JPS60123889A - 情報記憶装置 - Google Patents

情報記憶装置

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JPS60123889A
JPS60123889A JP58232432A JP23243283A JPS60123889A JP S60123889 A JPS60123889 A JP S60123889A JP 58232432 A JP58232432 A JP 58232432A JP 23243283 A JP23243283 A JP 23243283A JP S60123889 A JPS60123889 A JP S60123889A
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JP
Japan
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bits
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Pending
Application number
JP58232432A
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Inventor
洋樹 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は情報記憶装置、特にマトリクス形式で表現さ
れるデジタル情報の記憶に用いられる情報記憶装置に関
するものである。
[従来技術] ドツト出力方式のプリンタやディスプレイで取扱う文字
パターン情報又は画面情報はいずれもドツトマトリクス
形式で表現することが可能で、これらは一般に文字パタ
ーンメモリ、あるいは画面メモリ等と称される情報記憶
装置に記憶され、この記憶された情報が文字の印刷や画
面の表示のために外部装置から供給される指令に基づい
て読出される。
これらの情報を記憶するために使用される情報記憶装置
は、所定の例えば1語32ビツトの書込み・読出しデー
タ幅と、それを単位とした複数語の記憶容量とを有し、
外部装置から指令されるアドレス指定に対応した1!i
tiごとに情報の書込み・読出しを行うのが普通である
。従って、情報記憶装置は−、般にドツトマトリクス形
式で表現される情報を、それを構成する行または列のい
ずれか一方を1語に対応させて記憶するように構成され
ており、情報の書込み・読出しは、行方向又は列方向の
いずれか一方のみに固定されている。このため、従来は
、例えばプリンタやディスプレイにおいて、正立文字と
これを90度面回転せた横向文字との両方を出力するた
めには、1文字について、行方向に読出し可能な文字パ
ターン情報と列方向に読出し可能な文字パターン情報と
を記憶してお(必要があり、正立文字又は横向文字の一
方のみを出力する場合に比較して2倍の記憶容量を有す
る記憶装置が必要であった。一方、画面情報を記憶する
情報記憶装置を有づ゛るプリンタやディスプレイでは、
文字パターン情報を当該画面情報記憶装置に書込む際に
文字の向きを回転させることができるが、例えば行方向
に読出した文字パターン情報を、同様に行方向のみに書
込み可能な画面情報記憶装置に列方向に変換して記憶さ
せるためには、読出した1詔の文字パターン情報を1ビ
ツトずつ順に画面情報記憶装置のアドレスの異なる語に
書込まなければらなず、極端な処理速度の低下を招く内
点があった。
[発明の概要] この発明は係る欠点を改善するためになされたもので、
マトリクス形式で表現される情報を1fテまたは1列に
対応する1語の単位として書込み・読出し可能に記憶部
を構成するにあたり、書込み・読出しデータ幅は11×
1ピツトの記憶器を複数個用い、この記憶部の書込み・
読出しデータ幅、すなわち1詔は各記憶器ごとに選択さ
れる1ビツトのデータを各記憶器の数だけ集めて構成さ
れる。
そして、前記記憶部を構成する記憶器のアドレスを、ア
ドレス制御部で前記各記憶器ごとに@″A+1に指定す
ることにより、前記記憶部の出込み・読出しデータの単
位である1語を構成する各ビットの配列順序を前記記憶
部への書込み時及び当該記憶部からの読出し時に変更す
ることにより、簡単な構成で、マトリクス形式の行方向
又Gよグj方向の(′%ずれの方向にも情報の書込み・
読出しが可能な情報記憶装置を提案するものである。
〔発明の実施例] 第1図はこの発明の1実施例を示すブロック図であり、
10は記憶部、12はアドレス制御部、14はビット位
置変換部、16はデータ選択部である。
記憶部10は書込み・読出しデータ幅が2″ビツトとな
るように、nX1ビツトの記憶容量を有する2″個例え
ばII+=2として4mの記憶器MI。
M2 、Mz 、M4・・・で構成されている。これら
