JPS60120420A - 電力用マルチプレクサ・スイツチ - Google Patents
電力用マルチプレクサ・スイツチInfo
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- JPS60120420A JPS60120420A JP59241563A JP24156384A JPS60120420A JP S60120420 A JPS60120420 A JP S60120420A JP 59241563 A JP59241563 A JP 59241563A JP 24156384 A JP24156384 A JP 24156384A JP S60120420 A JPS60120420 A JP S60120420A
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- voltage
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
- H03K17/284—Modifications for introducing a time delay before switching in field effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
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- Power Sources (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、一般に電力用マルチプレクサ・スイッチ及び
方法の分野に関する。特に2本発明は供給電圧線(FD
D)もしくは待機電圧M(V8TB)を。
方法の分野に関する。特に2本発明は供給電圧線(FD
D)もしくは待機電圧M(V8TB)を。
マイクロコンピュータ(Mcry)・ランダムアクセス
記憶装置(RAM)に待機電力を供給する特殊用途の出
力電圧線(Vout)に交互に結合する回路と方法とに
関する。
記憶装置(RAM)に待機電力を供給する特殊用途の出
力電圧線(Vout)に交互に結合する回路と方法とに
関する。
先行技術
ある種のマイクロコンピュータ応用において。
デバイスの動作が正規モードもしくは待機モードにある
ことが望ましい。前者の例においては、略々5VのFD
Dの電源はそのオン・チップRAMを含むマイクロコン
ピュータに印加される。後者の例においては、供給電圧
がスイッチ遮断されると、それはOVの電位(VB2)
になって、それからRAMのテークの保全状態を確実に
するために、待機電力が直ちに印加されることが必要と
なるであろう。
ことが望ましい。前者の例においては、略々5VのFD
Dの電源はそのオン・チップRAMを含むマイクロコン
ピュータに印加される。後者の例においては、供給電圧
がスイッチ遮断されると、それはOVの電位(VB2)
になって、それからRAMのテークの保全状態を確実に
するために、待機電力が直ちに印加されることが必要と
なるであろう。
これまでマイクロコンピュータRAMのような(6)
集積回路に待機電力源を供給するために容易に実施し得
る手段は存在しなかったし、このようなデバイスはした
がって”DDの一定電源もしくは電力増加(powar
、’ttp )時にそのオン・チップRAMを再プログ
ラムさせることが必要であった。電力増加および電力降
下(power ctown>中にRAMの保全を得る
システムはGuntmr氏等に発行され1本発明の譲受
は人に譲渡された米国特許第4,145,761号に記
載されている。
る手段は存在しなかったし、このようなデバイスはした
がって”DDの一定電源もしくは電力増加(powar
、’ttp )時にそのオン・チップRAMを再プログ
ラムさせることが必要であった。電力増加および電力降
下(power ctown>中にRAMの保全を得る
システムはGuntmr氏等に発行され1本発明の譲受
は人に譲渡された米国特許第4,145,761号に記
載されている。
発明の要約
したがって1本発明の目的とする所は改良された電力マ
ルチプレクサ・スイッチ及び方法を提供することにある
。
ルチプレクサ・スイッチ及び方法を提供することにある
。
更に本発明の目的とする所は、待機電力の電源を、マイ
クロコンピュータRAMのような集積回路に与えるよう
にする改良された電力マルチプレクサ・スイッチとその
方法を提供することにある。
クロコンピュータRAMのような集積回路に与えるよう
にする改良された電力マルチプレクサ・スイッチとその
方法を提供することにある。
上記および他の目的の達成されるのは、供給もしくは待
