JPS60127282A - セラミツク基板表面の平滑化法 - Google Patents
セラミツク基板表面の平滑化法Info
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- JPS60127282A JPS60127282A JP23555683A JP23555683A JPS60127282A JP S60127282 A JPS60127282 A JP S60127282A JP 23555683 A JP23555683 A JP 23555683A JP 23555683 A JP23555683 A JP 23555683A JP S60127282 A JPS60127282 A JP S60127282A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、セラミックスの表面処理に係り、さらに詳し
くは、集積回路モジュール用のセラミック基板の表面粗
さを減少させる表面平滑化法に関する。
くは、集積回路モジュール用のセラミック基板の表面粗
さを減少させる表面平滑化法に関する。
従来技術：
集積回路モジュールは、平滑な基板上に回路のパターン
ニングを行って作製され、その基板として、シリコーン
基板、ガラス基板と共にセラミック基板が広く使用され
ている。セラミック基板は、無機化合物の微粉末を成形
後、高温下に焼結させて製造するため、シリコーン基板
、ガラス基板と比較して、セラミック基板表面は、添付
第１図中に示すごとく山と谷との段差が数ミクロンない
し数十ミクロンの凹凸のある粗い、平滑度の低いもので
ある。集積回路モジュールは、年々その集積度が高めら
れてきておシ、それに伴い回路パターンの幅が狭くなっ
ている。しかしながら、セラミック基板は、その平滑度
が低いため、回路パターンの幅に限界があり、そのため
集積度に限界を生じている。セラミック基板表面の平滑
化法として、機械的な研磨法が一般に採用されるが、高
硬度の無機化合物結晶の集合体である極く薄いセラミッ
ク基板の機械研磨は、結晶粒の欠損や、結晶粒界に添っ
てのクラックの発生を生じ易く、極めて困難であシ、歩
留シが悪い。そのため、機械研磨したセラミック基板は
極めて高価である。機械研磨法に代るセラミック基板表
面の平滑化法として、セラミック基板表面に少なくとも
１種の非重合体シリコン化合物を含有する液状の被覆組
成物を被覆して乾燥し、加熱焼成する方法が特開昭５５
−７５９８１号公報に提案されている。該方法において
は、酸化ケイ素被膜をセラミック基板表面に形成させて
平滑化を行うものであるが、該方法では酸化ケイ素被膜
しか得られず、セラミック基板との組成の差違により問
題を生ずる恐れがある。また、該方法で使用される非重
合体シリコン化合物は、不安定であり、大気中の水分を
吸収して容易に加水分解し、被覆組成物が白濁化し易く
、また、被覆組成物に被膜形成性を付与する目的で添加
さのゲル化の原因となυ、被覆組成物を不安定なものと
している。
ニングを行って作製され、その基板として、シリコーン
基板、ガラス基板と共にセラミック基板が広く使用され
ている。セラミック基板は、無機化合物の微粉末を成形
後、高温下に焼結させて製造するため、シリコーン基板
、ガラス基板と比較して、セラミック基板表面は、添付
第１図中に示すごとく山と谷との段差が数ミクロンない
し数十ミクロンの凹凸のある粗い、平滑度の低いもので
ある。集積回路モジュールは、年々その集積度が高めら
れてきておシ、それに伴い回路パターンの幅が狭くなっ
ている。しかしながら、セラミック基板は、その平滑度
が低いため、回路パターンの幅に限界があり、そのため
集積度に限界を生じている。セラミック基板表面の平滑
化法として、機械的な研磨法が一般に採用されるが、高
硬度の無機化合物結晶の集合体である極く薄いセラミッ
ク基板の機械研磨は、結晶粒の欠損や、結晶粒界に添っ
てのクラックの発生を生じ易く、極めて困難であシ、歩
留シが悪い。そのため、機械研磨したセラミック基板は
極めて高価である。機械研磨法に代るセラミック基板表
面の平滑化法として、セラミック基板表面に少なくとも
１種の非重合体シリコン化合物を含有する液状の被覆組
成物を被覆して乾燥し、加熱焼成する方法が特開昭５５
−７５９８１号公報に提案されている。該方法において
