JP2892929B2 - 集積型光電変換素子の製造方法 - Google Patents
集積型光電変換素子の製造方法Info
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- JP2892929B2 JP2892929B2 JP6005891A JP589194A JP2892929B2 JP 2892929 B2 JP2892929 B2 JP 2892929B2 JP 6005891 A JP6005891 A JP 6005891A JP 589194 A JP589194 A JP 589194A JP 2892929 B2 JP2892929 B2 JP 2892929B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積型光電変換素子の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に非晶質半導体から形
成した複数の光電変換素子ユニットを基板面に沿って設
け、これらのユニットを電気的に直列に接続した集積型
太陽電池が知られている。このような集積型太陽電池に
おいては、各ユニットセルを直列に接続することにより
高い電圧を取り出すことができる。
成した複数の光電変換素子ユニットを基板面に沿って設
け、これらのユニットを電気的に直列に接続した集積型
太陽電池が知られている。このような集積型太陽電池に
おいては、各ユニットセルを直列に接続することにより
高い電圧を取り出すことができる。
【０００３】このような集積型太陽電池の製造方法とし
ては、ガラスまたは耐熱プラスチック等の絶縁性及び透
光性を有する基板の上に透明電極膜を形成し、この透明
電極膜の上に非晶質シリコン等の非晶質半導体膜からな
る光起電力層を形成し、この上に裏面電極層を形成し、
各ユニットセルに対応する部分を各層形成毎にレーザー
ビームの照射により切断し分割する製造方法が知られて
いる（特開昭６１−１４７２７号公報）。
ては、ガラスまたは耐熱プラスチック等の絶縁性及び透
光性を有する基板の上に透明電極膜を形成し、この透明
電極膜の上に非晶質シリコン等の非晶質半導体膜からな
る光起電力層を形成し、この上に裏面電極層を形成し、
各ユニットセルに対応する部分を各層形成毎にレーザー
ビームの照射により切断し分割する製造方法が知られて
いる（特開昭６１−１４７２７号公報）。
【０００４】図２は、このようなレーザービーム照射に
よりユニットセルを分割する製造方法により得られる集
積型太陽電池を示す断面図である。図１を参照して、ガ
ラスや耐熱プラスチックなどからなる透光性基板１上に
は、まず酸化錫やＩＴＯなどからなる透明導電膜が形成
される。この透明導電膜にはレーザー照射により所定の
間隔で溝部１４が形成され、各ユニット毎の透明導電膜
１１及び２１に分割される。次に、この透明導電膜１
１，２１の上に非晶質シリコンなどからなる非晶質半導
体の光電変換層が形成される。光電変換層は異なる導電
型の半導体層を直接積層するか、あるいは真性半導体層
を介して積層することにより一般に形成される。このよ
うな光電変換層により透明導電膜１１，２１の上が覆わ
れ、溝部１４もこのような光電変換層により埋められ
る。
よりユニットセルを分割する製造方法により得られる集
積型太陽電池を示す断面図である。図１を参照して、ガ
ラスや耐熱プラスチックなどからなる透光性基板１上に
は、まず酸化錫やＩＴＯなどからなる透明導電膜が形成
される。この透明導電膜にはレーザー照射により所定の
間隔で溝部１４が形成され、各ユニット毎の透明導電膜
１１及び２１に分割される。次に、この透明導電膜１
１，２１の上に非晶質シリコンなどからなる非晶質半導
体の光電変換層が形成される。光電変換層は異なる導電
型の半導体層を直接積層するか、あるいは真性半導体層
を介して積層することにより一般に形成される。このよ
うな光電変換層により透明導電膜１１，２１の上が覆わ
れ、溝部１４もこのような光電変換層により埋められ
る。
【０００５】この光電変換層もレーザー照射により切断
され分割される。この際、隣接するユニットセルの透明
導電膜２１の上に切断部が位置するようにレーザー照射
により切断され、溝部１５が形成される。このような溝
部１５の形成により各ユニットセルの光電変換層１２，
２２が区画される。
され分割される。この際、隣接するユニットセルの透明
導電膜２１の上に切断部が位置するようにレーザー照射
により切断され、溝部１５が形成される。このような溝
部１５の形成により各ユニットセルの光電変換層１２，
