JPH0245963A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0245963A JPH0245963A JP19687488A JP19687488A JPH0245963A JP H0245963 A JPH0245963 A JP H0245963A JP 19687488 A JP19687488 A JP 19687488A JP 19687488 A JP19687488 A JP 19687488A JP H0245963 A JPH0245963 A JP H0245963A
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- sealed
- semiconductor element
- semiconductor device
- dangling bond
- hydrogen gas
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- Pending
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に係り、特に、絶縁封止形といわ
れるパッケージ構造を存する半導体装置に関する。
れるパッケージ構造を存する半導体装置に関する。
従来から、この種の半導体装置の一例として、第１図で
示すような構造を有するものが知られている。この半導
体装置は所要の機能を有する半導体素子ｔを備えたもの
であって、この半導体素子ｌは絶縁基板２に形成された
凹部３内に配設されたうえ、この凹部３を密封する封止
部材としての蓋体４によって気密状に封止されている。
示すような構造を有するものが知られている。この半導
体装置は所要の機能を有する半導体素子ｔを備えたもの
であって、この半導体素子ｌは絶縁基板２に形成された
凹部３内に配設されたうえ、この凹部３を密封する封止
部材としての蓋体４によって気密状に封止されている。
そして、この蓋体４で封止された密封空間としての凹部
３内には、半導体素子ｌを腐食などから保護するための
窒素ガス（Ｎ２）が封入されるのが一般的となっている
。
３内には、半導体素子ｌを腐食などから保護するための
窒素ガス（Ｎ２）が封入されるのが一般的となっている
。
ところで、前記構成の半導体装置においては、半導体素
子１が配設された密封空間内にＮ２が封入されているに
もかかわらず、例えば、この半導体装置が宇宙関係機器
などに用いられることによって半導体素子１に放射線が
照射された場合には、半導体素子ｌの絶１ｔＩＩ！界面
に界面準位、いわゆるダングリングボンドが生成されて
しまい、半導体素子１の有する電気的特性が著しく劣化
してしまうことになっていた。
子１が配設された密封空間内にＮ２が封入されているに
もかかわらず、例えば、この半導体装置が宇宙関係機器
などに用いられることによって半導体素子１に放射線が
照射された場合には、半導体素子ｌの絶１ｔＩＩ！界面
に界面準位、いわゆるダングリングボンドが生成されて
しまい、半導体素子１の有する電気的特性が著しく劣化
してしまうことになっていた。
この発明は、このような不都合を解消するためになされ
たものであって、半導体素子に放射線の照射によるダン
グリングボンドが生成されても、このダングリングボン
ドを直ぐに消滅させることができ、半導体素子の有する
電気的特性の劣化を有効に防止することが可能な半導体
装置の提供を目的としている。
たものであって、半導体素子に放射線の照射によるダン
グリングボンドが生成されても、このダングリングボン
ドを直ぐに消滅させることができ、半導体素子の有する
電気的特性の劣化を有効に防止することが可能な半導体
装置の提供を目的としている。
この発明は、半導体素子が配設された絶縁基板。
と、密封空間を介して前記半導体素子を包囲する封止部
材とを備えてなる半導体装置において、前記密封空間内
に水素ガス（Ｎ２）を封入してなる構成に特徴を有する
ものである。
材とを備えてなる半導体装置において、前記密封空間内
に水素ガス（Ｎ２）を封入してなる構成に特徴を有する
ものである。
この発明によれば、半導体素子が配設された半導体装置
の密封空間内にＮ２が封入されているので、放射線の照
射によって半導体素子１の絶縁膜界面にダングリングボ
ンドが生成されても、密封空間から水素原子が供給され
、この水素原子がダングリングボンドをターミネイト（
ｔｅｒｎ＋１ｎａｔｅ ：埋める）して消滅させてし
まうことになる。
の密封空間内にＮ２が封入されているので、放射線の照
射によって半導体素子１の絶縁膜界面にダングリングボ
ンドが生成されても、密封空間から水素原子が供給され
、この水素原子がダングリングボンドをターミネイト（
ｔｅｒｎ＋１ｎａｔｅ ：埋める）して消滅させてし
まうことになる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置の概略構成
を一部破断して示す分解斜視図であって、この半導体装
置は所要の機能を有する半導体素子１を備えている。こ
の半導体素子ｌは、絶縁基板２に形成された凹部３の底
面に装着されたコバール合金などからなる金属板５を介
して配設されたものであって、この凹部３を密封する封
