JPS60134443A - 半導体デバイス - Google Patents

半導体デバイス

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JPS60134443A
JPS60134443A JP59251438A JP25143884A JPS60134443A JP S60134443 A JPS60134443 A JP S60134443A JP 59251438 A JP59251438 A JP 59251438A JP 25143884 A JP25143884 A JP 25143884A JP S60134443 A JPS60134443 A JP S60134443A
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layer
insulating layer
connection terminal
terminal
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エーリツヒ、パンマー
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Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、突起状の金属接続端子と多層配線構造を備
える半導体デバイスに関する。
〔従来の技術〕
半導体電子回路は使用に描って他の回路部分と電気結合
されなければならないが、この結合は例えばはんだ付は
又は針金接続による。しかし損傷の危険があるためこの
結合は直接回路の半導体部品、例えばチップに対してで
はなぐ結合片に対して行なわれる。この結合片は例えば
マイクロパック構造の支持板上に設けられた接触前点で
あって、半導体技術において良く知られている。これに
よって半導体回路の半導体デバイスに直接機械的に干渉
する必要がなくなる。この場合にも必要となる接触班点
と半導体デバイス上の接続端子との結合は製造者の手に
よって総ての構成部品の接触形成と同じ工程段において
同時に行なわれる。この工程段は自動的テープボンディ
ングと呼ばれている。この場合半導体デバイスの接続端
子は金属突起の形であり、種々の材料で作られ、少（と
も最上層ははんだ付可能であるか熱圧着可能の層であり
、金で作られるか金層で被覆される。少くとも表面だけ
をはんだ付け可能の材料例えば金、銀または銅で作り、
錫又は鉛・錫合金で被覆することも可能である。又この
接続端子は半導体デバイスの縁端部の不活性領域にあっ
てもその能動領域にあってもよい。
複雑度が増し集積密度が上昇し７た結果デバイス内部の
信号と電位の伝達に対して多層配線構造が使用されるこ
とが多ぐなった。この構造によれば信号と電位の伝達は
一つの平面で行なわれず、酸化シリコン、窒化シリコン
、ポリイミド等の電気絶縁層で分離された多数の平面で
行なわれる。同じ信号を受けるか等しい電位が導かれる
個々の層間の結合は主としてそれぞれの接続端子の区域
で行なわれる。
従来の半導体技術の場合には第４図に示すように接続端
子にの基底面Ｇの下に次の層が重ねられる。
１、基底面Ｇの全体に亘る電気導体路層２，４゜６．８
゜ ２　基底面の下で大きな孔を持ちそこに導体路層４．６
．８の一部が置かれている絶縁層３，５Ｉ７゜ ３、最北部の導体路層８の」二にあって同じく基底面の
下に大きな孔を持つ表面安定化層９゜接続端子にの基底
面Ｇは最上部の表面安定化層９の表面においての接続端
子の水平波がりによって決まるものである。
公知功半導体デバイス製造技術によれば、絶縁層３，５
．７と表面安定化層９は始め全面的に設けられ、後から
取りつけられる接続端子にの基底面Ｇの一部分に対応し
て腐蝕除去され、そこに円筒形又は直方体形の接触孔が
作られる。この接触孔は、例えばアルミニウム、シリコ
ン又は銅を４チまで含むアルミニウム、チタンと白金と
金又は導電性のケイ化物から成る複合層に作られた多層
配線構造によって部分的に埋められる。
接続端子にの基底面Ｇの下においての多重層構造の最上
層として蒸着又はスパッタされた厚さ０工乃至２μＩ１
１の層Ｉ（が、導体路８ならびに表面安定化層９と接続
端子にの間の接着ならびに拡散防止用として設けられる
。接続端子に自体は例えば蒸着又は電解析出による全面
的の形成とフォトエツチングによって作られる。全面的
に蒸着した場合接続端子外の部分はエツチングによシ除
去される。
接続端子にの下には例えば金属導体路、ポリイミド層の
ような可塑変形可能な層と例えば窒化シリコン、各種の
シリコン酸化物から成る脆性層の多重層構造だけが存在
する。従って後で行なわれる接続端子の熱圧縮又ははん
だ付けによる接触形成に際してこの多重層構造の導体路
層４．６．８および絶縁層３．５．７の区域（＝加わる
高い圧力によシ接続端子の基底面Ｇの下で亀裂と破損が
発生し、半導体デバイスの信頼性を低下させあるいは不
良品とする。
−〔発明の目的〕 この発明の目的は、突起状の接続端子と多層配線を備え
る半導体デバイスに対してこれらの欠点を除去してｔ記
のような亀裂、破損等が発生しない信頼性の高い半導体
デバイスとすることである。
〔目的の達成手段〕
この目的は冒頭に挙げた種類の半導体デバイスに対して
特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構造を採用す
ることによって達成される。
〔効果〕
この発明によるデバイスにおいては接続端子の下の区域
に亀裂、破損の発生は絶縁層の適描な本＋Ｉ＋成によっ
て充分に阻止される。
この発明の種々の実施態様は特許請求の範囲第２項以下
に示されている。
〔実施例〕
第１図乃至第３図に示した実施例についてこの発明を更
に詳細に説明する。
第１図に示しだ実施例には、薄い接着層Ｈが下面に設け
られている突起状金属接続端子にとそれに接続された導
