JPS60117743A - ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置 - Google Patents
ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS60117743A JPS60117743A JP58225762A JP22576283A JPS60117743A JP S60117743 A JPS60117743 A JP S60117743A JP 58225762 A JP58225762 A JP 58225762A JP 22576283 A JP22576283 A JP 22576283A JP S60117743 A JPS60117743 A JP S60117743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric element
- wire
- bonding
- capillary
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はワイヤボンディングにおいてワイヤの接合状
態の良否を判定する方法に関する。
態の良否を判定する方法に関する。
半導体装置の製造においては、ワークステージに載置さ
れたリードフレームと、このリードフレームに設けられ
た半導体ペレットとを金線やアルミニュウム線などのワ
イヤで接続するワイヤボンディング工程がある。ワイヤ
を上記リードフレームやベレットにボンディングする手
段としては、熱圧着法、超音波溶接法あるいはこれら両
者を併用した方法などが知られている。
れたリードフレームと、このリードフレームに設けられ
た半導体ペレットとを金線やアルミニュウム線などのワ
イヤで接続するワイヤボンディング工程がある。ワイヤ
を上記リードフレームやベレットにボンディングする手
段としては、熱圧着法、超音波溶接法あるいはこれら両
者を併用した方法などが知られている。
いずれの方法においても、上記ワイヤｔＶ−ドフレーム
およびペレットに所定の圧力で圧接させなければ、上記
ワイヤの接合状態が不確実となる。
およびペレットに所定の圧力で圧接させなければ、上記
ワイヤの接合状態が不確実となる。
ところで、一般にワイヤボンディングは、ボンディング
アームの先端にワイヤが挿通されるキャピラリが設けら
れ、上記ボンディングアームを回動させることによシ上
記キャピラリでワイヤをリードフレームや被レットに圧
接させるようになっている。しかしながら、このような
構造によると、ボンディングアームの回動角度やリード
フレームのワークステージ上における載置状態などの変
化によってワイヤがキャピラリから受ける圧力が一定せ
ず、接合不良を招くことがある。したかって、ワイヤが
リードフレームや被レットに所定の圧力で圧接されてい
るか否かを検出しなければなら々い。また、超音波ビン
ディングや超音波併用熱圧着においては、キャピラｉ介
して接合部に伝わる超音波振動による超音波エネルギが
接合強度に大きく寄与する。このため、超音波振動が不
安定に伝わると、ビンディング強度が不安定なものとな
シ、不良状態を発生する。したがって、接合部に安定し
た超音波振動による所定の摩擦力が加わっているか全検
出する必要がある。しかしながら、従来はそのようなこ
とがなんら行なわれていないため、ボンディング不良が
発生する一因となっていた。
アームの先端にワイヤが挿通されるキャピラリが設けら
れ、上記ボンディングアームを回動させることによシ上
記キャピラリでワイヤをリードフレームや被レットに圧
接させるようになっている。しかしながら、このような
構造によると、ボンディングアームの回動角度やリード
フレームのワークステージ上における載置状態などの変
化によってワイヤがキャピラリから受ける圧力が一定せ
ず、接合不良を招くことがある。したかって、ワイヤが
リードフレームや被レットに所定の圧力で圧接されてい
るか否かを検出しなければなら々い。また、超音波ビン
ディングや超音波併用熱圧着においては、キャピラｉ介
して接合部に伝わる超音波振動による超音波エネルギが
接合強度に大きく寄与する。このため、超音波振動が不
安定に伝わると、ビンディング強度が不安定なものとな
シ、不良状態を発生する。したがって、接合部に安定し
た超音波振動による所定の摩擦力が加わっているか全検
出する必要がある。しかしながら、従来はそのようなこ
とがなんら行なわれていないため、ボンディング不良が
発生する一因となっていた。
この発明はキャピラリの加圧による力と超音波振動によ
る摩擦力とを検出し、ワイヤの接合状態の良否を判別す
るようにしたワイヤボンディングにおける接合状態の判
別方法を提供することにある。
る摩擦力とを検出し、ワイヤの接合状態の良否を判別す
るようにしたワイヤボンディングにおける接合状態の判
別方法を提供することにある。
キャピラリが設けられたボンディングアームあるいはリ
ードフレームが載置されるワークステージのいずれかに
圧電素子を設け、ワイヤボンディング時に上記がンディ
ングアームあるいはワークステージが受ける加圧による