は、酸化ケイ素被膜をセラミック基板表面に形成させて
平滑化を行うものであるが、該方法では酸化ケイ素被膜
しか得られず、セラミック基板との組成の差違により問
題を生ずる恐れがある。また、該方法で使用される非重
合体シリコン化合物は、不安定であり、大気中の水分を
吸収して容易に加水分解し、被覆組成物が白濁化し易く
、また、被覆組成物に被膜形成性を付与する目的で添加
さのゲル化の原因となυ、被覆組成物を不安定なものと
している。
発明が解決しようとする問題点：
本発明は、セラミック基板の有する特性を損うことなく
、または、セラミック基板に特定の特性を付与すると共
に、セラミック基板表面の平滑化を行う方法を提供する
ことを、その目的とし、該方法で用いる安定な被膜形成
組成物を提供することを別の目的とする。
、または、セラミック基板に特定の特性を付与すると共
に、セラミック基板表面の平滑化を行う方法を提供する
ことを、その目的とし、該方法で用いる安定な被膜形成
組成物を提供することを別の目的とする。
問題点を解決するための手段：
本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意研究した結果
、金属に酸素が直接結合または配位した有機金属化合物
のモノマーもしくは、該モノマ ５ − と水とを反応させて得られるオリゴマーを含有する被膜
形成組成物が安定性に優れ、かつ該組成物を基板に塗布
し、加熱焼成した際に、金属酸化物のアモルファス被膜
の形成性に優れることに着目し、本発明を完成した。
、金属に酸素が直接結合または配位した有機金属化合物
のモノマーもしくは、該モノマ ５ − と水とを反応させて得られるオリゴマーを含有する被膜
形成組成物が安定性に優れ、かつ該組成物を基板に塗布
し、加熱焼成した際に、金属酸化物のアモルファス被膜
の形成性に優れることに着目し、本発明を完成した。
本発明は、セラミック基板表面に、有機金属化合物を含
有する有機溶剤溶液（ただし、有機金属化合物の金属種
がケイ素単独からなる場合を除く）を被膜形成組成物と
して塗布し、ついで加熱焼成して金属酸化物被膜を形成
させることを特徴とするセラミック基板表面の平滑化法
である。
有する有機溶剤溶液（ただし、有機金属化合物の金属種
がケイ素単独からなる場合を除く）を被膜形成組成物と
して塗布し、ついで加熱焼成して金属酸化物被膜を形成
させることを特徴とするセラミック基板表面の平滑化法
である。
本発明において、被膜形成組成物は、周期率表の第■族
ないし第Ｖ族に属する金属、たとえば１、−一５４≧１
、Ｙ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｓｉ、Ｔｉ 、Ｚｒ、 Ｇｅ
１ Ｓｎ、Ｎｂｑ Ｔａ５Ａｓ、 Ｓｂ等を金属種とす
る、下記一般式（１）％式％（１） （ここに、Ｍは、周期率表の第■族ないし第Ｖ族に属す
る金属原子の異種同種、 Ｘは、炭素数１〜８のアルコキシ基の異種同種、Ｙは、
２価の官能基を有するキレート化剤の残 ６− 基の異種同種を表し、 ｎおよびｍは、Ｏまたは正の整数であシ、かうｎ十ｍは
、金属原子Ｍの原子価である。）で表わされる、金属原
子Ｍに酸素が直接結合した金属アルカリ土類金属アルコ
キシドと水と反応させて得られる一〇（Ｍ・０＋結合を
有する重合度２〜２Ｏのオリゴマー類、金属アルコキシ
ドまたはそのオリゴマーと２価の官能基を有するキｔ／
−）化剤、たとえば、アセチルアセトン、ベンゾイルア
セトン等のβ−ジケトン類、アセト酢酸、プロピオニル
酪酸、ベンゾイル酢酸等のα−またはβ−ケトン酸類、
ケトン酸のメチル、エチル、プロピル、ブチル等の低級
アルキルエステル類、グリコール酸、乳酸、α−オキシ
酪酸、ヒドロアクリル酸、サリチル酸等のα−またはβ
−オキシ酸類、オキシ酸の低級アルキルエステル類なト
ドを反応させて得られる金属原子Ｍに酸素が直接配位し
た有機金属化合物類またはオリゴマー類の１種または２
種以上を含有する有機溶剤溶液（ただし、含有有機金属
化合物の金属種がケイ素単独からなる場合を除く）であ
る。２種以上の有機金属化合物は、金属種を異にする２
種以上、置換基を異にする２種以上、およびモノマーと
ポリマートの混合物のいずれであってもよい。前記一般
式（１）で表わされる有機金属化合物として、有機チタ
ン化合物を例にとると、テトラメトキシチタン、テトラ
エトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ
ブトキシチタン、ジメチルジイソプロポキシチタン、ジ
ェトキシジイソプロポキシチタン、ジェトキシジブトキ
シチタン、テトラジエチルヘキソキシチタン等の異種同
種の置換基を有するチタンアルコキシド類、チタンアル
コキシドと水とを反応させて得られる異種同種の直換基
を有する重合度２〜２０のチタンアルコキシド、・オリ
ゴマー類、ジイソプロポキシビスアセチルアセトナトチ
タン等のチタンアルコキシドとキレート化剤を反応させ
て得られる異種同種の置換基を有すル有機チタン化合物
類、およびチタンアルコキシド、”オリゴマーとキレー
ト化剤とを反応させて得られる異種同種の置換基を有す
る有機チタン化合物オリゴマー類が挙げられ、その他の
金属種の有機金属化合物として、前記チタンアルコキシ
ドのモノマー、オリゴマー、有機チタン化合物の千ツマ
−およびオリゴマーと同様の異種同種の置換基を有する
化合物類が挙げられる。被膜形成組成物に用いる有機溶
剤は、前記有機金属化合物類を溶解し得ものであればよ
く、たとえば、オクタン等の常温で液体の脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、トリクロロエチレン、パークロルエチレン、クロ
ロベンセｙ 等（Ｑハロゲン化炭化水素類、メタノール
、エタノール、イソプロパツール、ノルマルブタノール
等の低級アルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル等の有
機酸エステル類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセト
ン等のβ−ジケトン類、アセト酢酸、プロピオニル酪酸
等のケトン酸類、およびケトン酸の低級アルキルエステ
ル類を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で
用いてもよく、また２種以上の混合溶剤として用いても
よい。
ないし第Ｖ族に属する金属、たとえば１、−一５４≧１
、Ｙ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｓｉ、Ｔｉ 、Ｚｒ、 Ｇｅ
１ Ｓｎ、Ｎｂｑ Ｔａ５Ａｓ、 Ｓｂ等を金属種とす
る、下記一般式（１）％式％（１） （ここに、Ｍは、周期率表の第■族ないし第Ｖ族に属す
る金属原子の異種同種、 Ｘは、炭素数１〜８のアルコキシ基の異種同種、Ｙは、
２価の官能基を有するキレート化剤の残 ６− 基の異種同種を表し、 ｎおよびｍは、Ｏまたは正の整数であシ、かうｎ十ｍは
、金属原子Ｍの原子価である。）で表わされる、金属原
子Ｍに酸素が直接結合した金属アルカリ土類金属アルコ
キシドと水と反応させて得られる一〇（Ｍ・０＋結合を
有する重合度２〜２Ｏのオリゴマー類、金属アルコキシ
ドまたはそのオリゴマーと２価の官能基を有するキｔ／
−）化剤、たとえば、アセチルアセトン、ベンゾイルア
セトン等のβ−ジケトン類、アセト酢酸、プロピオニル
酪酸、ベンゾイル酢酸等のα−またはβ−ケトン酸類、
ケトン酸のメチル、エチル、プロピル、ブチル等の低級
アルキルエステル類、グリコール酸、乳酸、α−オキシ
酪酸、ヒドロアクリル酸、サリチル酸等のα−またはβ
−オキシ酸類、オキシ酸の低級アルキルエステル類なト
ドを反応させて得られる金属原子Ｍに酸素が直接配位し
た有機金属化合物類またはオリゴマー類の１種または２
種以上を含有する有機溶剤溶液（ただし、含有有機金属
化合物の金属種がケイ素単独からなる場合を除く）であ
る。２種以上の有機金属化合物は、金属種を異にする２
種以上、置換基を異にする２種以上、およびモノマーと
ポリマートの混合物のいずれであってもよい。前記一般
式（１）で表わされる有機金属化合物として、有機チタ
ン化合物を例にとると、テトラメトキシチタン、テトラ
エトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ
ブトキシチタン、ジメチルジイソプロポキシチタン、ジ
ェトキシジイソプロポキシチタン、ジェトキシジブトキ
シチタン、テトラジエチルヘキソキシチタン等の異種同
種の置換基を有するチタンアルコキシド類、チタンアル
コキシドと水とを反応させて得られる異種同種の直換基