２２が区画される。
【０００６】次に、このような光電変換層１２，２２の
上にＡｌなどからなる裏面電極層が形成される。このよ
うな裏面電極層は溝部１５を埋めるように形成され、こ
れによって溝部１５を通り裏面電極層と透明導電膜２１
とが電気的に接続される。次に、このような電気的接続
部となる溝部１５がユニット内となるように裏面電極層
及び光電変換層２２がレーザー照射により、切断され溝
部１６が形成される。このような溝部１６の形成によ
り、裏面電極層１３と隣接ユニットの裏面電極層２３に
分割される。
上にＡｌなどからなる裏面電極層が形成される。このよ
うな裏面電極層は溝部１５を埋めるように形成され、こ
れによって溝部１５を通り裏面電極層と透明導電膜２１
とが電気的に接続される。次に、このような電気的接続
部となる溝部１５がユニット内となるように裏面電極層
及び光電変換層２２がレーザー照射により、切断され溝
部１６が形成される。このような溝部１６の形成によ
り、裏面電極層１３と隣接ユニットの裏面電極層２３に
分割される。
【０００７】透明導電膜１１、光電変換層１２、及び裏
面電極層１３から構成されるユニットと、透明導電膜２
１、光電変換層２２、及び裏面電極層２３から構成され
る隣接ユニットは、溝部１５において裏面電極層１３が
透明導電膜２１と電気的に接続され、これによって直列
に接続された状態となっている。
面電極層１３から構成されるユニットと、透明導電膜２
１、光電変換層２２、及び裏面電極層２３から構成され
る隣接ユニットは、溝部１５において裏面電極層１３が
透明導電膜２１と電気的に接続され、これによって直列
に接続された状態となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにして形成
される従来の集積型太陽電池においては、レーザー照射
により切断する溝部１６の部分においてリーク電流が発
生し、光電変換特性が低下するという問題があった。
される従来の集積型太陽電池においては、レーザー照射
により切断する溝部１６の部分においてリーク電流が発
生し、光電変換特性が低下するという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、集積型光電変換素子におけるユニットセル間
でのリーク電流を低減することのできる集積型光電変換
素子の製造方法を提供することにある。
を解消し、集積型光電変換素子におけるユニットセル間
でのリーク電流を低減することのできる集積型光電変換
素子の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に複数
の光電変換素子のユニットが基板面に沿って設けられ各
ユニットが電気的に直列に接続された集積型光電変換素
子を製造する方法であり、基板上に第１の電極層を形成
する工程と、第１の電極層をレーザー照射により各ユニ
ットに対応する部分に切断し分割する工程と、第１の電
極層上に半導体からなる光電変換層を形成する工程と、
光電変換層を各ユニットに対応する部分に分割するとと
もに隣接するユニットの第１の電極層の上に切断部が位
置するように光電変換層をレーザー照射により切断する
工程と、光電変換層の切断部を通り第１の電極層と電気
的に接続されるように光電変換層上に第２の電極層を形
成する工程と、光電変換層の切断部が各ユニット内に含
まれるように第２の電極層及び光電変換層をレーザー照
射により切断し各ユニットに対応する部分に分割する工
程と、反応性ガスの雰囲気中で、直列に接続されたユニ
ットに逆バイアス電圧を印加することで第２の電極層と
光電変換層の切断部に生じたリーク電流による加熱部分
に絶縁性薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とし
ている。
の光電変換素子のユニットが基板面に沿って設けられ各
ユニットが電気的に直列に接続された集積型光電変換素
子を製造する方法であり、基板上に第１の電極層を形成
する工程と、第１の電極層をレーザー照射により各ユニ
ットに対応する部分に切断し分割する工程と、第１の電
極層上に半導体からなる光電変換層を形成する工程と、
光電変換層を各ユニットに対応する部分に分割するとと
もに隣接するユニットの第１の電極層の上に切断部が位
置するように光電変換層をレーザー照射により切断する
工程と、光電変換層の切断部を通り第１の電極層と電気
的に接続されるように光電変換層上に第２の電極層を形
成する工程と、光電変換層の切断部が各ユニット内に含
まれるように第２の電極層及び光電変換層をレーザー照