止部材としての蓋体４によって気密状に包囲して封止さ
れている。そして、蓋体４で封止された密封空間として
の凹部３内には、半導体素子１を腐食などから保護する
ための水素ガス（Ｎ２）が封入されている。なお、この
第・１図で示す本実施例に係る半導体装置の基本的な構
造については、その密封空間となる凹部３内に従来のＮ
２に代わるＨ、を封入した以外、従来例と何ら異なると
ころはない。
を一部破断して示す分解斜視図であって、この半導体装
置は所要の機能を有する半導体素子１を備えている。こ
の半導体素子ｌは、絶縁基板２に形成された凹部３の底
面に装着されたコバール合金などからなる金属板５を介
して配設されたものであって、この凹部３を密封する封
止部材としての蓋体４によって気密状に包囲して封止さ
れている。そして、蓋体４で封止された密封空間として
の凹部３内には、半導体素子１を腐食などから保護する
ための水素ガス（Ｎ２）が封入されている。なお、この
第・１図で示す本実施例に係る半導体装置の基本的な構
造については、その密封空間となる凹部３内に従来のＮ
２に代わるＨ、を封入した以外、従来例と何ら異なると
ころはない。
ところで、この絶縁基板２は、機械的強度が高く、かつ
、良好な熱伝導性を有するアルミナのようなセラミック
材料からなっており、矩形平板状に形成された下側基板
２ａと、これと同形状で中央位置に凹部３となる開口が
形成された上側基板２ｂとが互いにガラスのような溶着
封止材６を介して一体化されることによって構成されて
いる。
、良好な熱伝導性を有するアルミナのようなセラミック
材料からなっており、矩形平板状に形成された下側基板
２ａと、これと同形状で中央位置に凹部３となる開口が
形成された上側基板２ｂとが互いにガラスのような溶着
封止材６を介して一体化されることによって構成されて
いる。
また、蓋体４は、コバール合金からなる金属板に金メツ
キを施してなるものであり、その周縁に形成された半田
層７が凹部３の外周縁に装着されたコバール合金製の金
属板８に対して半田付けされることによって取りつけら
れる。さらにまた、第１図における符号９．・・・は絶
縁基板２の両側部を貫通して内部から外部まで延出され
たリード端子であり、各リード端子９の内端部と半導体
素子１に配設された電橋（図示していない）のそれぞれ
とは互いに金やアルミニウムなどからなる内部リード線
１０．・・・を介して接続されている。
キを施してなるものであり、その周縁に形成された半田
層７が凹部３の外周縁に装着されたコバール合金製の金
属板８に対して半田付けされることによって取りつけら
れる。さらにまた、第１図における符号９．・・・は絶
縁基板２の両側部を貫通して内部から外部まで延出され
たリード端子であり、各リード端子９の内端部と半導体
素子１に配設された電橋（図示していない）のそれぞれ
とは互いに金やアルミニウムなどからなる内部リード線
１０．・・・を介して接続されている。
つぎに、上記構成とされた半導体装置の製造手順、すな
わち、半導体素子１の封止手順について、第２図で示す
一例としての半導体製造装置を用いて説明する。
わち、半導体素子１の封止手順について、第２図で示す
一例としての半導体製造装置を用いて説明する。
まず、凹部３内に半導体素子１が配設された絶縁基板２
と、その凹部３を密封するように載置された蓋体４とを
、半導体製造装置を構成するチャンバー２０内に位置決
めしてセットする。そして、このチャンバー２０に連通
接続された排気管２１の中途部に配設された排気バルブ
２２を開操作し、チャンバー２０内の大気を排気して真
空とする。つぎに、この排気バルブ２２を閉操作したう
えで水素ガス（Ｈｚ）供給管２３の中途部に配設された
給気バルブ２４を開操作し、チャンバー２０の内圧力が
大気圧と同等となるまでＨｚを供給することによってチ
ャンバー２０内の雰囲気をＮ２に置換する。
と、その凹部３を密封するように載置された蓋体４とを
、半導体製造装置を構成するチャンバー２０内に位置決
めしてセットする。そして、このチャンバー２０に連通
接続された排気管２１の中途部に配設された排気バルブ
２２を開操作し、チャンバー２０内の大気を排気して真
空とする。つぎに、この排気バルブ２２を閉操作したう
えで水素ガス（Ｈｚ）供給管２３の中途部に配設された
給気バルブ２４を開操作し、チャンバー２０の内圧力が
大気圧と同等となるまでＨｚを供給することによってチ
ャンバー２０内の雰囲気をＮ２に置換する。
そののち、チャンバー２０の外周部に配設されたヒータ
２５．・・・によってチャンバー２０を介して半導体装
置を加熱し、絶縁基板２と蓋体４とを半田付けによって
互いに密着させる。その結果、蓋体４で封止された絶縁
基板２の凹部３の内部、すなわち、密封空間内にＮ２が
封入されたうえ、半導体装置として完成することになる
。
２５．・・・によってチャンバー２０を介して半導体装
置を加熱し、絶縁基板２と蓋体４とを半田付けによって
互いに密着させる。その結果、蓋体４で封止された絶縁
基板２の凹部３の内部、すなわち、密封空間内にＮ２が
封入されたうえ、半導体装置として完成することになる
。
以上説明したように、この発明に係る半導体装置におい
ては、半導体素子が配設された密封空間内に水素ガス（
Ｎ２）を封入しているので、放射線の照射によって半導
