JPS60117688A - アモルフアス太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアス太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS60117688A JPS60117688A JP58224514A JP22451483A JPS60117688A JP S60117688 A JPS60117688 A JP S60117688A JP 58224514 A JP58224514 A JP 58224514A JP 22451483 A JP22451483 A JP 22451483A JP S60117688 A JPS60117688 A JP S60117688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- glass base
- electrodes
- metalic
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はガラス基板の側面にリボン状の金属電極を埋
設したアモルファス太陽電池の製造方法に関する。
設したアモルファス太陽電池の製造方法に関する。
従来技術
一般にアモルファス太陽電池は、面積が大きくなるに伴
い発生する電流が増加するが、ガラス基板上に形成され
る透明導電膜（ＩＴＯ）の抵抗が大きくなり、かなりの
電力損失を生じる。
い発生する電流が増加するが、ガラス基板上に形成され
る透明導電膜（ＩＴＯ）の抵抗が大きくなり、かなりの
電力損失を生じる。
そこでこの電力損失を少なくするため、従来では第１図
に示すように大面積太陽電池のガラス基板α表面に形成
された透明導電膜す及びアモルファスシリコン膜Ｃを小
面積に分割し、かつこれら透明導電膜す及びアモルファ
スシリコン膜Ｃをアルミニュウムよりなる裏面電極ｄで
直列に接続したものや、第２図に示すようにガラス基板
α上にグリッド電極Ｃを形成し、その上に透明導電膜ｂ
１アモルファスシリコン膜Ｃ及び裏面電極ｄを設けたも
のなどが提唱されている。
に示すように大面積太陽電池のガラス基板α表面に形成
された透明導電膜す及びアモルファスシリコン膜Ｃを小
面積に分割し、かつこれら透明導電膜す及びアモルファ
スシリコン膜Ｃをアルミニュウムよりなる裏面電極ｄで
直列に接続したものや、第２図に示すようにガラス基板
α上にグリッド電極Ｃを形成し、その上に透明導電膜ｂ
１アモルファスシリコン膜Ｃ及び裏面電極ｄを設けたも
のなどが提唱されている。
しかし前者の太陽電池では透明導電膜すの電力損失が少
なく、かつ低電流、高電圧に適したものが得られる反面
、透明導電膜ｂ、アモルファスシリコン膜Ｃ及び裏面電
極ｄを夫々パターン化して積層することにより直列接続
を得るため、パターン化に高い精度を必要とし、高温化
におけるマスク合せやエツチングによるパターン化を行
う際の工程が複雑となるため、高価になる不具合があっ
た。
なく、かつ低電流、高電圧に適したものが得られる反面
、透明導電膜ｂ、アモルファスシリコン膜Ｃ及び裏面電
極ｄを夫々パターン化して積層することにより直列接続
を得るため、パターン化に高い精度を必要とし、高温化
におけるマスク合せやエツチングによるパターン化を行
う際の工程が複雑となるため、高価になる不具合があっ
た。
また後者の太陽電池では、受光面積損失を抑え、かつ抵
抗を下げるためＫは厚みが数ミクロン必要となり、現在
の太陽電池の厚みが１ミクロン程度からすると、厚さが
厚（なりすぎて電池の形状や接続に問題を生じる不具合
があった。
抗を下げるためＫは厚みが数ミクロン必要となり、現在
の太陽電池の厚みが１ミクロン程度からすると、厚さが
厚（なりすぎて電池の形状や接続に問題を生じる不具合
があった。
発明の目的
この発明はかかる不具合を改善する目的でなされたもの
で、全体の厚さを大きくすることなく電流の損失を低減
すると同時に、受光面積も拡大した太陽電池の製造方法
を提供しようとするものである。
で、全体の厚さを大きくすることなく電流の損失を低減
すると同時に、受光面積も拡大した太陽電池の製造方法
を提供しようとするものである。
発明の構成
ガラス基板を加熱軟化させた状態で金属電極をガラス基
板上よりガラス基板内に圧入して、金属電極の埋設され
たガラス基板を形成し、このガラス基板の金属電極埋設
面に透明電極、アモルファスシリコン膜及び裏面電極を
順次積層することを特徴としたアモルファス太陽電池の
製造方法。
板上よりガラス基板内に圧入して、金属電極の埋設され
たガラス基板を形成し、このガラス基板の金属電極埋設
面に透明電極、アモルファスシリコン膜及び裏面電極を
順次積層することを特徴としたアモルファス太陽電池の
製造方法。
実施例
以下この発明の一実施例を第３図以下に示す図面を参照
して詳述すると、ガラス基板１と同じ大きさの凹部２ｃ
Ｌを有する治具２の上記凹部２αに、ソーダガラスより
なるガラス基板）を収容し、このガラス基板１上に第３
図に示すようＶＣ５ＵＳ３０に、５ＵＳ３＋６またはＡ
ｔなとの導電性物質よりなる金属電極３を第７図に示す
ような配置で配設する。次にこの状態で治具２を介して
ガラス基板１を５２５〜５７５℃まで加熱してガラス基
板１を軟化させ、金属電極３上に設けた治具４により金
属電極３を５〜Ｉ Ｏ’／−の圧力で５〜７分間加圧し
て、軟化したガラス基板１内に第４図に示すように金属
電極３を圧入する。
して詳述すると、ガラス基板１と同じ大きさの凹部２ｃ
Ｌを有する治具２の上記凹部２αに、ソーダガラスより
なるガラス基板）を収容し、このガラス基板１上に第３
図に示すようＶＣ５ＵＳ３０に、５ＵＳ３＋６またはＡ
ｔなとの導電性物質よりなる金属電極３を第７図に示す
ような配置で配設する。次にこの状態で治具２を介して
ガラス基板１を５２５〜５７５℃まで加熱してガラス基
板１を軟化させ、金属電極３上に設けた治具４により金
属電極３を５〜Ｉ Ｏ’／−の圧力で５〜７分間加圧し
て、軟化したガラス基板１内に第４図に示すように金属
電極３を圧入する。
ガラス基板１の上面と金属電極３の上面が同一平面とな
ったところでガラス基板１を冷却硬化させ、硬化が終了
したら治具２内より取出す。
ったところでガラス基板１を冷却硬化させ、硬化が終了
したら治具２内より取出す。
上記のように得られたガラス基板１の金属電極３埋股側
表面２２に透明導電膜５．７モル７アスシリコン膜６及
び裏面電極７を順次この順序で積層して、大面積の太陽
電池を製造するものである。
表面２２に透明導電膜５．７モル７アスシリコン膜６及
び裏面電極７を順次この順序で積層して、大面積の太陽
電池を製造するものである。
発明の効果
この発明は以上詳述したようにガラス基板を加熱軟化さ
せた状態で、ガラス基板１に配設した金属電極を加圧し
て、ガラス基板内に金属電極を埋設するようにしたこと
から、ガラス基板にエツチング等によって凹溝を形成し
、この凹溝内に金属電極を埋設する方法に比べて金属電
極を埋設したガラス基板が容易かつ安価に提供できる。
せた状態で、ガラス基板１に配設した金属電極を加圧し
て、ガラス基板内に金属電極を埋設するようにしたこと
から、ガラス基板にエツチング等によって凹溝を形成し
、この凹溝内に金属電極を埋設する方法に比べて金属電
極を埋設したガラス基板が容易かつ安価に提供できる。
上記ガラス基板を使用した太陽電池は、金属電極２の厚
みを大きくとれるため、大面積に構成しても電流損失が
少なくできると共に、金属電極の幅を小さくすることに
よって、太陽電池としての受光面積を最大限に大きくで
きるため、効率向上も図れるようＫなる。
みを大きくとれるため、大面積に構成しても電流損失が
少なくできると共に、金属電極の幅を小さくすることに
よって、太陽電池としての受光面積を最大限に大きくで
きるため、効率向上も図れるようＫなる。
第１図及び第２図は従来の太＠電池を示す断需隔 端つ
副ψａｔｑ舘ワＭけとの益囮の一廖愉例になる太＠電池
の製造工程を示す説明図である。 １はガラス基板、３は金属電極、５（上透明電極、６は
