JPS60126838A - ひ化ガリウム単結晶ウエハの洗滌液および洗滌方法 - Google Patents
ひ化ガリウム単結晶ウエハの洗滌液および洗滌方法Info
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- JPS60126838A JPS60126838A JP23446183A JP23446183A JPS60126838A JP S60126838 A JPS60126838 A JP S60126838A JP 23446183 A JP23446183 A JP 23446183A JP 23446183 A JP23446183 A JP 23446183A JP S60126838 A JPS60126838 A JP S60126838A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はひ化ガリウム（ＧａＡｓ ） 単結晶ウェハの
洗滌液及び洗滌方法に関する。
洗滌液及び洗滌方法に関する。
ＧａＡｓ単結晶ウェハは、インゴットからスライシング
工程でウェハを切シ出した後、円形加工を行ない、続い
て、ラッピング及び、ポリシング工程で表面を研磨して
鏡面に仕上げる。その後、ポリシング工程で用いたワッ
クスの除去を行ない、ウェハ表面に付着したゴミを洗滌
、除去して出荷される。
工程でウェハを切シ出した後、円形加工を行ない、続い
て、ラッピング及び、ポリシング工程で表面を研磨して
鏡面に仕上げる。その後、ポリシング工程で用いたワッ
クスの除去を行ない、ウェハ表面に付着したゴミを洗滌
、除去して出荷される。
ウェハ表面に付着したゴミを洗滌除去する際に用いられ
る洗滌液には従来適当なものがなく、ゴミを除去するた
めには長時間の洗滌を行なうか又は複雑な洗滌を行なう
必要があった。
る洗滌液には従来適当なものがなく、ゴミを除去するた
めには長時間の洗滌を行なうか又は複雑な洗滌を行なう
必要があった。
本発明者等は、ゴミ除去能力の高い洗滌液及び洗滌方法
を開発すること目的として鋭意研究を重ねた結果本発明
に到達したものである。
を開発すること目的として鋭意研究を重ねた結果本発明
に到達したものである。
本発明の上記の目的は粒径が０．２８ｍ以上の微粒子の
含有量が／を当シク万個以下、バクテリアのコロニー数
が／ｌ当Ｆ）７０００個以下である水にＨＬＢ値が／グ
以上であるポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テルヲ０．／〜夕重量係溶解してなる洗滌液及び粒径が
θ９．２廁以上の微粒子の含有量が／を当りグ万個以下
、バクテリアのコロニー数が７を当り／ ０００個以下
である水に、ＨＴＬＢ値が／を以上であるポリオキシエ
チレンアルキルフェノールエーテルを０．／〜！重量係
、溶解して々る洗滌液の存在下ＫＧａＡｓ単結晶ウェハ
を布上で摩擦して洗滌する方法によって達せられる。
含有量が／を当シク万個以下、バクテリアのコロニー数
が／ｌ当Ｆ）７０００個以下である水にＨＬＢ値が／グ
以上であるポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テルヲ０．／〜夕重量係溶解してなる洗滌液及び粒径が
θ９．２廁以上の微粒子の含有量が／を当りグ万個以下
、バクテリアのコロニー数が７を当り／ ０００個以下
である水に、ＨＴＬＢ値が／を以上であるポリオキシエ
チレンアルキルフェノールエーテルを０．／〜！重量係
、溶解して々る洗滌液の存在下ＫＧａＡｓ単結晶ウェハ
を布上で摩擦して洗滌する方法によって達せられる。
本発明において、「ＨＬＢ値」とは次の式で定義される
。
。
ＨＬＢ＝７＋／／、７ｔｏｇＭｗ／Ｍ。
式中Ｍｗ： 親水性基の分子量
ＭＯ＝ 疎水性基の分子量
本発明に係る洗滌液に使用される界面活性剤としては、
ノニオン系界面活性剤でポリオキシエチレンアルキルフ
ェノールエーテル（Ｒｏ、６Ｈ４−０（−Ｃ！Ｈ２ＣＨ
２Ｑ−）−ｎＨ，Ｒ＝アルキル基〕であって、ＨＬＢ値
が／グ以上であることが適当である。
ノニオン系界面活性剤でポリオキシエチレンアルキルフ
ェノールエーテル（Ｒｏ、６Ｈ４−０（−Ｃ！Ｈ２ＣＨ
２Ｑ−）−ｎＨ，Ｒ＝アルキル基〕であって、ＨＬＢ値
が／グ以上であることが適当である。
なお、−・・―−−−―・−ａｓｓ＠−ＨＬＢ値が／弘
未満であると、ウェハ表面から乞 ゴミを完全に除去することは困難である。な−、また、
ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル以外の
ノニオン系界面活性剤、例えばポリエチレングリコール
モノステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル等ではＩ
（ＬＢ値が７１以上であっても十分な効果が発揮されな
い。
未満であると、ウェハ表面から乞 ゴミを完全に除去することは困難である。な−、また、
ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル以外の