体路層２．４．６．８および絶縁層３，５．７が表面安
定化層９と共に設けられている。絶縁層３，５．７はい
ずれも接続端子にの基底面Ｇの縁端から基層１に引いた
鉛直投影線から少くとも５μｍだけ離れた点で終ってい
る。この発明による半導体デバイスの製造に際してはこ
の基層１例えば酸化物層の表面全体に例えばアルミニウ
ムの導体路層２を形成させ、その上に第１絶縁層３を全
面的に設ける。この層は例えばポリイミド樹脂から成る
もので、吹きつけによって作ることができる。後で設け
られる接続端子にの基底面Ｇの鉛直投影線Ｒの両側では
絶縁層３が例えばエツチングによって取り除かれ、絶縁
層３は投影１ＪｉｌＲから少くとも５μｍだけ離れて終
るようになる。ここで第２導体路層４を全面的に設ける
。
この層には絶縁層３のエツチングによって作られた縁端
において段が作られる。続いて導体路層４の上に絶縁層
５を全面的に設け、その絶縁層３の除去された部分の上
にある部分を除去する。導体路層４と絶縁層５の形成過
程に類似した製造過程を操り返すことにより必要な導体
路層の総てが半導体デバイス上に設けられる。最後に表
面安定化層９を設け、後で設けられる接続端子にの基底
面Ｇの下になる部分の基底面Ｇより小さい区域を除去す
る。これが終ると接着層Ｈと接続端子Ｋを設ける。導体
路の数は図面に示すように４層には限定されない。更に
図面に記入した接続端子、導体路層および絶縁層の寸法
は一例に過ぎない。このようにして一方では総ての導体
路層２　、４．６　。
８等が接続端子■（の下に置かれ、他方では絶縁層３．
５．７等が総て接続端子にや基底面Ｇの縁端の投影線Ｒ
から少くとも５μｍだけ離れて終る構造となる。
第２図と第３図に示しだ実施例も第１図の実施例と同様
な構成であるが、絶縁層３，５，７が基底面Ｇの鉛直投
影線Ｒから等しい距離に終らず、最低値を５μｍとする
種々の距離で終ってし）る。
【図面の簡単な説明】
第４図は公知の半導体デバイスの突起状接続端子部分の
断面を示し、第１図乃至第３図はそれぞれこの発明の異
る実施例の突起状接続端子部分の断面を示す。総ての図
面において に１：突起状接続端子、１　基層、２と４と６と８：導
体路層、３と５と７：絶縁層、９：表面安定化層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）多層配線構造の各導体路が所属する接続端子の基底
    面の下にある部分を除いて絶縁層によって互に電気的に
    分離され、この基底面が表面安定化層表面における接続
    端子の水平切断面の範囲内に限定されている半導体デバ
    イスにおいて、導体路間を分離する絶縁層（３゜５．７
    ）のそれぞれが、所属する接続端子（均の基底面（Ｇ）
    の縁端から引いた鉛直投影線（Ｒ）の外側で終っている
    ことを特徴とする突起状の金属接続端子と多層配線構造
    を備える半導体デバイス。 ２）各絶縁層＋３．５．７）の垂直投影線（１Ｎ）寸で
    の間隔が少くとも５μｍ１〕であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の半導体デバイス。 ３）総での絶縁層＋３．５．７１が投影線（１＜）から
    等距離の点で終っていることを特徴とする特許請求の範
    囲第２項記載の半導体デバイス。 ４）各絶縁層［３，５，７１が投影線（Ｒ）から異った
    距離の点で終っていることを特徴とする特許請求の範囲
    第２項記載の半導体デバイス。
JP59251438A 1983-11-30 1984-11-28 半導体デバイス Pending JPS60134443A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833343351 DE3343351A1 (de) 1983-11-30 1983-11-30 Halbleiterbauelement mit hoeckerartig, metallischen anschlusskontakten und mehrlagenverdrahtung
DE3343351.8 1983-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60134443A true JPS60134443A (ja) 1985-07-17

Family

ID=6215689

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JP59251438A Pending JPS60134443A (ja) 1983-11-30 1984-11-28 半導体デバイス

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JP (1) JPS60134443A (ja)
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4258382A (en) * 1978-07-03 1981-03-24 National Semiconductor Corporation Expanded pad structure
JPS5688339A (en) * 1979-12-21 1981-07-17 Hitachi Ltd Dhd-sealed semiconductor device
JPS609349B2 (ja) * 1980-10-20 1985-03-09 三菱電機株式会社 ダイナミック・ランダム・アクセス半導体メモリ装置

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DE3343351A1 (de) 1985-06-05
EP0144887A3 (de) 1985-07-17
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