アモルファスシリコン先７１上裏面電極。 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士”浜 本 忠 彷 ３ 図 ス 第 ４０ 第５図 第６ 図 ア
副ψａｔｑ舘ワＭけとの益囮の一廖愉例になる太＠電池
の製造工程を示す説明図である。 １はガラス基板、３は金属電極、５（上透明電極、６は
アモルファスシリコン先７１上裏面電極。 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士”浜 本 忠 彷 ３ 図 ス 第 ４０ 第５図 第６ 図 ア
Claims (1)
- ガラス基板１を加熱軟化させた状態で、ガラス基板１上
より金属電極３をガラス基板１内に圧入して、金属電極
３の埋設されたガラス基板ｌを形成した後、上記ガラス
基板１の金属電極３埋設面に透明電極５、アモルファス
シリコン膜６及び裏面電極７を順次積層することを特徴
とするアモルファス太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224514A JPS60117688A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224514A JPS60117688A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117688A true JPS60117688A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16814982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224514A Pending JPS60117688A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | アモルフアス太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117688A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019176A (en) * | 1990-03-20 | 1991-05-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Thin solar cell and lightweight array |
| WO2007112760A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Antulio Tarazona Labrador | Solar cell, prefabricated base part for a solar cell and method for manufacturing such a base part and a solar cell |
| CN102769064A (zh) * | 2011-05-05 | 2012-11-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种太阳能电池正面栅线电极的制备方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224514A patent/JPS60117688A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019176A (en) * | 1990-03-20 | 1991-05-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Thin solar cell and lightweight array |
| WO2007112760A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Antulio Tarazona Labrador | Solar cell, prefabricated base part for a solar cell and method for manufacturing such a base part and a solar cell |
| CN102769064A (zh) * | 2011-05-05 | 2012-11-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种太阳能电池正面栅线电极的制备方法 |
| WO2012149692A1 (zh) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种太阳能电池正面栅线电极的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10930804B2 (en) | Metallization of solar cells using metal foils | |
| US4754544A (en) | Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays | |
| US5110370A (en) | Photovoltaic device with decreased gridline shading and method for its manufacture | |
| JPH03124067A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP2002100789A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US7759231B2 (en) | Method for producing metal/semiconductor contacts through a dielectric | |
| JPH02181475A (ja) | 太陽電池セル及びその製造方法 | |
| JP2005135942A (ja) | 電極配設方法 | |
| KR20090017760A (ko) | 태양전지의 기판 및 그 제조방법 | |
| JPS60117688A (ja) | アモルフアス太陽電池の製造方法 | |
| JPS6249673A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS61234082A (ja) | 太陽電池のアレイを製造する方法 | |
| JPS6173386A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2892929B2 (ja) | 集積型光電変換素子の製造方法 | |
| JPS61199672A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS60216585A (ja) | 太陽電池素子 | |
| KR20040017183A (ko) | 효율이 개선된 태양전지 및 메탈입자를 이용한 그의제조방법 | |
| JPS63237483A (ja) | 光発電素子の製造方法 | |
| JP3332487B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3573865B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH06318727A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JPH06112514A (ja) | 光電変換半導体装置作製方法 | |
| JPH0982994A (ja) | 光起電力装置とその製造方法 | |
| JPS6141261Y2 (ja) | ||
| JP3352586B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 |