力と超音波振動による摩擦力とを上記圧電素子で検出し
、この検出信号でワイヤの接合状態を判定するようにし
たものである。
ードフレームが載置されるワークステージのいずれかに
圧電素子を設け、ワイヤボンディング時に上記がンディ
ングアームあるいはワークステージが受ける加圧による
力と超音波振動による摩擦力とを上記圧電素子で検出し
、この検出信号でワイヤの接合状態を判定するようにし
たものである。
以下、この発明の一実施例を第１図乃至第３図を参照し
て説明する。第１図はワイヤボンディング装置全示し、
この装置はフレーム１を備えている。このフレーム１は
中空角筒状に形成され内部にはリニアモータ２が設けら
れている。
て説明する。第１図はワイヤボンディング装置全示し、
この装置はフレーム１を備えている。このフレーム１は
中空角筒状に形成され内部にはリニアモータ２が設けら
れている。
このリニアモータ２はマグネット３とこのマグネット３
の図示しない挿入溝にスライド自在に設けられたコイル
４とからなる。このコイル４は角筒状のデビン５の外周
面に導電線６全巻着して形成されている。また、上記フ
レーム１にはスイングアーム７が支軸８によって回動自
在・に設けられている。このスイングアーム７の一端は
−」二記コイル４のがビン５に固着され、他端にはボン
ディングアーム９が取付けられている。
の図示しない挿入溝にスライド自在に設けられたコイル
４とからなる。このコイル４は角筒状のデビン５の外周
面に導電線６全巻着して形成されている。また、上記フ
レーム１にはスイングアーム７が支軸８によって回動自
在・に設けられている。このスイングアーム７の一端は
−」二記コイル４のがビン５に固着され、他端にはボン
ディングアーム９が取付けられている。
このボンディングアーム９は図示せぬ振動子によって超
音波振動させられるホーン１０とこのホーンＩＪの先端
に取付けられた先端部１１とからなシ、この先端部１ノ
にはキャピラリ１２が設けられている。このキャピラリ
１２にはスプール１３から導出された金線などのワイヤ
１４が押通されている。上記スプール１３は上記ツー
レーム１の上面に立設されたブラケット１５に数個けら
れている。上記スプール１３とキャピラリ１２との間に
は、ワイヤ１４に所定のテンションヲ与よるテンション
クランノや１６、フレーム１に取着されたワイヤガイド
板１７および土りランノぞ１８と下クランパ１９が順次
設けられている。
音波振動させられるホーン１０とこのホーンＩＪの先端
に取付けられた先端部１１とからなシ、この先端部１ノ
にはキャピラリ１２が設けられている。このキャピラリ
１２にはスプール１３から導出された金線などのワイヤ
１４が押通されている。上記スプール１３は上記ツー
レーム１の上面に立設されたブラケット１５に数個けら
れている。上記スプール１３とキャピラリ１２との間に
は、ワイヤ１４に所定のテンションヲ与よるテンション
クランノや１６、フレーム１に取着されたワイヤガイド
板１７および土りランノぞ１８と下クランパ１９が順次
設けられている。
壕だ、上記スイングアーム７の一端には作動片２０が延
出されている。この作動片２０は上記フレーム１の背面
に設けられた位置検出器２１の接触子２２に接触してい
る。上記作動片２０と位置検出器２１とにはばね２３が
張設され、上記作動片２０と接触子２２との接触圧力を
一定に保持している。そして、上記位置検出器２１によ
りスイングアーム１２の作動位置を検出するようになっ
ている。
出されている。この作動片２０は上記フレーム１の背面
に設けられた位置検出器２１の接触子２２に接触してい
る。上記作動片２０と位置検出器２１とにはばね２３が
張設され、上記作動片２０と接触子２２との接触圧力を
一定に保持している。そして、上記位置検出器２１によ
りスイングアーム１２の作動位置を検出するようになっ
ている。
上記キャピラリ１２の下方にはワークステージ２５が配
置されている。このワークステージ２５には図示しない
ヒータが内蔵されているとともに上面に開放した凹部２
６が形成されている。この四部２６にはセラミックなど
の電気絶縁板２７を介して平板状の圧電素子２８が上記
ワークステージ２５の上面と面一になる状態で収容保持
されている。このワークステージ２５の上面には半導体
被レット２９がダイデンディングされたリードフレーム
３０が供給され、図示せぬクランパで保持固定される。
置されている。このワークステージ２５には図示しない
ヒータが内蔵されているとともに上面に開放した凹部２
６が形成されている。この四部２６にはセラミックなど
の電気絶縁板２７を介して平板状の圧電素子２８が上記
ワークステージ２５の上面と面一になる状態で収容保持
されている。このワークステージ２５の上面には半導体
被レット２９がダイデンディングされたリードフレーム
３０が供給され、図示せぬクランパで保持固定される。
ワークステージ２５の上面にリードフレーム３０が供給
されると、上記スイングアーム７とともに超音波振動す
るボンディングアーム９が回動し、このボンディングア
ーム９に取着されたキャピラリ１２が上記ベレット２９
とリードフレーム３０に圧接し、これらにワイヤ１４を
超音波振動とワークステージ２５に内蔵されたヒータの