機電圧線を、中間ノードを共通電圧線に結合する第1の
スイッチング手段を具備する出(4) 力電圧線に交互に結合させる電力マルチプレクサ・スイ
ッチとその方法とが得られる場合である。
機電圧線を、中間ノードを共通電圧線に結合する第1の
スイッチング手段を具備する出(4) 力電圧線に交互に結合させる電力マルチプレクサ・スイ
ッチとその方法とが得られる場合である。
第2のスイッチング手段は、供給電圧線を出力電圧線に
結合させる第1のスイッチング手段に応答している。中
間ノードに接続された第3および第4のスイッチング手
段は、待機電圧線上の電圧が供給電圧線上の電圧を超え
る場合に、待機電圧線を出力電圧線に結合させる。
結合させる第1のスイッチング手段に応答している。中
間ノードに接続された第3および第4のスイッチング手
段は、待機電圧線上の電圧が供給電圧線上の電圧を超え
る場合に、待機電圧線を出力電圧線に結合させる。
好ましい実施例の説明
第1図を参照すれば1本発明に係る電力マルチプレクサ
・スイッチ1oが図示されている。電力マルチプレクサ
・スイッチは、付属部分において+ ’DD線20もし
くはVBTB線22全22wt線26に交互に結合させ
るスイッチ用デバイスを具備している。
・スイッチ1oが図示されている。電力マルチプレクサ
・スイッチは、付属部分において+ ’DD線20もし
くはVBTB線22全22wt線26に交互に結合させ
るスイッチ用デバイスを具備している。
N−チャンネル・トランジスタ12はそのソース端子を
共通電圧線VBBに接続させている。N−チャンネル・
トランジスタ12のゲート端子はFDD線路20に接続
されている。N−チャンネル・トランジスタ12のドレ
イン端子はノード24を限定している。P−チャンネル
・トランジスタ14 はそのソース端子をVDD線20
に接続させ、そのドレイン端子をV。tlT線2乙に接
続させている。P−チャンネル・トランジスタ14のゲ
ート端子はノード24に接続されている。
共通電圧線VBBに接続させている。N−チャンネル・
トランジスタ12のゲート端子はFDD線路20に接続
されている。N−チャンネル・トランジスタ12のドレ
イン端子はノード24を限定している。P−チャンネル
・トランジスタ14 はそのソース端子をVDD線20
に接続させ、そのドレイン端子をV。tlT線2乙に接
続させている。P−チャンネル・トランジスタ14のゲ
ート端子はノード24に接続されている。
直列接続のP−チャンネル・トランジスタ16.18は
”aTB線22をV。UT線線孔6結合させている。
”aTB線22をV。UT線線孔6結合させている。
P−チャンネル・トランジスタ16はそのソース端子を
”[l’l’B線22に接続させ、かつそのドレイン端
子をP−チャンネル・トランジスタ18のソース端子に
接続させ、このP−チャンネル・トランジスタ18は順
次そのドレイン端子をV。67線26に接続させている
。P−チャンネル・トランジスタ16.18の夫々のゲ
ート端子はV。0線20に接続されている。
”[l’l’B線22に接続させ、かつそのドレイン端
子をP−チャンネル・トランジスタ18のソース端子に
接続させ、このP−チャンネル・トランジスタ18は順
次そのドレイン端子をV。67線26に接続させている
。P−チャンネル・トランジスタ16.18の夫々のゲ
ート端子はV。0線20に接続されている。
P−チャンネル・トランジスタ16のドレイン端子とP
−チャンネル・トランジスタ18のソース端子とはノー
ド24に接続されている。
−チャンネル・トランジスタ18のソース端子とはノー
ド24に接続されている。
電力用マルチプレクサ・スイッチ10は、電力が正規モ
ードもしくは待機モードで使用される回(7) 路に印加されることができる。「正規」の動作モードに
おいて2回路は”DDの電源をオフ状態にして動作する
ことに麦る。VDD電源が閉止状態になると、即ちV8
8に対して、待機電源は、VDD 11M 20上の電
圧が5.0ボルトから近似的に3.5−4.0ボルトも
しくは近似的にV8ア8以下の−P−チャンネルしきい
値まで低下する前に自動的にスイッチが入れられる。し
たがって+ VOUT線26 上に現われる電圧は近似
的に5.25ボルト以下には低下しない。電力マルチプ
レクサ・スイッチ10の集約された説明において+ V
D+)の電源が完全なチップに供給される場合+ Ve
TB線22線状2は、集積回路基板から電流を引出すこ
とによってラッチアップ条件をひきおこす可能性のある
’ss以下にならない限多不適切である。
ードもしくは待機モードで使用される回(7) 路に印加されることができる。「正規」の動作モードに
おいて2回路は”DDの電源をオフ状態にして動作する