の記憶器Mi (i =1.2・・・4)はICメモリ
で構成され、全ての同一のメモリ素子が適用されており
各記憶器Miには、それぞれ1ビツトづつのデータ入出
力端子及び記憶容量に相当する複数の2進アドレス入力
端子が設けられている。この場合、記憶部10を構成す
る4個の記憶器M+”−M4を4×4ビツトの領域に分
割したものの1つと、各記憶器のアドレス端子に供給さ
れる後述するアドレス信号の下位2ビツトとの対応関係
を第2図に示す。この図から明らかなように、各記憶器
M1〜M4はアドレス信号の値に応じて特定の1ビツト
が選択されるように構成されている。
アドレス制御部12は、外部装置h\ら供給されるアド
レス情報100を記憶部10に送出する機能を有するが
、アドレス情報100の下位mビット(この実施例では
下位2ビツト)につ(Xで&よ各記憶器Miごとに送出
し可能に構成されて0る。
すなわち、アドレス情報100のうち下位2ビツトは記
憶器Miに対してそれぞれアドレス(i号AS+ 、A
S2.Ass 、ASaとしてアドレス制御部12から
個別に送出される。アドレス情報100の残りのビット
は、アドレス信号ASOにより全ての記憶器1yliに
対して共通に供給される。
従って、アドレス信号ASoにより記憶部10の全記憶
領域を、2″×2″ビツトの領域に分?J した1つの
領域を指定することができる。
アドレス信号AS+〜AS4は、後述するように、書込
み・読出し方向によって、同一の値を取ることもあれば
、全て異なる値を取ることもある。
これは、外゛部装置から供給される書込み・読出し方向
指定信号102に基づきアドレスIII御部12で制御
される。
このア・ドレス制御部12の具体的構成は、第3図に示
すように、アンドゲート18a、18b 。
18c、18dと、オアゲート20a 、20bとによ
って構成されている。これらの各ゲートは、書込み・読
出し方向指定信号102が論理値“1″のとき、アドレ
ス情報100の下位2ビツトa1、aOを反転させ、ま
た書込み・読出し方向指定信号102が論理値II O
11の時、下位2ビットa、、aOをそのままal−1
aO−とじて出力するように接続されている。これらビ
ットalal−+aO又はao ′の4つのアドレス信
号は、al又はal−の一方とao 、はao −の一
方とを組合わせてできる4組の一対のアドレス信号AS
z〜ASaとして記憶器M+〜M4に送出される。この
ときのアドレス情報100の一部として供給される下位
じットa1、aOと、各記憶器Miに送り出されるアド
レス化@ A S +〜AS4及び書込み・読出し方向
指定信@102との関係を第4図に示す。
この図から容易に理解できるように、書込み・読出し指
定信号102が論理値1の時各記憶器M1〜M4には全
て異なるアドレス信号が送り出され、また書込み・読出
し指定信号102が論理値″゛O″の時は全く同じアド
レス信号AS+〜AS4が各記憶器M1〜M4に送り出
される。
ビット位置変換部14は、データ選択部16h)ら供給
される情報のビットの配列順序を変換するが、その変換
操作内容は、アドレス情報100の下位lビットの値に
よって一義的に決定される。
またビット位置変換部14は、後述するように一度変換
したデータに再度同一変換操作を繰返すと、これらの変
換を行う以前のデータに復元できるように構成されてい
る。これは、アドレス情報100の下位mビットで選択
される変換操作全てについて言にるこ1である。す゛な
わち、外部装置からの書込み情報104はビット位置変
換部14で第1回目の変換操作を施されて記憶部10に
記憶され、この記憶された情報を読出す際に再度ビット
位置変換部14で第2回目の変換操作を行うことにより
もとの情報に復元されて読出し情報106として外部装
置に供給される。
このビット位置変換部14の具体的構成は、′第5図に
示すように、2ビツトの制御信号によって4ビツトの入
力信号のうら1ビツトを選択して出力することができる
4個のデータ選択器CO。
C1,IC2,C4を有し、アドレス信号100の下位
2ビットa+、aO,によってデータ選択部16の出力
信号106のうち1ビツトを選択して記憶部10の入力
データ線22に出力するように構成されている。第6図
は、ビット位置変換部14の動作を示ず真理値表であっ
て、データ選択部16の出力信号106をDo〜D3、
ビット位置変換部14の出力をYO〜Y3でそれぞれ表
わし、アドレス情報の下位2ビットal、aoの値と、
DO〜D3及びYO〜Y3との関係を表示している。こ
の第6図を参照すると、例えばビットの配列順序がDo
、、DI 、D2 、[)3である1語の情報が第5図
のビット位置変換部14に供給され、この時のアドレス
情報の下位2ビツトal+aoが“01″であるとり−
ると、これがDI。
[)o 、D3 、D2となるビット配列を有する1詔