熱とで接合、つまりボンディングする。
されると、上記スイングアーム７とともに超音波振動す
るボンディングアーム９が回動し、このボンディングア
ーム９に取着されたキャピラリ１２が上記ベレット２９
とリードフレーム３０に圧接し、これらにワイヤ１４を
超音波振動とワークステージ２５に内蔵されたヒータの
熱とで接合、つまりボンディングする。
このようなボンディング時に、キャピラリ１２が上記ベ
レット２９あるいはリードフレーム３０に圧接すると、
このリードフレーム３０に接した上記圧電素子２８が加
圧による力と超音波振動による摩擦力とを受けることに
なるから、この圧電素子２８から電気信号が出力される
。圧電素子２８から出力された電気信号はフィルタ３１
に入力され、このフィルタ３ノによって所定の周波数域
外の成分、が除去される。たとえば、キャピラリ１２の
加圧による電気信号が５００Ｈｚ付近、超音波振動の周
波数が６０ ｋＨｚ付近であれば、フィルタ３１ ｆ
６０ ｋＨｚの信号を通過させるパントノ母スフィルタ
と５００ Ｈｚの信号全通過させるローパスフィルタと
から構成する。
レット２９あるいはリードフレーム３０に圧接すると、
このリードフレーム３０に接した上記圧電素子２８が加
圧による力と超音波振動による摩擦力とを受けることに
なるから、この圧電素子２８から電気信号が出力される
。圧電素子２８から出力された電気信号はフィルタ３１
に入力され、このフィルタ３ノによって所定の周波数域
外の成分、が除去される。たとえば、キャピラリ１２の
加圧による電気信号が５００Ｈｚ付近、超音波振動の周
波数が６０ ｋＨｚ付近であれば、フィルタ３１ ｆ
６０ ｋＨｚの信号を通過させるパントノ母スフィルタ
と５００ Ｈｚの信号全通過させるローパスフィルタと
から構成する。
これによってフィルタ３１を通過する電気信号はキャピ
ラリ１２の加圧による力と超音波信号による摩擦力のみ
となる。フィルタ３１を通過した電気信号はアンプ３２
ａで増幅されてからＡ／Ｄ変換回路３２でデジタル化さ
れ、つぎに比較判定回路３３に入力される。この比較判
定回路３３には予め所定の電圧値が設定されていて、こ
の設定値と上記圧電素子２８からの電気信号の電圧値と
が比較され、その比較値に応じてワイヤ１４のボンディ
ング状態を判定する。つまシ、上記比較判定回路３３に
設定される設定値は、ビンディング時にキャピラリ１２
が適正な加圧による力と超音波振動による摩擦力とでワ
イヤ１４を接合したときに、ワイヤステージ２５が受け
る圧力である圧電素子２８が発生するそれぞれの電圧値
よりもわずかに小さく設定されている。したがって、上
記比較判定回路３３は。
ラリ１２の加圧による力と超音波信号による摩擦力のみ
となる。フィルタ３１を通過した電気信号はアンプ３２
ａで増幅されてからＡ／Ｄ変換回路３２でデジタル化さ
れ、つぎに比較判定回路３３に入力される。この比較判
定回路３３には予め所定の電圧値が設定されていて、こ
の設定値と上記圧電素子２８からの電気信号の電圧値と
が比較され、その比較値に応じてワイヤ１４のボンディ
ング状態を判定する。つまシ、上記比較判定回路３３に
設定される設定値は、ビンディング時にキャピラリ１２
が適正な加圧による力と超音波振動による摩擦力とでワ
イヤ１４を接合したときに、ワイヤステージ２５が受け
る圧力である圧電素子２８が発生するそれぞれの電圧値
よりもわずかに小さく設定されている。したがって、上
記比較判定回路３３は。
ここに設定された設定値と圧電素子２８からの電気信号
とを比較することにより、上記キャピラリ１２によって
ワイヤ１４が所定の加圧による力と超音波振動による摩
擦力とでボンディングさ′れているか否かを判定する。
とを比較することにより、上記キャピラリ１２によって
ワイヤ１４が所定の加圧による力と超音波振動による摩
擦力とでボンディングさ′れているか否かを判定する。
つまり、比較判定回路３３によってポンチ゛イング状態
の良否が判定されることになる。
の良否が判定されることになる。
なお、この発明は上記一実施例に限定されず、たとえば
圧電素子２８を第４図に示すようにボンディングアーム
９に設けてもよい。ナなｉりち、圧電素子２８をリング
状に形成し、この圧電素子２８をねじ結合されるビンデ
ィングアーム９のホーン１０と先端部１１との間に同じ
くリング状の絶縁板２７ｔ−介して設けるようにした。
圧電素子２８を第４図に示すようにボンディングアーム
９に設けてもよい。ナなｉりち、圧電素子２８をリング
状に形成し、この圧電素子２８をねじ結合されるビンデ
ィングアーム９のホーン１０と先端部１１との間に同じ
くリング状の絶縁板２７ｔ−介して設けるようにした。
このような構成によれば、Ｈεノンディング時キャピラ
リ１２がベレット２９あるいはリードフレーム３０に圧
接してその加圧による力と超音波振動による摩擦力とが
ビンディングアーム９に伝達される。したがって、上記
キャピラリ１２に加わるそれぞれの力に応じて圧電素子
２８に電気信号が発生するから、圧電素子２８をワーク
ステージに設けたときと同様ワイヤ１４が所定の加圧力
ならびに摩擦力でボンディングされたかどうかを判定で
きる。
リ１２がベレット２９あるいはリードフレーム３０に圧
