JPS64811B2 - - Google Patents

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JPS64811B2
JPS64811B2 JP57217213A JP21721382A JPS64811B2 JP S64811 B2 JPS64811 B2 JP S64811B2 JP 57217213 A JP57217213 A JP 57217213A JP 21721382 A JP21721382 A JP 21721382A JP S64811 B2 JPS64811 B2 JP S64811B2
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capillary
bonding
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JP57217213A
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Koichi Nakazawa
Mikio Hasegawa
Takeichi Yoshida
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路等のワイヤボンデイン
グのキヤピラリのボンデイング面接触検出装置に
関するものである。
従来例の構成とその問題点 半導体集積回路等の組立工程では、半導体チツ
プのボンデイング面とリードフレームのリード部
にワイヤを接続する。この工程はワイヤが通され
たキヤピラリを半導体チツプのボンデイング面に
押付け、超音波振動を加えボンデイングする第1
ボンデイングと、この第1ボンデイングの後キヤ
ピラリを上昇させ、リードフレームのリード部に
移動し第1ボンデイングと同様にリード部にボン
デイングを行なう第2ボンデイングと、第2ボン
デイングの後キヤピラリを上昇させワイヤを切断
し、キヤピラリの先端から出ているワイヤを火花
で溶融しボールを作る一連の動作を繰り返してワ
イヤを接続していく。
前記のボンデイング動作において、キヤピラリ
がボンデイング面に接触後の押し付け荷重はボン
デイングの品質に大きな影響を与える。しかし、
従来は前記ワイヤ接続の工程ではボンデイングツ
ールの上下動の動作はカム式で行なつており、キ
ヤピラリの位置や超音波振動を加えるタイミング
は固定され、ボンデイング面の高さのバラツキに
対して対応できず、荷重を一定にすることができ
ないのでボンデイングの品質が不安定となつてい
た。また、ボンデイング面高さのバラツキに対し
て超音波振動を加えるタイミングを確実にするた
めにキヤピラリがボンデイング面に接触したと考
えられる時点から、ある一定の時間をおいて超音
波振動を加えていたために、ワイヤ接続の時間が
遅くなつていた。
この欠点を解決するためにはキヤピラリがボン
デイング面に接触したことを検出し、接触後のキ
ヤピラリの下降量を制御すればよい。キヤピラリ
がボンデイング面に接触したことを検出する方法
としては第1図に示すように、ボンデイングツー
ルとボンデイングツールを固定し上下動させる固
定部とに電圧をかけた接触子を設け、その接触子
のON,OFFによりキヤピラリがボンデイング面
に接触したことを検出する方法もあるが、機械的
動作のため耐久性に乏しいという問題点がある。
発明の目的 本発明は上記従来技術に鑑みてなされたもので
ボンデイングの品質を安定化し、ボンデイング時
間を短縮するためにキヤピラリのボンデイング面
接触検出を機械的な接触子等を用いることなく電
気的に行なうことのできるボンデイング面接触検
出装置を提供するものである。
発明の構成 本発明は超音波振動子とホーンとキヤピラリと
からなるボンデイングツールと、超音波振動子を
共振周波数でかつ定電圧で駆動する超音波発振器
と、超音波振動子の電流の変化を検出する電流変
化検出回路とから構成され、電流変化検出回路は
超音波振動子の電流を検出する電流検出回路と、
検出した電流波形を全波整流する全波整流回路
と、時定数の異なる二つのローパスフイルタと、
この二つのローパスフイルタの出力電圧の差を増
幅する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力電圧
を任意の設定電圧と比較し、設定電圧を越えると