射により切断し各ユニットに対応する部分に分割する工
程と、反応性ガスの雰囲気中で、直列に接続されたユニ
ットに逆バイアス電圧を印加することで第２の電極層と
光電変換層の切断部に生じたリーク電流による加熱部分
に絶縁性薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とし
ている。
【００１１】
【作用】本発明においては、反応性ガスの雰囲気中で、
直列に接続されたユニットに逆バイアス電圧を印加す
る。これにより、第２の電極層と光電変換層の切断部の
リーク電流が生じている部分に熱が発生して加熱され、
リーク電流が生じている部分に絶縁性薄膜が形成され
る。このような絶縁性薄膜の形成によりシャント抵抗が
増加し、リーク電流を低減させることができる。
直列に接続されたユニットに逆バイアス電圧を印加す
る。これにより、第２の電極層と光電変換層の切断部の
リーク電流が生じている部分に熱が発生して加熱され、
リーク電流が生じている部分に絶縁性薄膜が形成され
る。このような絶縁性薄膜の形成によりシャント抵抗が
増加し、リーク電流を低減させることができる。
【００１２】本発明における、加熱部分に絶縁性薄膜が
形成されるガス雰囲気としては、例えば、シランと酸素
の混合ガス雰囲気が挙げられる。このような雰囲気にお
いては、加熱部分でシランが酸化され絶縁性を有する酸
化シリコン薄膜が形成される。このような薄膜形成は、
シランガス及び酸素ガスを流した反応室内で行うことが
でき、シランガスと酸素ガスの流量比は、シラン：酸素
＝１：１６〜１８が好ましく、より好ましくは約１：１
７である。
形成されるガス雰囲気としては、例えば、シランと酸素
の混合ガス雰囲気が挙げられる。このような雰囲気にお
いては、加熱部分でシランが酸化され絶縁性を有する酸
化シリコン薄膜が形成される。このような薄膜形成は、
シランガス及び酸素ガスを流した反応室内で行うことが
でき、シランガスと酸素ガスの流量比は、シラン：酸素
＝１：１６〜１８が好ましく、より好ましくは約１：１
７である。
【００１３】また、酸素源としては、酸素の代わりに一
酸化炭素等の炭素酸化物や、メタノール等のアルコール
を用いてもよい。また、シランの代わりにジシラン等の
高次シランを用いてもよい。
酸化炭素等の炭素酸化物や、メタノール等のアルコール
を用いてもよい。また、シランの代わりにジシラン等の
高次シランを用いてもよい。
【００１４】さらに、本発明における絶縁性薄膜は酸化
物薄膜でなくともよく、例えば窒化物薄膜であってもよ
い。窒化物薄膜を形成させる場合には、例えば、シラン
またはジシラン等の高次シランをアンモニアまたは一酸
化窒素等の窒素酸化物の混合ガス雰囲気中で行う。この
ような条件下では、絶縁性薄膜として窒化珪素が形成さ
れる。
物薄膜でなくともよく、例えば窒化物薄膜であってもよ
い。窒化物薄膜を形成させる場合には、例えば、シラン
またはジシラン等の高次シランをアンモニアまたは一酸
化窒素等の窒素酸化物の混合ガス雰囲気中で行う。この
ような条件下では、絶縁性薄膜として窒化珪素が形成さ
れる。
【００１５】本発明においては、このようなガス雰囲気
中で、直列に接続されたユニットに逆バイアス電圧が印
加され、第２の電極層と光電変換層の切断部のリーク電
流が生じている部分が加熱される。本発明において、逆
バイアス電圧を印加するとは、光電変換層のｐ−ｉ−ｎ
またはｐ−ｎ接合を有する光電変換層において、ｐ側が
負極、ｎ側が正極になるよう直流電源を接続し、半導体
接合間に電圧を印加することを意味している。
中で、直列に接続されたユニットに逆バイアス電圧が印
加され、第２の電極層と光電変換層の切断部のリーク電
流が生じている部分が加熱される。本発明において、逆
バイアス電圧を印加するとは、光電変換層のｐ−ｉ−ｎ
またはｐ−ｎ接合を有する光電変換層において、ｐ側が
負極、ｎ側が正極になるよう直流電源を接続し、半導体
接合間に電圧を印加することを意味している。
【００１６】印加する逆バイアス電圧は、絶縁性薄膜が
形成されるガス雰囲気や光電変換層の膜厚等を考慮して
適宜選択される。絶縁性薄膜の形成が、リーク電流によ
って発生した熱による熱分解反応で生じるものであるの
で、電圧が低すぎると充分な熱が発生せず薄膜形成が生
じない場合がある。また、逆バイアス電圧が高すぎる
と、修復が不可能な損傷を与える大きなリーク電流が流
れる場合がある。
形成されるガス雰囲気や光電変換層の膜厚等を考慮して
適宜選択される。絶縁性薄膜の形成が、リーク電流によ
って発生した熱による熱分解反応で生じるものであるの
で、電圧が低すぎると充分な熱が発生せず薄膜形成が生