を有する重合度２〜２０のチタンアルコキシド、・オリ
ゴマー類、ジイソプロポキシビスアセチルアセトナトチ
タン等のチタンアルコキシドとキレート化剤を反応させ
て得られる異種同種の置換基を有すル有機チタン化合物
類、およびチタンアルコキシド、”オリゴマーとキレー
ト化剤とを反応させて得られる異種同種の置換基を有す
る有機チタン化合物オリゴマー類が挙げられ、その他の
金属種の有機金属化合物として、前記チタンアルコキシ
ドのモノマー、オリゴマー、有機チタン化合物の千ツマ
−およびオリゴマーと同様の異種同種の置換基を有する
化合物類が挙げられる。被膜形成組成物に用いる有機溶
剤は、前記有機金属化合物類を溶解し得ものであればよ
く、たとえば、オクタン等の常温で液体の脂肪族炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、トリクロロエチレン、パークロルエチレン、クロ
ロベンセｙ 等（Ｑハロゲン化炭化水素類、メタノール
、エタノール、イソプロパツール、ノルマルブタノール
等の低級アルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル等の有
機酸エステル類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセト
ン等のβ−ジケトン類、アセト酢酸、プロピオニル酪酸
等のケトン酸類、およびケトン酸の低級アルキルエステ
ル類を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で
用いてもよく、また２種以上の混合溶剤として用いても
よい。
本発明において、セラミック基板表面に、有機 ９−
金属化合物を金属酸化物に換算して１〜１５重量％含有
する被膜形成組成物を、一様な塗膜厚さに塗布して乾燥
し、ついで１５０℃以上の温度に加熱焼成することによ
り、セラミック基板表面に金属酸化物被膜が形成される
と共に、セラミック基板表面の平滑化が行われる。セラ
ミック基板表面の粗さにもよるが、被膜形成組成物の塗
布、加熱焼成は２回以上繰返して行うことが好ましく、
繰返し回数が増加する程、添付第１図に示すごとく基板
表面の平滑度は向上する。被膜形成組成物中の有機金属
化合物濃度が低いと、１回の塗布加熱焼成で形成される
金属酸化物被膜の厚さが薄くなシ、セラミック基板表面
の粗さを解消するだめの塗布、加熱焼成の繰返し回数を
多くしなければならず、また、被膜形成組成物中の有機
金属化合物濃度が高いと１回の塗布で形成される該組成
物の塗膜厚さが厚くなシ、加熱焼成に際してクラック勢
の欠陥を生じ易くなるので好ましくない。好ましい被膜
形成組成物中の有機金属化合物濃度は、金属酸化物に換
算して１〜１５重ｉｔ％である。七１０− ラミック基板表面の平滑化は、被膜形成組成物の塗布、
加熱焼成により形成される金属酸化物被膜がアモルファ
ス被膜であることが好ましく、したがって、加熱焼成温
度は、有機金属化合物の種類によって異るが、１５０℃
以上好ましくは３００℃以上ないし、尚該金属酸化物の
結晶化温度以下が好ましい。金属酸化物の結晶化温度以
上の温度の加熱焼成では、結晶粒が成長し、逆に表面の
平滑度が損われる恐れがある。金属酸化物の結晶化温度
は、金属種により異るが、およそ１０００℃以下である
。被膜形成組成物にあらかじめ、ガラス質形成剤たとえ
ば無機または有機のアルカリ金属化合物、アルカリ土類
金属化合物、リン化合物、ホウ素化合物等を添加するこ
とにより、良好な金属酸化物のアモルファス被膜を形成
させることができる。セラミック基板表面への被膜形成
組成物の塗布法には特に制限はないが、均一な膜厚の塗
膜が得られ、かつ大量処理が可能なディッピング法が好
ましく採用される。
する被膜形成組成物を、一様な塗膜厚さに塗布して乾燥
し、ついで１５０℃以上の温度に加熱焼成することによ
り、セラミック基板表面に金属酸化物被膜が形成される
と共に、セラミック基板表面の平滑化が行われる。セラ
ミック基板表面の粗さにもよるが、被膜形成組成物の塗
布、加熱焼成は２回以上繰返して行うことが好ましく、
繰返し回数が増加する程、添付第１図に示すごとく基板
表面の平滑度は向上する。被膜形成組成物中の有機金属
化合物濃度が低いと、１回の塗布加熱焼成で形成される
金属酸化物被膜の厚さが薄くなシ、セラミック基板表面
