当なフィルム上に塗布し乾燥して得られた積層体を基
板に積層する方法がある。

徒者の積層体は一般にドライフィルムと称されているが
、二層のフィルムに感光性組成物がサンドインチ状には
さまれた構造のものが多く、基板への積層時に社、一方
のフィルムを剥離しながら積層する。この剥離フィルム
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン
や、特願昭５ｇ−７１，１９０号明細書に開示されてい
る剥離性フィルムがある。積層されたレジストの上には
、もう一方のフィルムである支持フィルムと称されるフ
ィルムで覆われているが、一般には、この上にマスクを
密着させ露光する。この支持フィルムとしては、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリメ
タクリル酸メチル、ポリアク−リロニトリルやこれらの
共重合体からなるフィルムが挙げられるが、特に用いる
現像液に溶解する材料を用いると、工程の自動化や剥離
時における画像の浮きがない等の利点を有していること
が特開＠ｓａ−ｉｇ’ｒ、ｙコ号公報に開示されている
。

感光層の積層に続く工程を簡単に述べる。即ち必要なら
ば、支持フィルムを剥離し、ハーフトーン画像、プロセ
ス陰画、又は陽画を通して活性光により画像露光する。

次に、これを適当な現像液、例えば／、　／、　／　−
）リクロルエタンを用いて未露光部を除去し、基板上に
画像パターンを形成する。

そして、この基板を例えば塩化第二鉄溶液、銅アンモニ
ア溶液、塩化第二銅溶液、過硫酸アンモニウム溶液等を
用いて露出銅面を溶解して銅の画像パターンを形成する
か、あるいはハンダメッキを施してハンダのノ（ターン
を形成する方法が代表的ブーセスであるが、メッキ工程
では、まず銅面を化学的もしくは電気化学的処理を行な
った後、硫酸鋼やピロリン酸等を用いた銅メッキ、さら
にハンダメッキを行なうが、本発明の組成物を用いるこ
とにより、基板、特に銅面に対する密着性が向上し、メ
ッキもぐりに著しい改善が見られた。これらの性能の評
価方法については、実施例中に詳しく述べるが、銅面密
着性は銅面に積層された感光層を露光前に引張り試験器
を用いて剥離してその剥離力を測定することによりめる
。又、耐メッキ性については、画像を形成させた後、メ
ッキ前処理−銅メッキ−ハンダメッキを行なった後、ま
ず外観検査によりレジスト部にメッキ液、メッキ金属の
もぐりの有無を確認する。さらにテープ剥離試験を行な
ってレジストの剥離を試験する。

このテープ剥離試験は極めて過酷な試験であり、若干の
剥離が見られても現実の使用には問題ない。

勿論、より高い信頼性を追求する場合は、全く剥離しな
いことが要求される。

さらに、ソルダーレジストとして使用する場合は、この
組成物を印刷もしくは塗布、又はドライフィルムを用い
た積層法等によりプリント回路板上に積層せしめ、直接
又は必要ならばマスクを通して露光を行ない、必要なら
ば現像を行ない、硬化レジストパターンを形成していく
。その後、例えばコＳＯ℃ないし２７０℃のハンダ浴に
１０数秒の間接触させ部品の端子にハンダ付けを行なっ
ていくが、この場合もハンダもぐりの面で良好な結果を
得た。

さらに本組成物け、印刷インキ、印刷板、フナｌエツチ
ングによる精密部品、精密パターン板の製作等にも応用
可能なものである。

以１：に、実施例を示す。

参考例／ 滴下ｐ斗、温度側及びかきまぜ機を備えた一ｌ容の四ツ
ロフラスコに、トリレンジイソシアナー）　／７１１９
と、乾燥メチルエチルケトン／！ｊ；３９及びジブチル
スズジラウレート　０ｇりを加え、かきまぜながうｂｓ
ｂｙのペンタエリトリトールトリアクリレート（東亜合
成化学工業株式会社製アｐエックスＭ−，７ｏｚ）と、
ｋＯｆのメチルエチルケトンの混合液を、内温が３Ａｒ
℃を超えないように滴下した。滴下後もグθ℃で３ｇ時
間かきまぜを続け、赤外吸収スペクトルで２２７０ｔｗ
ｒ−”付近のインシアネーｌ基の特性吸収がほぼ消失し
たことを確認した。