じない場合がある。また、逆バイアス電圧が高すぎる
と、修復が不可能な損傷を与える大きなリーク電流が流
れる場合がある。
【００１７】シランガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気に
おいて、非晶質シリコンからなる光電変換層に逆バイア
ス電圧を印加する場合には、非晶質シリコン層１０００
Åあたり、逆バイアス電圧を０．７〜１．３Ｖとするこ
とが好ましく、より好ましくは、１Ｖ程度である。
おいて、非晶質シリコンからなる光電変換層に逆バイア
ス電圧を印加する場合には、非晶質シリコン層１０００
Åあたり、逆バイアス電圧を０．７〜１．３Ｖとするこ
とが好ましく、より好ましくは、１Ｖ程度である。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明に従う一実施例の製造工程に
より製造された集積型光電変換素子を示す断面図であ
る。図１を参照して、ガラス基板や耐熱プラスチック等
の透光性基板１上に、第１の電極層に相当する酸化錫か
らなる透明導電膜を形成する。この透明導電膜をレーザ
ー照射により切断し溝部１４（幅約５０μｍ）を形成す
ることによって、透明導電膜１１と隣接ユニットの透明
導電膜２１に分割する。
より製造された集積型光電変換素子を示す断面図であ
る。図１を参照して、ガラス基板や耐熱プラスチック等
の透光性基板１上に、第１の電極層に相当する酸化錫か
らなる透明導電膜を形成する。この透明導電膜をレーザ
ー照射により切断し溝部１４（幅約５０μｍ）を形成す
ることによって、透明導電膜１１と隣接ユニットの透明
導電膜２１に分割する。
【００１９】次に、透明導電膜１１，２１の上に、非晶
質シリコンからなる光電変換層を形成する。本実施例で
は、平行平板電極を用いたＲＦプラズマによるプラズマ
ＣＶＤ法により形成する。ｐ層（膜厚１００Å）、ｉ層
（膜厚４８００Å）、ｎ層（膜厚１００Å）の順で順次
形成し、合計の膜厚が５０００Åとなるように形成す
る。図１に示されるように透明導電膜１１と透明導電膜
２１の間の溝部１４には、光電変換層が埋め込まれて形
成される。
質シリコンからなる光電変換層を形成する。本実施例で
は、平行平板電極を用いたＲＦプラズマによるプラズマ
ＣＶＤ法により形成する。ｐ層（膜厚１００Å）、ｉ層
（膜厚４８００Å）、ｎ層（膜厚１００Å）の順で順次
形成し、合計の膜厚が５０００Åとなるように形成す
る。図１に示されるように透明導電膜１１と透明導電膜
２１の間の溝部１４には、光電変換層が埋め込まれて形
成される。
【００２０】次に、図１に示すように、溝部１４から少
しずらした隣接ユニットの透明導電膜２１の上方に、レ
ーザー照射により溝部１５（幅約５０μｍ）を形成す
る。この溝部１５の形成により、光電変換層１２と隣接
ユニットの光電変換層２２に分割する。
しずらした隣接ユニットの透明導電膜２１の上方に、レ
ーザー照射により溝部１５（幅約５０μｍ）を形成す
る。この溝部１５の形成により、光電変換層１２と隣接
ユニットの光電変換層２２に分割する。
【００２１】次に、光電変換層１２，２２の上にＡｌか
らなる裏面電極層を形成する。図１に示すように溝部１
５から少しずらした位置において、レーザー照射するこ
とにより裏面電極層及び光電変換層２２を切断し溝部１
６（幅約５０μｍ）を形成する。なお溝部１６の形成に
より、裏面電極層１３と隣接ユニットの裏面電極層２３
に分割する。
らなる裏面電極層を形成する。図１に示すように溝部１
５から少しずらした位置において、レーザー照射するこ
とにより裏面電極層及び光電変換層２２を切断し溝部１
６（幅約５０μｍ）を形成する。なお溝部１６の形成に
より、裏面電極層１３と隣接ユニットの裏面電極層２３
に分割する。
【００２２】なお、本実施例で作製した集積型光電変換
素子は、１０ｃｍ角で、１４段のサブモジュールとなる
ものである。従って、１４個のユニットセルが形成され
るようにレーザー照射により切断・分割されている。
素子は、１０ｃｍ角で、１４段のサブモジュールとなる
ものである。従って、１４個のユニットセルが形成され
るようにレーザー照射により切断・分割されている。
【００２３】以上のようにして形成される構造は、図２
に示す集積型光電変換素子と同様の構造であり、このよ
うな集積型光電変換素子を、シランガスと酸素ガスの混
合ガスが流されるいる反応室内に入れる。反応室内にお
いては、シランガス０．０９リットル／分、酸素ガス
１．５３リットル／分の流量に設定されている。従っ
て、シランガスと酸素ガスの流量比は、シラン：酸素＝