ことに麦る。VDD電源が閉止状態になると、即ちV8
8に対して、待機電源は、VDD 11M 20上の電
圧が5.0ボルトから近似的に3.5−4.0ボルトも
しくは近似的にV8ア8以下の−P−チャンネルしきい
値まで低下する前に自動的にスイッチが入れられる。し
たがって+ VOUT線26 上に現われる電圧は近似
的に5.25ボルト以下には低下しない。電力マルチプ
レクサ・スイッチ10の集約された説明において+ V
D+)の電源が完全なチップに供給される場合+ Ve
TB線22線状2は、集積回路基板から電流を引出すこ
とによってラッチアップ条件をひきおこす可能性のある
’ss以下にならない限多不適切である。
VDDが供給される場合
VDD線2線上0上圧が高い場合、P−チャンネル・ト
ランジスタ14のゲートをVBBに対して引張るN−チ
ャンネル・ トランジスタ12はオンになシ。
ランジスタ14のゲートをVBBに対して引張るN−チ
ャンネル・ トランジスタ12はオンになシ。
そのトランジスタをオンにして、それによって(8)
VDDを用いてVOUT線26に接続された待機回路に
電力を与える。Von 線20上の電圧が高ければ、P
−チャンネル・トランジスタ16.18はターンオフさ
れることによυ+ VOUア線26において電力を与え
られた回路からVIITB線22を絶縁させる。
電力を与える。Von 線20上の電圧が高ければ、P
−チャンネル・トランジスタ16.18はターンオフさ
れることによυ+ VOUア線26において電力を与え
られた回路からVIITB線22を絶縁させる。
動作か待機モードに入ると+ VDD線2線上0上圧は
低くなシワN−チャンネル・トランジスタ12をターン
オフし、順次P−チャンネル・トランジスタ16.18
をターンオンする。P−チャンネル・トランジスタ16
.18がターンオンすると+ VsTJ22とr。UT
線線孔6印加された待機電圧から生ずる電流は、P−チ
ャンネル・トランジスタ14のゲートを充電して、その
トランジスタをターンオフする。P−チャンネル・トラ
ンジスタ16.18はそれからターンオyLl ’OU
ア線26に接続された待機時の回路に対し電流を供給す
る。
低くなシワN−チャンネル・トランジスタ12をターン
オフし、順次P−チャンネル・トランジスタ16.18
をターンオンする。P−チャンネル・トランジスタ16
.18がターンオンすると+ VsTJ22とr。UT
線線孔6印加された待機電圧から生ずる電流は、P−チ
ャンネル・トランジスタ14のゲートを充電して、その
トランジスタをターンオフする。P−チャンネル・トラ
ンジスタ16.18はそれからターンオyLl ’OU
ア線26に接続された待機時の回路に対し電流を供給す
る。
付加的に今度は第2図を参照すれは、第1図に関して上
記したものと同様の構造が同様に番号をつけられ、その
上記の説明はこの第2図の説明として十分満足させるで
あろう。P−チャンネル・トランジスタ14.18は+
VOUT線26上26上れる電圧から付勢されたP基
板内の共通N−ウェル内で確立される。この配列を用い
れば、待機回路用に電力を供給するP−チャンネル・デ
バイス用のN−ウェルは常に付勢されることになる。こ
のウェル用のN” ff1W IJ (gtbard
ring ) 28はまたVOUT 線26上の電圧か
ら付勢される。図示の如く、P−チャンネル・トランジ
スタ16用のN−ウェルはVBTB線22上22上から
付勢される。
記したものと同様の構造が同様に番号をつけられ、その
上記の説明はこの第2図の説明として十分満足させるで
あろう。P−チャンネル・トランジスタ14.18は+
VOUT線26上26上れる電圧から付勢されたP基
板内の共通N−ウェル内で確立される。この配列を用い
れば、待機回路用に電力を供給するP−チャンネル・デ
バイス用のN−ウェルは常に付勢されることになる。こ
のウェル用のN” ff1W IJ (gtbard
ring ) 28はまたVOUT 線26上の電圧か
ら付勢される。図示の如く、P−チャンネル・トランジ
スタ16用のN−ウェルはVBTB線22上22上から
付勢される。
上記の実施例において、P−チャンネル・トランジスタ
14.16および18は、約500/!lの幅/長さ比
を有するP−チャンネル・デバイスである。
14.16および18は、約500/!lの幅/長さ比
を有するP−チャンネル・デバイスである。
N−チャンネル・トランジスタ12は、約8/40の幅
/長さ比を有するN−チャンネル・エンノ・ンスメント
型デバイスである。
/長さ比を有するN−チャンネル・エンノ・ンスメント
型デバイスである。
したがって、今まで、に得られたものは、待機用電源を
MCU RAMのような集積回路の一部分に与えるのに