次に、　／にθ２のメチルエチルケトンを加えた。この
混合物をモノマー／と称する。

参考例コ 参考例１で用いた四ツロフラスコに、ヘキサメチレンジ
イソシアナート１００ｆ、ジブチルスズジラウレート０
．／２９．メチルエチルケトンダθｔを加え、かきまぜ
なからコＯｆのポリエチレングリコール（平均分子量−
〇〇のもの）を２時間かけて滴下した。この間水浴の温
度と滴下速度を調節することにより、内温かダＯ℃を超
えないようにした。さらにダＯ℃で１時間かきまぜた後
、アクリル酸コーヒドロキシエチル／３’ｌｔを、内温
が弘Ｏ℃を超えないように滴下した。その後、ｌＩＯ℃
で４ｔｇ時間かきまぜたのち、／３θｆのメチルエチル
ケトンを加え均一溶液とした。この混合物をモノマーコ
と称する。

実施例１ ３００−のセバラズルフラスコに、溶剤として１００９
のメチルエチルケトンを入れ、バインダーとしてデルペ
ラ）　８；ＯＮ（旭化成工業株式会社製ポリメタクリル
酸メチル）を加え、７０℃に加熱して均一溶液とする。

ここに、参考例１で調製したモノマーｌをモノマーとし
て６＆６ｆ加え、さらに開始剤としてベンゾフェノン３
２％　ミヒラーズヶトンθ／１．染料としてベーシック
・ピュアー・ブルーＢＱを０．　／　を加え均一混合溶
液を調製した。

この溶液全量を以下混合液−／と称する。

混合液−／にコーメルヵブトチアゾリンを。Ｓ２加え均
一とした後、ブレードコーターを用い、３ｔμのポリエ
チレンフィルムにこの混合溶液を塗工し６０℃で３ｏ分
間乾燥し厚さ左ｏμのレジスト膜を形成せしめ、２３μ
の配向ポリスチレンフィルムをレジスト表面にローラー
で張り合わせ、ドライフィルムレジストを作成した。次
に、このドライフィルムレジストな整面した銅張積層板
（ガラスエポキシ基板）にポリエチレンフィルムを剥離
しなからＡＬ−７θθ型ラミネーター（旭化成工業株式
会社製）を用い、９１１１）℃で加圧積層させた。

この積層体を３枚作成した。その内７枚のレジスト面を
ａ、ｔｍ幅に切りインストロン万能試験器を用い、レジ
ストを銅面がら剥離するのに要するカを室温で測定した
。この値を銅面密着力と定義するが、１０！；０９／２
！ｒｍであった。次に、他のコ枚の積層体のレジスト面
に２００μのポジラインが１０００μ間隔で描かれたマ
スクを密着させ／　００　ｍＪ／ｃｒｌ　の強度で高圧
水銀灯を用いて露光した。次に、クロロ七ンで現像を行
ない未露光部（画線部）を溶解除去した。その後、メッ
キ前処理液として“ニュートラクリーンＣ″を用いた下
記の条件Ａでメッキ前処理を行なった後、７枚は硫酸銅
メッキ（条件Ｄ）、他の７枚はビロリン酸銅メッキ（条
件Ｅ）を行なった。次に、それぞれの板を水洗後、ノー
ンダメツキ（条件Ｆ）を行なった。メッキされた画線の
縁にメッキもぐりは全く観察されなかった。