ノニオン系界面活性剤、例えばポリエチレングリコール
モノステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル等ではＩ
（ＬＢ値が７１以上であっても十分な効果が発揮されな
い。
洗滌液は、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テルを濃度が０．／〜ｏ、ｒ重量％となるように水に溶
解する。水は、ゴミ等を含まないものが適当であって、
ｌｔ中の粒径００．２μｍ以上の微粒子の含有量がグ万
個以下、バクテリアのコロニー数が／ ０００個以下で
あるものが適当である。
テルを濃度が０．／〜ｏ、ｒ重量％となるように水に溶
解する。水は、ゴミ等を含まないものが適当であって、
ｌｔ中の粒径００．２μｍ以上の微粒子の含有量がグ万
個以下、バクテリアのコロニー数が／ ０００個以下で
あるものが適当である。
上記範囲外の水を用いると、ウェハからゴミを十分に除
去できず、また、ウェハ面に傷をつける等の問題が生じ
るので好ましくない。
去できず、また、ウェハ面に傷をつける等の問題が生じ
るので好ましくない。
本発明に係る洗滌液を用いてウェハを洗滌するには、ウ
ェハの研磨等に用いる布、不織布等で表面を覆った金属
板、ガラス板、すなわち、パッドに被洗滌ウェハを洗滌
液を流しながら押しつけて摩擦し々がら洗滌する。
ェハの研磨等に用いる布、不織布等で表面を覆った金属
板、ガラス板、すなわち、パッドに被洗滌ウェハを洗滌
液を流しながら押しつけて摩擦し々がら洗滌する。
洗滌液に浸漬して攪拌する等の方法では十分にゴミを除
去することができない。
去することができない。
本発明に係る洗滌液及び洗浄方法を用いると、表面に付
着するゴミを実質的に完全に除去することができる。、
マた。 ＧａＡｓ ウェハの表面にポリオキシエチレン
アルキルフェノールエーテルの薄膜が形成されるので水
切れがよく、また、ウニ八表面が空気から遮断されるの
で酸化されることもない。なお、上記薄膜はインプロパ
ツール、エタノール等の有機溶媒で表面を洗うことに説
明する。
着するゴミを実質的に完全に除去することができる。、
マた。 ＧａＡｓ ウェハの表面にポリオキシエチレン
アルキルフェノールエーテルの薄膜が形成されるので水
切れがよく、また、ウニ八表面が空気から遮断されるの
で酸化されることもない。なお、上記薄膜はインプロパ
ツール、エタノール等の有機溶媒で表面を洗うことに説
明する。
実施例
オキシエチレンノニルフェノールエーテル（ＨＬＢ／’
ｌ／）を濃度／、ＯＮ量％と一’ｘるように溶解して洗
滌液を調製した。この洗滌液の液温を、２３Ｃとした。
ｌ／）を濃度／、ＯＮ量％と一’ｘるように溶解して洗
滌液を調製した。この洗滌液の液温を、２３Ｃとした。
直径ｔｏｒｒｔｍのポリシング済みのＧ、ａＡｓ ウェ
ハのワックスを除去した後、上記洗滌液で表面を濡らし
た不織布を張った円板にウェハを押し付けて摩擦しなが
ら洗滌した。
ハのワックスを除去した後、上記洗滌液で表面を濡らし
た不織布を張った円板にウェハを押し付けて摩擦しなが
ら洗滌した。
２分間洗滌した後、超純水で該ウェハを水洗した。得ら
れたウェハを２万ルツクスのマイクロライドで照らして
ゴミの有無を検査したがゴミ゛の付着は観察されなかっ
た。また、ウェハの水切れも良好であった。
れたウェハを２万ルツクスのマイクロライドで照らして
ゴミの有無を検査したがゴミ゛の付着は観察されなかっ
た。また、ウェハの水切れも良好であった。
比較例／
ＨＬ Ｂ 値が７３であるポリオキシエチレンノニルフ
ェノールエーテルを用いたこと以外は実施例／と同様に
してＧａＡｓ ウェハを洗滌した。
ェノールエーテルを用いたこと以外は実施例／と同様に
してＧａＡｓ ウェハを洗滌した。
実施例１と同様にしてゴミの有無を検査したところ、ゴ
ミの付着数はど０個（ウェハ全面）であった。
ミの付着数はど０個（ウェハ全面）であった。
比較例２
ＨＬ Ｂ 値が／り、／であるポリエチレングリコール
モノステアレートをポリオキシメチレンノニルフェノー
ルエーテルの代りに用いたこと以外は実施例／と同様に
して洗滌した。実施例１と同様にしてゴーの有無を検査
したところゴミの付着数はｉｏｏ個（ウェハ全面）であ
った。
モノステアレートをポリオキシメチレンノニルフェノー
ルエーテルの代りに用いたこと以外は実施例／と同様に
して洗滌した。実施例１と同様にしてゴーの有無を検査
したところゴミの付着数はｉｏｏ個（ウェハ全面）であ
った。
また、ウェハ全面が水でぬれていた。
特許出願人 三菱モンサント化成株式会社三菱化成工業
株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 （ほか７名）
株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 （ほか７名）
Claims (2)
- （１）粒径０．２μｍ 以上の微粒子の含有量が／を当
り弘万個以下、バクテリアのコロニー数が／を当り／
０００個以下である水に、ＨＢｒ値が／グ以上であるポ
