JPS60128644A - 封止形電子部品装置の気密封止方法 - Google Patents
封止形電子部品装置の気密封止方法Info
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- JPS60128644A JPS60128644A JP23861583A JP23861583A JPS60128644A JP S60128644 A JPS60128644 A JP S60128644A JP 23861583 A JP23861583 A JP 23861583A JP 23861583 A JP23861583 A JP 23861583A JP S60128644 A JPS60128644 A JP S60128644A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体素子など電子部品を囲い体の加熱接
合により封止する、封止形電子部品装置の気密封止方法
に関する。
合により封止する、封止形電子部品装置の気密封止方法
に関する。
この種の封止形電子部品装置ｄとして、ガラス封止形半
導体装置の場合を、第１図に示す縦断面図により説明す
る。（１）は半導体装置で、次のように構成されている
。（２）は銀バンプ電極が設けられた半導体素子で、外
部電極（ａ）ｔ （４）により上下から固着挾持されて
いる。（５）はガラススリーブからなる囲い体で、外部
電極（３）、 （４）にはめられ溶着されて半導体素子
（２）を囲い気密封止している。
導体装置の場合を、第１図に示す縦断面図により説明す
る。（１）は半導体装置で、次のように構成されている
。（２）は銀バンプ電極が設けられた半導体素子で、外
部電極（ａ）ｔ （４）により上下から固着挾持されて
いる。（５）はガラススリーブからなる囲い体で、外部
電極（３）、 （４）にはめられ溶着されて半導体素子
（２）を囲い気密封止している。
上記半導体装置（１）の従来の気密封止方法は、次のよ
うにしていた。第１図のように、半導体素子（２）を挾
持した下、上外部電極（３） 、 （４）に囲い体（５
）をはめ、グラファイト製の下部加熱体（６）の保持穴
（６ａ）内に入れる。つづいて、グラファイト製の上部
加熱体（７）を上方から外部電極（４）のリードを貫通
穴（７ａ）に逃してかぶせる。環境を真空引きし、つづ
いて不活性ガス雰囲気にし、囲い体（５）内部に不活性
ガスを充てんする。図示を略したヒータにより下部加熱
体（６）、上部加熱体（７）を加熱する。この加熱は。
うにしていた。第１図のように、半導体素子（２）を挾
持した下、上外部電極（３） 、 （４）に囲い体（５
）をはめ、グラファイト製の下部加熱体（６）の保持穴
（６ａ）内に入れる。つづいて、グラファイト製の上部
加熱体（７）を上方から外部電極（４）のリードを貫通
穴（７ａ）に逃してかぶせる。環境を真空引きし、つづ
いて不活性ガス雰囲気にし、囲い体（５）内部に不活性
ガスを充てんする。図示を略したヒータにより下部加熱
体（６）、上部加熱体（７）を加熱する。この加熱は。
第２図に示す時間経過に対する温度曲線図のようにして
いた。
いた。
加熱により次第に温度が上昇し、約γｏｏ℃の高温にな
り、囲い体（５）をなすガラススリーブが外部電極（３
） 、 （４）に溶着して接合し、気密封止する。加熱
を止めると温度は次第に降下する。
り、囲い体（５）をなすガラススリーブが外部電極（３
） 、 （４）に溶着して接合し、気密封止する。加熱
を止めると温度は次第に降下する。
上記従来の方法では、半導体素子（２）、囲い体（５）
。
。
外部電極（３）、 （４） 、下部加熱体（６）及び上
部加熱体（７）に製造時に含まれ、さらに空気中から吸
着していた水蒸気、炭酸ガス、ナトリウム、金属イオン
等を含むガスが、封止時の加熱により多量に発生し、そ
のガスがそのまま封止形半導体装置（１）内に封止され
ることになっていた。このため、半導体装置（１）は漏
れ電流の増加、電気的特性の劣化増大などとなり、不良
品率が増加し信頼性が低下していた。
部加熱体（７）に製造時に含まれ、さらに空気中から吸
着していた水蒸気、炭酸ガス、ナトリウム、金属イオン
等を含むガスが、封止時の加熱により多量に発生し、そ
のガスがそのまま封止形半導体装置（１）内に封止され
ることになっていた。このため、半導体装置（１）は漏
れ電流の増加、電気的特性の劣化増大などとなり、不良
品率が増加し信頼性が低下していた。
この発明は、上記従来方法の欠点をなくするためになさ
れたもので、囲い体を外部電極に接合するだめの加熱を
、温度が上昇し始めてから、いったん、溶着封止温度よ
り下の高温度にとどめておき、真空乾燥してから、不活
性ガスの雰囲気にして囲い体内に不活性ガスを充てんさ
せ、接合温度に上昇し気密封止するようにし、漏れ電流
が小さく、電気的特性の劣化の少ない、信頼性の高い封
止形電子部品装置が得られる気密封正方法を提供するも
のである。
れたもので、囲い体を外部電極に接合するだめの加熱を
、温度が上昇し始めてから、いったん、溶着封止温度よ
り下の高温度にとどめておき、真空乾燥してから、不活
性ガスの雰囲気にして囲い体内に不活性ガスを充てんさ
せ、接合温度に上昇し気密封止するようにし、漏れ電流
が小さく、電気的特性の劣化の少ない、信頼性の高い封
止形電子部品装置が得られる気密封正方法を提供するも
のである。
以下、この発明の一実施例による気密封止方法を、次に
説明する。
説明する。
第１図のように、囲い体（５）がはめられ溶着前の半導
体装置（１）を下部、上部の加熱体（６＞ 、 （７）
に入れ、内蔵するヒータにより加熱する。この加熱は、
第３図に示す時間経過に対する温度曲線図のようにする
。まず、始めは、溶着封止温度７００℃より下の、各部
品の含有、吸着ガスが放出される高温度、例えば約５０
０℃に加熱するとともに、環境を真空引きすることによ
シ囲い体（５）内を真空状態にして数分間維持する。こ
れによシ、前記に説明したガスが放出される。つづいて
、純粋な不活性ガス雰囲気にし、囲い体（５）内部に不
活性ガスを大気圧又は正圧で充てんする。引きつづき、
加熱温度を約７００℃ニ上昇シ、囲い体（５）ｔ−外部
型ｆｉｉ（３） 、 （４）Ｋ溶着させ接合し封止する
。
体装置（１）を下部、上部の加熱体（６＞ 、 （７）
に入れ、内蔵するヒータにより加熱する。この加熱は、
第３図に示す時間経過に対する温度曲線図のようにする
。まず、始めは、溶着封止温度７００℃より下の、各部
品の含有、吸着ガスが放出される高温度、例えば約５０