次に、透明粘着テープをレジスト表面に強く密着させ、
−気にテープを剥離したが、レジストの剥離は全く観察
されなかった（この試験を以下テープ剥離試験と称する
）。

実施例コ 実施例１で調製した混合液−／にダーフェニルーコーメ
′ルカプトチアゾールを０．７９加え、実施例／と同様
の方法でレジス・ト／銅張積層板からなる積層体）を３
枚作成した。７枚を用い銅面密着力を測定したところ７
！ｒＯｆ／コ慣であった。他のコ枚に実施例１と同様に
画像を形成し、７枚はメッキ前処理液として　“ニュー
トラクリーンＣ”を用い条件Ａで処理し、他の７枚は　
“Ｌ　（Ｂ”を用い条件Ｂで前処理をして条件りで硫酸
銅メッキ、さらに条件Ｆでハンダメッキな行なった。メ
ッキもぐりはな〈実施例／と同様の剥離試験でもレジス
トの剥離は、全く観察されなかった。

比較例／ −実施例／で調製した混合液−／を用い、実施例１と全
く同様の操作で試験サンプルを調製した０銅面密着力は
Ｋ　Ｏｔ７２ｓ　ｍ＋であり、条件Ａ−条件Ｄ−条件Ｆ
の操作を行なったものは、メッキもぐりは見られＡかっ
たが、テープ剥離試験では画線の縁のレジストが所々０
．　！；　ａの幅で剥離した。さらに条件Ａ−Ｅ−Ｆの
操作を行なったものは、メンキされた画線の両側のレジ
スト部が変色しており、メッキもぐりが観、察された。

さらにテープ剥離試験を行なったところ、画線間のレジ
スト部分の°はとんどが剥離した。

比較例λ 混合液−７に０５ｔのベンゾトリアゾールを加え、実施
例−と同様の試験を行なった。銅面密着力は９００９７
２３箇であった。又、各メッキ争件でメッキを行なった
サンプルの外観、及びテープ剥離試験の結果を表／に示
す。

実施例３〜ｇ、比較例３、ダ 溶剤としてＡｊｌＦのメチルエチルケトン、バインダー
としてダθＶのデルペラ）７０Ｈ（旭化成工業株式会社
製）、七ツマ−として参考例コで調製したモノマーコを
ｑ２２、開始剤としてシイラブルビルチオキサントン２
？、Ｎ、Ｎ−ジメチル安息香酸メチルダｔ、染料として
グリーンＣ（三菱°化成工業株式会社製）をθ１５ｆ加
え、実施例１と同様に混合液を調製した（これを混合液
−３と称する）。この混合液−３に各種の密着剤を加え
、実施例１と同様の試験を行なった。結果を表コに示す
。

（以下余白） 実施例？ 溶剤として３０ｆの酢酸エチル、バインダーとしてＳＯ
ｔのデルペラ）　？ＯＨ（旭化成工業株式会社製）、モ
ノマーとしてトリメチロールプロパン）リアクリレー＞
　ヶＯｆ、開始剤としてベンゾフェノンｌＩｔ、ミヒラ
ーズケトン０．／左？、染料とし”Ｃブリリアント・グ
リーンＧＸＯ，／ｌを用い、実施例／と同様に混合液を
調製した（これを混合液−ｇと称する）。これにＯｋｆ
？のｌ−フェニル−一一メルカプトー／、　３．　’ｌ
−チアジアゾールを加え均一にした後、プレードコータ
ーを用い１．２＆μのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムにこの混合液を塗布し、６０℃で３０分間乾燥し、
厚さ３Ｓμのレジスト膜を形成し２Ｓμのポリエチレン
フィルムを張り合わせた。これを１００℃で加圧積層す
る以外は、実施例／と同様な操作及び試験を行なった。

銅面密着カケよｌダθ０９／２！ｌ１ｍであり、条件Ｂ
−Ｄ−Ｆで行なったメッキ試験では、メッキもぐり１」
見られず、テープ剥離試験でもダθ〜６０μ幅で極一部
画線の緑が剥離したにとどまった。