リオキシエチレンアルキルフェノールエーテルｔＯ，／
Ｓ−１重量％溶解してなるひ化ガリウム単結晶ウェハの
洗滌液。 - （２） 粒径０．２μｍ以上の微粒子の含有量が／を当
シ弘３個以下、バクテリアのコロニー数がＩｔ当シ／
０００個以下である水に、ＨＢｒ値がｌグ以上であるポ
リオキシエチレンアルキルフェノールエーテルを０．／
〜ｊ重量重量％ 所与て・る洗滌液の存在下にひ化ガリウム単結晶ウェハ
を布上で摩擦して洗滌することを特徴とするひ化ガリウ
ム単結晶ウェハの洗滌方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446183A JPS60126838A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | ひ化ガリウム単結晶ウエハの洗滌液および洗滌方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23446183A JPS60126838A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | ひ化ガリウム単結晶ウエハの洗滌液および洗滌方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60126838A true JPS60126838A (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=16971362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23446183A Pending JPS60126838A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | ひ化ガリウム単結晶ウエハの洗滌液および洗滌方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60126838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017152748A (ja) * | 2011-05-18 | 2017-08-31 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150972A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-24 | Wacker Chemitronic | Process for cleaning semiconductor substrate polished |
| JPS53121459A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Hitachi Ltd | Surface tereatment method for semiconductor element |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP23446183A patent/JPS60126838A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150972A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-24 | Wacker Chemitronic | Process for cleaning semiconductor substrate polished |
| JPS53121459A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Hitachi Ltd | Surface tereatment method for semiconductor element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017152748A (ja) * | 2011-05-18 | 2017-08-31 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板 |
| JP2019117959A (ja) * | 2011-05-18 | 2019-07-18 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャル成長用の化合物半導体基板の製造方法、化合物半導体基板上のエピタキシャル成長方法および化合物半導体基板。 |
| DE112012002127B4 (de) | 2011-05-18 | 2022-10-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleitersubstrats |
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