に変換されて出力される。また下位2ビツトal。
aOの値を変更することなく、DI 、Do 、Da 
D2のピット配列の出力データを再度ビット位置変換部
14に入力すると、これが前記配列変換と同様に配列順
序の入替えが行われるので、元のDo 、DI 、D2
.0aのピット配列を有する1語で復元できることが容
易に理解される。
次に動作について説明する。今、第7図(イ)に示す4
X4ドツトのマトリクスで表わされる情報の書込み又は
読出しを行う場合には、同図″(ロ)の又は(ハ)に示
す1行又は1列を1語として情報記憶装置と外部装置と
の間で情報の授受が行われる。そして、第7図(ロ)に
示した記憶すべき情報の行O′を行方向に記憶部1oに
書込むものとし、かつ行又は列番号とアドレス情報1o
oの下位2ビツトの値が等しくなるように、例えば行(
列)Oに対しia 1ao = ” O0−又ハ行(列
)3に対してa’ 、ao−1111uとなるようにア
ドレス化号が指定されたものとする。この状態で書込む
べき1語′Doo、 Do 1. Do 2 *DO3
は、書込み情報104としてデータ選択部16に供給さ
れる。この時書込み・読出し指定信4号108は外部装
置によって書込み情報104を選択するように駆動され
、その結果書込むべき1語は、ピット位置変換部14に
送り出される。アドレス情報の下位2ビットal、、a
oは、行Oの情報に対応してalao=“00”となる
から第6図に基づき書込むべき1語は何ら変換操作を受
けることなくそのまま記憶部10に送り出される。
この場合、書込み方向は、行方向に選定したので書込み
・読出し方向指定信号102は、論理値II I I+
に駆動され下位ビットal、a2は” o o ”であ
るので第2図及び第4図に基づき記憶部10の記憶位置
 1)O,Q+、rz、S3が選定される。従って書込
み情報DOO,DO1,DO21D0.3は、第8図(
イ)に示すごとく、記憶部10に書込まれる。他の行に
ついても同様にして記憶部10に書込んでいくと最終的
に第8図(ロ)に示すように記憶部10に第7図(イ)
の情報が全ての行及び列に対応する語を構成する各ビッ
トが同一記憶器Miに割付けられることなく書込まれる
記憶部10から情報を読出す場合において、書込み時と
同一方向で読出す場合には、アドレス情報100の下位
2ビツトと書込み・読出し方向指定信号102とによっ
て書込み装置と同じ記憶位置が選択され、その内容が前
述のごとく書込み時と同じビット位置変換操作を施され
て元の情報に復元される。
一方、書込み時と異なる読出し方向が指定された場合も
アドレス制御部12とピット位置変換部14の作用によ
り所望の1語の情報を読出すことができる。例えば、第
8図(ロ)のごとく、行方向に情報が書込まれているも
のとして第7図(イ)に示す情報の列1を読出すには、
アドレス情報100の下位2ビツトalaoを’01”
とし、かつ書込み・読出し方向指定信号102を“0”
とし、かつ書込み・読出し指定信号108を読出し側に
セットする。、この場合、第2図及び第4図に基づき、
記憶部10の記憶器[D+、Q+。
r+、、S、Iが選択される。従って、記憶部10から
は、DIl、 [)o l 、 D31 、 D21の
ビット配列順序で表わされる1Rが読み出され、これが
データ選択部16を経てビット位置変換部14に送り出
される。ついでピット位置変換部14で第6図に示す変
換が行われるから、記憶部10から読出しされた情報は
、ビット配列順序をDOI、DIl;D211031に
変換され、読出し情報110として外部装置に出力され
る。この読出し情報は、第7図(ハ)に示す列1の情報
に他ならない。
なお、上記実施例においては、記憶器MiとしてICメ
モリを適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではな(、n Xiビットの記憶容量を有し、
かつそのうちの任意の1ビツトを外部から指定して書込
み及び読出しを行う構成を有するものであれば任意の記
憶素子を適用し得ることは熱論である。
また上記実施例においては記憶部10の書込み・読出し
データ幅を4ビツトとした場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、例えば16ビツト、32
ビツト等の任意の21ビツトすることができるものであ
る。
その他の構成要素についても、本発明の主旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形変更をなし得るものである。
[発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、nX1ピツト構成の記
憶器を21個使用して書込み・読出しデータ幅が2sピ
ツトの記憶部と、この記憶部の各記憶器のアドレスのう