の粗さを解消するだめの塗布、加熱焼成の繰返し回数を
多くしなければならず、また、被膜形成組成物中の有機
金属化合物濃度が高いと１回の塗布で形成される該組成
物の塗膜厚さが厚くなシ、加熱焼成に際してクラック勢
の欠陥を生じ易くなるので好ましくない。好ましい被膜
形成組成物中の有機金属化合物濃度は、金属酸化物に換
算して１〜１５重ｉｔ％である。七１０− ラミック基板表面の平滑化は、被膜形成組成物の塗布、
加熱焼成により形成される金属酸化物被膜がアモルファ
ス被膜であることが好ましく、したがって、加熱焼成温
度は、有機金属化合物の種類によって異るが、１５０℃
以上好ましくは３００℃以上ないし、尚該金属酸化物の
結晶化温度以下が好ましい。金属酸化物の結晶化温度以
上の温度の加熱焼成では、結晶粒が成長し、逆に表面の
平滑度が損われる恐れがある。金属酸化物の結晶化温度
は、金属種により異るが、およそ１０００℃以下である
。被膜形成組成物にあらかじめ、ガラス質形成剤たとえ
ば無機または有機のアルカリ金属化合物、アルカリ土類
金属化合物、リン化合物、ホウ素化合物等を添加するこ
とにより、良好な金属酸化物のアモルファス被膜を形成
させることができる。セラミック基板表面への被膜形成
組成物の塗布法には特に制限はないが、均一な膜厚の塗
膜が得られ、かつ大量処理が可能なディッピング法が好
ましく採用される。
発明の作用効果：
本発明において、セラミック基板表面への被膜形成組成
物の塗布、加熱焼成という極めて簡単な操作を繰返すこ
とによシ、添付第１図に示す如く、セラミック基板表面
の平滑度を市販のガラス基板と同程度にまで向上させる
ことができる。また、被膜形成組成物は溶液性であり、
それに含有される金属種およびその添加割合を適宜選択
することによシ、１種または２種以上の金属酸化物被膜
をセラミック基板表面に形成することができると共にそ
の平滑化を行うことができる。したがって、セラミック
基板組成と実質的に同一の組成の平滑化被膜を得ること
ができ、セラミック基板の特性を損う恐れがないばかシ
でなく、所望によシ、特定の化学的、機械的、光学的ま
たは電気的特性を該被膜に付与することができる。たと
えば、金属種として、チタン、タンタル等を選択するこ
トニより、耐蝕性に優れた表面硬度の高い、かつ高反射
率を有する被膜を形成することができ、また、スズとア
ンチモン、もしくはインジウムとスズまたはアンチモン
を選択することによシ導電性被膜を、チタンとジルコニ
ウムおよびガラス質形成剤として鉛化合物を選択するこ
とによシ高誘電性被膜を形成することができる。また、
本発明で使用する被膜形成組成物は、極めて安定であシ
、長時間の保存による変質が極めて少い。
物の塗布、加熱焼成という極めて簡単な操作を繰返すこ
とによシ、添付第１図に示す如く、セラミック基板表面
の平滑度を市販のガラス基板と同程度にまで向上させる
ことができる。また、被膜形成組成物は溶液性であり、
それに含有される金属種およびその添加割合を適宜選択
することによシ、１種または２種以上の金属酸化物被膜
をセラミック基板表面に形成することができると共にそ
の平滑化を行うことができる。したがって、セラミック
基板組成と実質的に同一の組成の平滑化被膜を得ること
ができ、セラミック基板の特性を損う恐れがないばかシ
でなく、所望によシ、特定の化学的、機械的、光学的ま
たは電気的特性を該被膜に付与することができる。たと
えば、金属種として、チタン、タンタル等を選択するこ
トニより、耐蝕性に優れた表面硬度の高い、かつ高反射
率を有する被膜を形成することができ、また、スズとア
ンチモン、もしくはインジウムとスズまたはアンチモン
を選択することによシ導電性被膜を、チタンとジルコニ
ウムおよびガラス質形成剤として鉛化合物を選択するこ
とによシ高誘電性被膜を形成することができる。また、
本発明で使用する被膜形成組成物は、極めて安定であシ
、長時間の保存による変質が極めて少い。
本発明は、セラミック基板表面の簡便表平滑化法、特に
特定の特性をも付与し得る平滑化法を提供するものであ
シ、その産業的意義は極めて太きい。
特定の特性をも付与し得る平滑化法を提供するものであ
シ、その産業的意義は極めて太きい。
以下、本発明を実施例により、さらに詳細に説明する。
ただし、本発明の範囲は下記実施例により何等限定され
るものではない。
るものではない。
実施例１