信号を出力する比較回路とから構成されており、
キヤピラリを振動状態でボンデイング面に接触さ
せたときの超音波振動子の電流の変化を電流変化
検出回路で検出して、キヤピラリがボンデイング
面に接触したことを検出することにより、接触後
のキヤピラリの下降量を制御して荷重を一定に
し、ボンデイングの品質を安定化させるものであ
る。
実施例の説明 以下に本発明の実施例を第2図〜第3図にもと
づいて説明する。第2図は本発明の一実施例にお
けるボンデイング面接触検出装置である。
1は超音波振動子、2は超音波振動を伝達増幅
するホーン、3はキヤピラリ、4はワイヤ、5は
半導体チツプ、9はホーン2を上下動させるため
の駆動装置、8はキヤピラリの位置を検出するた
めに駆動装置9によつてホーン2が上下動された
移動量を検出する位置検出器、10はホーン2を
回転自在に軸支するためのホルダー軸、11は荷
重を与えるための荷重バネ、20は駆動装置9に
電力を供給する駆動回路、21は超音波振動子1
を共振周波数でかつ定電圧で駆動する超音波発振
器、22は超音波振動子1に流れる電流の変化を
検出する電流変化検出回路、23は電流検出回
路、24は検出した交流電流波形を全波整流する
全波整流回路、25,26は時定数の異なるロー
パスフイルタ、27はローパスフイルタ25と
ローパスフイルタ26の出力電圧の差を増幅す
る差動増幅回路、28は差動増幅回路27の出力
電圧が任意の設定電圧を越えると信号を出力する
比較回路、29は比較回路28からの信号を受け
て駆動回路20を制御する制御回路である。
以上のように構成されたボンデイング面検出装
置について以下にその動作を説明する。
まず、超音波振動子1をボンデイング時の振幅
よりも小さな振幅で振動させた状態で駆動装置9
でホーン2を下降させる。キヤピラリ3が半導体
チツプ5のボンデイング面に接触すると超音波振
動子1に流れる電流は超音波振動子のインピーダ
ンスが大きくなることにより、振動子は定電圧で
駆動されているために、電流は小さくなる。この
電流の変化を電流変化検出回路22で検出する。
電流変化検出回路は超音波振動子に流れる電流を
電流変成器、あるいは抵抗で電流を検出し、全波
整流回路33で直流に変換し、時定数の異なる二
つのローパスフイルタに入力する。電流波形が変
化したとき、フイルタの時定数の違いにより一方
は速く応答し、もう一方はこれより遅れて応答す
る。この応答の違いにより定常状態では出力は同
じであるが電流が変化したときだけ二つのフイル
タの出力電圧の差は大きくなる。その差を差動増
幅回路27で増幅し、比較回路28で設定電圧と
比較して設定電圧を越えると信号を出力する。
主制御回路は比較回路からの信号を受けて超音
波発振器21に信号を送りボンデイングに必要な
大きな電圧で超音波振動子を駆動するとともに位
置検出器8で位置を検出し、その後の下降量を制
御する。ホーン2はホルダー軸10で回転自在に
軸支されているのでボンデイング面接触後の荷重
はバネ11の伸びで決められる。したがつてボン
デイング面接触後の下降量が一定であれば荷重は
一定となる。主な信号の波形とタイミングを第3
図に示している。第3図のAはキヤピラリの高さ
を示しており波線の位置はボンデイング面の高さ
である。Bは超音波振動子の電流波形の包絡線で
図のようにボンデイング面に接触すると電流が小
さくなり、ボンデイングのための大きな電圧が加
わると電流も大きくなる。Cは超音波振動子にか
かる電圧波形の包絡線で定電圧になつておりボン
デイング時は大きな電圧がかかつている。Dはロ
ーパスフイルタの出力電圧、Eはローパスフイ
ルタの出力電圧であり、Fは二つのローパスフ
イルタの出力の差を増幅した波形である。Gは比
較回路28の出力電圧波形で主制御回路29で
は、この波形をボンデイング面接触前から観測
し、最初の立ち上がりを検出し、ボンデイング面
に接触したことを認識して超音波発振器21にC
に示すような大きな電圧を加えるように制御して
いる。
以上のように本実施例によれば、機械的な接触
子等を用いることなく、キヤピラリを振動状態で
ボンデイング面に接触させ、超音波振動子の電流
の変化を検出し、キヤピラリがボンデイング面に
接触したことを検出することにより、その後のキ
ヤピラリの下降量を制御してボンデイング荷重を
半導体チツプのボンデイング面の高さにバラツキ