ち、少なくとも一ピットについて21個の各記憶器ごと
に個別に制御可能なアドレス制御部と、前記記憶部への
書込みデータ及び当該記憶部からの読出しデータのビッ
トの配列順序を変更するピット位置変換部とを具備する
だけの極めて簡易な構成で記憶部の記憶容量を増大させ
ることなく、マトリクス形式における行方向又は列方向
のいずれにも情報の書込み・読出しを行うことができる
という効果がある。
また本発明による情報記憶装置を、プリンタ又はディス
プレイ等の情報出力装置の文字パターンメモリ又は画面
メモリ等に適用すると、記憶古註の増大や処理速度の低
下を招くことなしに、文字あるいは図形を90度回転さ
せることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の1実施例を示すブロック図、第2図
は記憶器の記憶位置と外部から供給されるアドレス信号
との関係を示す説明図、第3図はこの発明に適用し得る
アドレス制御部の1例を示すブロック図、第4図はアド
レス情報と各記憶器に送り出されるアドレス信号の関係
を示す真理値表、第5図はこの発明に適用し得るピット
位置変換部の1例を示すブロック図、第6図はその動作
を示1真理値表、第7図は記憶すべき情報の構成例を示
す説明図、第8図(イ)及び(ロ)はこの発明の詳細な
説明に供する図である。 図において10は記憶部、12はアドレス制御部、14
はピット位置変換部、16はデータ選択換器である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すもので
ある。 代理人 弁理士 大岩増雄 第6図 第7図 (イ) 。、/23 ”’ 列 第8図 (イ) (ロ) 手続補正書 く自発) 昭和−9年11 A3 日 2、発明の名称 情報記憶装置 3、補正をする者 代表者片山仁へ部 4、代理人 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明及び図面の
簡単な説明の欄。 6、補正の内容 以上 特許請求の範囲 (1)nx1ビット構成の記憶器を2″個使用して書込
a−読出にデータ幅が21ビツトの記憶部と、該記憶部
の各記憶器のアドレスのうち、少なくともmビットにつ
いて21個の各記憶器ごとに個別に制御可能なアドレス
制御部と、前記制御部への…込Lデータ及び当該記憶部
からの読出、レーデータのビットの配列順序を変更する
ビット位置変換部とを具備し、前記記憶部を2 * x
 2%ビットの領域に分割して、外部装置から与えられ
る書込み・読出しh−向の指定に従い、2″ビツトの書
込み・読出しを前記2″×2″1ビツトの領−域の行方
向又は列方向に対して行うことを特徴とする情報記憶I
!i置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)nX1ビツト構成の記憶器を2″個使用して書込
    ・読出データ幅が21ビツトの記憶部と。 該記憶部の各記憶器のアドレスうち、少なくともmビッ
    トについて2″個の各記憶器ごとに個別に制御可能なア
    ドレス制御部と、前記制御部への書込データ及び当該記
    憶部からの読出データのビットの配列順序を変更するビ
    ット位置変換部とを具備し、前記記憶部を211 X 
    21aビツトの領域に分割して、外部装置から与えられ
    る書込み・読出し向の指定に従い、2″ビツトの書込み
    ・読出しを前記2” X2’ビツトの画成の行方向又は
    列方向に対して行うことを特徴とする情報記憶装置。
JP58232432A 1983-12-09 1983-12-09 情報記憶装置 Pending JPS60123889A (ja)

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JP58232432A JPS60123889A (ja) 1983-12-09 1983-12-09 情報記憶装置

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JP58232432A JPS60123889A (ja) 1983-12-09 1983-12-09 情報記憶装置

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JP58232432A Pending JPS60123889A (ja) 1983-12-09 1983-12-09 情報記憶装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09120371A (ja) * 1995-10-26 1997-05-06 Nec Corp メモリ制御装置
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