使用し得る改良された電力用マルチプレクサ(多重度換
装[)スイッチである。本発明のスイッチと方法とを使
用することによp、ucrtRAMの如き集積回路の一
部分に対する待機用電源は、その電源電圧をスイッチ・
オフする時に直ちに印加されることになる。本発明の電
力用マルチプレクサ・スイッチは、最小数の部品とオン
−チップ領域を用いるMCU (マイクロコンピュータ
)の如き集積回路を用いれは容易に集約することができ
よう。
MCU RAMのような集積回路の一部分に与えるのに
使用し得る改良された電力用マルチプレクサ(多重度換
装[)スイッチである。本発明のスイッチと方法とを使
用することによp、ucrtRAMの如き集積回路の一
部分に対する待機用電源は、その電源電圧をスイッチ・
オフする時に直ちに印加されることになる。本発明の電
力用マルチプレクサ・スイッチは、最小数の部品とオン
−チップ領域を用いるMCU (マイクロコンピュータ
)の如き集積回路を用いれは容易に集約することができ
よう。
特定の装置に関連して9本発明の原理は上記の如く説明
されたけれども、この説明は実施例によってのみ行われ
るもので1本発明の請求の範囲を制限するものではない
ことが明瞭に理解され得るであろう。
されたけれども、この説明は実施例によってのみ行われ
るもので1本発明の請求の範囲を制限するものではない
ことが明瞭に理解され得るであろう。
第1図は本発明に係る容易に集積可能な電力用マルチプ
レクサ・スイッチの簡単な概略図である。 第2図は、第1図の電力用マルチプレクサ・スイッチの
集積化されたバージョyの簡単な断面図でるる。 10 電力用マルチプレクサ・スイッチ12 N−チャ
ンネル トランジスタ 14 P−チャンネル トランジスタ 16.18 F−チャンネル トランジスタ2OVDD
線 22 V8. Al 24 ノード 26VoUT線 28 N+保保護 符許出願人モトローラ・インコーボレーテッド代理人弁
理士玉蟲久五部
レクサ・スイッチの簡単な概略図である。 第2図は、第1図の電力用マルチプレクサ・スイッチの
集積化されたバージョyの簡単な断面図でるる。 10 電力用マルチプレクサ・スイッチ12 N−チャ
ンネル トランジスタ 14 P−チャンネル トランジスタ 16.18 F−チャンネル トランジスタ2OVDD
線 22 V8. Al 24 ノード 26VoUT線 28 N+保保護 符許出願人モトローラ・インコーボレーテッド代理人弁
理士玉蟲久五部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、供給電圧線もしくは待機電圧を交互に出力電圧線に
結合する電力用マルチプレクサ・スイッチにおいて。 中間ノードを共通電圧線に結合する第1のスイッチング
手段と; 前記第1スイッチング手段に応答し、前記供給電圧線を
前記出力電圧線に結合する第2のスイッチング手段と; 前記中間ノードに接続され、前記待機電圧線上の電圧が
、前記供給電圧線上の電圧を超える場合に、前記待機電
圧線を前記出力電圧線に結合する第3および第4のスイ
ッチング手段を、具備することを特徴とする電力用マル
チプレクサ・スイッチ。 2、供給電圧線もしくは待機電圧線を出力電圧線に交互
に結合させる方法において。 中間ノードを共通電圧線に結合する第1のスイッチング
・デバイスを得る段階と;第1に、前記第1のスイッチ
ング・デバイスに応答して第2のスイッチング・デバイ
スにょシ、前記供給t1圧線を前記出力電圧線に結合す
る段階と; 第2に、前記供給電圧線上の電圧を超える前記待機電圧
線上の電圧に応答して、前記中間ノードに接続された第
3および第4のスイッチング・デバイスによシ、前記待
機電圧線を前記出力電圧線に結合する段階。 とを具備することを特徴とする電力用マルチプレクサの
スイッチ方法。 3、供給電圧線もしくは待機電圧線を交互に出力電圧線
に結合する電力用マルチプレクサ・スイッチにおいて; 第1のスイッチング・デバイスがその第1のソース、ド
レインおよびゲート端子を有し、前記第1のゲート端子
は前記供給電圧線に接続され。 前記第1のソース端子は共通電圧線に接続され。 かつ前記第1のドレイン端子は電圧ノードを限定する第
1のスイッチング・デバイスと;第2のソース、ドレイ
ンとゲート端子とを有し、前記第2のソース端子は前記
供給電圧線に接続され、前記第2のドレイン端子は出力
電圧線に接続され、かつ前記第2のゲート端子は前記電
圧ノードに接続される第2のスイッチング・デバイスと
; 第6と第4の直列接続スイッチング・デバイスが夫々第
3および第4のソース、ドレインおよびゲート端子を有
し、前記第3のソース端子は前記待機電圧線に接続され
、前記第4のドレイン端子は前記出力電圧線に接続され