１：１７となるように設定されている。なお、シランガ
スは窒素ガスにより０．０１％に希釈されている。
に示す集積型光電変換素子と同様の構造であり、このよ
うな集積型光電変換素子を、シランガスと酸素ガスの混
合ガスが流されるいる反応室内に入れる。反応室内にお
いては、シランガス０．０９リットル／分、酸素ガス
１．５３リットル／分の流量に設定されている。従っ
て、シランガスと酸素ガスの流量比は、シラン：酸素＝
１：１７となるように設定されている。なお、シランガ
スは窒素ガスにより０．０１％に希釈されている。
【００２４】両端のユニットセルの裏面電極層に直流電
源を、光電変換層のｐ層に負極が、ｎ層に正極が接続さ
れるように接続し、−５Ｖの逆バイアス電圧を１時間印
加する。このような逆バイアス電圧の印加により、図１
に示す溝部１６の部分が加熱され、酸化シリコンからな
る絶縁性薄膜１７が溝部１６内に形成される。
源を、光電変換層のｐ層に負極が、ｎ層に正極が接続さ
れるように接続し、−５Ｖの逆バイアス電圧を１時間印
加する。このような逆バイアス電圧の印加により、図１
に示す溝部１６の部分が加熱され、酸化シリコンからな
る絶縁性薄膜１７が溝部１６内に形成される。
【００２５】以上のようにして得られた集積型光電変換
素子についてＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ2 照射下に
おけるＩ−Ｖ特性を測定した。また、比較として、絶縁
性薄膜を形成する前の、すなわち図２に示すような集積
型光電変換素子についても同様にしてＩ−Ｖ特性を測定
した。得られた結果を表１に示す。
素子についてＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ2 照射下に
おけるＩ−Ｖ特性を測定した。また、比較として、絶縁
性薄膜を形成する前の、すなわち図２に示すような集積
型光電変換素子についても同様にしてＩ−Ｖ特性を測定
した。得られた結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１から明らかなように、本発明に従いユ
ニットセル間の溝部に絶縁性薄膜を形成した実施例の集
積型光電変換素子では、開放電圧（Ｖｏｃ）及び曲線因
子（ＦＦ）が向上し、それによって変換効率が高められ
ていることがわかる。
ニットセル間の溝部に絶縁性薄膜を形成した実施例の集
積型光電変換素子では、開放電圧（Ｖｏｃ）及び曲線因
子（ＦＦ）が向上し、それによって変換効率が高められ
ていることがわかる。
【００２８】また、上記実施例と同様の条件で、印加す
る逆バイアス電圧を変化させて集積型光電変換素子を作
製し、印加する逆バイアス電圧と光電変換効率との関係
について測定した。この結果を図３に示す。図３におい
て、縦軸のセルの改善率は、逆バイアス電圧による印加
を行ったことによって特性の向上が観測されたサンプル
数の割合を示している。
る逆バイアス電圧を変化させて集積型光電変換素子を作
製し、印加する逆バイアス電圧と光電変換効率との関係
について測定した。この結果を図３に示す。図３におい
て、縦軸のセルの改善率は、逆バイアス電圧による印加
を行ったことによって特性の向上が観測されたサンプル
数の割合を示している。
【００２９】図３から明らかなように、光電変換層の膜
厚１０００Åに対し約１Ｖの逆バイアス電圧を印加した
場合が、最も高い改善率の得られることがわかる。
厚１０００Åに対し約１Ｖの逆バイアス電圧を印加した
場合が、最も高い改善率の得られることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】本発明に従えば、反応性ガスの雰囲気中
で、直列に接続したユニットに逆バイアス電圧を印加
し、第２の電極層と光電変換層の切断部のリーク電流が
生じている加熱部分に絶縁性薄膜を形成している。この
ような絶縁性薄膜の形成により、シャント抵抗が増加
し、リーク電流を低減させることができる。これによ
り、開放電圧及び曲線因子が改善され、光電変換効率を
向上させることができる。
で、直列に接続したユニットに逆バイアス電圧を印加
し、第２の電極層と光電変換層の切断部のリーク電流が
生じている加熱部分に絶縁性薄膜を形成している。この
ような絶縁性薄膜の形成により、シャント抵抗が増加
し、リーク電流を低減させることができる。これによ
り、開放電圧及び曲線因子が改善され、光電変換効率を
向上させることができる。
【００３１】また、本発明に従えば、レーザー照射によ
って除去加工した集積型光電変換素子において大きなリ
ーク電流が流れている部分を確実に修復することがで