被膜形成組成物の調製：
ペンタエトキシタンタル： ４０ｆに７０％乳酸：３９
ｆおよび：ｘ−ＩＩ）−ル：３５５ｆｔを加え、６０℃
の温度下に１時間反応させ、Ｔａ２０５に換算した濃度
が５ｗｔ％の有機タンタル化合物： Ｔａ （ＯＥｔ
）ｎ（Ｌａｃ ）ｓ−ｎ（ただし、Ｅｔはエチル基、Ｌ
ａｃは乳酸残基を表す。）を含有する被膜形成組成物を
調製１３− した。
ｆおよび：ｘ−ＩＩ）−ル：３５５ｆｔを加え、６０℃
の温度下に１時間反応させ、Ｔａ２０５に換算した濃度
が５ｗｔ％の有機タンタル化合物： Ｔａ （ＯＥｔ
）ｎ（Ｌａｃ ）ｓ−ｎ（ただし、Ｅｔはエチル基、Ｌ
ａｃは乳酸残基を表す。）を含有する被膜形成組成物を
調製１３− した。
セラミック基板の平滑化処理：
１００ｍｍＸ １５０ｍＸ ２ｔｒａｎの、市販アルミ
ナ基板を前記調製した被膜形成組成物に浸漬し、２５ｃ
ｆｎ／分の引上げ速度で引上げた後、１５０℃の温度に
１０分間保持乾燥した。ついで、電気炉中で６００℃の
温度下に３０分間加熱焼成し、アルミナ基板表面にＴａ
２０５被膜を形成した。
ナ基板を前記調製した被膜形成組成物に浸漬し、２５ｃ
ｆｎ／分の引上げ速度で引上げた後、１５０℃の温度に
１０分間保持乾燥した。ついで、電気炉中で６００℃の
温度下に３０分間加熱焼成し、アルミナ基板表面にＴａ
２０５被膜を形成した。
さらに、２回被膜形成組成物の塗布および加熱焼成を前
記と同一条件で繰返し、Ｔａ２０５被膜により平滑化さ
れた表面を有するアルミナ基板を得た。
記と同一条件で繰返し、Ｔａ２０５被膜により平滑化さ
れた表面を有するアルミナ基板を得た。
薄膜段差測定器（小坂研究所製：ＥＴ−１０型）を用い
、供試アルミナ基板および平滑化処理の各回毎の表面平
滑度を触針０．５μｍＲ１荷重２０ｍｆ、測定速度４μ
ｍ／ｓｅｅの条件で測定した。
、供試アルミナ基板および平滑化処理の各回毎の表面平
滑度を触針０．５μｍＲ１荷重２０ｍｆ、測定速度４μ
ｍ／ｓｅｅの条件で測定した。
表面平滑度の測定結果を、市販のガラス基板の表面平滑
度と共に添付第１図中に示す。
度と共に添付第１図中に示す。
添付第１図から明らかな如く、平滑化処理を繰返す度数
が増加するに従い基板の表面平滑度が上昇する。
が増加するに従い基板の表面平滑度が上昇する。
１４−
実施例２
実施例１と同様にして、市販のセラミック基板の表面平
滑化処理を、種々の有機金属化合物を含有する被膜形成
組成物を用いて行った。
滑化処理を、種々の有機金属化合物を含有する被膜形成
組成物を用いて行った。
使用した被膜形成組成物、平滑化処理条件および表面平
滑度の測定結果を第１表中に示す。
滑度の測定結果を第１表中に示す。
第１表中において、表面平滑度は、最大内と最大釜との
段差をＡｍで表す０ 第１表中において、下記の略号を用いる。
段差をＡｍで表す０ 第１表中において、下記の略号を用いる。
Ｅｔ：エチル基
ＩＰｒ ：イソプロビル基
ｎＢｕ ：ノルマルブチル基
ＡＡニアセチルアセトン残基
ＭＡＡ：アセト酢酸メチル残基
ＥＡＡ ：アセト酢酸エチル残基
Ｌａｃ ：乳酸残基
１５−
第１図：実施例１で測定した基板の表面平滑度を表す曲
線 たて軸倍率５ＱＯ００倍 横 軸倍率 へ０００倍 〔使用符号〕 Ａ：市販ガラス基板 Ｂ：供試アルミナ基板 Ｃ：平滑化処理１回目 Ｄ：平滑化処理２回目 Ｅ：平滑化処理３回目 特許出願人 （４３０） 日本１達株式会社代理人（６
２８６）伊藤晴之 （７１２５）横山吉美 １７− 第１図
線 たて軸倍率５ＱＯ００倍 横 軸倍率 へ０００倍 〔使用符号〕 Ａ：市販ガラス基板 Ｂ：供試アルミナ基板 Ｃ：平滑化処理１回目 Ｄ：平滑化処理２回目 Ｅ：平滑化処理３回目 特許出願人 （４３０） 日本１達株式会社代理人（６
２８６）伊藤晴之 （７１２５）横山吉美 １７− 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板表面に、有機金属化合物を含有する
有機溶剤溶液（ただし、有機金属化合物の金属種がケイ
素単独からなる場合を除く）を被膜形成組成物として塗
布し、ついで加熱焼成して金属酸化物被膜を形成させる
ことを特徴とするセラミック基板表面の平滑化法。 ２、被膜形成組成物が、周期率表の第■族ないし第■族
に属する金属の下記一般式（１）％式％（１） （ここに、Ｍは、周期率表筒■族ないし第■族に属する