体素子の絶縁膜界面にダングリングボンドが生成された
としても、密封空間から半導体素子内部に供給された水
素原子がダングリングボンドをターミネイトする結果、
このダングリングボンドが消滅することになる。したが
って、半導体素子の絶縁膜界面に従来例のようなダング
リングボンドが生成されることがなくなる結果、半導体
素子の有する電気的特性の劣化を有効に防止することが
できる。
ては、半導体素子が配設された密封空間内に水素ガス（
Ｎ２）を封入しているので、放射線の照射によって半導
体素子の絶縁膜界面にダングリングボンドが生成された
としても、密封空間から半導体素子内部に供給された水
素原子がダングリングボンドをターミネイトする結果、
このダングリングボンドが消滅することになる。したが
って、半導体素子の絶縁膜界面に従来例のようなダング
リングボンドが生成されることがなくなる結果、半導体
素子の有する電気的特性の劣化を有効に防止することが
できる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置の概略構成
を一部破断して示す分解斜視図であり、第２図は半導体
装置の製造に際して用いられる半導体製造装置の概略構
成を示す断面図である。 図における符号ｌは半導体素子、２は絶縁基板、３は凹
部（密封空間）、４は蓋体（封止部材）である、なお、
図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する部分を
示している。
を一部破断して示す分解斜視図であり、第２図は半導体
装置の製造に際して用いられる半導体製造装置の概略構
成を示す断面図である。 図における符号ｌは半導体素子、２は絶縁基板、３は凹
部（密封空間）、４は蓋体（封止部材）である、なお、
図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する部分を
示している。
Claims (1)
- （１）半導体素子が配設された絶縁基板と、密封空間を
介して前記半導体素子を包囲する封止部材とを備えてな
る半導体装置において、 前記密封空間内に、水素ガスを封入したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19687488A JPH0245963A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19687488A JPH0245963A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245963A true JPH0245963A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16365087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19687488A Pending JPH0245963A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245963A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156325A (en) * | 1989-12-25 | 1992-10-20 | Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. | Vapor reflow type soldering method and apparatus therefor |
| JP2006098168A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
| JP2014143292A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | National Institute For Materials Science | 密封型窒化物半導体素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP19687488A patent/JPH0245963A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156325A (en) * | 1989-12-25 | 1992-10-20 | Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. | Vapor reflow type soldering method and apparatus therefor |
| JP2006098168A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
| JP2014143292A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | National Institute For Materials Science | 密封型窒化物半導体素子及びその製造方法 |
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