があつても一定にすることができ、ボンデイング
の品質を安定化できる。またボンデイング面にキ
ヤピラリが接触後すぐにボンデイングを行なうの
で、ワイヤ接続時間はカム式に比べて短くでき
る。さらに電流変化検出回路では電流の変化のみ
を検出するので超音波振動子の変更にも調整の必
要なく対応できる。
発明の効果 以上のように本発明は、超音波振動子とホーン
とキヤピラリとからなるボンデイングツールと、
超音波振動子を共振周波数でかつ定電圧で駆動す
る超音波発振器と、超音波振動子の電流の変化を
検出する電流変化検出回路とから構成され、電流
変化検出回路は、電流検出回路と、検出した電流
波形を全波整流する全波整流回路と、時定数の異
なる二つのローパスフイルタと、この二つのロー
パスフイルタの出力電圧の差を増幅する差動増幅
回路と、差動増幅回路の出力電圧と設定電圧とを
比較し、設定電圧を越えると信号を出力する比較
回路とから構成され、キヤピラリを振動状態でボ
ンデイング面に接触させ、超音波振動子の電流の
変化を検出して、キヤピラリがボンデイング面に
接触したことを機械的な接触子等を用いることな
く電気的に検出するもので、接触後のキヤピラリ
の下降量を制御して荷重を一定にし、ボンデイン
グの品質を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は機械的接触子を用いた従来のボンデイ
ング面接触検出装置の断面図、第2図は本発明の
一実施例におけるボンデイング面接触検出装置の
ブロツク図、第3図は第2図のブロツク図におけ
る主要な波形図である。 1……超音波振動子、2……ホーン、3……キ
ヤピラリ、21……超音波発振器、22……電流
変化検出回路、23……電流検出回路、24……
全波整流回路、25,26……ローパスフイル
タ、27……差動増幅回路、28……比較回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 超音波振動子と超音波振動を増幅伝達するホ
    ーンとキヤピラリとから構成されるボンデイング
    ツールと、前記超音波振動子を共振周波数でかつ
    定電圧の交流電圧で駆動する超音波発振回路と、
    前記キヤピラリを振動状態でボンデイング面に接
    触させたときの前記超音波振動子の電流の変化を
    検出する電流変化検出回路とから構成されるボン
    デイング面接触検出装置。 2 前記電流変化検出回路は、前記超音波振動子
    の電流を検出する電流検出回路と、検出した電流
    波形を全波整流する全波整流回路と、時定数の異
    なる二つのローパスフイルタと、前記二つのロー
    パスフイルタの出力電圧の差を増幅する差動増幅
    回路と、前記差動増幅回路の出力電圧と任意の設
    定電圧と比較し前記設定電圧を越えた場合に信号
    を出力する比較回路とから構成される特許請求の
    範囲第1項記載のボンデイング面接触検出装置。
JP57217213A 1982-12-10 1982-12-10 ボンデイング面接触検出装置 Granted JPS59106125A (ja)

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JPH02101311U (ja) * 1989-01-24 1990-08-13

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0231439A (ja) * 1988-07-21 1990-02-01 Texas Instr Japan Ltd ボンディング方法及びその装置
KR101109302B1 (ko) * 2009-12-02 2012-01-31 삼성전기주식회사 회로패턴의 결함 검사장치 및 그 검사방법
CN115206825B (zh) * 2021-04-12 2023-06-09 东莞触点智能装备有限公司 一种芯片贴合的接触确定方法、系统、固晶机及存储介质

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02101311U (ja) * 1989-01-24 1990-08-13

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