金属原子の異種同種 Ｘは、炭素数１〜８のアルコキシ基の異種同種Ｙは、２
価の官能基を有するキレート化剤の異種同種を表し、 ｎおよびｍは、０ｔたは正の整数であシ、かつｎ十ｍは
、金属原子Ｍの原子価である。）で表わされる金属原子
・Ｍに酸素が直接結合または配位した有機金属化合物の
モノマーもしくは該モノマーと水とを反応させて得られ
るオリゴマーの１種または２種以上を含有する有機溶剤
溶液（ただし、含有有機金属化合物の金属種がケイ素単
独からなる場合を除く）である特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ３、被膜形成組成物が、ガラス質形成剤を含有する特許
請求の範囲第１項記載の方法。 Δ、被膜形成組成物中の有機金属化合物の濃度が、当該
金属酸化物に換算して１〜１５重量％である特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ５、被膜形成組成物を塗布したセラミック基板の加熱焼
成温度が、１５０℃以上ないし、被膜形成組成物を加熱
焼成して得られる金属酸化物被膜の結晶化温度以下であ
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、セラミック基板表面への被膜形成組成物の塗布およ
び加熱焼成を２回以上繰返すことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ７゜セラミック基板表面に形成される金属酸化物被膜が
、１４種または２種以上の金属酸化物（ただし、酸化ケ
イ素単独の場合を除く）のアモルファス被膜である特許
請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23555683A JPS60127282A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | セラミツク基板表面の平滑化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23555683A JPS60127282A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | セラミツク基板表面の平滑化法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127282A true JPS60127282A (ja) | 1985-07-06 |
| JPH059392B2 JPH059392B2 (ja) | 1993-02-04 |
Family
ID=16987728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23555683A Granted JPS60127282A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | セラミツク基板表面の平滑化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841724A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS5841722A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS5841720A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23555683A patent/JPS60127282A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841724A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS5841722A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS5841720A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059392B2 (ja) | 1993-02-04 |
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