比較例Ｓ 実施例ざと同じ方法で調製した混合液−ｇに、０５ｔの
ベンゾトリアゾールを加え実施例ｇと同様の試験を行な
った。銅面密着力は９００１／２！ｒｔＮＭであり、か
１つ、メッキ試験は表３のようであった。

実施例ＩＯ エポキシエステル、３００１ｋ　（共栄社油脂製）ダ０
２とトリメチロールプロパントリアクリレ−）　４ｋｆ
とコーヒドロキシエチルメタクリレート／！ｒｔ　、　
／−クロルチオキサントン２２からなる混合液（これを
混合液−１０と称する）に／ｆのコーメルカブトチアゾ
リンを加え銅張積層板上にダθμの厚みで塗布し、高圧
水銀灯で／！ｒ００ｍＪ／ｃＪの露光を行なった。露光
後／ｍ幅で／　Ｏｘ／　０のりｐスカットを入れテープ
剥離試験を行なったが、１００個のマスはすべて剥離し
なかった。又、他の部分をコＳＳ℃のハンダ浴に／り秒
接触させたが、レジスト面のふくれケよ認められなかっ
た。

比較例６ 実施例１０で調製した混合液−／θを用い、実施例１０
　と同様の試験を行なった。１００個のクロスカットの
マスのうち１２個所は剥離し、ハンダ浴に接触後はレジ
ストのふくれが観察された。

備　考 実施例、比較例中のメッキ前処理条件、及びメッキ条件
は次のようである。

メッキ前処理条件 条件Ａ：シップレー・ファー・イースト社製［ニュート
ラ・クリーンＣＪＪｊ％水溶液にり。

℃で３分間浸漬。

争件Ｂ；マクダミッｒ社製「Ｌ３ＢＪ！ｒｏチ水溶液に
ｌＩＯ℃３分間浸漬後、１３チ過硫酸アンモニウム水溶
液に１分間、さらにｕ％希硫酸に２分間浸漬。

条件Ｃ：ダイヤフ［２ツク社製「オーカイトデθ」５チ
水溶液中で３０℃で２分間、ダＡ／ｄぜの電流密度で電
解脱脂後、／ｊチ過硫酸アンモニウム水溶液に１分、さ
らにコ０チ希硫酸に２分間浸漬。

条件Ｄ：ジャパンメタルフイニツシング社製「硫酸銅フ
ンク」を／？チ硫酸で３゜６倍に希釈したメッキ液中で
コＪ’Ａ／ｄＷ？の電流密度で室温下３０分メッキを行
なう。

榮件Ｅ；バーショー・材用社製「ピルトンコンク」の５
０％水溶液中で１１℃で３０分間ｕ　Ａ／ｄａ’の電流
密度でメッキを行なう。

条件Ｆ；マクダメツド社製のへンメメツキ液（錫／鉛＝
ダ／６）を用い、２　Ａ／ｄ　ｄの電流密度で７０分間
メッキを行なう。

特許出願人　旭化成工業株式会社 代理人弁理士　屋　野　透

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ｉ＞　（ａ）少なくとも一個の炭素−炭素二重結合を
   有し、光重合開始剤によって重合体を形成できる、非ガ
   ス状エテンン性不飽和化合物、 （ｂ）活性光によって活性化し得る光重合開始前（ｃ）
   構造式（Ｉ）で示される化合物 よりなる光重合性組成物。 又は−Ｎ＝　Ｃ２−であり、Ｃ１、Ｃ２は共に炭素でＣ
   １は７ Ｓと結合し、Ｃ２はＮと結合する。ＸＩ　、Ｘｚは水素
   又はＲ１為は水素又はＲ％為は水素、Ｒ，７ミＳ　−Ｃ
   Ｈ２Ｃ０ＯＨ、メルカプト基、フェニル基、Ｘ７は水素
   、Ｒ又はフェニル基、Ｒはアルキル基を示す。）