き、集積型光電変換素子の製造における歩留まりを高め
ることができる。
って除去加工した集積型光電変換素子において大きなリ
ーク電流が流れている部分を確実に修復することがで
き、集積型光電変換素子の製造における歩留まりを高め
ることができる。
【００３２】また、本発明に従えば、大きなリーク電流
が流れている部分のみに絶縁性薄膜を形成するので、効
率よく、かつ経済的にユニットセルの不良部分を修復す
ることができる。
が流れている部分のみに絶縁性薄膜を形成するので、効
率よく、かつ経済的にユニットセルの不良部分を修復す
ることができる。
【図１】本発明に従う一実施例の製造工程により製造さ
れた集積型光電変換素子を示す断面図。
れた集積型光電変換素子を示す断面図。
【図２】従来の集積型光電変換素子を示す断面図。
【図３】本発明に従う実施例において印加する逆バイア
ス電圧を変化させたときのユニットセルの光電変換効率
の改善率を示す図。
ス電圧を変化させたときのユニットセルの光電変換効率
の改善率を示す図。
１…透光性基板 １１，２１…透明導電膜 １２，２２…光電変換層 １３，２３…裏面電極層 １４，１５，１６…溝部 １７…絶縁性薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に複数の光電変換素子のユニット
が基板面に沿って設けられ、各ユニットが電気的に直列
に接続された集積型光電変換素子を製造する方法であっ
て、 前記基板上に第１の電極層を形成する工程と、 前記第１の電極層をレーザー照射により前記各ユニット
に対応する部分に切断し分割する工程と、 前記第１の電極層の上に半導体からなる光電変換層を形
成する工程と、 前記光電変換層を前記各ユニットに対応する部分に分割
するとともに、隣接するユニットの第１の電極層の上に
切断部が位置するように、前記光電変換層をレーザー照
射により切断する工程と、 前記光電変換層の切断部を通り前記第１の電極層と電気
的に接続されるように前記光電変換層上に第２の電極層
を形成する工程と、 前記光電変換層の切断部が各ユニット内に含まれるよう
に前記第２の電極層及び光電変換層をレーザー照射によ
り切断し前記各ユニットに対応する部分に分割する工程
と、 反応性ガスの雰囲気中で、前記直列に接続されたユニッ
トに逆バイアス電圧を印加することで、前記第２の電極
層と光電変換層の切断部に生じたリーク電流による加熱
部分に絶縁性薄膜を形成する工程とを備える集積型光電
変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005891A JP2892929B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 集積型光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6005891A JP2892929B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 集積型光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211928A JPH07211928A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2892929B2 true JP2892929B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11623529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6005891A Expired - Lifetime JP2892929B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 集積型光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892929B2 (ja) |
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-
1994
- 1994-01-24 JP JP6005891A patent/JP2892929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH07211928A (ja) | 1995-08-11 |
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