接してその加圧による力と超音波振動による摩擦力とが
ビンディングアーム９に伝達される。したがって、上記
キャピラリ１２に加わるそれぞれの力に応じて圧電素子
２８に電気信号が発生するから、圧電素子２８をワーク
ステージに設けたときと同様ワイヤ１４が所定の加圧力
ならびに摩擦力でボンディングされたかどうかを判定で
きる。
以上述べたようにこの発明は、キャピラリが設けられた
がンディングアームあるいはリードフレームが載置され
るワークステージのいずれかに圧電素子を設け、ビンデ
ィング時に上記ビンディングアームあるいはワークステ
ージが受ける加圧による力と超音波振動による摩擦力と
を上記圧電素子によって検出し、この検出信号でワイヤ
の接合状態を判定するようにした。したがって、上記ワ
イヤがキャピラリによって所定の圧力で加圧されでいる
か否かまた所定の超音波振動を受けているか否かを知る
ことができるから、これによって７１？ンデイング状態
の良否を正確に判定することができる。
がンディングアームあるいはリードフレームが載置され
るワークステージのいずれかに圧電素子を設け、ビンデ
ィング時に上記ビンディングアームあるいはワークステ
ージが受ける加圧による力と超音波振動による摩擦力と
を上記圧電素子によって検出し、この検出信号でワイヤ
の接合状態を判定するようにした。したがって、上記ワ
イヤがキャピラリによって所定の圧力で加圧されでいる
か否かまた所定の超音波振動を受けているか否かを知る
ことができるから、これによって７１？ンデイング状態
の良否を正確に判定することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示すワイヤパーンディン
グ装置の概略的構成図、第２図は同じくワークステージ
の平面図、第３図同じく電気回路図、第４図はこの発明
の他の実施例を示すボンディングアームの断面図である
。 ９・・がンラ゛イングアーム、１４・・・ワイヤ ２５
ワ−クステーノ、２８・・・圧電素子、２９・・・ベレ
ット、３θ・ リードフレーム、３３・・・比較判定回
路。
グ装置の概略的構成図、第２図は同じくワークステージ
の平面図、第３図同じく電気回路図、第４図はこの発明
の他の実施例を示すボンディングアームの断面図である
。 ９・・がンラ゛イングアーム、１４・・・ワイヤ ２５
ワ−クステーノ、２８・・・圧電素子、２９・・・ベレ
ット、３θ・ リードフレーム、３３・・・比較判定回
路。
Claims (1)
- キャピラリが設けられたデンディングアームあるいはリ
ードフレームが載置されるワークステージのいずれかに
圧電素子を設け、ワイヤデンディング時に上記がンデイ
ングアームあるいはワークステージが受ける力を上記圧
電素子によって検出し、この検出信号でワイヤの接合状
態を判定すること′ｆ：特徴とするワイヤボンディング
における接合状態の判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22576283A JPH0622260B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22576283A JPH0622260B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5189734A Division JPH07105413B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117743A true JPS60117743A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0622260B2 JPH0622260B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16834412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22576283A Expired - Lifetime JPH0622260B2 (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622260B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238739U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105339A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Toshiba Corp | Ultrasonic bonding method |
| JPS55132049A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Nec Corp | Method and device for wire bonding |
| JPS57188840A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Shinkawa Ltd | Load variable mechanism in wire bonder |