０℃に加熱するとともに、環境を真空引きすることによ
シ囲い体（５）内を真空状態にして数分間維持する。こ
れによシ、前記に説明したガスが放出される。つづいて
、純粋な不活性ガス雰囲気にし、囲い体（５）内部に不
活性ガスを大気圧又は正圧で充てんする。引きつづき、
加熱温度を約７００℃ニ上昇シ、囲い体（５）ｔ−外部
型ｆｉｉ（３） 、 （４）Ｋ溶着させ接合し封止する
。
なお、上記実施例では、封止形電子部品装置として、ガ
ラス封止形半導体装置の場合を示したが、高温加熱によ
シ囲い体を接合して気密封止される他の挿の電子部品装
置の鴨合釦も適用できるものである。
ラス封止形半導体装置の場合を示したが、高温加熱によ
シ囲い体を接合して気密封止される他の挿の電子部品装
置の鴨合釦も適用できるものである。
また、上記実施例では、囲い体（５）としてガラススリ
ーブを用いたが、耐熱性の絶縁材で、外部電極に接合で
き気密封止するものであれば、他の部材を用いてもよく
、例えばセラミックススリーブを用い、高温接着剤、高
温ろう材などを使用し接合するようにしてもよい。
ーブを用いたが、耐熱性の絶縁材で、外部電極に接合で
き気密封止するものであれば、他の部材を用いてもよく
、例えばセラミックススリーブを用い、高温接着剤、高
温ろう材などを使用し接合するようにしてもよい。
以上のように、この発明の方法によれば、外部電極に囲
い体を接合するための加熱を、溶着封止温度より下の高
温度にしてとどめておき、真空乾燥してから不活性ガス
を囲い体内に充てんさせ。
い体を接合するための加熱を、溶着封止温度より下の高
温度にしてとどめておき、真空乾燥してから不活性ガス
を囲い体内に充てんさせ。
引続き、接合温度に上昇し気密封止するようにしたので
、不純物ガスがｆｌとんど除去されて封止され、漏れ電
流がわずかとなり、特性劣下が少なくなり、信頼性の高
い封止形電子部品装置が得られる。
、不純物ガスがｆｌとんど除去されて封止され、漏れ電
流がわずかとなり、特性劣下が少なくなり、信頼性の高
い封止形電子部品装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体装置が加熱体に入れられ加熱により囲い
体が接合されている状態を示す縦断面図、＠２図は従来
の気密封正方法を示す時間経過に対する加熱温度曲線図
、第３図はこの発明の一実施例による気密封正方法を示
す時間経過に対する加熱温度曲線図である。 １・・・封止形半導体装置、２・・・半導体素子、３゜
４・・・外部電極、５・・・囲い体、６．フ・・・加熱
体なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
体が接合されている状態を示す縦断面図、＠２図は従来
の気密封正方法を示す時間経過に対する加熱温度曲線図
、第３図はこの発明の一実施例による気密封正方法を示
す時間経過に対する加熱温度曲線図である。 １・・・封止形半導体装置、２・・・半導体素子、３゜
４・・・外部電極、５・・・囲い体、６．フ・・・加熱
体なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (3)
- （１）電子部品を両側から挾付は固着した１対の外部電
極に囲い体をはめて加熱接合し、上記電子部品を気密封
止する方法において、上記囲い体を上記各外部電極に接
合する加熱を、接合温度よυ下の高温度にとどめて真空
乾燥し、つづいて不活性ガスを入れ、引きつづき、接合
温度に上昇して囲い体を外部電極に接合し封止すること
を特徴とする封止形電子部品装置の気密封正方法。 - （２）電子部品は半導体素子からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の封止形電子部品装置の気密
封正方法。 - （３）囲い体はガラススリーブからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の封止形電子部
品装置の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23861583A JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23861583A JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128644A true JPS60128644A (ja) | 1985-07-09 |
| JPS6362899B2 JPS6362899B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=17032797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23861583A Granted JPS60128644A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 封止形電子部品装置の気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396023B1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Airtight sealing method and airtight sealing apparatus for semiconductor laser element |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23861583A patent/JPS60128644A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396023B1 (en) * | 1998-10-26 | 2002-05-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Airtight sealing method and airtight sealing apparatus for semiconductor laser element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362899B2 (ja) | 1988-12-05 |
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