、前記第3と第4のゲート端子は前記供給電圧線に接続
され、かつ前記第6のドレイン端子と第4のソース端子
とは前記電圧ノードに接続される第3および第4の直列
接続スイッチング・デバイス とを具備することを特徴とする電力用マルチプレクサ・
スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/552,933 US4556804A (en) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | Power multiplexer switch and method |
US552933 | 1983-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60120420A true JPS60120420A (ja) | 1985-06-27 |
JPH0451093B2 JPH0451093B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=24207412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59241563A Granted JPS60120420A (ja) | 1983-11-17 | 1984-11-15 | 電力用マルチプレクサ・スイツチ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4556804A (ja) |
JP (1) | JPS60120420A (ja) |
KR (1) | KR930001745B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62239806A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-20 | アポロ精工株式会社 | ワイヤストリツパ−装置及びこれを用いた自動配線装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5272393A (en) * | 1987-11-24 | 1993-12-21 | Hitachi, Ltd. | Voltage converter of semiconductor device |
US4937477A (en) * | 1988-01-19 | 1990-06-26 | Supertex, Inc. | Integrated mos high-voltage level-translation circuit, structure and method |
JP2600753B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 入力回路 |
WO1991002408A1 (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-21 | Dallas Semiconductor Corporation | Line-powered integrated circuit transceiver |
US5107149A (en) * | 1990-12-18 | 1992-04-21 | Synaptics, Inc. | Linear, continuous-time, two quadrant multiplier |
ATE134082T1 (de) * | 1991-11-11 | 1996-02-15 | Philips Electronics Nv | Anordnung zum liefern elektrischer energie zu einer last |
DE69417622T2 (de) * | 1993-04-30 | 1999-09-09 | Stmicroelectronics | Spannungskomparator mit einer Summierung von auf dem Bandgap-Prinzip beruhenden Gleichströmen und diesen enthaltender Versorgungsspannungsschalter |
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JP3566745B2 (ja) * | 1994-01-25 | 2004-09-15 | 新日本製鐵株式会社 | 電圧変換装置 |
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