| JPS5857733A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Home Electronics Ltd | 超音波ボンデイング方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22576283A patent/JPH0622260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105339A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Toshiba Corp | Ultrasonic bonding method |
| JPS55132049A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Nec Corp | Method and device for wire bonding |
| JPS57188840A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Shinkawa Ltd | Load variable mechanism in wire bonder |
| JPS5857733A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Home Electronics Ltd | 超音波ボンデイング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238739U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 | ||
| JPH056661Y2 (ja) * | 1988-09-08 | 1993-02-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622260B2 (ja) | 1994-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4040885A (en) | Ultrasonic bonding apparatus | |
| US5834650A (en) | Vibration detecting sensor | |
| JP4469503B2 (ja) | バンプ接合判定装置及び方法、並びに半導体部品製造装置及び方法 | |
| US5816476A (en) | Dual frequency power supply and transducer | |
| KR930006956A (ko) | 125 킬로 헤르쯔 이상에서의 초음파 본딩 방법 | |
| KR100248325B1 (ko) | 반도체 패키징 적용시 리드 프레임과 본딩 전선을 초음파 본딩하는 장치 및 방법 | |
| US6672503B2 (en) | Method of bonding wires | |
| JPH06216202A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPS60117743A (ja) | ワイヤボンディングにおける接合状態の判定方法およびその装置 | |
| JPH07105413B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH0547860A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP3655179B2 (ja) | 半導体チップ素子 | |
| JPH07130797A (ja) | ワイヤボンディング装置及び該装置を用いたボンディング状態検査方法 | |
| JPS5951742B2 (ja) | 超音波ワイヤボンデイング方法 | |
| JPS64811B2 (ja) | ||
| JPS609664B2 (ja) | 起音波ワイヤボンダ | |
| JPS6123652B2 (ja) | ||
| JP2976602B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH10256320A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6046541B2 (ja) | 超音波ボンデイング装置 | |
| JP3796943B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 | |
| JPS62293731A (ja) | 超音波ワイヤボンデイング装置のモニタ装置 | |
| JP2761930B2 (ja) | 位置検出スイッチ | |
| JP2982562B2 (ja) | ボンディング装置および検査方法 | |
| JP2001118879A (ja) | ワイヤボンディング装置 |